長春理工大學(xué)《劇目排練（5）》2023-2024學(xué)年第一學(xué)期期末試卷

學(xué)校________________班級____________姓名____________考場____________準考證號學(xué)校________________班級____________姓名____________考場____________準考證號…………密…………封…………線…………內(nèi)…………不…………要…………答…………題…………第1頁，共3頁長春理工大學(xué)

《劇目排練（5）》2023-2024學(xué)年第一學(xué)期期末試卷題號一二三四總分得分一、單選題（本大題共15個小題，每小題2分，共30分．在每小題給出的四個選項中，只有一項是符合題目要求的．）1、在數(shù)字通信中，多進制調(diào)制（如M進制）相比二進制調(diào)制可以提高頻帶利用率。但多進制調(diào)制也存在一些缺點，以下哪一項不屬于多進制調(diào)制的缺點？（）A.抗噪聲性能下降B.設(shè)備復(fù)雜度增加C.誤碼率增大D.頻譜效率降低2、在電子系統(tǒng)的電源設(shè)計中，線性穩(wěn)壓電源與開關(guān)穩(wěn)壓電源相比，其優(yōu)點是：（）A.效率高B.輸出紋波小C.體積小D.成本低3、在數(shù)字通信系統(tǒng)中，差錯控制編碼可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃?。漢明碼是一種常見的糾錯碼，其能糾正的錯誤位數(shù)為：（）A.1位B.2位C.3位D.4位4、對于集成電路設(shè)計，以下關(guān)于CMOS工藝的特點，哪一項描述是不正確的？（）A.CMOS工藝具有低功耗、高集成度和良好的噪聲性能等優(yōu)點B.CMOS電路的靜態(tài)功耗幾乎為零，但動態(tài)功耗會隨著工作頻率的增加而顯著增大C.CMOS工藝中，NMOS管和PMOS管的閾值電壓對電路性能影響較小，可以忽略不計D.在CMOS工藝中，通過合理的版圖設(shè)計可以減小寄生電容和電阻，提高電路性能5、在電子電路設(shè)計中，反饋是一種重要的技術(shù)手段。反饋可以分為正反饋和負反饋。以下關(guān)于反饋的說法中，錯誤的是？（）A.正反饋可以使電路的增益增大B.負反饋可以使電路的增益穩(wěn)定C.正反饋會使電路產(chǎn)生自激振蕩D.負反饋會使電路的輸出信號與輸入信號完全相同6、關(guān)于衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)，以下哪個系統(tǒng)能夠提供全球范圍內(nèi)的高精度定位服務(wù)？（）A.GPSB.北斗C.伽利略D.格洛納斯7、在數(shù)字電路中，競爭冒險現(xiàn)象可能導(dǎo)致輸出出現(xiàn)錯誤。產(chǎn)生競爭冒險的原因是？（）A.信號傳輸延遲B.邏輯門的閾值電壓不穩(wěn)定C.電源電壓波動D.環(huán)境溫度變化8、在數(shù)字電子技術(shù)中，狀態(tài)機是一種重要的時序邏輯電路。狀態(tài)機可以用于實現(xiàn)各種復(fù)雜的控制邏輯。以下關(guān)于狀態(tài)機的說法中，錯誤的是？（）A.狀態(tài)機可以分為摩爾型狀態(tài)機和米利型狀態(tài)機B.狀態(tài)機的狀態(tài)轉(zhuǎn)換是由輸入信號和當前狀態(tài)決定的C.狀態(tài)機的設(shè)計可以使用硬件描述語言（HDL）進行D.狀態(tài)機的狀態(tài)數(shù)量是固定的，不能根據(jù)需要進行擴展9、在電子信息領(lǐng)域，微處理器是核心部件之一。微處理器的性能主要由哪些因素決定呢？時鐘頻率、字長、指令集等。以下關(guān)于微處理器性能的說法中，錯誤的是？（）A.時鐘頻率越高，微處理器的性能越好B.字長越長，微處理器能夠處理的數(shù)據(jù)范圍越大C.指令集越豐富，微處理器的功能越強大D.微處理器的性能只取決于時鐘頻率10、在模擬集成電路中，以下哪種放大器具有較高的輸入阻抗和較低的輸出阻抗？（）A.共源極放大器B.共漏極放大器C.共柵極放大器D.差分放大器11、在模擬電子技術(shù)中，以下哪種放大器具有較高的輸入阻抗和較低的輸出阻抗？（）A.共射極放大器B.共集電極放大器C.共基極放大器D.差分放大器12、在通信網(wǎng)絡(luò)中，ATM技術(shù)曾經(jīng)被廣泛研究和應(yīng)用。ATM信元的長度固定為：（）A.53字節(jié)B.64字節(jié)C.128字節(jié)D.256字節(jié)13、對于半導(dǎo)體器件，以下關(guān)于場效應(yīng)管（FET）和雙極型晶體管（BJT）的比較，哪一項是不準確的？（）A.FET是電壓控制型器件，輸入阻抗高；BJT是電流控制型器件，輸入阻抗較低B.FET的噪聲性能通常優(yōu)于BJT，適用于對噪聲要求較高的電路C.BJT的放大能力強于FET，在高頻應(yīng)用中具有優(yōu)勢D.FET和BJT在數(shù)字電路中的應(yīng)用范圍相同，沒有明顯的差異14、在通信網(wǎng)絡(luò)中，若要實現(xiàn)多個用戶同時進行通信，以下哪種多址接入技術(shù)是基于頻率劃分的？（）A.時分多址（TDMA）B.碼分多址（CDMA）C.頻分多址（FDMA）D.空分多址（SDMA）15、在半導(dǎo)體器件中，MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）的閾值電壓與？（）A.溝道長度B.柵極電壓C.襯底摻雜濃度D.源極和漏極電壓二、簡答題（本大題共3個小題，共15分)1、（本題5分）解釋通信系統(tǒng)中的擴頻技術(shù)，包括直接序列擴頻和跳頻擴頻的工作原理。2、（本題5分）請具體論述在電子信息系統(tǒng)的故障模式及影響分析（FMEA）中，分析的步驟和方法，以及如何制定改進措施。3、（本題5分）在電子電路設(shè)計中，如何進行PCB的接地設(shè)計以提高電磁兼容性？三、設(shè)計題（本大題共5個小題，共25分)1、（本題5分）設(shè)計一個簡單的工業(yè)自動化控制系統(tǒng)，實現(xiàn)對生產(chǎn)線上設(shè)備的運行控制和狀態(tài)監(jiān)測，闡述系統(tǒng)的架構(gòu)和控制策略。2、（本題5分）設(shè)計一個基于物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的環(huán)境監(jiān)測系統(tǒng)，能夠?qū)崟r監(jiān)測溫度、濕度、空氣質(zhì)量等參數(shù)，并將數(shù)據(jù)上傳至云平臺。3、（本題5分）設(shè)計一個簡單的數(shù)字電視信號接收器，能夠接收和解碼數(shù)字電視信號，給出硬件設(shè)計和解碼算法。4、（本題5分）設(shè)計一個智能環(huán)境監(jiān)測系統(tǒng)，能夠同時監(jiān)測多種環(huán)境參數(shù)如溫度、濕度、光照、PM2.5等，并進行數(shù)據(jù)上傳和分析，闡述系統(tǒng)的硬件架構(gòu)和軟件功能。5、（本題5分）設(shè)計一個音頻混音器，能夠?qū)⒍嗦芬纛l信號進行混合，給出系統(tǒng)方案和電路實現(xiàn)。四、分析題（本大題共3個小題，共30分)1、（本題10分）一個數(shù)字圖像處理系統(tǒng)在處理實時視頻流時出現(xiàn)卡頓和延遲。分析如何通過優(yōu)化算法復(fù)雜度、利用硬件加速和并行處理架構(gòu)來提高處理速度，滿足實時視頻處理的要求。2、（本題10分）無線充電技術(shù)為電子設(shè)備的供電帶來了便利，但存在效率和距離等限制。分析無線充電的原理和技術(shù)標準，探討如何提高無線充電的效率和傳輸距離，以及在不同設(shè)