2025年粵教版選修3化學(xué)上冊(cè)月考試卷含答案

…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請(qǐng)※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁(yè)，總=sectionpages22頁(yè)第=page11頁(yè)，總=sectionpages11頁(yè)2025年粵教版選修3化學(xué)上冊(cè)月考試卷含答案考試試卷考試范圍：全部知識(shí)點(diǎn)；考試時(shí)間：120分鐘學(xué)校：______姓名：______班級(jí)：______考號(hào)：______總分欄題號(hào)一二三四五六總分得分評(píng)卷人得分一、選擇題(共7題，共14分)1、金晶體是面心立方最密堆積，已知立方體的每個(gè)面上5個(gè)金原子緊密堆砌，金原子半徑為rcm，則金晶體的空間利用率為A.B.C.D.2、下列有關(guān)說(shuō)法不正確的是A.可表示單核10電子粒子基態(tài)時(shí)的電子排布B.電子僅在激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)才會(huì)產(chǎn)生原子光譜C.同一原子能層越高，s電子云的半徑越大D.N、O、F電負(fù)性逐漸增大3、分子的空間構(gòu)型是三角錐形，而甲烷分子的空間構(gòu)型是正四面體形，這是因?yàn)锳.兩種分子的中心原子雜化軌道類型不同，中N原子為雜化，而中C原子為雜化B.分子中N原子形成三個(gè)雜化軌道，分子中C原子形成4個(gè)雜化軌道C.分子中有一對(duì)未成鍵的孤電子對(duì)，它對(duì)成鍵電子的排斥作用較強(qiáng)，分子中無(wú)孤電子對(duì)D.是極性分子而是非極性分子4、通常情況下，NCl3是一種油狀液體，其分子空間構(gòu)型與氨分子相似，下列對(duì)NCl3的有關(guān)敘述正確的是（）A.分子中的所有原子均達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)B.NCl3分子的價(jià)電子對(duì)數(shù)為4，其分子的立體構(gòu)型為正四面體形C.NCl3分子是非極性分子D.NCl3分子中N、Cl原子均以sp3雜化軌道參與成鍵5、下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A.金屬鎂晶體中，1個(gè)Mg2+只與2個(gè)價(jià)電子存在強(qiáng)烈的相互作用B.石墨晶體中既有共價(jià)鍵，又有范德華力，是一種混合鍵型晶體C.液晶具有一定程度晶體的各向異性和液體的流動(dòng)性D.可用X射線衍射法判斷固體物質(zhì)是否為晶體6、氫是重要而潔凈的能源。要利用氫氣作為能源；必須解決好安全有效地儲(chǔ)存氫氣的問(wèn)題?；瘜W(xué)家研究出利用合金儲(chǔ)存氫氣的方法，其中鑭(La)鎳(Ni)合金是一種儲(chǔ)氫材料，這種合金的晶體結(jié)構(gòu)已經(jīng)測(cè)定，其基本結(jié)構(gòu)單元如圖所示，則該合金的化學(xué)式可表示為()

A.LaNi5B.LaNiC.La4Ni24D.La7Ni127、下列各組物質(zhì)熔點(diǎn)高低的比較，正確的是（）A.晶體硅>金剛石>碳化硅B.C.D.評(píng)卷人得分二、填空題(共6題，共12分)8、某離子晶體晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示；x位于立方體的頂點(diǎn)，Y位于立方體中心。試分析：

（1）晶體中每個(gè)Y同時(shí)吸引著___個(gè)X，每個(gè)x同時(shí)吸引著__個(gè)Y，該晶體的化學(xué)式為_(kāi)__；

（2）晶體中在每個(gè)X周圍與它最接近且距離相等的X共有___個(gè)；

（3）晶體中距離最近的2個(gè)X與1個(gè)Y形成的夾角∠XYX的度數(shù)為_(kāi)_。

（4）下列分子中含有sp和sp3雜化方式的是___。

A.B.CH4C.CH2=CHCH3D.CH3CH2C≡CHE.CH3CH39、已知：①CS2②PCl3③H2S④CH2O⑤H3O+⑥NH4+⑦BF3⑧SO2。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)中心原子沒(méi)有孤電子對(duì)的是__________（填序號(hào)；下同）。

(2)立體構(gòu)型為直線形的是__________；立體構(gòu)型為平面三角形的是__________。

(3)立體構(gòu)型為V形的是__________。

(4)立體構(gòu)型為三角錐形的是__________；立體構(gòu)型為正四面體形的是__________。10、由徐光憲院士發(fā)起，院士學(xué)子同創(chuàng)的《分子共和國(guó)》科普讀物最近出版了，全書(shū)形象生動(dòng)地訴說(shuō)了BF3、TiO2、CH3COOH、CO2、NO、二茂鐵、NH3、HCN、H2S、O3；異戊二烯和萜等眾多“分子共和國(guó)”中的明星。

(1)寫(xiě)出Fe2＋的核外電子排布式________________________________。

(2)下列說(shuō)法正確的是________。

a．H2S、O3分子都是直線形。

b．BF3和NH3均為三角錐形。

c．CO2；HCN分子的結(jié)構(gòu)式分別是O=C=O、H—C≡N

d．CH3COOH分子中碳原子的雜化方式有：sp2、sp3

(3)TiO2的天然晶體中，最穩(wěn)定的一種晶體結(jié)構(gòu)如圖，白球表示________原子。

(4)乙酸()熔沸點(diǎn)很高，是由于存在以分子間氫鍵締合的二聚體(含一個(gè)環(huán)狀結(jié)構(gòu))，請(qǐng)畫(huà)出該二聚體的結(jié)構(gòu)：_________________________________________。11、決定物質(zhì)性質(zhì)的重要因素是物質(zhì)結(jié)構(gòu)。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）基態(tài)K原子中，核外電子占據(jù)最高能層的符號(hào)是_______，占據(jù)該能層電子的電子云輪廓圖形狀為_(kāi)_____________。

（2）已知元素M是組成物質(zhì)的一種元素。元素M的氣態(tài)原子逐個(gè)失去第1個(gè)至第5個(gè)電子所需能量（即電離能，用符號(hào)至表示）如表所示：。電離能589.81145.44912.464918153

元素M化合態(tài)常見(jiàn)化合價(jià)是_________價(jià)，其基態(tài)原子電子排布式為_(kāi)______

（3）的中心原子的雜化方式為_(kāi)_________，鍵角為_(kāi)___________

（4）中非金屬元素電負(fù)性由大到小的順序?yàn)開(kāi)____________

（5）下列元素或化合物的性質(zhì)變化順序正確的是_______________

A.第一電離能：B.共價(jià)鍵的極性：

C.晶格能：D.熱穩(wěn)定性：

（6）如圖是晶胞，構(gòu)成二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)的最小環(huán)是由________個(gè)原子構(gòu)成。已知晶胞參數(shù)為則其晶胞密度為_(kāi)_______

12、（1）立方氮化硼可利用人工方法在高溫高壓條件下合成，其硬度僅次于金剛石而遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其它材料，因此它與金剛石統(tǒng)稱為超硬材料。BN的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似，其中B原子的雜化方式為_(kāi)_________，微粒間存在的作用力是__________。

（2）用“＞”；“＜”或“＝”填寫(xiě)下列空格：

①沸點(diǎn)：H2S_______H2O②酸性：H2SO4_______H2SeO4

③原子的核外電子排布中，未成對(duì)電子數(shù)：24Cr_______25Mn

④A、B元素的電子構(gòu)型分別為ns2np3、ns2np4，第一電離能：A________B

（3）SiO2晶體結(jié)構(gòu)片斷如下圖所示。SiO2晶體中：

Si原子數(shù)目和Si－O鍵數(shù)目的比例為_(kāi)____________。

通常人們把拆開(kāi)1mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能?；瘜W(xué)鍵Si－OSi－SiO＝O鍵能/KJ·mol－1460176498

Si（s)＋O2（g)SiO2（s)，該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H=___________13、（15分）周期表前四周期的元素X；Y、Z、T、W；原子序數(shù)依次增大。X的核外電子總數(shù)與其周期數(shù)相同，Y基態(tài)原子的p電子數(shù)比s電子數(shù)少1個(gè)，Z基態(tài)原子的價(jià)電子層中有2個(gè)未成對(duì)電子，T與Z同主族，W基態(tài)原子的M層全充滿，N層只有一個(gè)電子?；卮鹣铝袉?wèn)題：

（1）Y、Z、T中第一電離能最大的是____（填元素符號(hào)，下同），原子半徑最小的是____。

（2）T的原子結(jié)構(gòu)示意圖為_(kāi)___，W基態(tài)原子的電子排布式為_(kāi)___。

（3）X和上述其他元素中的一種形成的化合物中，分子呈三角錐形的是____（填化學(xué)式）；分子中既含有極性共價(jià)鍵，又含有非極性共價(jià)鍵的化合物是____（填化學(xué)式；寫(xiě)一種）。

（4）T與Z形成的化合物中，屬于非極性分子的是____（填化學(xué)式）。

（5）這5種元素形成的一種陰陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為1:1型的配合物中，陰離子呈四面體結(jié)構(gòu)，陽(yáng)離子的結(jié)構(gòu)如圖所示。該配合物的化學(xué)式為_(kāi)___，陽(yáng)離子中存在的化學(xué)鍵類型有____。

評(píng)卷人得分三、原理綜合題(共5題，共10分)14、Cu；Fe、Se、Co、Si常用于化工材料的合成。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

（1）鐵離子(Fe3+)最外層電子排布式為_(kāi)_____，其核外共有______種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子。Fe3+比Fe2+更穩(wěn)定的原因是____________________________________。

（2）硒為第四周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則三種元素的電負(fù)性從大到小的順序?yàn)開(kāi)_______(用元素符號(hào)表示)。

（3）Na3[Co(NO2)6]常用作檢驗(yàn)K+的試劑，在[Co(NO2)6]3-中存在的化學(xué)鍵有____、_____。

（4）C與N能形成一種有毒離子CN-，能結(jié)合Fe3+形成配合物，寫(xiě)出一個(gè)與該離子互為等電子體的極性分子的分子式_____，HCN分子的空間構(gòu)型為_(kāi)___________。

（5）單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石的結(jié)構(gòu)相似；若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子間不成鍵，則得如圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu)。

在SiC晶體中，C原子的雜化方式為_(kāi)________，每個(gè)Si原子被_______個(gè)最小環(huán)所共有。

（6）已知Cu的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，棱長(zhǎng)為acm，又知Cu的密度為pg/cm3，則用a、p的代數(shù)式表示阿伏伽德羅常數(shù)為_(kāi)___mol-1。

15、[2016·新課標(biāo)I]鍺(Ge)是典型的半導(dǎo)體元素；在電子；材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛?；卮鹣铝袉?wèn)題：

（1）基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]_______________，有__________個(gè)未成對(duì)電子。

（2）Ge與C是同族元素，C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析，原因是______________________________。

（3）比較下列鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)，分析其變化規(guī)律及原因______________________________。GeCl4GeBr4GeI4熔點(diǎn)/℃?49.526146沸點(diǎn)/℃83.1186約400

（4）光催化還原CO2制備CH4反應(yīng)中，帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ge、O電負(fù)性由大至小的順序是______________________________。

（5）Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為_(kāi)______________，微粒之間存在的作用力是_______________。

（6）晶胞有兩個(gè)基本要素：

①原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置。如圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0，0，0)；B為(0，)；C為(0)。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為_(kāi)______________。

②晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76pm，其密度為_(kāi)____g·cm?3(列出計(jì)算式即可)。16、高純硅晶體是信息技術(shù)的重要材料。

（1）在周期表的以下區(qū)域中可以找到類似硅的半導(dǎo)體材料的是______（填字母）。

A．過(guò)渡元素區(qū)域B．金屬和非金屬元素的分界線附近。

（2）工業(yè)上用石英和焦炭可以制得粗硅。已知：

寫(xiě)出用石英和焦炭制取粗硅的熱化學(xué)方程式____________________。

（3）某同學(xué)設(shè)計(jì)下列流程制備高純硅：

①Ｙ的化學(xué)式為_(kāi)_____。

②寫(xiě)出反應(yīng)Ⅰ的離子方程式______________。

③寫(xiě)出反應(yīng)Ⅳ的化學(xué)方程式______________。

④步驟Ⅵ中硅烷(SiH4)分解生成高純硅，已知甲烷分解的溫度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅烷，用原子結(jié)構(gòu)解釋其原因是______________。

（4）將粗硅轉(zhuǎn)化成三氯硅烷(SiHCl3)；進(jìn)一步反應(yīng)也可以制得粗硅。其反應(yīng)：

SiHCl3(g)+H2(g)Si(s)+3HCl(g)，不同溫度下，SiHCl3的平衡轉(zhuǎn)化率隨反應(yīng)物的投料比（反應(yīng)初始時(shí)各反應(yīng)物的物質(zhì)的量之比）的變化關(guān)系如圖所示。下列說(shuō)法正確的是______________(填字母)。

A．該反應(yīng)是放熱反應(yīng)。

B．橫坐標(biāo)表示的投料比應(yīng)該是

C．該反應(yīng)的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大。

D．實(shí)際生產(chǎn)中為提高SiHCl3的利用率，可以適當(dāng)增大壓強(qiáng)17、研究發(fā)現(xiàn)；鋁元素能損害人的腦細(xì)胞。適當(dāng)?shù)匮a(bǔ)充碘元素可預(yù)防甲狀腺腫大，但攝入過(guò)多也會(huì)導(dǎo)致甲狀腺腫大，因此補(bǔ)充人體所需的元素時(shí)也要適可而止。試回答下列問(wèn)題：

（1）Fe也是人體需要補(bǔ)充的元素之一，試寫(xiě)出Fe2+的核外電子排布式：__。

（2）與Al同一周期的Na、Mg元素也是人體所需元素，Na、Mg、Al基態(tài)原子第一電離能的大小關(guān)系是__。

（3）氯化鋁的熔點(diǎn)是194℃，氧化鋁的熔點(diǎn)是2054℃，但是工業(yè)上不能用電解熔融氯化鋁的方法獲取鋁單質(zhì)，這是因?yàn)開(kāi)_。

（4）F與I是同一主族的元素，BeF2與H2O都是由三個(gè)原子構(gòu)成的共價(jià)化合物分子，二者分子中的中心原子Be和O的雜化方式分別為_(kāi)_、__，BeF2分子的立體構(gòu)型是___，H2O分子的立體構(gòu)型是__。

（5）I2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該晶胞中含有__個(gè)I2分子，設(shè)該晶胞的晶胞參數(shù)為acm，則I2的密度是__g·cm-3。

18、第IIA族元素在地殼內(nèi)蘊(yùn)藏較豐富；其單質(zhì)和化合物用途廣泛?；卮鹣铝袉?wèn)題：

(1)基態(tài)Ca原子M能層有_______個(gè)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子，Mn和Ca屬于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同，但金屬M(fèi)n的熔沸點(diǎn)等都比金屬Ca高，原因______。

(2)氯氣與熟石灰反應(yīng)制漂白粉時(shí)會(huì)生成副產(chǎn)物Ca(ClO3)2，Ca(ClO3)2中的陰離子空間構(gòu)型是_________，中心原子的雜化方式為_(kāi)______。

(3)碳酸鹽的熱分解示意圖如下圖所示。熱分解溫度：CaCO3__________(填“高于”或“低于”)SrCO3，原因是_______。從成鍵軌道看，CO2分子內(nèi)的化學(xué)鍵類型有________。

(4)格氏試劑RMgX是鎂和鹵代烴反應(yīng)的產(chǎn)物，它在醚的稀溶液中以單體形式存在，在濃溶液中以二聚體存在，二聚體結(jié)構(gòu)如下圖所示。請(qǐng)?jiān)趫D中標(biāo)出二聚體中的配位鍵__________。

評(píng)卷人得分四、實(shí)驗(yàn)題(共1題，共10分)19、現(xiàn)有兩種配合物晶體[Co(NH3)6]Cl3和[Co(NH3)5Cl]Cl2，一種為橙黃色，另一種為紫紅色。請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)方案將這兩種配合物區(qū)別開(kāi)來(lái)_____________________________。評(píng)卷人得分五、計(jì)算題(共4題，共32分)20、(1)石墨晶體的層狀結(jié)構(gòu)，層內(nèi)為平面正六邊形結(jié)構(gòu)(如圖a)，試回答下列問(wèn)題：圖中平均每個(gè)正六邊形占有C原子數(shù)為_(kāi)___個(gè)、占有的碳碳鍵數(shù)為_(kāi)___個(gè)，碳原子數(shù)目與碳碳化學(xué)鍵數(shù)目之比為_(kāi)______。

(2)2001年報(bào)道的硼和鎂形成的化合物刷新了金屬化合物超導(dǎo)溫度的最高記錄。如圖b所示的是該化合物的晶體結(jié)構(gòu)單元：鎂原子間形成正六棱柱，且棱柱的上下底面還各有1個(gè)鎂原子，6個(gè)硼原子位于棱柱內(nèi)。則該化合物的化學(xué)式可表示為_(kāi)______。21、SiC有兩種晶態(tài)變體：α—SiC和β—SiC。其中β—SiC為立方晶胞；結(jié)構(gòu)與金剛石相似，晶胞參數(shù)為434pm。針對(duì)β—SiC回答下列問(wèn)題：

⑴C的配位數(shù)為_(kāi)_________。

⑵C和Si的最短距離為_(kāi)__________pm。

⑶假設(shè)C的原子半徑為r，列式并計(jì)算金剛石晶體中原子的空間利用率_______。（π=3.14）22、用X射線研究某金屬晶體，測(cè)得在邊長(zhǎng)為360pm的立方晶胞中含有4個(gè)金屬原子，此時(shí)金屬的密度為9.0g/cm3。試回答下列問(wèn)題：

(1)此金屬晶胞屬于哪一種類型？_______

(2)求每個(gè)晶胞的質(zhì)量。_______

(3)求此金屬的相對(duì)原子質(zhì)量。_______

(4)求此金屬原子的原子半徑(pm)。_______23、NaCl是重要的化工原料?；卮鹣铝袉?wèn)題。

（1）元素Na的焰色反應(yīng)呈_______色。價(jià)電子被激發(fā)到相鄰高能級(jí)后形成的激發(fā)態(tài)Na原子，其價(jià)電子軌道表示式為_(kāi)______。

（2）KBr具有NaCl型的晶體結(jié)構(gòu)，但其熔點(diǎn)比NaCl低，原因是________________。

（3）NaCl晶體在50~300GPa的高壓下和Cl2反應(yīng)；可以形成一種晶體，其立方晶胞如圖所示（大球?yàn)镃l，小球?yàn)镹a）。

①若A的原子坐標(biāo)為（0，0，0），B的原子坐標(biāo)為（0，），則C的原子坐標(biāo)為_(kāi)______。

②晶體中，Cl構(gòu)成的多面體包含______個(gè)三角形的面，與Cl緊鄰的Na個(gè)數(shù)為_(kāi)______。

③已知晶胞參數(shù)為apm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則該晶體的密度為_(kāi)________g·cm－3（列出計(jì)算式）。評(píng)卷人得分六、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(共4題，共8分)24、硼；硅、硒等元素及其化合物用途廣泛。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）基態(tài)硒原子的價(jià)電子排布式為_(kāi)______；SeO2常溫下為白色晶體，熔點(diǎn)為340～350℃，315℃時(shí)升華，則SeO2固體為_(kāi)_______晶體。

（2）在硼、硅、硒的氣態(tài)氫化物中，其立體構(gòu)型為正四面體的是_______（填化學(xué)式），在硅的氫化物中共用電子對(duì)偏向氫元素，氫氣與硒反應(yīng)時(shí)單質(zhì)硒是氧化劑，則硒與硅的電負(fù)性大小為Se_____Si（填“＞”或“＜”）。

（3）在周期表的第二周期中，第一電離能介于硼元素和氮元素之間的元素有_____種。

（4）硼元素具有缺電子性（價(jià)電子數(shù)少于價(jià)層軌道數(shù)），其化合物可與具有孤對(duì)電子的分子或離子生成配合物，如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3·NH3，BF3·NH3中B與N之間形成______鍵；NH3中N原子的雜化軌道類型為_(kāi)_____，寫(xiě)出與NH3等電子體的一種離子符號(hào)________。

（5）金剛砂（SiC）的摩氏硬度為9.5，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。在SiC中，每個(gè)Si原子周圍距離最近的Si原子數(shù)目為_(kāi)_______；若金剛砂的密度為ρg·cm－3，NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則晶胞中碳原子與硅原子的最近距離為_(kāi)_______pm。（用含ρ和NA的式子表示）

25、(一)Na；Cu、O、Si、S、Cl是常見(jiàn)的六種元素．

(1)Na位于元素周期表第__周期第__族；S的基態(tài)原子核外有__個(gè)未成對(duì)電子；

Si的基態(tài)原子核外電子排布式為_(kāi)_．

(2)用“＞”或“＜”填空：

。第一電離能離子半徑熔點(diǎn)酸性Si______SO2-______Na+NaCl______SiH2SO4__________HClO4

(3)ClO2常用于水的凈化，工業(yè)上可用Cl2氧化NaClO2溶液制取。寫(xiě)出該反應(yīng)的離子方程式，并標(biāo)出電子轉(zhuǎn)移的方向和數(shù)目___

(二).某元素的原子序數(shù)為33；請(qǐng)回答：

(1)該元素原子核外有_______個(gè)電子層，______個(gè)能級(jí)，______個(gè)原子軌道。

(2)它的最外層電子排布式為_(kāi)___________，它的電子排布式為_(kāi)_______，軌道表示式為_(kāi)______________。26、含族的磷、砷()等元素的化合物在科學(xué)研究和工業(yè)生產(chǎn)中有許多重要用途。回答下列問(wèn)題：

(1)下列狀態(tài)的磷中，電離最外層一個(gè)電子所需能量最小的是__________(填標(biāo)號(hào))。

A.B.C.D.

(2)常溫下是一種白色晶體，由兩種微粒構(gòu)成。將其加熱至148℃熔化，形成一種能導(dǎo)電的熔體。已知兩種微粒分別與互為等電子體，則為_(kāi)_______，其中心原子雜化軌道類型為_(kāi)_______，為_(kāi)_______。

(3)的分別為根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋遠(yuǎn)大于的原因______________。

(4)的空間構(gòu)型為_(kāi)____________。

(5)砷化鎵屬于第三代半導(dǎo)體，它能直接將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽?，砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡?00倍，而耗能只有其10%。推廣砷化鎵等發(fā)光二極管()照明，是節(jié)能減排的有效舉措。已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞參數(shù)

①砷化鎵的化學(xué)式為_(kāi)_________，鎵原子的配位數(shù)為_(kāi)_________。

②砷化鎵的晶胞密度__________(列式并計(jì)算，精確到小數(shù)點(diǎn)后兩位)，如圖是沿立方格子對(duì)角面取得的截圖，位置原子與位置原子的核間距x=________

27、以氮化鎵(GaN)；砷化鎵(GaAs)為代表的第三代半導(dǎo)體材料目前已成為全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)；如砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡的100倍，而耗能即為10%，推廣砷化鎵等發(fā)光二極管（LED）照明，是節(jié)能減排的有效舉措。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)基態(tài)鎵原子的價(jià)電子排布式為_(kāi)__。

(2)鎵失去電子的逐級(jí)電離能(單位：kJ·mol-1)的數(shù)值依次為577、1985、2962、6192，由此可推知鎵的主要化合價(jià)為_(kāi)_和+3。砷的電負(fù)性比鎵__(填“大”或“小”)。

(3)比較下列鎵的鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)，GaCl3、GaBr3、GaI3的熔、沸點(diǎn)依次升高，分析其變化原因：__。鎵的鹵化物GaCl3GaBr3GaI3熔點(diǎn)/℃77.75122.3211.5沸點(diǎn)/℃201.2279346

GaF3的熔點(diǎn)超過(guò)1000℃，可能的原因是__。

(4)①砷化鎵是將(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD(金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積)方法制備得到的，該反應(yīng)在700℃進(jìn)行，反應(yīng)的方程式為：___。

②反應(yīng)物AsH3分子的幾何構(gòu)型為_(kāi)_，(CH3)3Ga中鎵原子雜化方式為_(kāi)_。

(5)砷化鎵熔點(diǎn)為1238℃，立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞參數(shù)為a=565pm，As的配位數(shù)為_(kāi)_，晶體的密度為_(kāi)_(設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值，列出算式即可)g·cm-3。

參考答案一、選擇題(共7題，共14分)1、B【分析】【分析】

面心立方最密堆積原子在晶胞中的位置關(guān)系如圖。

【詳解】

金晶體為面心立方最密堆積，則晶胞面對(duì)角線為金原子半徑的4倍，金原子半徑為rcm，則晶胞的邊長(zhǎng)為4r=rcm，每個(gè)金晶胞中含有4個(gè)原子，則金原子總體積為金晶胞體積為故空間利用率為

故選B。

【點(diǎn)睛】

本題考查晶胞結(jié)構(gòu)與計(jì)算，解題關(guān)鍵是明確原子在晶胞中的位置，理解原子半徑與晶胞棱長(zhǎng)的關(guān)系，需要學(xué)生具有一定的數(shù)學(xué)計(jì)算能力。2、B【分析】【分析】

基態(tài)電子排布遵循能量最低原理；洪特規(guī)則、泡利原理；電子不發(fā)生躍遷；原子光譜是原子中的電子在能量變化時(shí)所發(fā)射或吸收的一系列光所組成的光譜；同一能級(jí)，能層序數(shù)越大，軌道的能量越高，軌道的半徑也越大；電負(fù)性是指原子對(duì)于電子的吸引能力，由元素周期律知，同一周期，從左至右，電負(fù)性增大。

【詳解】

A．單核10電子粒子基態(tài)時(shí)；遵循能量最低原理，每個(gè)軌道排布2個(gè)電子，自旋方向相反，故A正確；

B．原子光譜是原子中的電子在能量變化時(shí)所發(fā)射或吸收的一系列光所組成的光譜；所以電子在激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)；基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)時(shí)均會(huì)產(chǎn)生原子光譜，故B錯(cuò)誤；

C．s電子云均為球形；能層序數(shù)越大，軌道的能量越高，軌道的半徑也越大，故C正確；

D．由元素周期律知；同一周期，從左至右，電負(fù)性增大，N；O、F從左至右排列，故D正確；

答案選B。

【點(diǎn)睛】

電子的排布遵循三原則：能量最低原理、洪特規(guī)則、泡利原理；電子由激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)是發(fā)射光譜，由基態(tài)到激發(fā)態(tài)是吸收光譜。3、C【分析】【詳解】

NH3中N原子形成3個(gè)鍵，并含有一對(duì)未成鍵的孤電子對(duì)，雜化軌道數(shù)為4，采取雜化，孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子的排斥作用較強(qiáng)，之間的鍵角小于故NH3分子的空間構(gòu)型是三角錐形；CH4分子中C原子采取雜化，雜化軌道全部用于成鍵，碳原子連接4個(gè)相同的原子，C-H之間的鍵角相等，為所以CH4分子為正四面體形，C項(xiàng)正確。4、A【分析】【分析】

【詳解】

A．NCl3中N原子最外層電子數(shù)+化合價(jià)的絕對(duì)值=5+3=8，所以N原子達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)；NCl3中C1原子最外層電子數(shù)+化合價(jià)的絕對(duì)值=7+1=8，所以Cl原子達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，故A正確；B．NCl3中N原子成3個(gè)σ鍵，有一對(duì)未成鍵的孤對(duì)電子，雜化軌道數(shù)為4，采取sp3雜化雜化，所以NCl3分子空間構(gòu)型是三角錐形，故B錯(cuò)誤；C．NCl3的分子空間構(gòu)型與氨分子相似，都是三角錐形結(jié)構(gòu)，氨分子是極性分子，所以NCl3分子也是極性分子，故C錯(cuò)誤；D．NCl3中N原子成3個(gè)σ鍵，有一對(duì)未成鍵的孤對(duì)電子，雜化軌道數(shù)為4，采取sp3雜化雜化，Cl原子形成的化學(xué)鍵不屬于雜化軌道，故D錯(cuò)誤；故選A。5、A【分析】【分析】

【詳解】

A.金屬晶體中有“電子氣”；金屬晶體中的“電子氣”屬于整個(gè)晶體，故A錯(cuò)誤；

B.石墨晶體是層狀結(jié)構(gòu)；層內(nèi)碳原子之間存在共價(jià)鍵，層與層之間有范德華力，是一種混合鍵型晶體，故B正確；

C.液晶具有液體和晶體的共同特性；即液晶具有液體的流動(dòng)性，同時(shí)具有晶體的各向異性，故C正確；

D.晶體和非晶態(tài)在X射線衍射中的信號(hào)大不相同；晶體都有尖銳的衍射峰，而非晶態(tài)沒(méi)有衍射峰，故用X射線衍射可以區(qū)別晶體和非晶態(tài)，故D正確；

故選A。6、A【分析】【詳解】

鑭(La)鎳(Ni)合金是一種儲(chǔ)氫材料，根據(jù)其基本結(jié)構(gòu)單元示意圖可知，該結(jié)構(gòu)單元中含La和Ni的原子數(shù)分別為12+2=3、18+6=15，則該合金的化學(xué)式可表示為L(zhǎng)aNi5，故選A。7、C【分析】【詳解】

A.晶體硅；金剛石、碳化硅都是原子晶體；因鍵長(zhǎng)C-C＜C-Si＜Si-Si，原子晶體中半徑越小，共價(jià)鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越大，則熔點(diǎn)為金剛石＞碳化硅＞晶體硅，A錯(cuò)誤；

B．這幾種都是離子晶體，陰離子相同，離子半徑Cs+＞K+＞Na+；晶格能CsCl＜KCl＜NaCl，物質(zhì)的晶格能越大，熔沸點(diǎn)越高，所以晶體熔點(diǎn)CsCl＜KCl＜NaCl，B錯(cuò)誤；

C.二氧化硅是原子晶體，原子間通過(guò)共價(jià)鍵結(jié)合，二氧化碳是分子晶體，CO2分子之間通過(guò)分子間作用力結(jié)合，He是分子晶體，He分子之間通過(guò)分子間作用力結(jié)合，二氧化碳相對(duì)分子質(zhì)量大于He，分子間作用力越大，物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高，化學(xué)鍵比分子間作用力大很多，所以晶體熔點(diǎn)SiO2＞CO2＞He；C正確；

D.Cl2、Br2、I2都是分子晶體，物質(zhì)的分子的相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力就越強(qiáng)，物質(zhì)的熔沸點(diǎn)就越高，由于相對(duì)分子質(zhì)量I2>Br2>Cl2，所以這三種物質(zhì)熔點(diǎn)高低順序是I2＞Br2＞Cl2；D錯(cuò)誤；

故合理選項(xiàng)是C。二、填空題(共6題，共12分)8、略

【分析】【分析】

⑴晶體中以中心的Y分析Y同時(shí)吸引X的個(gè)數(shù)；再以頂點(diǎn)的X分析X同時(shí)吸引Y的個(gè)數(shù)，計(jì)算晶體中有X和Y個(gè)數(shù)。

⑵晶體中以頂點(diǎn)X分析；X與面對(duì)角線的X來(lái)分析。

⑶晶體中X與Y形成正四面體結(jié)構(gòu)。

⑷A.中苯環(huán)上的碳價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3，是sp2雜化；B.CH4中碳原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，是sp3雜化；C.CH2=CHCH3中第1個(gè)和第2個(gè)碳原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3，是sp2雜化；D.CH3CH2C≡CH中第3個(gè)和第4個(gè)碳原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2，是sp雜化，第1個(gè)和第2個(gè)碳原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，是sp3雜化；E.CH3CH3中第1個(gè)和第2個(gè)碳原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，是sp3雜化。

【詳解】

⑴晶體中以中心的Y分析，每個(gè)Y同時(shí)吸引著4個(gè)X，以頂點(diǎn)的X分析，每個(gè)X同時(shí)吸引著8個(gè)Y，該晶體中有X為個(gè)，Y為1個(gè)，因此化學(xué)式為XY2；故答案為：4；8；XY2。

⑵晶體中以頂點(diǎn)X分析；X與面對(duì)角線的X來(lái)分析，每個(gè)面有4個(gè)，共3個(gè)面，因此在每個(gè)X周圍與它最接近且距離相等的X共有12個(gè)；故答案為：12。

⑶晶體中X與Y形成正四面體結(jié)構(gòu)；因此距離最近的2個(gè)X與1個(gè)Y形成的夾角∠XYX的度數(shù)為109°28′；故答案為：109°28′。

⑷A.中苯環(huán)上的碳價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3，是sp2雜化，故A不符合題意；B.CH4中碳原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，是sp3雜化，故B不符合題意；C.CH2=CHCH3中第1個(gè)和第2個(gè)碳原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3，是sp2雜化，故C不符合題意；D.CH3CH2C≡CH中第3個(gè)和第4個(gè)碳原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2，是sp雜化，第1個(gè)和第2個(gè)碳原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，是sp3雜化，故D符合題意；E.CH3CH3中第1個(gè)和第2個(gè)碳原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，是sp3雜化，故E符合題意；綜上所述，答案為D?！窘馕觥竣?4②.8③.XY2④.12⑤.109°28′⑥.D9、略

【分析】【分析】

①CS2中心C原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)為2；發(fā)生sp雜化；

②PCl3中心P原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)為4，發(fā)生sp3雜化；

③H2S中心S原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)為4，發(fā)生sp3雜化；

④CH2O中心C原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)為3，發(fā)生sp2雜化；

⑤H3O+中心O原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)為4，發(fā)生sp3雜化；

⑥NH4+中心N原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)為4，發(fā)生sp3雜化；

⑦BF3中心B原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)為3，發(fā)生sp2雜化；

⑧SO2中心S原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)為3，發(fā)生sp2雜化。

【詳解】

(1)中心原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)等于形成共價(jià)鍵的原子個(gè)數(shù)；則中心原子沒(méi)有孤電子對(duì)。由以上分析可知，中心原子沒(méi)有孤電子對(duì)的是①④⑥⑦。答案為：①④⑥⑦；

(2)中心原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)等于2；立體構(gòu)型為直線形。由此可知，立體構(gòu)型為直線形的是①；中心原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)等于3，且與3個(gè)其它原子形成共價(jià)鍵，立體構(gòu)型為平面三角形。由此可知，立體構(gòu)型為平面三角形的是④⑦。答案為：①；④⑦；

(3)中心原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)等于4；與其它2個(gè)原子形成共價(jià)鍵，其立體構(gòu)型為V形。由此可知，立體構(gòu)型為V形的是③⑧。答案為：③⑧；

(4)中心原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)等于4；與其它3個(gè)原子形成共價(jià)鍵，立體構(gòu)型為三角錐形，由此可知，立體構(gòu)型為三角錐形的是②⑤；中心原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)等于4，與其它4個(gè)原子形成共價(jià)鍵，立體構(gòu)型為正四面體形。由此可知，立體構(gòu)型為正四面體形的是⑥。答案為：②⑤；⑥。

【點(diǎn)睛】

不管分子構(gòu)型如何，對(duì)于由兩種元素組成的微粒，只要價(jià)層電子對(duì)全部用于形成共價(jià)鍵，則微粒結(jié)構(gòu)對(duì)稱?！窘馕觥竣?①④⑥⑦②.①③.④⑦④.③⑧⑤.②⑤⑥.⑥10、略

【分析】【詳解】

(1)鐵是26號(hào)元素,鐵原子核外有26個(gè)電子，鐵原子失去2個(gè)電子變?yōu)镕e2+,根據(jù)構(gòu)造原理知，該離子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d6或[Ar]3d6。

故答案為1s22s22p63s23p63d6或[Ar]3d6；

(2)a.H2S、O3分子都是V形；a項(xiàng)錯(cuò)誤；

b.BF3為平面三角形，NH3均為三角錐形，b項(xiàng)錯(cuò)誤；

c.CO2；HCN分子的結(jié)構(gòu)式分別是：O=C=O、H?C≡N；c項(xiàng)正確；

d.CH3COOH分子中甲基（-CH3）中原子形成4個(gè)單鍵，雜化軌道數(shù)目為4，采用的是sp3雜化；羧基（-COOH）中碳原子形成3個(gè)σ鍵，雜化軌道數(shù)目為3，采用的是sp2雜化；d項(xiàng)正確；

故答案為cd

(3)白球個(gè)數(shù)=黑球個(gè)數(shù)=所以白球和黑球個(gè)數(shù)比為2:1,根據(jù)二氧化硅的化學(xué)式知,白球表示氧原子.

故答案為氧(O)

(4)二個(gè)乙酸分子間中,羧基上的氫原子與另一個(gè)乙酸分子中碳氧雙鍵上氧原子形成氫鍵,所以該二聚體的結(jié)構(gòu)為

故答案為

【點(diǎn)睛】

晶胞中原子個(gè)數(shù)計(jì)算：晶胞面上8個(gè)頂點(diǎn)每個(gè)算每條棱上每個(gè)點(diǎn)算面上每個(gè)算

內(nèi)部每個(gè)算1。【解析】1s22s22p63s23p63d6或[Ar]3d6cd氧(O)11、略

【分析】【分析】

(1)基態(tài)K原子共有4給電子層，最高能層位N；價(jià)層電子排布式為4s1；

(2)M的第三電離能遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于第二電離能；該元素最外層有2個(gè)電子；

(3)根據(jù)價(jià)層電子互斥理論確定雜化方式及空間構(gòu)型；

(4)Ca3(PO4)3F中非金屬元素為P；O、F；同周期主族元素自左而右電負(fù)性增大，同主族自上而下電負(fù)性減?。?/p>

(5)A.同周期元素的第一電離能有增大的趨勢(shì)；價(jià)層電子處于充滿或半充滿狀態(tài)時(shí)，第一電離能大于其后元素的；

B.鍵合原子的電子親合能或電負(fù)性的差值越大；極性越大；

C.離子半徑越??；鍵長(zhǎng)越短，晶格能越大；

D.金屬陽(yáng)離子的半徑越小；其碳酸鹽的熱穩(wěn)定性越弱；

(6)構(gòu)成二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)的最小環(huán)是六元環(huán)，根據(jù)密度公式計(jì)算晶體密度。

【詳解】

(1)基態(tài)K原子共有4給電子層，最高能層位N；價(jià)層電子排布式為4s1；該能層電子云輪廓為球形，故答案為：N；球形；

(2)M的第三電離能遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于第二電離能，說(shuō)明該元素失去2個(gè)電子時(shí)為穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則該元素最外層有2個(gè)電子，則M為Ca，元素M化合態(tài)常見(jiàn)化合價(jià)是+2，其基態(tài)原子電子排布式為：1s22s22p63s23p64s2或[Ar]4s2，故答案為：+2；1s22s22p63s23p64s2或[Ar]4s2；

(3)的中心原子P的孤電子對(duì)數(shù)為：1/2（a-xb）=1/2(5+3-2×4)=0，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為：4+0=4，P原子雜化方式為sp3雜化，空間構(gòu)型為正四面體，鍵角為109°28′，故答案為：sp3；109°28′；

(4)Ca3(PO4)3F中非金屬元素為P、O、F，同周期主族元素自左而右電負(fù)性增大，同主族自上而下電負(fù)性減小，所以電負(fù)性：F>O>P，故答案為：F>O>P；

(5)A.同周期元素的第一電離能有增大的趨勢(shì)；價(jià)層電子處于全充滿或半充滿狀態(tài)時(shí)，第一電離能大于其后元素的第一電離能，則Cl＞P＞S＞Si，A錯(cuò)誤；

B.鍵合原子的電子親合能或電負(fù)性的差值越大，極性越大，則共價(jià)鍵的極性：HF＞HCl＞HBr＞HI；B正確；

C.離子半徑越小，鍵長(zhǎng)越短，晶格能越大，則晶格能：NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI；C正確；

D.金屬陽(yáng)離子的半徑越小，其碳酸鹽的熱穩(wěn)定性越弱，則熱穩(wěn)定性：BaCO3＞SrCO3＞CaCO3＞MgCO3；D錯(cuò)誤；故答案為：BC。

(6)構(gòu)成二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)的最小環(huán)是六元環(huán)，其中有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子，所以構(gòu)成二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)的最小環(huán)是由12個(gè)原子構(gòu)成；1個(gè)晶胞中含有Si原子的數(shù)目為：8×1/8+6×1/2+4=8，含有O原子的數(shù)目為：16，則根據(jù)公式：其晶胞的密度為：

故答案為：12；

【點(diǎn)睛】

中心原子的孤電子對(duì)數(shù)=1/2（a-xb）；中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=孤電子對(duì)數(shù)+鍵。中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=2，為sp雜化；中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=3，為sp2雜化；中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=4，為sp3雜化?！窘馕觥縉球形+21s22s22p63s23p64s2或[Ar]4s2sp3109°28′F>O>PBC1212、略

【分析】【詳解】

(1)BN的硬度較大，所以BN是原子晶體，根據(jù)金剛石的結(jié)構(gòu)知BN中B原子的雜化方式為sp3，原子晶體中只含有共價(jià)鍵，故答案為sp3；共價(jià)鍵；

(2)①水分子間能夠形成氫鍵，沸點(diǎn)：H2S＜H2O；②非金屬性越強(qiáng)，最高價(jià)氧化物的水化物的酸性越強(qiáng)，酸性：H2SO4＞H2SeO4；③24Cr核外電子排布式：1s22s22p63s23p63d54s1，未成對(duì)電子數(shù)為6，25Mn核外電子排布式：1s22s22p63s23p63d54s2，未成對(duì)電子數(shù)為5，所以未成對(duì)電子數(shù)：24Cr＞25Mn；④元素的電子構(gòu)型為ns2np3，為第ⅤA族，電子排布為半滿狀態(tài)，較穩(wěn)定，不易失去電子，所以第一電離能較大，B元素的電子構(gòu)型為ns2np4；為第ⅥA族，所以第一電離能：A＞B；故答案為＜；＞；＞；＞；

(3)二氧化硅晶體中每個(gè)Si原子形成4個(gè)Si-O鍵，1mol二氧化硅晶體中含有4molSi-O鍵，則SiO2晶體中Si和Si-O鍵的比例為1：4；

因晶體硅中每個(gè)Si原子與周圍的4個(gè)硅原子形成正四面體，向空間延伸的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，每Si原子與周圍的4個(gè)Si原子形成4個(gè)Si-Si鍵，每個(gè)Si-Si鍵為1個(gè)Si原子提供個(gè)Si-Si鍵，所以1mol晶體硅中含有1mol×4×=2molSi-Si鍵；

反應(yīng)熱△H=反應(yīng)物總鍵能-生成物總鍵能，所以Si(s)+O2(g)=SiO2(s)中；△H=176kJ/mol×2mol+498kJ/mol-460kJ/mol×4=-990kJ/mol，故答案為1：4；-990kJ/mol。

點(diǎn)睛：本題考查氫鍵、元素周期律、電子排布式、第一電離能，鍵能與反應(yīng)熱的關(guān)系等。本題的易錯(cuò)點(diǎn)是(3)中反應(yīng)熱的計(jì)算，確定1mol晶體硅中Si-Si鍵、1mol二氧化硅晶體中Si-O鍵的物質(zhì)的量是解題關(guān)鍵?！窘馕觥縮p3共價(jià)鍵＜＞＞＞1∶4－990kJ/mol13、略

【分析】試題分析：周期表前四周期的元素X；Y、Z、T、W；原子序數(shù)依次增大。X的核外電子總數(shù)與其周期數(shù)相同，則X是氫元素。Y基態(tài)原子的p電子數(shù)比s電子數(shù)少1個(gè)，則Y應(yīng)該是氮元素。Z基態(tài)原子的價(jià)電子層中有2個(gè)未成對(duì)電子，所以Z是氧元素。T與Z同主族，則T是S元素。W基態(tài)原子的M層全充滿，N層只有一個(gè)電子，則W是Cu元素。

（1）非金屬性越強(qiáng)；第一電離能越大。但氮元素的2p軌道電子處于半充滿狀態(tài)，穩(wěn)定性強(qiáng)，則氮元素的第一電離能大于氧元素的。同周期自左向右原子半徑逐漸減小，同主族自上而下原子半徑逐漸增大，則原子半徑最小的是O。

（2）S的原子序數(shù)是16，原子結(jié)構(gòu)示意圖為根據(jù)核外電子排布規(guī)律可知W基態(tài)原子的電子排布式為[Ar]3d104s1。

（3）X和上述其他元素中的一種形成的化合物中，分子呈三角錐形的是NH3。分子中既含有極性共價(jià)鍵，又含有非極性共價(jià)鍵的化合物是H2O2或N2H4。

（4）T與Z形成的化合物中，SO2是V形結(jié)構(gòu)，三氧化硫是平面三角形，則屬于非極性分子的是SO3。

（5）這5種元素形成的一種陰陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為1:1型的配合物中，陰離子呈四面體結(jié)構(gòu)，則為硫酸根。陽(yáng)離子的結(jié)構(gòu)如右圖所示，即為氨氣和銅離子形成的配位健，則該配合物的化學(xué)式為[Cu(NH3)4]SO4；陽(yáng)離子中存在的化學(xué)鍵類型有配位健及氮元素與氫原子之間的共價(jià)鍵。

考點(diǎn)：考查元素推斷、第一電離能、空間構(gòu)型、原子半徑、化學(xué)鍵、核外電子排布等【解析】（1）NO（各1分）（2）（1分）[Ar]3d104s1（2分）

（3）NH3（2分）H2O2或N2H4（2分）（4）SO3（2分）

（5）[Cu(NH3)4]SO4（2分）共價(jià)鍵、配位鍵（2分）三、原理綜合題(共5題，共10分)14、略

【分析】【詳解】

（1）Fe為26號(hào)元素，F(xiàn)e3+的核外電子排布式為[Ar]3d5，最外層電子排布式為3s23p63d5；其核外共有2種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子；Fe3+的電子排布為[Ar]3d5，3d軌道為半充滿狀態(tài)，比Fe2+電子排布[Ar]3d6更穩(wěn)定；（2）As、Se、Br屬于同一周期且原子序數(shù)逐漸增大，元素的非金屬性逐漸增強(qiáng)，電負(fù)性逐漸增強(qiáng)，所以3種元素的電負(fù)性從大到小順序?yàn)锽r＞Se＞As；（3）Na3[Co(NO2)6]常用作檢驗(yàn)K+的試劑，在[Co(NO2)6]3-中存在的化學(xué)鍵有共價(jià)鍵、配位鍵；（4）等電子體是指價(jià)電子數(shù)和原子數(shù)（氫等輕原子不計(jì)在內(nèi)）相同的分子、離子或基團(tuán)，與CN-互為等電子體的極性分子有CO；HCN分子中心原子碳原子為sp雜化，分子的空間構(gòu)型為直線型；（5）SiC中C與Si形成4個(gè)σ鍵，為sp3雜化；以1個(gè)Si為標(biāo)準(zhǔn)計(jì)算，1個(gè)Si通過(guò)O連接4個(gè)Si，這4個(gè)Si又分別通過(guò)O連有其他3個(gè)Si，故每個(gè)Si被4×3=12個(gè)最小環(huán)所共有；（6）已知Cu的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，為面心立方，每個(gè)晶胞含有Cu個(gè)數(shù)為8×+6×=4，棱長(zhǎng)為acm，則晶胞的體積V=a3cm3，又知Cu的密度為pg/cm3，則pg/cm3=故NA=【解析】3s23p63d523Fe3+的電子排布為[Ar]3d5,3d軌道為半充滿狀態(tài)，比Fe2+電子排布[Ar]3d6更穩(wěn)定Br>Se>As共價(jià)鍵配位鍵CO直線形sp312256/a3p15、略

【分析】【詳解】

（1）Ge是32號(hào)元素，與碳元素是同一主族的元素，在元素周期表中位于第四周期IVA族；基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]3d104s24p2；在其原子的最外層的2個(gè)4p電子分別位于2個(gè)不同的4p軌道上，所以基態(tài)Ge原子有2個(gè)未成對(duì)的電子，故答案為3d104s24p2；2；

（2）Ge與C是同族元素；C原子原子半徑較小，原子之間可以形成雙鍵；三鍵；但Ge原子之間難以形成雙鍵或三鍵，從原子結(jié)構(gòu)角度看，這是由于鍺的原子半徑大，原子之間形成的σ單鍵較長(zhǎng)，p-p軌道肩并肩重疊的程度很小或幾乎不能重疊，難以形成π鍵，故答案為Ge原子半徑大，原子間形成的σ單鍵較長(zhǎng)，p?p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊，難以形成π鍵；

（3）鍺元素的鹵化物在固態(tài)時(shí)都為分子晶體，分子之間通過(guò)微弱的分子間作用力結(jié)合。對(duì)于組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)來(lái)說(shuō)，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，熔沸點(diǎn)越高。由于相對(duì)分子質(zhì)量：GeCl4＜GeBr4＜GeI4，所以它們的熔沸點(diǎn)由低到高的順序是：GeCl4＜GeBr4＜GeI4，故答案為GeCl4、GeBr4、GeI4的熔；沸點(diǎn)依次增高。原因是分子結(jié)構(gòu)相似；分子量依次增大，分子間相互作用力逐漸增強(qiáng)；

（4）光催化還原CO2制備CH4反應(yīng)中，帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑。元素的非金屬性越強(qiáng)，其吸引電子的能力就越強(qiáng)，元素的電負(fù)性就越大。元素Zn、Ge、O的非金屬性強(qiáng)弱順序是：O＞Ge＞Zn，所以這三種元素的電負(fù)性由大至小的順序是O＞Ge＞Zn，故答案為O>Ge>Zn；

（5）Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為1個(gè)s軌道與3個(gè)p軌道形成的sp3雜化；由于是同一元素的原子通過(guò)共用電子對(duì)結(jié)合，所以微粒之間存在的作用力是非極性共價(jià)鍵(或?qū)憺楣矁r(jià)鍵)，故答案為sp3；共價(jià)鍵；

（6）①根據(jù)各個(gè)原子的相對(duì)位置可知，D在各個(gè)方向的1/4處，所以其坐標(biāo)是()，故答案為()；

②根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，在晶胞中含有的Ge原子數(shù)是8×1/8+6×1/2+4=8，所以晶胞的密度=g·cm-3，故答案為×107。【解析】3d104s24p22Ge原子半徑大，原子間形成的σ單鍵較長(zhǎng)，p?p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊，難以形成π鍵GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸點(diǎn)依次增高。原因是分子結(jié)構(gòu)相似，分子量依次增大，分子間相互作用力逐漸增強(qiáng)O>Ge>Znsp3共價(jià)鍵()×10716、略

【分析】【分析】

【詳解】

試題分析：（1）在周期表的金屬與非金屬的分界處可找到半導(dǎo)體材料；所以答案選B；

（2）根據(jù)圖像可知Si與氧氣反應(yīng)生成二氧化硅的熱化學(xué)方程式及C與氧氣反應(yīng)生成CO氣體的熱化學(xué)方程式，根據(jù)蓋斯定律，后者減去前者，則可得到C還原二氧化硅的熱化學(xué)方程式是SiO2(s)＋2C(s)=Si(s)＋2CO(g)ΔH＝+638.4kJ/mol；

（3）①砂粒中的二氧化硅和氫氧化鈉反應(yīng)生成硅酸鈉和水，所以X是硅酸鈉，硅酸鈉與硫酸反應(yīng)生成硅酸沉淀，則Y的化學(xué)式是H2SiO3或H4SiO4；

②反應(yīng)Ⅰ的離子方程式為SiO2＋2OH－=SiO32－＋H2O；

③反應(yīng)Ⅳ為二氧化硅與Mg反應(yīng)生成Mg2Si，根據(jù)元素守恒，則產(chǎn)物中有MgO生成，化學(xué)方程式為SiO2+4Mg=Mg2Si+2MgO；

④甲烷中C原子的半徑比Si原子半徑小，所以C-H鍵鍵長(zhǎng)比Si-H鍵鍵長(zhǎng)短，則鍵能大于Si-H鍵，所以甲烷的分解溫度高于SiH4；

（4）A、根據(jù)圖像當(dāng)投料比一定時(shí)，增大溫度，SiHCl3的平衡轉(zhuǎn)化率增大，說(shuō)明升高溫度，平衡正向移動(dòng)，則正向?yàn)槲鼰岱磻?yīng)，錯(cuò)誤；B、投料比增大，SiHCl3的平衡轉(zhuǎn)化率增大，只有增大氫氣的物質(zhì)的量時(shí)，SiHCl3的平衡轉(zhuǎn)化率才會(huì)增大，所以橫坐標(biāo)表示的投料比應(yīng)該是氫氣與SiHCl3的濃度之比，正確；C、因?yàn)樵摲磻?yīng)是吸熱反應(yīng)，所以平衡常數(shù)隨溫度升高而增大，正確；D、若增大壓強(qiáng)，則平衡逆向移動(dòng)，SiHCl3的轉(zhuǎn)化率降低；錯(cuò)誤，答案選BC。

考點(diǎn)：考查化學(xué)反應(yīng)與能量的關(guān)系，化學(xué)平衡移動(dòng)的判斷與應(yīng)用【解析】BSiO2(s)＋2C(s)=Si(s)＋2CO(g)ΔH＝+638.4kJ/molH2SiO3或H4SiO4SiO2＋2OH－=SiO32－＋H2OSiO2+4Mg=Mg2Si+2MgO周期表中，硅和碳屬于同主族，原子半徑Si大于C，硅元素的非金屬性弱于碳元素，硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷BC17、略

【分析】【分析】

(1).鐵元素為26號(hào)元素，失去2電子后形成Fe2+；

(2).同一周期元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢(shì)；但第IIA族；第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素，Na、Mg、Al屬于同一周期元素；

(3).氯化鋁的熔點(diǎn)是194℃；熔點(diǎn)較低，是分子晶體，熔融狀態(tài)下不存在離子，不能導(dǎo)電；

(4).算出BeF2與H2O的價(jià)層電子對(duì)數(shù)；結(jié)合孤對(duì)電子，得出雜化類型和空間構(gòu)型；

(5).根據(jù)均攤法，I2分子分布在頂點(diǎn)和面心；根據(jù)來(lái)分析解答。

【詳解】

(1).鐵元素為26號(hào)元素，其核外電子排布為1s22s22p63s23p63d64s2，失去2電子后形成Fe2+，故Fe2+的核外電子排布為1s22s22p63s23p63d6，故答案為：1s22s22p63s23p63d6；

(2).同一周期元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢(shì)，但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素，故Na、Mg、Al基態(tài)原子第一電離能的大小關(guān)系是Na<Al<Mg；故答案為:：Na<Al<Mg；

(3).氯化鋁的熔點(diǎn)是194℃；熔點(diǎn)較低，是分子晶體，熔融狀態(tài)下不存在離子，不能導(dǎo)電，故不能用電解其來(lái)制備單質(zhì)，故答案為：氯化鋁是分子晶體，熔融狀態(tài)下不存在離子，不能導(dǎo)電；

(4).BeF2的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為=不存在孤對(duì)電子，故雜化類型為sp，空間構(gòu)型為直線形；H2O的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為=有兩對(duì)孤對(duì)電子，故雜化類型為sp3，空間構(gòu)型為V形；故答案為：sp；sp3；直線形；V形；

(5).根據(jù)均攤法，I2分子分布在頂點(diǎn)和面心，即有根據(jù)

故答案為：4；【解析】1s22s22p63s23p63d6Na<Al<Mg氯化鋁是分子晶體，熔融狀態(tài)下不存在離子，不能導(dǎo)電spsp3直線形V形418、略

【分析】【分析】

(1)元素有幾種電子；其核外電子就有幾種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)；Mn的原子半徑更?。粌r(jià)電子更多；

(2)ClO3-中心原子Cl的孤電子對(duì)數(shù)==1；價(jià)層電子對(duì)數(shù)=1+3=4，雜化軌道數(shù)目為4，在VSEPR模型基礎(chǔ)上忽略孤對(duì)電子可得微?？臻g構(gòu)型；

(3)碳酸鹽的熱分解本質(zhì)是金屬陽(yáng)離子結(jié)合酸根離子中的氧離子，r(Ca2+)＜r(Sr2+)，CaO晶格能大于SrO晶格能；CO2分子為O=C=O結(jié)構(gòu)；雙鍵中碳原子與氧原子電子云以“頭碰頭”“肩并肩”形成進(jìn)行重疊；

(4)含有空軌道的離子和含有孤電子對(duì)的原子間易形成配位鍵；配位鍵由提供孤電子對(duì)的原子指向提供空軌道的離子。

【詳解】

(1)元素有幾種電子；其核外電子就有幾種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，Ca原子M層有8個(gè)電子，所以M層電子有8種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)；與Ca相比，Mn的原子半徑更??；價(jià)電子數(shù)更多，Mn中金屬鍵更強(qiáng)，故金屬M(fèi)n的熔點(diǎn)沸點(diǎn)都比金屬Ca高；

(2)ClO3?中心原子Cl的孤電子對(duì)數(shù)==1，價(jià)層電子對(duì)數(shù)=1+3=4，雜化軌道數(shù)目為4，Cl原子采取sp3雜化；微粒的VSEPR模型為四面體形，忽略孤對(duì)電子可得微?？臻g構(gòu)型為三角錐形；

(3)碳酸鹽的熱分解本質(zhì)是金屬陽(yáng)離子結(jié)合酸根離子中的氧離子，r(Ca2+)＜r(Sr2+)，CaO晶格能大于SrO晶格能，CaCO3更易分解，即碳酸鈣的熱分解溫度低于碳酸鍶；CO2分子為O=C=O結(jié)構(gòu)；雙鍵中碳原子與氧原子電子云以“頭碰頭”“肩并肩”形成進(jìn)行重疊，含有σ鍵；π鍵；

(4)配位鍵是由孤對(duì)電子與空對(duì)軌道形成的，Mg最外層有兩個(gè)電子，可以與R、X形成離子鍵，而O原子中存在孤對(duì)電子，所以兩個(gè)O(C2H5)2可以與Mg形成配位鍵，在二聚體中，同理，一個(gè)Mg與R、X相連，則另外一個(gè)X和O(C2H5)2則與Mg形成配位鍵，如圖所示：

【點(diǎn)睛】

配合物中，一般金屬陽(yáng)離子提供空軌道，含有孤電子對(duì)的原子提供孤電子對(duì)，配位鍵表示時(shí)，由提供孤電子對(duì)的原子指向提供空軌道的原子?！窘馕觥?Mn原子半徑較小且價(jià)電子數(shù)較多，金屬鍵較強(qiáng)三角錐形sp3低于r(Ca2+)＜r(Sr2+)，CaO晶格能大于SrO晶格能，CaCO3更易分解σ鍵、π鍵四、實(shí)驗(yàn)題(共1題，共10分)19、略

【分析】【分析】

兩種配合物可電離出的氯離子數(shù)目不同；可將等質(zhì)量的兩種配合物配制成溶液，滴加硝酸銀，根據(jù)生成沉淀的多少判斷。

【詳解】

兩種配合物晶體[Co（NH3）6]Cl3和[Co（NH3）5Cl]Cl2?NH3，內(nèi)界氯離子不能與硝酸銀反應(yīng)，外界氯離子可以與硝酸銀反應(yīng)，將這兩種配合物區(qū)別開(kāi)來(lái)的實(shí)驗(yàn)方案：稱取相同質(zhì)量的兩種晶體分別配成溶液，向兩種溶液中分別滴加足量用硝酸酸化的硝酸銀溶液，充分反應(yīng)后，過(guò)濾、洗滌、干燥后稱量，所得AgCl固體質(zhì)量大的，原晶體為[Co（NH3）6]Cl3，所得AgCl固體質(zhì)量小的，原晶體為[Co（NH3）5Cl]Cl2?NH3，故答案為：取相同質(zhì)量的兩種晶體分別配成溶液，向兩種溶液中分別滴加足量AgNO3溶液，靜置、過(guò)濾、干燥、稱量，沉淀質(zhì)量大的，原晶體為[Co（NH3）6]Cl3，少的是[Co(NH3)5Cl]Cl2。

【點(diǎn)睛】

把握配合物的構(gòu)成特點(diǎn)，為解答該題的關(guān)鍵。解答此類試題要注意配合物的內(nèi)界和外界的離子的性質(zhì)不同，內(nèi)界中以配位鍵相結(jié)合，很牢固，難以在水溶液中電離，而內(nèi)界和外界之間以離子鍵結(jié)合，在溶液中能夠完全電離?！窘馕觥糠Q取相同質(zhì)量的兩種晶體配成溶液，向兩種溶液中分別加入足量的硝酸銀溶液，靜置、過(guò)濾、干燥、稱量，所得氯化銀固體多的是[Co(NH3)6]Cl3，少的是[Co(NH3)5Cl]Cl2五、計(jì)算題(共4題，共32分)20、略

【分析】【分析】

(1)石墨晶體的層狀結(jié)構(gòu)；層內(nèi)每個(gè)碳原子由3個(gè)正六邊形共用，每個(gè)碳碳鍵由2個(gè)正六邊形共用；

(2)根據(jù)均攤法計(jì)算晶胞中Mg原子和B原子的個(gè)數(shù)；進(jìn)而確定化學(xué)式。

【詳解】

(1)圖中層內(nèi)每個(gè)碳原子由3個(gè)正六邊形共用，每個(gè)碳碳鍵由2個(gè)正六邊形共用，則平均每個(gè)正六邊形占有C原子數(shù)為6=2個(gè)、占有的碳碳鍵數(shù)為6=2個(gè)；碳原子數(shù)目與碳碳化學(xué)鍵數(shù)目之比為2:3；

(2)根據(jù)晶體結(jié)構(gòu)單元可知，在六棱柱頂點(diǎn)上的鎂原子被6個(gè)六棱柱共用，在上下底面上的鎂原子被兩個(gè)六棱柱共用，根據(jù)均攤法可知晶胞中Mg原子的個(gè)數(shù)為2×+2×6×＝3，B原子的個(gè)數(shù)為6，所以Mg原子和B原子的個(gè)數(shù)比為3：6=1：2，所以化學(xué)式為MgB2。【解析】232:3MgB221、略

【分析】【分析】

每個(gè)C周圍有4個(gè)硅，C和Si的最短距離為體對(duì)角線的四分之一，先計(jì)算金剛石晶胞中碳的個(gè)數(shù)，再根據(jù)公式計(jì)算空間利用率。

【詳解】

⑴每個(gè)C周圍有4個(gè)硅，因此C的配位數(shù)為4；故答案為：4。⑵C和Si的最短距離為體對(duì)角線的四分之一，因此故答案為：188。⑶金剛石晶胞中有個(gè)碳，假設(shè)C的原子半徑為r，則金剛石晶胞參數(shù)為金剛石晶體中原子的空間利用率故答案為：34%?！窘馕觥?18834%22、略

【分析】【分析】

（1）根據(jù)金屬晶體的堆積方式進(jìn)行分析；

（2）根據(jù)晶胞的邊長(zhǎng)可計(jì)算晶胞的體積；再根據(jù)質(zhì)量＝密度×體積，可得晶胞的質(zhì)量；

（3）根據(jù)摩爾質(zhì)量M＝NA乘以一個(gè)原子的質(zhì)量可計(jì)算金屬的摩爾質(zhì)量；再根據(jù)相對(duì)原子質(zhì)量在數(shù)值上等于該元素的摩爾質(zhì)量可得金屬的相對(duì)原子質(zhì)量；

（4）根據(jù)在面心立方晶胞中，原子的半徑r與晶胞的邊長(zhǎng)的關(guān)系，晶胞的邊長(zhǎng)＝可計(jì)算金屬原子的原子半徑。

【詳解】

（1）根據(jù)題意；該立方晶胞中含有4個(gè)金屬原子可知，該金屬晶胞屬于面心立方晶胞；

故答案為面心立方晶胞；

（2）根據(jù)晶胞的邊長(zhǎng)為360pm，可得晶胞的體積為(3.6×10-8)3cm3，根據(jù)質(zhì)量＝密度×體積，可得晶胞的質(zhì)量m＝9.0g/cm3×(3.6×10-8)cm3≈4.2×10-22g；

故答案為4.2×10-22g；

（3）金屬的摩爾質(zhì)量＝NA乘以一個(gè)原子的質(zhì)量＝6.02×1023×(4.2×10-22÷4)＝63.21(g/mol)；相對(duì)原子質(zhì)量在數(shù)值上等于該元素的摩爾質(zhì)量；

故答案為63.21；

(4)在面心立方晶胞中，設(shè)原子的半徑為r，則晶胞的邊長(zhǎng)＝因此，金屬原子的原子半徑為＝×360pm≈127.26pm；

故答案為127.26pm；

【點(diǎn)睛】

第（2）問(wèn)在計(jì)算晶胞質(zhì)量時(shí)單位的換算時(shí)學(xué)生們的易錯(cuò)點(diǎn)，首先單位要統(tǒng)一，要將pm換算為cm，其次1pm=10-10cm，則360pm=3.6×10-8cm，另外經(jīng)常用到的還有納米與厘米的換算，1nm=10-7cm?！窘馕觥棵嫘牧⒎骄О?.2×10－22g63.21127.26pm23、略

【分析】【詳解】

(1)元素Na的焰色反應(yīng)呈黃色;激發(fā)態(tài)Na原子,價(jià)電子由3s能級(jí)激發(fā)到3p能級(jí),其價(jià)電了軌道表示式為答案：黃；

(2)KBr具有NaCl型的晶體結(jié)構(gòu),都屬于離子晶體。但其熔點(diǎn)比NaCl低,原因是K+半徑Na+大,Br-半徑大于Cl-，KBr中離子鍵較弱,晶格能較低,所以KBr熔點(diǎn)比NaCl低。答案：K+的半徑大于Na+,Br-半徑大于Cl-,KBr中離子鍵較弱,晶格能較低。

(3)①根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)及A；B兩點(diǎn)的坐標(biāo)可知；C的原子坐標(biāo)為（1，0.75，0.5）;答案：（1，0.75，0.5）。

②根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶體中Cl構(gòu)成的多面體包含20個(gè)三角形的面；與Cl緊鄰的Na個(gè)數(shù)為4;答案：20；4。

③根據(jù)均攤法可知,該晶體中含有2個(gè)Na和6個(gè)Cl,ρ=m/V=[(232+635.5)/NA]/(a10-10)3=259/（NAa310-30）【解析】黃K+的半徑大于Na+,Br-半徑大于Cl-,KBr中離子鍵較弱,晶格能較低。（1，0.75，0.5）204259/（NAa310-30）六、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(共4題，共8分)24、略

【分析】【詳解】

(1)Se元素為34號(hào)元素，原子核外有34個(gè)電子，所以核外電子排布式為：1s22s22p63s23p63d104s24p4，基態(tài)硒原子的價(jià)電子排布式為4s24p4；SeO2常溫下白色晶體，熔、沸點(diǎn)低，為分子晶體，故答案為：4s24p4；分子；

(2)硒、硅均能與氫元素形成氣態(tài)氫化物分別為H2Se，SiH4，其分子結(jié)構(gòu)分別V形、正四面體；若“Si-H”中鍵合電子偏向氫原子，說(shuō)明硅顯正價(jià)，氫氣與硒反應(yīng)時(shí)單質(zhì)硒是氧化劑，硒顯負(fù)價(jià)，所以硒與硅的電負(fù)性相對(duì)大小為Se＞Si，故答案為：SiH4；＞；

(3)第二周期中；元素的第一電離能處于B與N之間的元素有Be；C、O三種，故答案為：3；

(4)BF3?NH3中B原子含有3個(gè)σ鍵和1個(gè)配位鍵，所以其價(jià)層電子數(shù)是4，B原子采取sp3雜化，該化合物中，B原子提供空軌道的原子、N原子提供孤電子對(duì)，所以B、N原子之間形成配位鍵；在NH3中，N原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)是3＋(5-3×1)/2=4，所以雜化軌道類型為sp3；NH3中有10個(gè)電子，等電子體的一種離子符號(hào)有：H3O+，故答案為：配位；sp3；H3O+；

(5)每個(gè)碳原子周圍最近的碳原子數(shù)目為12，因此在SiC中，每個(gè)Si原子周圍距離最近的Si原子數(shù)目為12；該晶胞中C原子個(gè)數(shù)=8×+6×=4，Si原子個(gè)數(shù)為4，晶胞質(zhì)量為設(shè)晶胞邊長(zhǎng)為apm，則(a×10-10)3×ρ×NA=4×40，解得a=碳原子與硅原子的最近距離為晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)度的所以碳原子與硅原子的最近距離為故答案為：12；

【點(diǎn)睛】

本題難點(diǎn)(5)，計(jì)算晶胞中碳原子與硅原子的最近距離，要先確定晶胞的邊長(zhǎng)，可以根據(jù)密度公式，求出體積，再換算為邊長(zhǎng)，最近距離，根據(jù)原子的關(guān)系，得到最終結(jié)果?！窘馕觥?s24p4分子SiH4＞3配位sp3H3O+1225、略

【分析】【詳解】

（一）；

（1）Na元素位于元素周期表第三周期第IA族；S的基態(tài)原子核外未成對(duì)電子處于3p軌道，共2個(gè)未成對(duì)電子；Si原子核外電子數(shù)為14，核外電子基態(tài)排布式為1s22s22p63s23p2；

故答案為三；IA；2；1s22s22p63s23p2。

（2）同一周期元素，隨著原子序數(shù)的增加，原子核對(duì)核外電子的吸引力增強(qiáng)，第一電離能增大，所以第一電離能：S＞Si；核外電子排布相同的離子，核電荷數(shù)越大，離子半徑越小，所以離子半徑：O2-＞Na+；一般來(lái)說(shuō)，原子晶體（Si）的熔點(diǎn)高于離子晶體（NaCl）的熔點(diǎn)，故熔點(diǎn)：Si＞NaCl；元素的非金屬性越強(qiáng)，元素最高價(jià)氧化物的水化物的酸性越強(qiáng)，因?yàn)榉墙饘傩訡l＞S，所以酸性：HClO4＞H2SO4；

故答案為＜；＞；＜；＜。

（3）Cl2氧化NaClO2溶液制取ClO2，本身被還原為氯離子，1個(gè)氯氣分子反應(yīng)得到2個(gè)電子，因此離子方程式、電子轉(zhuǎn)移的方向和數(shù)目表示為

故答案為

（二）；

（1）根據(jù)核外電子排布規(guī)律寫(xiě)出33號(hào)元素的核外電子排布式：1s22s22p63s23p63d104s24p3；所以該元素原子核外有4個(gè)電子層，有8個(gè)能級(jí)，該元素原子中被電子占據(jù)的軌道，s軌道有4個(gè)，p軌道有3×3=9個(gè)，d軌道有5個(gè)，所以占據(jù)