Prisemi MOS功率器件產(chǎn)品介紹與推廣20250209

MOSFET功率器件介紹與產(chǎn)品推廣科技創(chuàng)芯·導引未來InnovationforFuturePRISEMI芯導授權(quán)代理KOYUELEC光與電子075582542001，82574660謝謝惠顧MOS管的全稱為金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管，英文簡稱為MOSFET，具有三個電極，分別為：柵極G、源極S和漏極D，根據(jù)其半導體結(jié)構(gòu)可以分為P-MOS和N-MOS。什么是MOS管，做什么用MOS管廣泛應(yīng)用于電平轉(zhuǎn)換、防反接、開關(guān)控制、緩啟動、邏輯轉(zhuǎn)換、信號放大及精確控制電流等領(lǐng)域，具有體積小、質(zhì)量輕、省電等優(yōu)點，在電子設(shè)備中扮演重要角色在一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（SiO2）絕緣層膜，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極，作為柵極G。這就構(gòu)成了一個N溝道（NPN型）增強型MOS管。顯然它的柵極和其它電極間是絕緣的。同樣用上述相同的方法在一塊摻雜濃度較低的N型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的P+區(qū)，及上述相同的柵極制作過程，就制成為一個P溝道（PNP型）增強型MOS管。MOS管的構(gòu)造MOS種類、結(jié)構(gòu)分類多層外延（Multi-EPI)）

晶圓以中芯紹興、英飛凌、東部代表，生產(chǎn)工藝復(fù)雜，成本較高深溝槽（Deep-Trench）晶圓以華虹為代表，工藝簡單，成本較低MOS管靜態(tài)參數(shù)脈沖漏極電流開啟電壓導通內(nèi)阻最大耗散功率雪崩電流單脈沖雪崩擊穿能量結(jié)到管殼的熱阻結(jié)到周圍環(huán)境的熱阻最大工作結(jié)溫跟存儲溫度范圍最大漏源擊穿電壓最大柵源電壓最大連續(xù)漏電流MOS管動態(tài)參數(shù)動態(tài)參數(shù)輸入電容輸出電容反向傳輸電容從關(guān)斷到導通所需的時間漏電流上升時間從導通到關(guān)斷所需的時間漏電流下降時間G總充電電量GS充電電量GD充電電量柵極電阻漏極-源極二極管特性正向?qū)▔航捣聪蚧謴?fù)時間反向恢復(fù)充電電量MOS管體內(nèi)二極管參數(shù)峰值反向恢復(fù)電流N-ChannelMOSFETs溝槽工藝，具有導通電阻小，寄生電容小，開關(guān)速度快，抗沖擊能力強等優(yōu)點。N-ChannelMOSFETs廣泛應(yīng)用于被廣泛應(yīng)用于數(shù)字和模擬電路中，微處理器，放大器，音響，逆變器，安防，報警器，卡車音響喇叭及光伏儲能上。Trench工藝MOSFET通過溝槽內(nèi)的絕緣材料和襯底之間形成較大的PN結(jié)，能夠有效阻止反向漏電流的流動。

因此，Trench工藝MOSFET在反向偏置下具有更好的抗漏電性能。N-ChannelMOSFETsMOSFET通過SGT技術(shù)減小寄生電容及導通電阻，從而提升芯片性能，減小芯片面積。

與普通的溝槽型MOSFET相比在同一功耗下芯片面積減少超過４成。SGT技術(shù)獨特的器件結(jié)構(gòu)和掩膜版圖設(shè)計提升了產(chǎn)品的耐用度和減少了芯片面積，其獨特的工藝流程設(shè)計則減少了工藝步驟和掩膜版的數(shù)量，從而減低了MOSFET的生產(chǎn)成本，使MOSFET產(chǎn)品極具性價比，更有競爭力。主要應(yīng)用在電動工具、鋰電保護板、同步整流等。P-ChannelMOSFETsp型MOS管是一種具有重要應(yīng)用價值的半導體器件，在電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。它通過調(diào)控柵極電勢，可以控制電流的流動，實現(xiàn)信號調(diào)制和放大的功能。p型MOS管具有低功耗、高集成度、快速開關(guān)和寬工作電壓范圍等特點，適合于邏輯門電路、放大電路、開關(guān)電路和驅(qū)動器等應(yīng)用場景。Dual-ChannelMOSFETs此類MOSFET互補對不僅能提高設(shè)計效率，亦可簡化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。

諸如SO8、PQFN3x3和TSOP-6等緊湊型封裝均可用于此類MOSFET，進而打造出成本優(yōu)化型解決方案。

其目標應(yīng)用包括DC-DC轉(zhuǎn)換、電機控制、電池管理以及車載充電器。SJMOS&N-ChannelMOSFETs超結(jié)MOSFET廣泛應(yīng)用于高壓和功率應(yīng)用領(lǐng)域，如電源開關(guān)、電動車輛和工業(yè)設(shè)備等。

超結(jié)MOSFET具有更快的開關(guān)速度和更小的體積，使得電源產(chǎn)品更高效、緊湊和輕便。

在無線通信、雷達和電子戰(zhàn)系統(tǒng)、衛(wèi)星載荷等領(lǐng)域也得到廣泛應(yīng)用。MOS在BMS應(yīng)用應(yīng)用類別MOS耐壓封裝內(nèi)阻芯導

主推

型號12V電池系統(tǒng)N-MOS30V根據(jù)應(yīng)用產(chǎn)品規(guī)格選擇根據(jù)應(yīng)用產(chǎn)品規(guī)格選擇PSM8PN03R2、PSM8N03R2、PSM8N03R424V電池系統(tǒng)N-MOS40VPSM8N04R5、PSMTL04R1L36V電池系統(tǒng)N-MOS60VPSMTO06R3H、PSM8N06R348V電池系統(tǒng)N-MOS80VPSMTO10R8D、PSMTL10R2H60V電池系統(tǒng)N-MOS100VPSM8N10R4L、、PSMTL10R2H72V電池系統(tǒng)N-MOS100V-120VPSM8N10R4L、PSMTO10R8D、PSM8N120V100、PSMTO12R9LMOS在電機驅(qū)動應(yīng)用應(yīng)用類別MOS耐壓封裝內(nèi)阻芯導

主推

型號12V電池系統(tǒng)N-MOS30V根據(jù)應(yīng)用產(chǎn)品規(guī)格選擇根據(jù)應(yīng)用產(chǎn)品規(guī)格選擇PSM8PN03R2、PSM8N03R2、PSM8N03R424V電池系統(tǒng)N-MOS40VPSM8N04R5、PSMTL04R1L36V電池系統(tǒng)N-MOS60VPSMTO06R3H、PSM8N06R348V電池系統(tǒng)N-MOS80VPSMTO10R8D、PSMTL10R2H60V電池系統(tǒng)N-MOS100VPSM8N10R4L、、PSMTL10R2H72V電池系統(tǒng)N-MOS100V-120VPSM8N10R4L、PSMTO10R8D、PSM8N120V100、PSMTO12R9L近年來，全球MOSFET行業(yè)市場規(guī)模保持穩(wěn)定擴張，市場前景廣闊。根據(jù)數(shù)據(jù)，2021年全球MOSFET市場規(guī)模為113.2億美元，預(yù)計2025年將增長至150.5億美元，2021-2025年復(fù)合增長率達7.4%。

在中國市場，我國MOSFET行業(yè)市場規(guī)模也保持穩(wěn)定擴張趨勢，且增速高于全球市場增速。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2021年中國MOSFET市場規(guī)模約為46.6億美元，占全球市場的41%，預(yù)計2025年將增長至64.7億美元，2021-2025年復(fù)合增長率為8.5%。

具體從細分市場進行分析，根據(jù)工作電壓劃分，以400V為分界，MOSFET可分為高壓MOSFET和中低壓MOSFET；根據(jù)器件結(jié)構(gòu)劃分，MOSFET可分為平面MOSFET、溝槽型MOSFET、超結(jié)MOSFET等。

在國產(chǎn)化率方面，根據(jù)數(shù)據(jù)，2021年我國中低壓平面（400V以下）MOSFET的國產(chǎn)化率約為42.2%，高壓平面MOSFET的國產(chǎn)化率約為29.9%，超高壓平面MOSFET的國產(chǎn)化率約為18.2%。由此可見，我國高壓MOSFET的國產(chǎn)化率低于中低壓產(chǎn)品。對細分市場的市場前景進行分析，MOSFET行業(yè)細分產(chǎn)品可以應(yīng)用于消費電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域。以智能家居為例，根據(jù)StrategyAnalytics相關(guān)資料，擁有一件以上智能家居產(chǎn)品的家庭比例在2021年達到15%，預(yù)計2025年將接近20%，而市場規(guī)模將從2021年的1230億美元增長至2025年的1730億美元，市場前景廣闊。再以工業(yè)控制領(lǐng)域代表性應(yīng)用產(chǎn)品逆變器為例，2021年全球光伏逆變器市場規(guī)模為191.8億美元，預(yù)計2028年將超過270億美元，根據(jù)當前6%的功率器件成本占比計算，光伏逆變器中使用的功率器件市場規(guī)模超過100億元，市場前景廣闊。而超結(jié)MOSFET下游應(yīng)用市場主要受新能源汽車帶動，以其新能源充電樁為例，根據(jù)中國電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施促進聯(lián)盟數(shù)據(jù)，2021年中國新能源充電樁市場規(guī)模達418.7億元，預(yù)計2026年將達到2870.2億元，這將產(chǎn)生大量超結(jié)MOSFET需求，具有廣闊的市場前景。綜上所述，我國MOSFET行業(yè)細分市場規(guī)模將繼續(xù)保持增長，其下游應(yīng)用領(lǐng)