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模擬電子技術(shù)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)如硅、鍺和砷化鎵等特點(diǎn)：光敏性——制作光敏電阻、光電二極管、光電三極管等熱敏性——熱敏電阻傳感器摻雜特性——制成二極管、三極管、集成電路等Semiconductor

1.半導(dǎo)體純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體，也稱I（Intrinsic）型半導(dǎo)體。

2.本征半導(dǎo)體為了表示原子的內(nèi)部結(jié)構(gòu)并突出價(jià)電子，常把原子核和內(nèi)層電子看作一個(gè)整體，稱為慣性核。

取向一致的晶體，為單晶體。不一致為多晶體注意：半導(dǎo)體材料必須制成單晶體才能用作半導(dǎo)體器件如：晶體二極管晶體三極管（1）兩種載流子電子-空穴對(duì)2.本征半導(dǎo)體本征激發(fā)：半導(dǎo)體在熱激發(fā)下產(chǎn)生成對(duì)的自由電子和空穴的現(xiàn)象載流子：承載正電荷可移動(dòng)的空穴和帶負(fù)電的自由電子

在本征半導(dǎo)體中，既有電子載流子，又有空穴載流子，存在兩種載流子是半導(dǎo)體導(dǎo)電的一個(gè)重要特征。

本征激發(fā)同時(shí)產(chǎn)生電子空穴對(duì)。外加能量越高（溫度越高），產(chǎn)生的電子空穴對(duì)越多。與本征激發(fā)相反的現(xiàn)象——復(fù)合在一定溫度下，本征激發(fā)和復(fù)合同時(shí)進(jìn)行，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。電子空穴對(duì)的濃度一定。（2）載流子濃度①當(dāng)T=0K（-273。C）時(shí)，ni

=pi

=0，如同絕緣體。②當(dāng)T>0K，溫度升高時(shí)，ni、pi增大，導(dǎo)電能力增強(qiáng)。在室溫時(shí)，載流子數(shù)目極少，導(dǎo)電能力很差。如何提高導(dǎo)電能力？思考2.本征半導(dǎo)體A半導(dǎo)體材料常數(shù);T熱力學(xué)溫度;

Eg價(jià)電子擺脫共價(jià)鍵束縛所需電離能k玻爾茲曼常數(shù)n:Negaticve陰性的p

:

Positive

陽(yáng)性的i

:

Intrinsic

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