2025年人教新起點選修3化學(xué)下冊階段測試試卷含答案

…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁，總=sectionpages22頁第=page11頁，總=sectionpages11頁2025年人教新起點選修3化學(xué)下冊階段測試試卷含答案考試試卷考試范圍：全部知識點；考試時間：120分鐘學(xué)校：______姓名：______班級：______考號：______總分欄題號一二三四五六總分得分評卷人得分一、選擇題(共7題，共14分)1、下列關(guān)于物質(zhì)結(jié)構(gòu)的命題中，錯誤的項數(shù)有（）

①CH3COOH分子中碳原子的雜化類型有sp2和sp3兩種。

②元素Ge位于周期表第四周期IVA族，核外電子排布式為[Ar]4s24p2；屬于p區(qū)。

③非極性分子往往具有高度對稱性，如BF3、PCl5、H2O2、CO2這樣的分子。

④Na2O、Na2O2、NaHSO4晶體中的陰；陽離子個數(shù)比均為1：2

⑤Cu（OH）2是一種藍色絮狀沉淀；既能溶于硝酸；也能溶于氨水，是兩性氫氧化物。

⑥氨水中大部分NH3與H2O以氫鍵（用“．．．”表示）結(jié)合成NH3·H2O分子，根據(jù)氨水的性質(zhì)可知NH3·H2O的結(jié)構(gòu)式可記為：

⑦HF沸點高于HCl；是因為HCl共價鍵鍵能小于HF

⑧可燃冰中甲烷分子與水分子之間存在氫鍵A.4項B.5項C.6項D.7項2、對儲氫材料CaH2描述錯誤的是（）A.離子半徑：H->Li+B.H-有強還原性C.Ca2+最外層電子排布式：3s23p6D.CaH2晶體中既有離子鍵又有共價鍵3、下列說法正確的是A.ns電子的能量一定高于(n?1)p電子的能量B.6C的電子排布式1s22s22py2，違反了泡利不相容原理C.價電子排布為5s25p1的元素位于第五周期第ⅠA族，是p區(qū)元素D.電子排布式(22Ti)1s22s22p63s23p10違反了洪特規(guī)則4、下列有關(guān)敘述中正確的是（）A.因為s軌道的形狀是球形的，所以處于s軌道上的電子做的是圓周運動B.電子在三個軌道上運動時，能量不同C.的最外層電子排布式為D.H、F、Cl、O的電負性逐漸增大5、下列物質(zhì)不是配合物的是（）A.K2[Co(SCN)4]B.Fe(SCN)3C.CuSO4·5H2OD.NH4Cl6、下列物質(zhì)性質(zhì)的變化規(guī)律，與共價鍵的鍵能大小有關(guān)的是()A.F2、Cl2、Br2、I2的熔點、沸點逐漸升高B.HF、HCl、HBr、HI的熱穩(wěn)定性依次增強C.金剛石的硬度、熔點、沸點都高于晶體硅D.NaF、NaCl、NaBr、NaI的熔點依次降低7、干冰本是分子晶體，但在40GPa的高壓下，用激光器加熱到1800K時，人們成功制得了原子晶體干冰，下列推斷正確的是A.原子晶體干冰有很高的熔、沸點，有很大的硬度B.原子晶體干冰易氣化，可用作致冷劑C.分子晶體干冰硬度大，可用于耐磨材料D.每摩爾原子晶體干冰中含2molC—O鍵評卷人得分二、多選題(共7題，共14分)8、在下列有關(guān)晶體的敘述中錯誤的是（）A.分子晶體中，一定存在極性共價鍵B.原子晶體中，只存在共價鍵C.金屬晶體的熔沸點均很高D.稀有氣體的原子能形成分子晶體9、硅原子的電子排布式由1s22s22p63s23p2轉(zhuǎn)變?yōu)?s22s22p63s13p3，下列有關(guān)該過程的說法正確的是（）A.硅原子由基態(tài)轉(zhuǎn)化為激發(fā)態(tài)，這一過程吸收能量B.硅原子由激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)化為基態(tài)，這一過程釋放能量C.硅原子處于激發(fā)態(tài)時的能量低于基態(tài)時的能量D.轉(zhuǎn)化后硅原子與基態(tài)磷原子的電子層結(jié)構(gòu)相同，化學(xué)性質(zhì)相同10、下面是s能級和p能級的原子軌道圖；下列說法正確的是()

A.s電子的原子軌道呈球形，P軌道電子沿軸呈“8”字形運動B.s能級電子能量低于p能級C.每個p能級有3個原子軌道，在空間伸展方向是不同的D.任一電子層的能級總是從s能級開始，而且能級數(shù)等于該電子層序數(shù)11、下列分子或離子中,中心原子含有孤電子對的是A.H3O+B.SiH4C.PH3D.-12、以為原料，采用電解法制備電源TMAH[化學(xué)式]是一種高效；綠色工藝技術(shù)。原理如圖；M、N是離子交換膜。下列說法錯誤的是。

A.a是電源正極B.M為陰離子交換膜C.中N原子均為雜化D.通過1mol電子時，電解池中可產(chǎn)生16.8L(STP)氣體13、有關(guān)晶體的敘述正確的是（）A.在24g石墨中，含C-C共價鍵鍵數(shù)為3molB.在12g金剛石中，含C-C共價鍵鍵數(shù)為4molC.在60g二氧化硅中，含Si-O共價鍵鍵數(shù)為4molD.在NaCl晶體中，與Na+最近且距離相等的Na+有6個14、下表是某些原子晶體的熔點和硬度。原子晶體金剛石氮化硼碳化硅硅鍺熔點/℃3350300026001415938.4硬度109.59.07.06.0

分析表中的數(shù)據(jù)，判斷下列敘述正確的是（）A.構(gòu)成原子晶體的原子種類越多，晶體的熔點越高B.構(gòu)成原子晶體的原子間的共價鍵鍵能越大，晶體的熔點越高C.構(gòu)成原子晶體的原子的半徑越大，晶體的硬度越大D.構(gòu)成原子晶體的原子的半徑越大，晶體的硬度越小評卷人得分三、填空題(共5題，共10分)15、黑磷是磷的一種穩(wěn)定的同素異形體，黑磷具有正交晶系的晶體結(jié)構(gòu)(圖A)，晶胞參數(shù)a=3.310A，b=4.380A；c=10.500A。黑磷烯是二維的單層黑磷(圖B)，黑磷烯與石墨烯結(jié)構(gòu)相似，P的配位數(shù)為3。與石墨烯相比，黑磷烯具有半導(dǎo)體性質(zhì)，更適合于制作電子器件。已知黑磷結(jié)構(gòu)中只有一種等效的三配位P，所有P原子的成鍵環(huán)境一樣，圖A中編號為①的P原子的晶胞內(nèi)坐標為(0.50，0.090，0.598)。請回答下列問題：

(1)寫出P原子的價電子排布：___。

(2)P和F的電負性大小順序是X(P)___X(F)。(填“<”“=”或“>”)P和F形成的分子PF3和PF5，它們的幾何構(gòu)型分別為__、__。

(3)①黑磷中P原子雜化類型是__。黑磷中不存在__(選填字母序號)。

A.共價鍵B.σ鍵C.π鍵D.范德華力。

②紅磷、白磷與黑磷熔點從高到低的順序為__，原因是__。

(4)圖A中編號為②的P原子的晶胞內(nèi)坐標為__，黑磷的晶胞中含有__個P原子。16、Co基態(tài)原子核外電子排布式為__。元素Mn與O中，第一電離能較大的是__，基態(tài)原子核外未成對電子數(shù)較多的是__。17、亞鐵氰化鉀（K4[Fe(CN)6])雙稱黃血鹽，是一種重要的化工原料。檢驗三價鐵發(fā)生的反應(yīng)為：K4[Fe(CN)6]+FeCl3=KFe[Fe(CN)6]↓(滕氏藍)+3KCl；回答問題：

（1）寫出基態(tài)Fe3+的核外電子排布式___。

（2）K4[Fe(CN)6]中的作用力除共價鍵外；還有___和___。

（3）黃血鹽中N原子的雜化方式為____；C、N、O的第一電離能由大到小的排序為___，電負性由大到小的排序為___。18、鉀的化合物廣泛存在于自然界中?；卮鹣铝袉栴}：

（1）處于一定空間運動狀態(tài)的電子在原子核外出現(xiàn)的概率密度分布可用________形象化描述。

（2）鉀的焰色反應(yīng)為________色，發(fā)生焰色反應(yīng)的原因是_____________________。

（3）疊氮化鉀(KN3)晶體中，含有的共價鍵類型有________________，N3-的空間構(gòu)型為________。

（4）CO能與金屬K和Mn形成配合物K[Mn(CO)5]，Mn元素基態(tài)原子的價電子排布式為________。19、鎳及其化合物是重要的合金材料和催化劑。請回答下列問題：

（1）基態(tài)鎳原子的價電子排布式為___________，排布時最高能層的電子所占的原子軌道有__________個伸展方向。

（2）鎳能形成多種配合物如正四面體形的Ni(CO)4和正方形的[Ni(CN)4]2-、正八面體形的[Ni(NH3)6]2+等。下列說法不正確的有_________。

A．CO與CN-互為等電子體；其中CO分子內(nèi)σ鍵和π鍵個數(shù)之比為1:2

B．NH3的空間構(gòu)型為平面三角形。

C．Ni2+在形成配合物時；其配位數(shù)可能為是4或6

D．Ni(CO)4中，鎳元素是sp3雜化。

（3）丁二酮肟常用于檢驗Ni2+：在稀氨水中，丁二酮肟與Ni2+反應(yīng)生成鮮紅色沉淀，其結(jié)構(gòu)如圖所示。該結(jié)構(gòu)中，除共價鍵外還存在配位鍵和氫鍵，請在圖中用“???”表示出氫鍵。_____

（4）NiO的晶體結(jié)構(gòu)類型與氯化鈉的相同；相關(guān)離子半徑如下表：

NiO晶胞中Ni2+的配位數(shù)為_______，NiO熔點比NaCl高的原因是_______________________。

（5）研究發(fā)現(xiàn)鑭鎳合金LaNix是一種良好的儲氫材料。合金LaNix晶體屬六方晶系如圖a所示，其晶胞如圖a中實線所示，如圖b所示（其中小圓圈代表La，小黑點代表Ni）。儲氫位置有兩種，分別是八面體空隙（“”）和四面體空隙（“”），見圖c、d，這些就是氫原子存儲處。

①LaNix合金中x的值為_____；

②LaNix晶胞的密度是________g/cm-3（阿伏伽德羅常數(shù)用NA表示，LaNix的摩爾質(zhì)量用M表示）

③晶胞中和“”同類的八面體空隙有______個。評卷人得分四、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(共2題，共6分)20、乙醇能使酸性高錳酸鉀溶液褪色，發(fā)生反應(yīng):5C2H5OH+4MnO4-+12H++13H2O=5CH3COOH+4[Mn(H2O)6]2+。

(1)H、C、O中.原子半輕最大的是______(填元素符號，下同).電負性最大的是___________。

(2)[Mn(H2O)6]2+中Mn-O化學(xué)鍵稱為_______鍵,其電子對________由提供。H2O與H+結(jié)合生成H3O+,與H3O+所含原子總數(shù)相等的等電子體是________(填分子式,寫一種)。

(3)在上述反應(yīng)中C2H5OH轉(zhuǎn)化為CH3COOH，C原子的雜化軌道類型由____變?yōu)開_______。

(4)CH3COOH能與H2O任意比混溶的原因,除它們都是極性分子外還因為____________。

(5)第一電離能I1(O)___(填”>”“<”或”=“)I1(S),其原因是___________________。

(6)β-MnSe的結(jié)構(gòu)中Se為面心立方最密堆積，晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。若距離最近的兩個錳原子之間的距離為bpm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA.則β-MnSe的密度=____(列出表達式)g·cm-3。

21、硅、鎵、鍺、硒等單質(zhì)及某些化合物(如砷化鎵)都是常用的半導(dǎo)體材料，廣泛用于光電應(yīng)用領(lǐng)域。具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的金屬鹵化物(通常用ABX3表示)作為一種新型半導(dǎo)體材料也備受關(guān)注，A是陽離子(CH3NHCs+等)，B是二價金屬陽離子(Pb2+，Sn2+等)；X是鹵離子。

(1)基態(tài)Se原子的核外電子排布式為______，其能量最高軌道的電子云形狀為______。

(2)鎵、鍺、砷、硒的第一電離能由大到小的順序為______(用元素符號表示)。

(3)CH3NH中N原子的雜化方式為______，該離子與______分子互為等電子體；CH3NH中H—N—H鍵角比NH3中H—N—H鍵角______(填“大”或“小”)，理由是______。

(4)鍺的一種氧化物的立方晶胞如圖所示：

其中原子坐標參數(shù)A為(0，0，0)，B為(1，1，0)，則C原子坐標參數(shù)為______，O的配位數(shù)為______，每個Ge原子周圍距離最近且相等的Ge原子有______個。已知Ge與O的最近距離為anm，阿伏加德羅常數(shù)值為NA，則該晶體的密度ρ=______g·cm-3(列出計算式即可)。評卷人得分五、實驗題(共1題，共10分)22、現(xiàn)有兩種配合物晶體[Co(NH3)6]Cl3和[Co(NH3)5Cl]Cl2，一種為橙黃色，另一種為紫紅色。請設(shè)計實驗方案將這兩種配合物區(qū)別開來_____________________________。評卷人得分六、原理綜合題(共4題，共20分)23、鍺(Ge)是典型的半導(dǎo)體元素；在電子；材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛?；卮鹣铝袉栴}：

(1)Ge與C是同族元素，C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)、熔點/℃角度分析，原因是______________。

(2)比較下列鍺鹵化物的熔點和沸點，分析其變化規(guī)律及原因____________。GeCl4GeBr4Gel4熔點/℃-49.526146沸點/℃83.1186約400

(3)光催化還原CO2制備CH4反應(yīng)中，帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ge、O電負性由大至小的順序是______________。

(4)Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為__________，微粒之間存在的作用力是________。

(5)晶胞有兩個基本要素：

①原子坐標參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置。如圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標參數(shù)A為（0，0，0）；B為(0，)；C(0，)，則D原子的坐標參數(shù)為_________。

②晶胞參數(shù)：描述晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76pm，其密度為_______g/cm3（列出計算式即可）。24、第四周期的元素，如：鈦(22Ti)、鐵(26Fe)；砷、硒、鋅等及其相關(guān)化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用?；卮鹣铝袉栴}：

(1)基態(tài)Ti原子中，最高能層電子的電子云輪廓形狀為___________，與Ti同周期的所有過渡元素的基態(tài)原子中，最外層電子數(shù)與鈦不同的元素有______種。

(2)琥珀酸亞鐵片是用于缺鐵性貧血的預(yù)防和治療的常見藥物，臨床建議服用維生素C促進“亞鐵”的吸收，避免生成Fe3+，從結(jié)構(gòu)角度來看，F(xiàn)e2+易被氧化成Fe3+的原因是______________。

(3)SCN-離子可用于Fe3+的檢驗；其對應(yīng)的酸有兩種，分別為硫氰酸(H-S-C≡N)和異硫氰酸(H-N=C=S)。

①寫出與SCN-互為等電子體的一種微粒_________________(分子或離子)；

②硫氰酸分子中π鍵和σ鍵的個數(shù)之比為___________；

③異硫氰酸的沸點比硫氰酸沸點高的原因是________________________。

(4)成語“信口雌黃”中的雌黃分子式為As2S3，分子結(jié)構(gòu)如圖，As原子的雜化方式為____________，雌黃和SnCl2在鹽酸中反應(yīng)轉(zhuǎn)化為雌黃（As4S4）和SnCl4并放出H2S氣體，寫出該反應(yīng)方程式__________________________。SnCl4分子的空間構(gòu)型為______________。

(5)高子化合物CaC2的一種晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。該物質(zhì)的電子式___________。一個晶胞含有的π鍵平均有___________個。

(6)硒化鋅的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，圖中X和Y點所堆積的原子均為___________(填元素符號)；該晶胞中硒原子所處空隙類型為___________(填“立方體”、“正四面體”或正八面體”)，該種空隙的填充率為___________；若該晶胞密度為pg?cm-3，硒化鋅的摩爾質(zhì)量為Mg?mol-1。用NA代表阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值，則晶胞參數(shù)a為___________nm。

25、Ⅰ．某離子晶體特征結(jié)構(gòu)如圖A所示。X●位于立方體部分頂點；Y○位于立方體中心。試分析：

（1）每個Y同時吸引著_______個X，該晶體的化學(xué)式為______________。

（2）晶體中每個X周圍與它最接近且距離相等的X共有__________個。

（3）晶體中距離最近的2個X與1個Y形成的夾角∠XYX是___________。

（4）設(shè)該晶體的摩爾質(zhì)量為Mg/mol，晶體密度為g/cm3，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則晶體中兩個距離最近的X中心間距為__________cm。

Ⅱ．B4Cl4是一種淡黃色并具有揮發(fā)性的固體化合物，在70℃以下，它存在于真空中。結(jié)構(gòu)測定表明：該化合物中每個氯原子均結(jié)合一個硼原子，其鍵長都是0.170nm，任意兩個硼原子之間為0.171nm。每個硼原子周圍各有4個共價鍵。根據(jù)上述性質(zhì)和參數(shù)畫出B4Cl4分子空間構(gòu)型的示意圖______________________。26、某柔性屏手機的柔性電池以碳納米管做電極材料，以吸收ZnSO4溶液的有機高聚物做固態(tài)電解質(zhì)，其電池總反應(yīng)為MnO2+Zn+(1+)H2O+ZnSO4MnOOH+ZnSO4[Zn(OH)2]3·xH2O。其電池結(jié)構(gòu)如圖甲所示；圖乙是有機高聚物的結(jié)構(gòu)片段。

（1）Mn2+的核外電子排布式為_____；有機高聚物中C的雜化方式為_____。

（2）已知CN-與N2互為等電子體，推算擬鹵（CN)2分子中σ鍵與π鍵數(shù)目之比為_____。

（3）NO2-的空間構(gòu)型為_____。

（4）MnO是離子晶體，其晶格能可通過如圖的Born-Haber循環(huán)計算得到。

Mn的第一電離能是_____，O2的鍵能是_____，MnO的晶格能是_____。

（5）R(晶胞結(jié)構(gòu)如圖）由Zn、S組成，其化學(xué)式為_____（用元素符號表示）。已知其晶胞邊長為acm，則該晶胞的密度為_____g·cm3(阿伏加德羅常數(shù)用NA表示）。

參考答案一、選擇題(共7題，共14分)1、C【分析】【詳解】

①甲基中，碳原子價層電子對個數(shù)=σ鍵個數(shù)+孤電子對個數(shù)=4+0=4，所以為sp3雜化，-COOH中，碳原子價層電子對個數(shù)=3+0=3，形成3個σ鍵，無孤對電子，采取sp2雜化；①正確；

②Ge位于第四周期ⅣA族，Ge為32號元素，原子核外電子排布式為[Ar]3d104s24p2；屬于p區(qū)元素，②錯誤；

③H2O2結(jié)構(gòu)不對稱；屬于極性分子，③錯誤；

④Na2O每有2個Na+，就有1個O2-，陰陽離子個數(shù)比為1：2，Na2O2每有2個Na+，就有1個陰陽離子個數(shù)比為1：2，NaHSO4晶體中為Na+和陰陽離子個數(shù)比為1：1，④錯誤；

⑤Cu(OH)2屬于堿能溶于硝酸，但Cu(OH)2能溶于氨水，是因為Cu(OH)2和氨水反應(yīng)生成絡(luò)合離子，屬于絡(luò)合反應(yīng)，Cu(OH)2無兩性；⑤錯誤；

⑥氫鍵應(yīng)形成于XH-Y形式中，X、Y必須是N、O、F元素之一，這樣NH3·H2O的結(jié)構(gòu)式有兩種可能：H3NH-O-H、H2N-HOH2，由于NH3·H2O可電離出和OH-；前者合理，⑥正確；

⑦HF和HCl屬于分子晶體，由于HF中存在H—FH這樣的相互作用；即氫鍵，使得HF沸點高于HCl，⑦錯誤；

⑧O可以形成氫鍵；因此可燃冰中水分子之間存在氫鍵，但甲烷和水分子之間不存在氫鍵，⑧錯誤；

綜上所述，共6項錯誤，答案選C。2、D【分析】【詳解】

A.具有相同電子層排布的離子中，核電荷數(shù)小的半徑大，H-與Li+電子層數(shù)相同，則離子半徑：H->Li+；故A正確；

B.H-易失去電子；則具強還原性，故B正確；

C.鈣的原子序數(shù)為20，失去2個電子轉(zhuǎn)化為最外層8個電子的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則Ca2+最外層電子排布式：3s23p6；故C正確；

D.CaH2晶體中鈣原子與氫原子之間只存在離子鍵；故D錯誤；

綜上所述；答案為D。

【點睛】

一般情況下，金屬元素與非金屬元素之間形成離子鍵，非金屬元素與非金屬元素之間形成共價鍵，CaH2晶體中鈣原子分別與兩個氫原子形成離子鍵，則CaH2晶體中無共價鍵。3、A【分析】【分析】

【詳解】

A．電子能量與能層和能級都有關(guān)；ns電子的能量一定高于(n-1)p電子的能量，故A正確；

B．根據(jù)洪特規(guī)則知，2p軌道上的兩個電子應(yīng)排在不同軌道上，6C的電子排布式1s22s22py2違反了洪特規(guī)則；故B錯誤；

C．價電子排布為5s25p1的元素最外層電子數(shù)為3；電子層數(shù)是5，最后一個電子排在P軌道，所以該元素位于第五周期第ⅢA族，是P區(qū)元素，故C錯誤；

D．根據(jù)泡利不相容原理知；3p軌道最多排6個電子，故D錯誤；

故答案為A。4、C【分析】【詳解】

A．s軌道的形狀是球形的；表示電子出現(xiàn)概率大小，而不表示電子運動軌跡，故A錯誤；

B．屬于同一能級上的電子；其能量相同，故B錯誤；

C．根據(jù)鐵原子的電子排布可知的最外層電子排布式為故C正確；

D．O、F處于同一周期，同周期自左而右電負性增大，故電負性F、Cl同主族，自上而下電負性減小，故電負性非金屬性越強電負性越強，所以H；Cl、O、F的電負性逐漸增大，故D錯誤；

答案選C。5、D【分析】【分析】

配合物也叫絡(luò)合物；為一類具有特征化學(xué)結(jié)構(gòu)的化合物，由中心原子或離子(統(tǒng)稱中心原子)和圍繞它的稱為配位體(簡稱配體)的分子或離子構(gòu)成，完全或部分由配位鍵結(jié)合形成，配合物中中心原子提供空軌道，配體提供孤電子對。

【詳解】

A．該物質(zhì)中；鈷離子提供空軌道，硫氰根離子提供孤電子對而形成配位鍵，所以該物質(zhì)屬于配合物，故A不選；

B．鐵離子提供空軌道；硫氰根離子提供孤電子對而形成配位鍵，所以該物質(zhì)屬于配合物，故B不選；

C．該物質(zhì)中銅離子提供空軌道；水分子中氧原子提供孤電子對而形成配位鍵，所以該物質(zhì)屬于配合物，故C不選；

D．銨根離子中N原子含有孤電子對；氫離子提供空軌道，形成配位鍵，銨根離子與氯離子以離子鍵結(jié)合，所以該物質(zhì)不是配合物，故D選；

答案選D。6、C【分析】【詳解】

A項、F2、Cl2、Br2、I2屬于分子晶體；影響熔沸點的因素是分子間作用力的大小，物質(zhì)的相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強，沸點越高，與共價鍵的鍵能大小無關(guān)，故A錯誤；

B項、HF、HI、HBr、HCl屬于共價化合物，影響穩(wěn)定性的因素是共價鍵，共價鍵的鍵能越大越穩(wěn)定，與共價鍵的鍵能大小有關(guān)，但是HF、HCl、HBr；HI的熱穩(wěn)定性依次減弱；故B錯誤；

C項；金剛石、晶體硅屬于原子晶體；原子之間存在共價鍵，原子半徑越小，鍵能越大，熔沸點越高，與共價鍵的鍵能大小有關(guān)，故C正確；

D項、NaF、NaCl、NaBr；NaI屬于離子晶體；離子半徑越大，晶格能越小，熔、沸點越低，與共價鍵的鍵能大小無關(guān)，故D錯誤；

故選C。7、A【分析】【分析】

【詳解】

A.根據(jù)原子晶體的性質(zhì)得出原子晶體干冰有很高的熔；沸點；有很大的硬度，故A正確；

B.原子晶體干冰有很高的沸點；不易氣化，不可用作致冷劑，故B錯誤；

C.根據(jù)分子晶體的性質(zhì)得出分子晶體干冰硬度?。徊豢捎糜谀湍ゲ牧?，故C錯誤；

D.根據(jù)原子晶體SiO2的結(jié)構(gòu)推出每摩爾原子晶體干冰中含4molC—O鍵；故D錯誤；

綜上所述，答案為A。二、多選題(共7題，共14分)8、AC【分析】【分析】

A.分子晶體如果是單質(zhì)中只存在非極性鍵；所以A錯；B.原子晶體中只存在共價鍵。

是正確的；故B正確；C.金屬晶體的熔沸點有高有低，如鎢的熔沸點很高，而金屬汞常溫下為液體，故C錯；D.稀有氣體的原子能形成分子晶體是正確的，故D正確。

【詳解】

所以本題的正確答案為：A.C。9、AB【分析】【詳解】

A．由能量最低原理可知硅原子的電子排布式為1s22s22p63s23p2，當變?yōu)?s22s22p63s13p3時；有1個3s電子躍遷到3p軌道上，3s軌道的能量低于3p軌道的能量，要發(fā)生躍遷，必須吸收能量，使電子能量增大，故A正確；

B．硅原子處于激發(fā)態(tài)時能量要高；處于基態(tài)能量變低，因而由激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)化成基態(tài)，電子能量減小，需要釋放能量，故B正確；

C．基態(tài)原子吸收能量變?yōu)榧ぐl(fā)態(tài)原子；所以激發(fā)態(tài)原子能量大于基態(tài)原子能量，故C錯誤；

D．元素的性質(zhì)取決于價層電子，包括s、p軌道電子，硅原子的激化態(tài)為1s22s22p63s13p3，基態(tài)磷原子為1s22s22p63s23p3；則它們的價層電子數(shù)不同，性質(zhì)不同，故D錯誤；

答案為AB。10、CD【分析】【詳解】

A.s電子的原子軌道呈球形；p電子的原子軌道是“8”字形的，但是電子是做無規(guī)則運動，軌跡是不確定的，故A錯誤；

B.根據(jù)構(gòu)造原理；各能級能量由低到高的順序為1s2s2p3s3p4s3d4p5s4d5p6s4f，所以s能級的能量不一定小于p能級的能量，如4s＞3p，故B錯誤；

C.不同能級的電子云有不同的空間伸展方向；p軌道有3個相互垂直的呈紡錘形的不同伸展方向的軌道，故C正確；

D.多電子原子中；同一能層的電子，能量可能不同，還可以把它們分成能級，任一能層的能級總是從s能級開始，而且能級數(shù)等于該能層序數(shù)，故D正確；

故選CD。

【點睛】

能層含有的能級數(shù)等于能層序數(shù)，即第n能層含有n個能級，每一能層總是從s能級開始，同一能層中能級ns、np、nd、nf的能量依次增大，在不違反泡利原理和洪特規(guī)則的條件下，電子優(yōu)先占據(jù)能量較低的原子軌道，使整個原子體系能量處于最低，這樣的狀態(tài)是原子的基態(tài)，所以任一能層的能級總是從s能級開始，而且能級數(shù)等于該能層序數(shù)。11、AC【分析】【分析】

利用孤電子對數(shù)=(a-bx)進行計算。

【詳解】

A．H3O+的中心氧原子孤電子對數(shù)=(6-1-1×3)=1，A符合題意；B．SiH4的中心Si原子孤電子對數(shù)=(4-1×4)=0，B與題意不符；C．PH3的中心P原子孤電子對數(shù)=(5-1×3)=1，C符合題意；D．的中心S原子孤電子對數(shù)=(6+2-2×4)=0，D與題意不符；答案為AC。12、CD【分析】【詳解】

A.(CH3)4N+移向右室，HCO3-移向左室；陰離子移向陽極，即a是電源正極，A正確；

B.HCO3-經(jīng)過M移向左室；M為陰離子交換膜，B正確；

C.中，(CH3)4N+的C、N原子均為雜化，但是，HCO3-中的C原子為雜化；C錯誤；

D.通過1mol電子時，陰極室H+放電，2H++2e-=H2↑產(chǎn)生H2為0.5mol，陽極室OH-放電，4OH--4e-=2H2O+O2↑，產(chǎn)生O2為0.25mol，同時，溶液中剩下的H+與HCO3-反應(yīng)還要產(chǎn)生二氧化碳；因此，產(chǎn)生的氣體大于0.75mol，體積大于16.8L(STP)氣體，D錯誤。

答案選CD。13、AC【分析】【詳解】

A.在石墨中，每個C原子與相鄰的3個C原子形成共價鍵，每個共價鍵為相鄰2個C原子所共有，所以每個C原子形成的共價鍵數(shù)目為3×=24g石墨含有的C原子的物質(zhì)的量是2mol，因此其中含有的C-C共價鍵的物質(zhì)的量為2mol×=3mol；A正確；

B.在金剛石晶體中每個碳原子與相鄰的4個C原子形成4個共價鍵，每個共價鍵為相鄰兩個C原子形成，所以其含有的C-C數(shù)目為4×=2個；則在12g金剛石含有的C原子的物質(zhì)的量是1mol，故含C-C共價鍵鍵數(shù)為2mol，B錯誤；

C.二氧化硅晶體中；每個硅原子含有4個Si-O共價鍵，所以在60g二氧化硅的物質(zhì)的量是1mol，則其中含Si-O共價鍵鍵數(shù)為4mol，C正確；

D.在NaCl晶體中，每個Na+周圍與它最近且距離相等的Na+有12個；D錯誤；

故合理選項是AC。14、BD【分析】【詳解】

A．原子晶體的熔點與構(gòu)成原子晶體的原子種類無關(guān)；與原子間的共價鍵鍵能有關(guān)，故A錯誤；

B．構(gòu)成原子晶體的原子間的共價鍵鍵能越大；晶體的熔點越高，故B正確；

C．構(gòu)成原子晶體的原子的半徑越大；鍵長越長，鍵能越小，晶體的硬度越小，故C錯誤；

D．構(gòu)成原子晶體的原子的半徑越大；鍵長越長，鍵能越小，晶體的硬度越小，故D正確；

故答案選：BD。三、填空題(共5題，共10分)15、略

【分析】【分析】

根據(jù)P最外層5個電子，寫出價電子排布圖；根據(jù)電負性遞變規(guī)律，以N元素為中間，判斷P與F的電負性大小，以VSEPR理論，判斷PF3和PF5的空間構(gòu)型；根據(jù)黑磷烯與石墨烯結(jié)構(gòu)相似；P的配位數(shù)為3，判斷P原子雜化類型和熔點高低；根據(jù)題中圖示和所給信息，判斷P原子的坐標及晶胞中P原子個數(shù)。

【詳解】

（1）P為15號元素，其核外價電子排布為3s23p3，價電子排布圖為：答案為：

（2）同一周期元素，元素的電負性隨著原子序數(shù)的增大而呈增大，N、F同一周期，電負性x(N)＜x(F)，同一主族，從上到下，電負性依次減弱，N、P屬于同主族，電負性x(N)＞x(P)，P和F的電負性大小順序是x(P)＜x(F)；PF3的價層電子對數(shù)3+=4，有一對孤電子對，所以空間構(gòu)型為三角錐形，PF5的價層電子對數(shù)5+=5；無孤電子對，所以空間構(gòu)型為三角雙錐形；答案為＜，三角錐，三角雙錐。

（3）①黑磷烯與石墨烯結(jié)構(gòu)相似，P的配位數(shù)為3，有一對孤電子對，黑磷中P原子雜化類型是sp3，黑鱗中，P與P形成共價鍵，即有σ鍵，黑磷烯與石墨烯結(jié)構(gòu)相似，層與層之間有分子間作用力，即范德華力，故不存在π鍵；答案為sp3；C。

②黑磷相當于石墨；屬混合晶體，紅磷和白磷都是分子晶體，紅磷是大分子，白磷是小分子，分子量越大，范德華力越大，熔沸點越高，所以熔點高低順序為黑磷＞紅磷＞白磷；答案為黑磷＞紅磷＞白磷，黑磷相當于石墨，屬混合晶體，紅磷和白磷都是分子晶體，紅磷是大分子，白磷是小分子，分子量越大，范德華力越大，熔沸點越高。

（4）結(jié)合圖B可知，圖A中編號為②的P原子位于同一坐標軸a，關(guān)于坐標軸b對稱，且位于坐標軸c的值為1-0.598=0.402，該P原子在晶胞內(nèi)的坐標為(0.500，-0.090，0.402)；該晶胞中第一層含有P原子1+1=2個，第二層含有P原子1+1+1+1=4個，第三層含有P原子1+1=2個，共8個P原子；答案為(0.500，-0.090，0.402)，8?！窘馕觥竣?②.＜③.三角錐④.三角雙錐⑤.sp3⑥.C⑦.黑磷＞紅磷＞白磷⑧.黑磷相當于石墨，屬于混合晶體；紅磷和白磷都是分子晶體，紅磷是大分子，白磷是小分子，分子量越大，范德華力越大，熔沸點越高；所以熔點高低順序為黑磷>紅磷>白磷⑨.(0.500，-0.090，0.402)⑩.816、略

【分析】【分析】

Co是27號元素；可按照能量最低原理書寫電子排布式；O為非金屬性，難以失去電子，第一電離能較大。

【詳解】

Co是27號元素，位于元素周期表第4周期第VIII族，其基態(tài)原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d74s2或[Ar]3d74s2；元素Mn與O中，由于O元素是非金屬性而Mn是過渡元素，所以第一電離能較大的是O，O基態(tài)原子價電子為2s22p4，所以其核外未成對電子數(shù)是2，而Mn基態(tài)原子價電子排布為3d54s2，所以其核外未成對電子數(shù)是5，因此核外未成對電子數(shù)較多的是Mn，故答案為：1s22s22p63s23p63d74s2或[Ar]3d74s2；O；Mn。【解析】①.1s22s22p63s23p63d74s2或[Ar]3d74s2②.O③.Mn17、略

【分析】【詳解】

(1)Fe原子核外有26個電子，失去外圍3個電子形成Fe3+，所以基態(tài)Fe3+的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d5或[Ar]3d5；

(2)K4[Fe(CN)6]是離子化合物，存在離子鍵，其中Fe(CN)64-含有共價鍵和配位鍵；即化學(xué)鍵為離子鍵；配位鍵和共價鍵；

(3)CN-中N的價層電子對數(shù)=1+=2；所以N采用sp雜化；同一周期元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢，但是第IIA族；第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素，所以C、N、O第一電離能大小順序為N＞O＞C；同一周期元素電負性隨著原子序數(shù)增大而增大，所以C、N、O的電負性大小順序為O＞N＞C。

【點睛】

同一周期元素中，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢，但第ⅡA族元素（最外層全滿）大于第ⅢA族元素，第ⅤA族（最外層半滿）的第一電離能大于第ⅥA族元素。【解析】1s22s22p63s23p63d5或[Ar]3d5配位鍵離子鍵spN>O>CO>N>C18、略

【分析】【詳解】

(1)；處于一定空間運動狀態(tài)的電子在原子核外出現(xiàn)的概率密度分布可用電子云形象化描述；

故答案為電子云；

(2)；鉀的焰色反應(yīng)為紫色。發(fā)生焰色反應(yīng)；是由于電子從較高能級躍遷到較低能級時釋放能量，釋放的能量以光的形式呈現(xiàn)；

故答案為紫色；電子從較高能級躍遷到較低能級時釋放能量；釋放的能量以光的形式呈現(xiàn)；

(3)、根據(jù)氮原子的結(jié)構(gòu)，疊氮化鉀晶體中含有的共價鍵類型有σ鍵和π鍵。N3-與CO2是等電子體，等電子體的結(jié)構(gòu)相似，CO2的結(jié)構(gòu)為直線形，則N3-的空間構(gòu)型為直線形；

故答案為σ鍵和π鍵；直線形；

(4)、Mn元素基態(tài)原子核外有25個電子，電子排布式為[Ar]3d54s2，故其價電子排布式為3d54s2?！窘馕觥竣?電子云②.紫③.電子由較高能級躍遷到較低能級時，以光的形式釋放能量④.σ鍵和π鍵⑤.直線形⑥.3d54s219、略

【分析】【分析】

（1）Ni元素原子序數(shù)是28；其3d；4s電子為其價電子，3d、4s能級上電子數(shù)分別是8、2，據(jù)此書寫其價電子排布式，找到最高能層，為N層，能級為4s，判斷它的空間伸展方向；

（2）A．CO與CN-互為等電子體；則一氧化碳中含有碳氧三鍵，其中σ鍵個數(shù)為1；π鍵個數(shù)為2；故σ鍵和π鍵個數(shù)之比為1:2；

B．NH3的中心原子為N；價層電子歲數(shù)為4對，有一對孤對電子，sp3雜化，空間構(gòu)型為三角錐形；

C．根據(jù)題干信息，鎳能形成多種配合物如正四面體形的Ni(CO)4和正方形的[Ni(CN)4]2-、正八面體形的[Ni(NH3)6]2+，因此Ni2+在形成配合物時；其配位數(shù)可能為是4或6；

D．Ni(CO)4中；鎳元素成鍵電子對數(shù)為4，孤電子對數(shù)為0，則價電子對數(shù)為4；

(3)中心原子提供空軌道配體提供孤電子對形成配位鍵;氫鍵存在于已經(jīng)與N、O、F等電負性很大的原子形成共價鍵的H與另外的N、O、F等電負性很大的原子之間，則氫鍵表示為

(4)因為NiO的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉的相同；而氯化鈉中陰陽離子的配位數(shù)均為6，所以NiO晶胞中Ni和O的配位數(shù)也均為6；根據(jù)表格數(shù)據(jù)，氧離子和鎳離子的半徑小于鈉離子和氯離子，則NiO的鍵長小于NaCl，離子半徑越小，鍵長越短，鍵能越大，熔點越高，所以氧化鎳熔點高于氯化鈉熔點；

(5)①由圖b可知，La的個數(shù)為8×=1，Ni的個數(shù)為8×+1=5；La與Ni的個數(shù)比1:5，則x=5；

②由圖a可得晶胞的體積V=5×10-8cm×5×10-8cm×4×10-8cm=1×10-21cm3，密度=進行計算；

③六個球形成的空隙為八面體空隙，顯然圖c中的八面體空隙都是由2個La原子和4個Ni原子所形成，這樣的八面體空隙位于晶胞的，上底和下底的棱邊和面心處，共有8×+2×=3個；

【詳解】

（1）Ni元素原子序數(shù)是28，其3d、4s電子為其價電子，3d、4s能級上電子數(shù)分別是8、2，其價電子排布式為3d84s2；最高能層的電子為N，分別占據(jù)的原子軌道為4s，原子軌道為球形，所以有一種空間伸展方向；

答案為：3d84s2；1；

（2）A．CO與CN-互為等電子體；則一氧化碳中含有碳氧三鍵，其中σ鍵個數(shù)為1；π鍵個數(shù)為2；故σ鍵和π鍵個數(shù)之比為1:2，故A正確；

B．NH3的中心原子為N；價層電子歲數(shù)為4對，有一對孤對電子，sp3雜化，空間構(gòu)型為三角錐形，故B錯誤；

C．根據(jù)題干信息，鎳能形成多種配合物如正四面體形的Ni(CO)4和正方形的[Ni(CN)4]2-、正八面體形的[Ni(NH3)6]2+，因此Ni2+在形成配合物時；其配位數(shù)可能為是4或6，故C正確；

D．Ni(CO)4中，鎳元素成鍵電子對數(shù)為4，孤電子對數(shù)為0，則價電子對數(shù)為4，是sp3雜化；故D正確；

答案選B。

(3)中心原子提供空軌道配體提供孤電子對形成配位鍵;氫鍵存在于已經(jīng)與N、O、F等電負性很大的原子形成共價鍵的H與另外的N、O、F等電負性很大的原子之間，則氫鍵表示為

故答案為：

(4)因為NiO的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉的相同；而氯化鈉中陰陽離子的配位數(shù)均為6，所以NiO晶胞中Ni和O的配位數(shù)也均為6；根據(jù)表格數(shù)據(jù)，氧離子和鎳離子的半徑小于鈉離子和氯離子，則NiO的鍵長小于NaCl，二者都屬于離子晶體，離子晶體的熔點與離子鍵的強弱有關(guān)，離子所帶電荷越多，離子半徑越小，離子鍵越強，熔點越高，所以氧化鎳熔點高于氯化鈉熔點；

答案為：6；離子半徑越小；離子所帶電荷越多，鍵長越短，鍵能越大，熔點越高；

(5)①由圖b可知，La的個數(shù)為8×=1，Ni的個數(shù)為8×+1=5；La與Ni的個數(shù)比1:5，則x=5；

答案為：5；

②由圖a可得晶胞的體積V=5×10-8cm×5×10-8cm×4×10-8cm=1×10-21cm3，密度==g/cm-3；

答案為：

③六個球形成的空隙為八面體空隙，顯然圖c中的八面體空隙都是由2個La原子和4個Ni原子所形成，這樣的八面體空隙位于晶胞的，上底和下底的棱邊和面心處，共有8×+2×=3個；

答案為：3。

【點睛】

考查同學(xué)們的空間立體結(jié)構(gòu)的思維能力，難度較大。該題的難點和易錯點在(5)的③，與“”同類的八面體空隙位于晶胞的，上底和下底的棱邊和面心處，且空隙與其他晶胞共用，計算數(shù)目時也要注意使用平均法進行計算?！窘馕觥?d84s21B6離子半徑越小，離子所帶電荷越多，鍵長越短，鍵能越大，熔點越高53四、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(共2題，共6分)20、略

【分析】【詳解】

(1)電子層數(shù)越多；原子半徑越大，同周期元素，從左到右原子半徑逐漸減小，因此H；C、O中，原子半輕最大的是C；周期表從左到右，元素的電負性逐漸變大，從上到下，元素的電負性逐漸減小，因此H、C、O中，電負性最大的是O，答案：C；O；

(2)[Mn(H2O)6]2+中Mn—O鍵為配位鍵，其電子對由O提供，H3O+的原子數(shù)為3，價電子數(shù)為10，與H3O+所含原子總數(shù)相等的等電子體有NH3等，答案：配位；O；NH3；

(3)C2H5OH分子中的兩個碳原子均為sp3雜化，CH3COOH分子中甲基上的碳原子為sp3雜化，羰基中的碳原子為sp2雜化，答案：sp3；sp3或sp2；

(4)CH3COOH與H2O均為極性分子，且CH3COOH分子與H2O分子間可形成氫鍵，因此CH3COOH能與H2O任意比混溶，答案：CH3COOH分子與H2O分子間可形成氫鍵；

(5)O和S位于同一主族，O的原子半徑比S的小，半徑越小原子核對最外層電子的吸引力越大，則第一電離能越大，因此第一電離能I1(O)>I1(S)，答案：>；O的原子半徑比S的??；原子核對最外層電子的吸引力較大；

(6)由均攤法可知，1個晶胞中Mn原子的數(shù)目為4，Se原子的數(shù)目為8×+6×=4，根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，兩個Mn原子的最近距離為面對角線的一半，所以晶胞的棱長為pm，取1mol晶胞，質(zhì)量m=4×134g，1個晶胞的體積為(×10-10)3cm3，則晶胞的密度=g·cm-3，答案：【解析】CO配位ONH3sp3sp3或sp2CH3COOH分子與H2O分子間可形成氫鍵>O的原子半徑比S的小，原子核對最外層電子的吸引力較大21、略

【分析】【分析】

【詳解】

(1)基態(tài)Se原子序數(shù)為34，位于第四周期ⅥA族，核外電子排布式為[Ar]3dl04s24p4，其能量最高軌道為p軌道，電子云形狀為啞鈴形或紡錘形；故答案為：[Ar]3dl04s24p4；啞鈴形或紡錘形；

(2)同周期主族元素隨原子序數(shù)增大第一電離能呈增大趨勢，As族元素原子4p軌道為半充滿穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，第一電離能高于同周期相鄰元素的，故第一電離能：As>Se>Ge>Ga；故答案為：As>Se>Ge>Ga；

(3)CH3NH中N原子形成3個共價鍵，價層還有一對孤電子對，則N的價電子對數(shù)為4，為sp3雜化；CH3NH中共18個電子，與CH3CH3互為等電子體；CH3NH中N形成4個σ鍵，而NH3分子中N有一對孤電子對，孤電子對對H—N鍵的排斥力更大，將H—N—H鍵角壓縮變小；故答案為：sp3；CH3CH3；大；CH3NH中N形成4個σ鍵，而NH3分子中N有一對孤電子對；孤電子對對H—N鍵的排斥力更大，將H—N—H鍵角壓縮變??；

(4)C與周圍4個原子形成正四面體結(jié)構(gòu)，則C原子坐標參數(shù)為()；由圖知1個Ge連著4個O，1個O連著4個Ge，所以O(shè)配位數(shù)為4；每個Ge原子周圍距離最近且相等的Ge原子有12個；已知Ge與O的最近距離為anm，設(shè)晶胞邊長為xnm，則x=則1mol晶胞的體積為：NA1個晶胞含有Ge原子個數(shù)為4，O原子個數(shù)為則則1mol晶胞的質(zhì)量為：4g=4g，晶體密度為：故答案為：()；4；12；【解析】[Ar]3dl04s24p4啞鈴形或紡錘形As>Se>Ge>Gasp3CH3CH3大CH3NH中N形成4個σ鍵，而NH3分子中N有一對孤電子對，孤電子對對H—N鍵的排斥力更大，將H—N—H鍵角壓縮變小()412五、實驗題(共1題，共10分)22、略

【分析】【分析】

兩種配合物可電離出的氯離子數(shù)目不同；可將等質(zhì)量的兩種配合物配制成溶液，滴加硝酸銀，根據(jù)生成沉淀的多少判斷。

【詳解】

兩種配合物晶體[Co（NH3）6]Cl3和[Co（NH3）5Cl]Cl2?NH3，內(nèi)界氯離子不能與硝酸銀反應(yīng)，外界氯離子可以與硝酸銀反應(yīng)，將這兩種配合物區(qū)別開來的實驗方案：稱取相同質(zhì)量的兩種晶體分別配成溶液，向兩種溶液中分別滴加足量用硝酸酸化的硝酸銀溶液，充分反應(yīng)后，過濾、洗滌、干燥后稱量，所得AgCl固體質(zhì)量大的，原晶體為[Co（NH3）6]Cl3，所得AgCl固體質(zhì)量小的，原晶體為[Co（NH3）5Cl]Cl2?NH3，故答案為：取相同質(zhì)量的兩種晶體分別配成溶液，向兩種溶液中分別滴加足量AgNO3溶液，靜置、過濾、干燥、稱量，沉淀質(zhì)量大的，原晶體為[Co（NH3）6]Cl3，少的是[Co(NH3)5Cl]Cl2。

【點睛】

把握配合物的構(gòu)成特點，為解答該題的關(guān)鍵。解答此類試題要注意配合物的內(nèi)界和外界的離子的性質(zhì)不同，內(nèi)界中以配位鍵相結(jié)合，很牢固，難以在水溶液中電離，而內(nèi)界和外界之間以離子鍵結(jié)合，在溶液中能夠完全電離?！窘馕觥糠Q取相同質(zhì)量的兩種晶體配成溶液，向兩種溶液中分別加入足量的硝酸銀溶液，靜置、過濾、干燥、稱量，所得氯化銀固體多的是[Co(NH3)6]Cl3，少的是[Co(NH3)5Cl]Cl2六、原理綜合題(共4題，共20分)23、略

【分析】【詳解】

(1)雖然Ge與C是同一主族的元素；C原子之間可以形成雙鍵；叁鍵，但Ge原子半徑比較大，難以通過“肩并肩”方式形成π鍵，且鍺的原子半徑較大，形成單鍵的鍵長較長，p-p軌道肩并肩重疊程度很??；

(2)根據(jù)表格數(shù)據(jù)得出；三種鍺鹵化物都是分子晶體，其熔；沸點分別依次增高，而熔、沸點的高低與分子間作用力強弱有關(guān)，相對分子質(zhì)量越大，分子間相互作用力就越大，物質(zhì)的熔沸點就越高；

(3)鋅；鍺位于同一周期；同一周期元素，從左至右元素的電負性逐漸增大(除稀有氣體元素外)，而氧元素位于元素周期表右上角，電負性僅次于氟，由此可知氧、鍺、鋅三種元素的的電負性由大至小的順序是O＞Ge＞Zn；

(4)晶體鍺類似金剛石，金剛石屬于原子晶體，則晶體鍺也屬于原子晶體，每個鍺原子與其周圍的4個鍺原子形成4個單鍵，故鍺原子采用sp3雜化；Ge原子之間的作用力是共價鍵；

(5)①對照晶胞圖示、坐標系以及A、B、C點坐標，選A點為參照點，觀察D點在晶胞中位置(體對角線處)，由B、C點坐標可以推知D點坐標為()。

②晶胞中含有的Ge原子數(shù)目為：4+8×+6×=8，1個晶胞含有8個鍺原子，晶胞的質(zhì)量為g，晶胞參數(shù)a=565.76pm，則晶體的密度ρ==×107g/cm3。

【點睛】

本題考查了原子核外電子排布、化學(xué)鍵、晶體類型與性質(zhì)、電負性、雜化方式、晶胞計算等，(5)中晶胞計算為易錯點，難點是分析晶胞中含有Ge原子數(shù)目，要需要學(xué)生具備一定的空間想象與數(shù)學(xué)計算能力?！窘馕觥縂e原子半徑大，原子間形成的σ單鍵較長，p-p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊，難以形成π鍵GeCl4、GeBr4、CeI4的熔、沸點依次增高。原因是分子結(jié)構(gòu)相似，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間相互作用逐漸增強O＞Ge＞Znsp3共價鍵()×10724、略

【分析】【詳解】

(1)基態(tài)Ti原子的價層電子排布式為：3d24s2，最高能層為第四能層，s電子云輪廓形狀為球形；與Ti同周期的所有過渡元素的基態(tài)原子中，最外層電子數(shù)與鈦不同的元素有Cr3d54s1，Cu3d104s1；共兩種；

（2）從結(jié)構(gòu)角度來看，F(xiàn)e2+的價電子排布式是：3d6，再失一個電子就是3d5半充滿穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，故易被氧化成Fe3+；

(3)①與SCN-互為等電子體的一種微粒是：N2O(或CO2、CS2、OCN-)；

②硫氰酸(H-S-C≡N)中π鍵和σ鍵的個數(shù)之比為2∶3；

③異硫氰酸分子間可以形成氫鍵；故其沸點比硫氰酸沸點高；

(4)雌黃分子式為As2S3，As有四對價層電子對，As原子的雜化方式為sp3雜化；

雌黃和SnCl2在鹽酸中反應(yīng)轉(zhuǎn)化為雌黃（As4S4）和SnCl4并放出H2S氣體，故其反應(yīng)方程式為：2As2S3+2SnCl2+4HCl=As4S4+2SnCl4+2H4S↑；SnCl4分子的空間構(gòu)型為正四面體；

(5)CaC2為離子化合物，電子式為：一個晶胞含有4個Ca2+，4個C22-,一個C22-中有兩個π鍵；一個晶胞含有的π鍵平均有8個；

(6)硒化鋅的晶胞結(jié)構(gòu)中X和Y點所堆積的原子均為Zn，該晶胞中四個硒原子所處晶胞體對角線四分之一處，空隙類型為正四面體，但只占據(jù)了其中4個位置，故該種空隙的填充率為50%；若該晶胞密度為pg?cm-3，硒化鋅的摩爾質(zhì)量為Mg?mol-1。用N