T-WHQASA 12-2024 10.5G 化學(xué)氣相沉積設(shè)備用下部加熱基座

ICS71.120.99CCSG92lowerheatingsusceptorproductsof10.5GchemicalvapordepositionIT/WHQASA12—2024本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。本文件由蕪湖通潮精密機(jī)械股份有限公司提出。本文件由蕪湖市質(zhì)量與標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì)歸口。本文件起草單位：蕪湖通潮精密機(jī)械股份有限公司、合肥京東方顯示技術(shù)有限公司、蕪湖芯通半導(dǎo)體材料有限公司、蕪湖長(zhǎng)信科技股份有限公司、蕪湖晶純科技有限公司、安徽潤(rùn)景信息科技有限公司。本文件主要起草人：司奇峰、王慧、劉其貴、何新玉、熊宏祥、王玉亮、王宜申、吳小杰、鄭建軍、王茹、黃錦祥、張麗。1T/WHQASA12—202410.5G化學(xué)氣相沉積設(shè)備用下部加熱基座本文件規(guī)定了10.5G化學(xué)氣相沉積設(shè)備用下部加熱基座產(chǎn)品（以下簡(jiǎn)稱“下部加熱基座”）的技術(shù)要求、檢測(cè)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及包裝、運(yùn)輸和貯存。本文件適用于10.5G化學(xué)氣相沉積設(shè)備用下部加熱基座產(chǎn)品的研制、生產(chǎn)、檢驗(yàn)和交付。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T4957-2003非磁性基礎(chǔ)金屬上非導(dǎo)電覆蓋層覆蓋層厚度測(cè)量渦流法GB/T18719-2002熱噴涂術(shù)語、分類GB/T36176-2018真空技術(shù)氦質(zhì)譜真空檢漏方法3術(shù)語和定義GB/T18719-2002界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。3.1下部加熱基座lowerheatingsusceptor化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝設(shè)備的下部加熱電極，用于化學(xué)氣相沉積時(shí)對(duì)玻璃基板進(jìn)行承載和均勻加熱。3.2Bush孔徑Bushaperture化學(xué)氣相沉積設(shè)備用下部加熱基座背面的安裝陶瓷孔直徑。4要求4.1產(chǎn)品結(jié)構(gòu)下部加熱基座的結(jié)構(gòu)說明如下：a）結(jié)構(gòu)：產(chǎn)品表面陽極氧化膜、鋁基板、內(nèi)圈加熱絲、外圈加熱絲、熱電偶、加熱絲引出桿；b）加熱方式：內(nèi)圈和外圈電阻絲加熱；c）電源連接方式：加熱絲加電；d）產(chǎn)品結(jié)構(gòu)見圖1。2T/WHQASA12—2024圖1下部加熱基座結(jié)構(gòu)4.2外觀質(zhì)量下部加熱基座陽極膜表面應(yīng)平整光潔，不應(yīng)有劃傷、膜層開裂、毛刺等缺陷。4.3主要技術(shù)指標(biāo)下部加熱基座的技術(shù)指標(biāo)見表1。表1下部加熱基座技術(shù)指標(biāo)1234℃ 56 7Ω48Ω498a平面度、膜厚和粗糙度指標(biāo)均按圖1所示測(cè)量產(chǎn)品正面3T/WHQASA12—20245試驗(yàn)方法5.1一般試驗(yàn)條件環(huán)境溫度：15℃~35℃;相對(duì)濕度：25%~75%；氣壓：試驗(yàn)場(chǎng)所的大氣壓。5.2外觀質(zhì)量在照度（1000±200）lx的條件下目測(cè)檢查。5.3平面度用平面度測(cè)量?jī)x進(jìn)行測(cè)量并記錄數(shù)據(jù)，取其算數(shù)平均值作為測(cè)量結(jié)果。平面度測(cè)量規(guī)定點(diǎn)數(shù)見圖2所示。圖2平面度、膜厚和粗糙度測(cè)量規(guī)定點(diǎn)數(shù)5.4膜厚按照GB/T4957-2003的要求，用膜厚測(cè)試儀對(duì)陽極氧化膜層進(jìn)行測(cè)量并記錄數(shù)據(jù)。膜厚測(cè)量規(guī)定點(diǎn)數(shù)見圖2所示。5.5粗糙度用粗糙度測(cè)量?jī)x進(jìn)行測(cè)量并記錄數(shù)據(jù)，粗糙度儀器測(cè)量方向需沿圖示測(cè)量方向進(jìn)行，測(cè)量距離＞5mm。粗糙度測(cè)量規(guī)定點(diǎn)數(shù)見圖2所示。5.6溫度均勻性加熱絲加380V工作電壓，并通電保持1h以上，待產(chǎn)品溫度穩(wěn)定后，測(cè)量8個(gè)點(diǎn)位溫度并記錄數(shù)據(jù)，所測(cè)溫度最大值與最小值的差值即為溫度均勻性。溫度測(cè)量規(guī)定點(diǎn)數(shù)見圖3所示。圖3溫度測(cè)量規(guī)定點(diǎn)位4T/WHQASA12—20245.7Bush孔徑用內(nèi)徑千分尺進(jìn)行測(cè)量并記錄數(shù)據(jù)。Bush孔徑測(cè)量規(guī)定點(diǎn)數(shù)見圖4所示。圖4Bush孔徑測(cè)量規(guī)定點(diǎn)數(shù)5.8氦漏率按GB/T36176-2018要求，用氦質(zhì)譜檢漏儀進(jìn)行測(cè)量并記錄數(shù)據(jù)。5.9內(nèi)圈加熱絲電阻用萬用表對(duì)4個(gè)內(nèi)圈加熱絲電阻進(jìn)行測(cè)量并記錄數(shù)據(jù)。5.10外圈加熱絲電阻用萬用表對(duì)4個(gè)外圈加熱絲電阻進(jìn)行測(cè)量并記錄數(shù)據(jù)。5.11加熱絲與基板間絕緣阻抗用電性測(cè)量?jī)x對(duì)加熱絲與基板間施加2kV的電壓，測(cè)量其絕緣阻抗并記錄數(shù)據(jù)。6檢驗(yàn)規(guī)則6.1檢驗(yàn)分類本文件規(guī)定的檢驗(yàn)分為：a）型式檢驗(yàn)（見6.26.2型式檢驗(yàn)產(chǎn)品型式檢驗(yàn)每年進(jìn)行一次（抽樣檢驗(yàn)項(xiàng)目為本文件第4章規(guī)定的全部項(xiàng)目。檢驗(yàn)樣品數(shù)量為1套，允許不合格數(shù)為0。有下列情況之一的，還應(yīng)進(jìn)行型式檢驗(yàn)：a）產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)、原料或工藝有較大變化，可能影響產(chǎn)品性能時(shí)；b）產(chǎn)品生產(chǎn)發(fā)生產(chǎn)轉(zhuǎn)、停產(chǎn)后恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)；c）出廠檢驗(yàn)結(jié)果與上次型式檢驗(yàn)有較大差異時(shí)；d）國(guó)家有關(guān)法律、法規(guī)要求時(shí)；e）合同規(guī)定時(shí)。6.3出廠檢驗(yàn)所有下部加熱基座需經(jīng)檢驗(yàn)合格后方可出廠，檢驗(yàn)項(xiàng)目為本文件4.2規(guī)定的外觀質(zhì)量和4.3規(guī)定的技術(shù)指標(biāo)要求進(jìn)行測(cè)試。5T/WHQASA12—20247標(biāo)志和隨行文件7.1標(biāo)志包裝膜上應(yīng)有“怕雨”、“向上”、“合格產(chǎn)品”等標(biāo)志。7.2隨行文件每個(gè)產(chǎn)品應(yīng)附有產(chǎn)品合格證、使用說明書、檢測(cè)報(bào)告。8包裝、運(yùn)輸和貯存8.1包裝下部加熱基座出廠前應(yīng)雙層膜包裝，并放入干燥劑。包