TSZAA 002-2024 車(chē)身域控制器功率驅(qū)動(dòng)裝置測(cè)試規(guī)程

CCS31.200ICSL56深圳自動(dòng)化學(xué)會(huì)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)T/SZAA002—2024TestProcedureforUniversalPowerDriveDeviceofVehicleDomainController2024-11-14發(fā)布 2024-11-30實(shí)施深圳自動(dòng)

學(xué)會(huì) 發(fā)布PAGE\*ROMANPAGE\*ROMANIIT/SZAA002—2024目 次前??言 II范圍 1規(guī)范性引用文件 1術(shù)語(yǔ)和定義 1符號(hào)和縮略語(yǔ) 3技術(shù)要求 3檢測(cè)方法 8包裝、貯存、標(biāo)識(shí)要求 16標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施的過(guò)渡期要求 17附錄A 19T/SZAA002—2024前??言本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則 第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專(zhuān)利的責(zé)任。本文件由深圳自動(dòng)化學(xué)會(huì)提出并歸口。本文件由深圳自動(dòng)化學(xué)會(huì)負(fù)責(zé)解釋。本文件起草單位：比亞迪汽車(chē)工業(yè)有限公司、蘇州納芯微電子股份有限公司、拓爾微電子股份有限公司、上海類(lèi)比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、上海數(shù)明半導(dǎo)體有限公司、深圳自動(dòng)化學(xué)會(huì)、杭州瑞盟科技股份有限公司、杭州士蘭微電子股份有限公司。本文件主要起草人：吳世杰、方舟、魏榮峰、范天偉、朱志杰、賀艷萍、孫忠平、林星宇。本文件首批承諾執(zhí)行單位：比亞迪汽車(chē)工業(yè)有限公司、蘇州納芯微電子股份有限公司、拓爾微電子股份有限公司、上海類(lèi)比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、上海數(shù)明半導(dǎo)體有限公司、杭州瑞盟科技股份有限公司、杭州士蘭微電子股份有限公司。T/SZAA002—2024T/SZAA002—2024PAGEPAGE19車(chē)身域控制器通用功率驅(qū)動(dòng)裝置測(cè)試規(guī)程范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了乘用車(chē)及商用車(chē)車(chē)身域控制器通用功率驅(qū)動(dòng)裝置的技術(shù)要求、檢測(cè)方法、包裝、貯存、標(biāo)識(shí)要求。本標(biāo)準(zhǔn)適用于乘用車(chē)、商用車(chē)車(chē)身域控制器通用器件功率驅(qū)動(dòng)裝置測(cè)試，其它非乘用車(chē)及商用車(chē)車(chē)身域控制器通用器件功率驅(qū)動(dòng)裝置測(cè)試參照?qǐng)?zhí)行。規(guī)范性引用文件下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T4586—94《半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分：場(chǎng)效應(yīng)晶體管GB/T191—2008 包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志GB/T5465.2—2008 電氣設(shè)備用圖形符號(hào) 第2部分：圖形符號(hào)GB/T29332—2012 半導(dǎo)體器件分立器件 第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT）GB/T30512—2014 汽車(chē)禁用物質(zhì)要求GB/T4937.3 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第3部分：外部目檢GB/T28046.4 4GB/T2408—2021 塑料燃燒性能的測(cè)定水平法和垂直法GB/T34590.1—20221GB/T34590.2—2022234590.11—202211AEC-Q100Rev-J: FailureMechanismBasedStressTestQualificationForIntegratedCircuits(BaseDocument)IEC60747-15 半導(dǎo)體器件 分立器件 第15部分：分立功率半導(dǎo)體器件（SemiconductordevicesDiscretedevices-Part15:Isolatedpowersemiconductordevices）ISO16750-2 道路車(chē)輛電子電氣產(chǎn)品的環(huán)境條件和試驗(yàn)第4.6.4Loaddump（拋負(fù)載）ANSI/ESD S20.20-2021版靜電控制標(biāo)準(zhǔn)JEDEC組織文件JESD22A-104JESD22-A108 溫度、偏壓和操作壽命（Temperature,Bias,andOperatingLife）JESD22-A119 低溫存儲(chǔ)壽命（LowTemperatureStorageLife）術(shù)語(yǔ)和定義下列驅(qū)動(dòng)芯片的術(shù)語(yǔ)和定義僅適用于本文件。工作電壓范圍 OperatingVoltageRange驅(qū)動(dòng)芯片正常工作，不失效或引發(fā)非預(yù)期故障的電壓范圍。工作溫度范圍 OperatingTemperatureRange驅(qū)動(dòng)芯片正常工作的環(huán)境溫度。靜態(tài)電流 QuiescentCurrent驅(qū)動(dòng)芯片處于待機(jī)或休眠狀態(tài)下，消耗的電流。導(dǎo)通電阻 OnResistance（主要針對(duì)內(nèi)置功率管的驅(qū)動(dòng)芯片。峰值電流 PeakOutputCurrent驅(qū)動(dòng)芯片允許提供的最大輸出電流（主要針對(duì)直驅(qū)芯片）。持續(xù)負(fù)載電流 ContinuousLoadCurrent在規(guī)定條件下，驅(qū)動(dòng)芯片持續(xù)工作所能允許的電流。欠壓保護(hù) UnderVoltageProtection當(dāng)芯片電壓低于其欠壓閾值的時(shí)間大于延時(shí)tUVLO，芯片將響應(yīng)對(duì)應(yīng)的保護(hù)機(jī)制。過(guò)壓保護(hù)OverVoltageProtection當(dāng)芯片電壓高于其過(guò)壓閾值的時(shí)間大于延時(shí)tOVP，芯片將響應(yīng)對(duì)應(yīng)的保護(hù)機(jī)制。過(guò)流保護(hù) OverCurrentProtection當(dāng)流經(jīng)回路的電流大于過(guò)流保護(hù)閾值的時(shí)間超過(guò)過(guò)流保護(hù)抗尖峰時(shí)間tOCP，芯片將響應(yīng)對(duì)應(yīng)的保護(hù)機(jī)制。開(kāi)路負(fù)載檢測(cè) OpenLoadDiagnostics驅(qū)動(dòng)芯片能夠檢測(cè)電路中負(fù)載是否開(kāi)路或者連接不良。過(guò)溫保護(hù) OverTemperatureProtection當(dāng)芯片的工作溫度超過(guò)其過(guò)溫保護(hù)閾值，芯片將響應(yīng)對(duì)應(yīng)的保護(hù)機(jī)制。最大工作頻率 SwitchingFrequency（MAX）芯片允許的最大驅(qū)動(dòng)頻率。壓擺率 SlewRate驅(qū)動(dòng)芯片輸出電壓的變化速率。傳播延遲 PropagationDelayTime傳播延遲指驅(qū)動(dòng)信號(hào)從輸入到輸出響應(yīng)所需要的時(shí)間。死區(qū)時(shí)間 DeadTime為了防止高/低邊晶體管同時(shí)導(dǎo)通而設(shè)置的保護(hù)時(shí)段。故障指示 FaultIndication驅(qū)動(dòng)芯片的故障狀態(tài)反饋。衰減模式 DecayMode驅(qū)動(dòng)電機(jī)情況下，用于管理電流衰減的一種工作模式。休眠模式 SleepMode芯片的低功耗狀態(tài)。電流監(jiān)控 CurrentMonitoring回路中的電流檢測(cè)。邏輯輸入閾值 LogicalInputThreshold芯片邏輯輸入引腳識(shí)別為高或低的臨界電壓值。符號(hào)和縮略語(yǔ)符號(hào)和縮略語(yǔ)下列符號(hào)和縮略語(yǔ)適用于本文件。UVLO：欠壓鎖定（UnderVoltageLockout）OVP：過(guò)壓保護(hù)（OverVoltageProtection）VPOR：邏輯上電復(fù)位（LogicSupplyPoweronReset）OLD：開(kāi)路負(fù)載檢測(cè)（OpenLoadDetection）OCP：過(guò)流保護(hù)（OverCurrentProtection）OTP：過(guò)溫保護(hù)（OverTemperatureProtection）EMC：電磁兼容（ElectromagneticCompatibility）SR：壓擺率（SlewRate）PWM：脈沖寬度調(diào)制（PulseWidthModulation）技術(shù)要求工作溫度要求11，1GB/T28046.4—2011A.1芯片工作環(huán)境溫度等級(jí)或范圍應(yīng)在產(chǎn)品規(guī)格書(shū)中準(zhǔn)確說(shuō)明。表1 芯片工作溫度等級(jí)等級(jí)芯片工作環(huán)境溫度0-40℃～﹢150℃1-40℃～﹢125℃2-40℃～﹢105℃3-40℃～﹢85℃分類(lèi)及功能要求功率驅(qū)動(dòng)芯片分類(lèi)分為橋驅(qū)（預(yù)驅(qū)、直驅(qū)）和智能高邊開(kāi)關(guān)兩類(lèi)。驅(qū)動(dòng)功能驅(qū)動(dòng)芯片應(yīng)具有驅(qū)動(dòng)功能，通過(guò)前端輸入的控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)和控制后端的負(fù)載。制動(dòng)模式驅(qū)動(dòng)芯片應(yīng)具有制動(dòng)功能，以控制電機(jī)的停轉(zhuǎn)或減速。欠壓保護(hù)UVLOICIC定義范圍：欠壓保護(hù)閾值，宜根據(jù)驅(qū)動(dòng)類(lèi)芯片實(shí)際的工作范圍進(jìn)行設(shè)定，驅(qū)動(dòng)類(lèi)芯片發(fā)生欠壓時(shí)，可MCU5.5V以下，遲滯電壓符合系統(tǒng)設(shè)計(jì)即可。過(guò)壓保護(hù)（可選）OVP定義范圍：過(guò)壓保護(hù)閾值，一般由驅(qū)動(dòng)類(lèi)芯片的工藝和耐壓決定，根據(jù)芯片具體耐壓設(shè)定，保證芯片26V電流檢測(cè)驅(qū)動(dòng)芯片宜具有電流檢測(cè)功能，其通過(guò)特定的電流監(jiān)測(cè)方式來(lái)監(jiān)控負(fù)載電流的變化情況并反饋給控制端，用于判斷負(fù)載的運(yùn)行狀態(tài)，為負(fù)載的實(shí)時(shí)調(diào)控提供依據(jù)。過(guò)流保護(hù)宜具有OCP過(guò)流保護(hù)功能，部分芯片宜具有過(guò)流保護(hù)閾值與過(guò)流保護(hù)抗尖峰時(shí)間tOCP的可配置功能。負(fù)載診斷（可選）域控制器智能診斷功能宜需要橋驅(qū)芯片實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出負(fù)載工作狀態(tài)檢測(cè)，尤其是橋驅(qū)存在多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)要提供靈活診斷的診斷配置功能，以實(shí)現(xiàn)負(fù)載對(duì)地短路，對(duì)電池短路和開(kāi)路檢測(cè)，以便系統(tǒng)快速定位電路中負(fù)載虛接或者開(kāi)路的問(wèn)題。過(guò)溫保護(hù)驅(qū)動(dòng)芯片應(yīng)具有OTP過(guò)溫保護(hù)功能，防止因芯片過(guò)熱而引起的非預(yù)期故障和IC損壞。建議驅(qū)動(dòng)芯片增加過(guò)溫警告功能，當(dāng)芯片的工作溫度超過(guò)其過(guò)溫警告閾值，芯片將響應(yīng)對(duì)應(yīng)的警告機(jī)制，以提醒用戶(hù)或系統(tǒng)采取必要的降溫措施，防止溫度持續(xù)升高。故障指示驅(qū)動(dòng)芯片應(yīng)具有故障指示功能，可以實(shí)時(shí)反饋芯片的工作狀態(tài)，以便故障時(shí)及時(shí)排查問(wèn)題，減少因故障而引起的系統(tǒng)停機(jī)時(shí)間，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。電流調(diào)節(jié)功能（可選）驅(qū)動(dòng)芯片宜具有電流調(diào)節(jié)功能，能夠在負(fù)載電機(jī)發(fā)生失速、高扭矩或其他高電流負(fù)載事件的情況下通過(guò)斬波的方式限制電機(jī)電流。保證負(fù)載電機(jī)的正常運(yùn)轉(zhuǎn)和延長(zhǎng)電機(jī)壽命。短路保護(hù)（可選）驅(qū)動(dòng)芯片應(yīng)能檢測(cè)到負(fù)載發(fā)生短路時(shí)的異常狀態(tài)，并做出安全響應(yīng)，以防止電流異常增加而損傷系統(tǒng)。SPI（可選）具有SPI通信及控制功能的芯片可在總線(xiàn)中做多路復(fù)用，以節(jié)省主控芯片資源。看門(mén)狗（可選）SPISPI邏輯欠壓（可選）若驅(qū)動(dòng)芯片具有SPI通信，應(yīng)具有邏輯欠壓保護(hù)功能。當(dāng)邏輯電源引腳供電電壓低于欠壓閾值或者系統(tǒng)處于休眠時(shí)，切斷通信，防止邏輯電壓過(guò)低造成的通訊錯(cuò)誤。電荷泵保護(hù)功能（可選）若驅(qū)動(dòng)芯片通過(guò)外置NMOS柵極故障保護(hù)（可選）若驅(qū)動(dòng)芯片通過(guò)外置晶體管組合成橋驅(qū)結(jié)構(gòu)來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī)，應(yīng)具有柵極故障保護(hù)功能，以應(yīng)對(duì)柵極過(guò)壓、欠壓或其他異常情況而引起的門(mén)極波動(dòng)。死區(qū)控制（可選）橋驅(qū)芯片應(yīng)集成死區(qū)時(shí)間，防止輸出切換時(shí)出現(xiàn)上下管晶體管直通，導(dǎo)致功率半橋的供電端和地或接地電阻發(fā)生短路，導(dǎo)致功率半橋以及系統(tǒng)出現(xiàn)損壞。死區(qū)時(shí)間消除直通狀態(tài)前后切換時(shí)的異常大電流沖擊而產(chǎn)生的尖峰電壓，避免芯片因電流沖擊而損壞。橋驅(qū)芯片應(yīng)提供合適的死區(qū)時(shí)間或提供可配置的死區(qū)時(shí)間。如果死區(qū)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，會(huì)導(dǎo)致占空比變小，會(huì)影響無(wú)刷電機(jī)以及需要調(diào)速的有刷電機(jī)的最大力矩輸出；如果死區(qū)時(shí)間過(guò)短，會(huì)增加短路風(fēng)險(xiǎn)以及增加管控成本。因此，需要根據(jù)具體應(yīng)用中的負(fù)載特性和工作條件來(lái)優(yōu)化死區(qū)時(shí)間。感性負(fù)載鉗位功能域控制器上的高邊開(kāi)關(guān)可能會(huì)有帶電感性負(fù)載的情況，當(dāng)高邊開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載，在關(guān)斷的情況下MOSFETVS丟電源與丟地保護(hù)在高邊開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載且丟失電源的的情況下，電感無(wú)法通過(guò)電源端續(xù)流，會(huì)通過(guò)芯片內(nèi)部其他路徑經(jīng)由IO口提供電流，所以需要在IO端串接保護(hù)電阻。在高邊開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載且芯片丟地的情況下需要整個(gè)芯片維持off狀態(tài)，錯(cuò)誤模式下保持功率管關(guān)閉。電池反接保護(hù)（可選）為了系統(tǒng)級(jí)的防反需求，芯片宜做到電源（VCC）—接地（GND）具有防反功能，對(duì)于無(wú)防反功能的IC需要在接地增加防反，做防反保護(hù)，功率側(cè)會(huì)在反接時(shí)打開(kāi)MOSFET，以此來(lái)降低損耗，保護(hù)MOSFET。壓擺率控制（可選）柵極驅(qū)動(dòng)芯片的壓擺率符合相關(guān)規(guī)格書(shū)要求。智能柵極驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)模塊宜具有可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動(dòng)電流控MOSETVSMOSETVSEMdV/tVSMOFETQGD或米勒充電區(qū)域中提供的柵極電荷(或柵極電流)的速率。POB（可選）柵極驅(qū)動(dòng)芯片宜具有低功耗休眠模式下電源過(guò)壓剎車(chē)功能；允許器件在保持低功耗靜態(tài)電流的同時(shí)，POBMOSFETMOSFET性能要求靜態(tài)功耗靜態(tài)功耗為驅(qū)動(dòng)芯片處于休眠或待機(jī)模式下所消耗的電流，應(yīng)符合相關(guān)規(guī)格書(shū)要求。導(dǎo)通電阻內(nèi)部功率晶體管導(dǎo)通時(shí)的阻抗，一般為幾毫歐到幾歐，應(yīng)符合相關(guān)規(guī)格書(shū)要求。壓擺率不同的芯片壓擺率差別較大，應(yīng)符合相關(guān)規(guī)格書(shū)要求。電流采樣精度電流采樣精度應(yīng)有相關(guān)說(shuō)明，并留有一定裕量，應(yīng)符合相關(guān)規(guī)格書(shū)要求。工作頻率驅(qū)動(dòng)芯片的工作頻率范圍應(yīng)有相關(guān)說(shuō)明，并留有一定裕量，應(yīng)符合相關(guān)規(guī)格書(shū)要求。死區(qū)時(shí)間為防止半橋上下晶體管同時(shí)導(dǎo)通，造成器件擊穿損毀，驅(qū)動(dòng)芯片應(yīng)設(shè)置一定的死區(qū)時(shí)間，一般為幾百納秒到幾十微秒，應(yīng)符合相關(guān)規(guī)格書(shū)要求。峰值電流通常應(yīng)大于負(fù)載電路在所有情況下的最大電流，并留有一定裕量，應(yīng)考慮瞬時(shí)的電流和時(shí)間沖擊，符合相關(guān)規(guī)格書(shū)要求。持續(xù)負(fù)載電流驅(qū)動(dòng)芯片應(yīng)能提供足夠的負(fù)載運(yùn)行電流，并留有一定裕量，符合相關(guān)規(guī)格書(shū)要求。工作電壓驅(qū)動(dòng)芯片的工作電壓應(yīng)大于電機(jī)的工作電壓，并留有一定裕量，符合相關(guān)規(guī)格書(shū)要求。傳播延遲驅(qū)動(dòng)芯片的傳播延遲符合相關(guān)規(guī)格書(shū)要求。參數(shù)要求不同品牌提供產(chǎn)品規(guī)格書(shū)參數(shù)部分應(yīng)包含：絕對(duì)最大限制，電氣特性，熱阻特性，ESD特性，潮濕敏感度、封裝信息和包裝尺寸相關(guān)信息；產(chǎn)品規(guī)格書(shū)提供的參數(shù)部分格式允許不同?？煽啃砸骯）23AEC-Q100認(rèn)證報(bào)告或有相應(yīng)資質(zhì)的實(shí)驗(yàn)室提供的測(cè)試報(bào)告；c）根據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片支持的車(chē)規(guī)工作環(huán)境溫度等級(jí)，按照附表A中的表A.1中的試驗(yàn)方法進(jìn)行試驗(yàn)。表2 驅(qū)動(dòng)芯片成品可靠性試驗(yàn)要求選擇表（第一部分）測(cè)試分組應(yīng)力方式簡(jiǎn)稱(chēng)代號(hào)接受標(biāo)準(zhǔn)每批樣品批數(shù)必做項(xiàng)加速環(huán)境應(yīng)力測(cè)試預(yù)處理PCA10失效773√有偏溫濕度或有偏高加速應(yīng)力試驗(yàn)THB或HASTA20失效773√高壓蒸煮或無(wú)偏高加速應(yīng)力試驗(yàn)或無(wú)偏溫濕度試驗(yàn)ACUHAST或THA30失效773√溫度沖擊或溫度循環(huán)TS或TCA40失效773√功率負(fù)載溫度循環(huán)PTCA50失效453高溫貯存壽命HTSA60失效453√低溫貯存壽命LTSA70失效√加速壽命模擬測(cè)試高溫工作壽命HTOLB10失效773√低溫工作壽命LTOLB20失效早期壽命失效率ELFRB30失效8003√非易失性存儲(chǔ)器耐久性、數(shù)據(jù)保持性、工作壽命EDRB40失效773封裝組裝完整性測(cè)試引線(xiàn)鍵合剪切力WBSC1Cpk＞1.67530拉力數(shù)據(jù)√引線(xiàn)鍵合拉力WBPC2Cpk＞1.670失效√可焊性SDC395%以上引腳151√物理尺寸PDC4Cpk＞1.67103√錫球剪切SBSC5Cpk＞1.6710顆物料每個(gè)5數(shù)據(jù)3√（FC品需要測(cè)試）引腳完整性L(fǎng)IC6無(wú)引腳破損或開(kāi)裂5顆物料面收10拉力數(shù)據(jù)1√（器件）晶圓可靠性測(cè)試電遷移EMD1—經(jīng)時(shí)介質(zhì)擊穿TDDBD2—熱流子注入效應(yīng)HCLD3—負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性NBTID4—應(yīng)力遷移SMD5—表3 驅(qū)動(dòng)芯片成品可靠性試驗(yàn)要求選擇表（第二部分）測(cè)試分組應(yīng)力方式簡(jiǎn)稱(chēng)代號(hào)接受標(biāo)準(zhǔn)必做項(xiàng)電氣特性驗(yàn)證測(cè)試應(yīng)力測(cè)試前后功能參數(shù)測(cè)試TESTE10失效√靜電放電人體模式HBME20失效√靜電放電帶電器件模式CDME30失效√閂鎖效應(yīng)LUE40失效√電氣性能分布EDE5Cpk＞1.67√故障等級(jí)FGE6見(jiàn)AECQ100-007特性描述CHARE7—√短路特性描述SCE8—開(kāi)關(guān)類(lèi)產(chǎn)AECQ100-012軟誤差率SERE90失效√無(wú)鉛LFE10由使用者和供應(yīng)商根據(jù)具體情況協(xié)商。缺陷篩選測(cè)試過(guò)程平均測(cè)試PATF1—建議跟據(jù)產(chǎn)品定具體測(cè)試管控項(xiàng)統(tǒng)計(jì)式良率分析SBAF2—√腔體封裝完整性測(cè)試機(jī)械沖擊MSG10失效變頻振動(dòng)VFVG20失效恒定加速度CAG30失效粗/細(xì)檢漏測(cè)試GFLG40失效包裝跌落DROPG50失效封蓋扭矩測(cè)試LTG60失效芯片剪切力DSG70失效內(nèi)部水汽含量測(cè)試IWVG80失效檢測(cè)方法通用性能檢測(cè)環(huán)境約束驅(qū)動(dòng)芯片應(yīng)明確其環(huán)境約束，可包含（如適用）：外部環(huán)境，例如：溫度、濕度、振動(dòng)等。運(yùn)行條件驅(qū)動(dòng)芯片應(yīng)明確其運(yùn)行條件，可包含（如適用）：芯片系統(tǒng)的功能模式及狀態(tài)；芯片處于工作狀態(tài)或者非工作狀態(tài)；芯片與系統(tǒng)其他元件或部件的依賴(lài)關(guān)系、接口關(guān)系等（如控制單元等）。試驗(yàn)方法環(huán)境條件除另有規(guī)定外，電學(xué)特性試驗(yàn)的環(huán)境條件如下：a）環(huán)境溫度：23±5℃b）相對(duì)濕度：25%～75%c）環(huán)境氣壓：86kPa～106kPa試驗(yàn)期間，器件不應(yīng)受到氣流、光照或其他可能引起誤差的影響。外觀條件試驗(yàn)前應(yīng)進(jìn)行必要外觀檢查，如果芯片存在以下外觀缺陷，將不能進(jìn)行試驗(yàn)：a）（表面劃痕不應(yīng)視為外觀缺陷）；1.5mm25%（QFN（例如鍍鎳、鍍金），并據(jù)此在視覺(jué)上驗(yàn)證。產(chǎn)品標(biāo)記封裝信息特性試驗(yàn)ICICICICVM1VMGNDA1V1，ENGNDV2，VDDGNDV3，V3a）V1V2A1IVMQ；b）V1、V2A1IVM。圖1 功耗測(cè)試電路VM2VMGNDV1，VDD/ENGNDV2，F(xiàn)AULTV2，V1、V2FAULTV1FAULTV1VMVUVLO_fall；V1FAULTV1VMVUVLO_rise。備注：注1：EN可為使能控制或睡眠模式控制等。注2：VDD可看情況。若無(wú)VDD，不需要外加V2。若VDD是輸出端，其也不需要外加V2。圖2 VM欠壓保護(hù)測(cè)試電路VM3VMGNDV1，VDD/ENGNDV2，F(xiàn)AULTV2，V1、V2FAULTV1FAULTV1VMVOVP_rise；V1FAULTV1VMVOVP_fall。備注：注1：EN可為使能控制或睡眠模式控制等。注2：VDD可看情況。若無(wú)VDD，不需要外加V2。若VDD是輸出端，其也不需要外加V2。圖3 VM過(guò)壓保護(hù)測(cè)試電路導(dǎo)通電阻試驗(yàn)以H橋直驅(qū)為例，其他類(lèi)型的電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC：如智能高邊開(kāi)關(guān)、半橋驅(qū)動(dòng)等同理。4VMGNDV1，VDD/EN/INXGNDV2，F(xiàn)AULTV2，V1、V2INYOUTX-OUTY1OUTX2OUTYGND。a）ILOAD1U12U2；b）RDSON_HSU1/ILOAD；c）低邊晶體管的導(dǎo)通內(nèi)阻為RDSON_LS=U2/ILOAD；d）芯片的導(dǎo)通電阻RDS_ON=RDSON_HS+RDSON_LS。備注：注1：測(cè)試條件需要涵蓋低溫、常溫、高溫。注2：EN可為使能控制或睡眠模式控制等。注3：VDD可看情況。若無(wú)VDD，不需要外加V2。若VDD是輸出端，其也不需要外加V2。圖4 導(dǎo)通內(nèi)阻檢測(cè)測(cè)試電路壓擺率試驗(yàn)以H橋直驅(qū)高邊晶體管為例，其他類(lèi)型的電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC壓擺率同理。5VMGNDV1，VDD/ENGNDV2，F(xiàn)AULTV2PWMGNDOUTX。a）OUTX10%-90SR；b）OUTX90%-10SR。OUTXGND測(cè)試時(shí)OUTX-VM接入負(fù)載。圖5 壓擺率測(cè)試電路傳播延遲試驗(yàn)6VMGNDV1，VDD/ENGNDV2，F(xiàn)AULTV2，V1、V2INXPWMOUTXGND12INX。INXINXOUX上升沿10%t。圖6 傳播延遲測(cè)試電路死區(qū)時(shí)間試驗(yàn)7VMGNDV1，VDD/ENGNDV2，F(xiàn)AULTV2，V1V2INXINYPWM1OUTX，2OUTY。OUTXOUTX。圖7 死區(qū)時(shí)間測(cè)試電路電流鏡試驗(yàn)8VMGNDV1，VDD/EN/INXGNDV2，F(xiàn)AULTV2，V1、V2OUTX-GNDIPROPIV。a）IIPRPI電壓；b）K=D/(I/R)。注：電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC不同，電流鏡比例的計(jì)算方式不同，應(yīng)符合相關(guān)規(guī)格書(shū)要求。圖8 電流鏡測(cè)試電路電流調(diào)節(jié)試驗(yàn)9VMGNDV1，VDD/EN/INXGNDV2，F(xiàn)AULTV2，V1、V2OUTX-GNDIPROPIa）設(shè)置電流調(diào)節(jié)閾值，設(shè)置大于閾值的負(fù)載電流；b）開(kāi)啟回路，開(kāi)啟負(fù)載儀，記錄IPROPI波形；c）IPRPI；d）IPRPI。圖9 電流調(diào)節(jié)測(cè)試電路過(guò)流保護(hù)試驗(yàn)10VMGNDV1，VDD/ENGNDV2，INXV2，V1、V2、V3OUTXGND1OUTX2FAULT。FAULTI；設(shè)置大于IP的負(fù)載電流，開(kāi)啟回路，測(cè)量IX上升為P到FAUT變?yōu)榈碗娖降臅r(shí)間即為過(guò)流保tOCP。圖10 過(guò)流保護(hù)測(cè)試電路電荷泵欠壓保護(hù)試驗(yàn)（可選）11VMGNDV1，VDD/ENGNDV2，VCP），F(xiàn)AULTV2，VM、VCP1uFFAULTV3ICVCPV3V3FAUTV3V；c）V3FALTV3V。備注：V3VCPCP1、CP2圖11 電荷泵欠壓保護(hù)測(cè)試電路電荷泵過(guò)壓保護(hù)試驗(yàn)（可選）12VMGNDV1，VDD/ENGNDV2，VCP），F(xiàn)AULTV2，VM、VCP1uFFAULTV3ICVCPV3V3FAUTV3V；c）V3FALTV3V。備注：V3VCPCP1、CP2圖12 電荷泵過(guò)壓保護(hù)測(cè)試電路邏輯上電復(fù)位試驗(yàn)（可選）13GNDGNDV3V1VMV2、V3FAULT波形。V2FAUTV2V；V2FAUTV2V。圖13 邏輯上電復(fù)位測(cè)試電路過(guò)溫保護(hù)試驗(yàn)14VM-GNDV1，VDD/EN-GNDV2，F(xiàn)AULTFAULTICa）FAUTT；b）FAUTT。c) T-T。圖14 過(guò)溫保護(hù)測(cè)試電路帶載溫升試驗(yàn)15VMGNDV1，VDD/ENGNDV2，INXV2ICT；IT；c）T=-。圖15 帶載溫升測(cè)試電路耐壓試驗(yàn)以VM耐壓為例，其他引腳耐壓同理。16VMGNDA1R1V1VMGND/ENGNDV2，F(xiàn)AULTV2A1增大V1電壓，直至電流表A1突變劇增，此時(shí)的V1電壓大小即為VM耐壓。圖16 耐壓測(cè)試電路可靠性試驗(yàn)2A.0有害物質(zhì)限量按GB/T30512—2014汽車(chē)禁用物質(zhì)要求。包裝、貯存、標(biāo)識(shí)要求包裝安全標(biāo)準(zhǔn)防靜電按ANSI/ESDS20.20-2021版靜電控制標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行，包裝內(nèi)應(yīng)有產(chǎn)品的合格證。包裝標(biāo)識(shí)包裝標(biāo)簽上至少應(yīng)有以下標(biāo)識(shí)：a）產(chǎn)品名稱(chēng)；b）生產(chǎn)廠(chǎng)商；c）產(chǎn)品數(shù)量；執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)（可選）；產(chǎn)品性能等級(jí)（可選）；生產(chǎn)批號(hào)規(guī)格及檢驗(yàn)號(hào)代號(hào)（生產(chǎn)批次規(guī)格必選，檢驗(yàn)號(hào)代號(hào)，檢驗(yàn)合格章必選）；RoHS、Pd；濕敏等級(jí)（包裝袋上有專(zhuān)門(mén)標(biāo)識(shí)）；ESD敏感標(biāo)識(shí)（包裝袋上有專(zhuān)門(mén)標(biāo)識(shí)）。產(chǎn)品運(yùn)輸要求產(chǎn)品在運(yùn)輸過(guò)程中，應(yīng)避免磨損、日光曝曬及雨淋受潮。產(chǎn)品貯存要求產(chǎn)品應(yīng)貯存于避光、干燥、陰涼的環(huán)境。標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施的過(guò)渡期要求本標(biāo)準(zhǔn)無(wú)過(guò)渡期要求，自實(shí)施之日起執(zhí)行。（資料性）性能及功能點(diǎn)檢表表A.0 性能及功能點(diǎn)檢表功能要求性能要求功能項(xiàng)接收標(biāo)準(zhǔn)性能項(xiàng)接收標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)功能必要靜態(tài)功耗應(yīng)符合相關(guān)規(guī)格書(shū)要求。欠壓鎖定必要導(dǎo)通電阻一般為幾毫歐到幾歐，應(yīng)符合相關(guān)規(guī)格書(shū)要求。過(guò)壓保護(hù)可選的壓擺率應(yīng)符合相關(guān)規(guī)格書(shū)要求電流檢測(cè)必要電流采樣精度符合應(yīng)用需求與相關(guān)規(guī)格書(shū)要求，并留有一定裕量。過(guò)流保護(hù)必要工作頻率符合應(yīng)用需求與相關(guān)規(guī)格書(shū)要求，并留有一定裕量。開(kāi)路負(fù)載檢測(cè)可選的死區(qū)時(shí)間一般為幾百納秒到幾十微秒，應(yīng)符合相關(guān)規(guī)格書(shū)要求過(guò)溫保護(hù)必要峰值電流符合應(yīng)用需求與相關(guān)規(guī)格書(shū)要求，并留有一定裕量。衰減模式可選的持續(xù)負(fù)載電流符合應(yīng)用需求與相關(guān)規(guī)格書(shū)要求，并留有一定裕量。制動(dòng)模式必要工作電壓符合應(yīng)用需求與相關(guān)規(guī)格書(shū)要求，并留有一定裕量。故障指示必要傳播延遲應(yīng)符合相關(guān)規(guī)格書(shū)要求。SPI通信可選的--電荷泵保護(hù)可選的--死區(qū)控制可選的--短路保護(hù)可選的看門(mén)狗可選的邏輯欠壓可選的柵極故障保護(hù)可選的附錄A（規(guī)范性）試驗(yàn)流程、方法和制程改變的鑒定要求圖A.1 鑒定試驗(yàn)流程T/SZAA002—2024表T/SZAA002—2024表A.1 鑒定試驗(yàn)方法及要求PAGEPAGE20測(cè)試分組應(yīng)力方式簡(jiǎn)稱(chēng)代號(hào)備注樣品數(shù)/批批數(shù)接受標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法附加要求測(cè)試組A-加速環(huán)境應(yīng)力測(cè)試預(yù)處理PCA1P.B.S.G.C.F7730失效JEDECJ-STD-020THB/HASTAC/UHSTTCPTCJ-STD-020JA113來(lái)決定實(shí)際預(yù)處理應(yīng)力需要JA1133JA113/J-STD-020下進(jìn)行。有偏溫濕度或有偏高加速應(yīng)力試驗(yàn)THB或HASTA2P.B.D.G7730失效JEDECJESD22-A101或A110THB(85℃/85%小時(shí))或HAST(130℃/85%相對(duì)濕度，96小時(shí)，或110℃/85%，264小時(shí))之前。THB或HAST前后的測(cè)試都在室溫和高溫下進(jìn)行。高壓蒸煮或無(wú)偏高加速應(yīng)力試驗(yàn)或無(wú)偏溫濕度試驗(yàn)AC或UHSTTHA3P.B.D.G7730失效JEDECJESD22-A102A118或A101對(duì)于表面貼裝器件，預(yù)處理要在AC(121℃/15psig，96小時(shí))或無(wú)偏HAST(130℃/85%相對(duì)濕度，96110℃/85%相對(duì)濕度，264小時(shí))(BGA)，TH(85℃/85%1000小時(shí))前的預(yù)處理可以取代掉。ACUHST前后的測(cè)試都在室溫下進(jìn)行。溫度循環(huán)TCA4H.P.B.D.G7730失效JEDECJESD22-A104和附錄C0：-55℃~150℃2000環(huán)；等級(jí)1：-55℃~150℃1000個(gè)循環(huán)；等級(jí)2：-55℃~125℃3：-55℃~125℃500個(gè)循環(huán)。溫度循環(huán)前后的測(cè)試5四角鍵合處(2個(gè)鍵合)和每邊一個(gè)中間鍵合處進(jìn)行鍵合拉力測(cè)C指出了首選的開(kāi)啟器件過(guò)程要最小化地?fù)p壞和降低錯(cuò)誤20242133（9）（如果為電或熱活性或引線(xiàn)鍵合區(qū)域是否存在分層現(xiàn)象。測(cè)試結(jié)果應(yīng)在用戶(hù)要求時(shí)提供。T/SZAA002—2024表T/SZAA002—2024表A.1 鑒定試驗(yàn)方法及要求（續(xù)）PAGEPAGE21測(cè)試分組應(yīng)力方式簡(jiǎn)稱(chēng)代號(hào)備注樣品數(shù)/批批數(shù)接受標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法附加要求測(cè)試組A-加速環(huán)境應(yīng)力測(cè)試功率負(fù)載溫度循環(huán)PTCA5H.P.B.D.G.C.F4510失效JEDECJESD22-A10522個(gè)器件進(jìn)行預(yù)處理。測(cè)試僅要求器件的最大額定功率=1瓦且△TJ=40℃器件。0：-40℃~150℃10001：-40℃~125℃1000等級(jí)2和3：-40℃~105℃1000個(gè)循環(huán)。功率溫度循環(huán)的前后測(cè)試應(yīng)在室溫和高溫下進(jìn)行。高溫貯存壽命HTSLA6H.P.B.D.G.K4510失效JEDECJESD22-A103塑封器件：0：175℃1000150℃20001：150℃1000175℃50023：125℃1000150℃500陶瓷封裝器件：250℃10個(gè)小時(shí)或200℃72個(gè)小時(shí)。高溫貯存壽命的前后測(cè)試應(yīng)在室溫和高溫下進(jìn)行。注：如果封裝和等級(jí)要求適合，B3(EDR)測(cè)試的數(shù)據(jù)可以取代A6(HTSL)測(cè)試數(shù)據(jù)。測(cè)試組B-加速壽命模擬測(cè)試高溫工作壽命HTOLB1H.P.B.D.G.K7730失效JEDECJESD22-A108對(duì)于有非易失性存儲(chǔ)的器件，根據(jù)Q100-005耐久性預(yù)處理必須在HTOL前進(jìn)行。0：150℃10001：125℃10002：105℃10003：85℃1000個(gè)小時(shí)。高溫工作壽命前后的測(cè)試在室溫、高溫和低溫條件下進(jìn)行。早期壽命失效率ELFRB2H.P.B.N.G80030失效AECQ100-008前后的測(cè)試在室溫和高溫條件下進(jìn)行。測(cè)試分組應(yīng)力方式簡(jiǎn)稱(chēng)代號(hào)備注樣品數(shù)/批批數(shù)接受標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法附加要求測(cè)試組B-加速壽命模擬測(cè)試非易失性存儲(chǔ)器耐工作壽命EDRB3H.P.B.D.G.K7730失效AECQ100-005EDR前后的測(cè)試在室溫和高溫的條件下進(jìn)行。測(cè)試組C-封裝組裝完整性測(cè)試引線(xiàn)鍵合剪切力WBSC1H.P.D.G最少5個(gè)器件中的30個(gè)鍵合絲Cpk＞1.67AECQ100-001AECQ003每個(gè)鍵合間有個(gè)適當(dāng)?shù)臅r(shí)間間隔。引線(xiàn)鍵合拉力WBPC2H.P.D.GCpk＞1.67或溫度循環(huán)后0失效MIL-STD883Method2011AECQ003條件C或D。金線(xiàn)直徑≥1mil，溫度循環(huán)后的最小拉力=3克。金線(xiàn)直徑<1mil，參考MIL-STD883Method2011中圖2011-1規(guī)定的最小拉力。金線(xiàn)直徑小于1mil，引線(xiàn)鍵合拉力應(yīng)進(jìn)行在錫球鍵合處而不是在鍵合絲中間。可焊性SDC3H.P.D.G151覆蓋95%以上引腳JEDECJESD22-B102或JEDECJ-STD-002D如果出貨前器件能夠正常進(jìn)行篩選老化試驗(yàn)，可焊性樣品必須首先耐受住老化。測(cè)試前預(yù)先進(jìn)行8小時(shí)蒸汽老化(鍍金引線(xiàn)1個(gè)小時(shí))。物理尺寸PDC4H.P.B.D.G103Cpk＞1.67JEDECJESD22-B100和B108AECQ003對(duì)于重要尺寸和公差，可見(jiàn)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)和個(gè)別器件說(shuō)明。錫球剪切SBSC5B最少10個(gè)器件中的5個(gè)錫球3Cpk＞1.67AECQ100-010AECQ003完整性(機(jī)械的)測(cè)試前進(jìn)行熱預(yù)處理(2個(gè)220℃的回流焊循環(huán))。引腳完整性L(fǎng)IC6H.P.D.G5個(gè)器件中某一10個(gè)引腳1無(wú)引腳破損或開(kāi)裂JEDECJESD22-B105表面貼裝器件不作要求。僅對(duì)針腳通孔器件作要求。測(cè)試分組應(yīng)力方式簡(jiǎn)稱(chēng)代號(hào)備注樣品數(shù)/批批數(shù)接受標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法附加要求測(cè)試組D-晶圓可靠性測(cè)試電遷移EMD1經(jīng)時(shí)介質(zhì)擊穿TDDBD2熱流子注入效應(yīng)HCLD3負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性NBTID4應(yīng)力遷移SMD5測(cè)試組E-電氣特性驗(yàn)證測(cè)試應(yīng)力測(cè)試前后功能參數(shù)測(cè)試TESTE1H.P.B.N.G全部全部0失效測(cè)試項(xiàng)目根據(jù)供應(yīng)者數(shù)據(jù)規(guī)格或使用者說(shuō)明A.2A.1AECQ100-007靜電放電人體模式HBME2H.P.B.D見(jiàn)測(cè)試方法10失效2KVHBMAECQ100-002Q100-003ESD前后的測(cè)試在室溫和高溫條件下進(jìn)行。應(yīng)根據(jù)最大耐電壓級(jí)別將器件進(jìn)行分類(lèi)，器件級(jí)別<2000VHBM的情況需要用戶(hù)特別確認(rèn)。靜電放電帶電器件模式CDME3H.P.B.D見(jiàn)測(cè)試方法10失效750V邊角引腳，500V其它引腳(C4B或更高)AECQ100-011ESD前后的測(cè)試在室溫和高溫條件下進(jìn)行。應(yīng)根據(jù)最大耐電壓級(jí)別將器件進(jìn)行分類(lèi)，器件級(jí)別<750V邊角引腳或<500V其他引腳的CDM情況需要使用者特別承認(rèn)。測(cè)試分組應(yīng)力方式簡(jiǎn)稱(chēng)代號(hào)備注樣品數(shù)/批批數(shù)接受標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法附加要求閂鎖效應(yīng)LUE4H.P.B.D610失效AECQ100-004LU前后的測(cè)試在室溫和高溫條件下進(jìn)行。供應(yīng)商和用戶(hù)相互協(xié)商用于測(cè)量可接受標(biāo)準(zhǔn)的電性能參數(shù)。測(cè)試在室電分配EDE5H.P.B.D303Cpk＞1.67AECQ100-009溫、高溫和低溫下進(jìn)行。故障等級(jí)FGE6見(jiàn)AECQ100-007AECQ100-007生產(chǎn)測(cè)試見(jiàn)AECQ100-007的測(cè)試要求。特性描述CHARE7AECQ003在新技術(shù)和器件上執(zhí)行。測(cè)試組E-電氣特性驗(yàn)證測(cè)試短路特性描述SCE8D.G1030失效AECQ100-012適用于所有智能功率器件。測(cè)試和統(tǒng)計(jì)評(píng)估(見(jiàn)AECQ100-012第4節(jié))由使用者和供應(yīng)商根據(jù)具體情況協(xié)商。JEDEC無(wú)加速；適用于大于1M存儲(chǔ)量的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器基本單元的器件。根JESD89-1或加速；據(jù)參考規(guī)格，可以選擇兩種測(cè)試之一(無(wú)加速或加速的)。測(cè)試判定標(biāo)軟誤差率SERE9H.P.D.G31-JESD89-2或準(zhǔn)由使用者和供應(yīng)商根據(jù)具體情況協(xié)商。最終測(cè)試報(bào)告應(yīng)包括詳細(xì)的JESD89-3測(cè)試設(shè)備場(chǎng)所和主要數(shù)據(jù)。無(wú)鉛LFE10L見(jiàn)試驗(yàn)方法見(jiàn)試驗(yàn)方法見(jiàn)試驗(yàn)方法AECQ005適用于所有無(wú)鉛器件。注意相關(guān)可焊性的建議，焊料耐熱性等要求。測(cè)試分組應(yīng)力方式簡(jiǎn)稱(chēng)代號(hào)備注樣品數(shù)/批批數(shù)接受標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法附加要求測(cè)試組F-缺陷篩選測(cè)試過(guò)程平均測(cè)試PATF1AECQ001統(tǒng)計(jì)式良率分析SBAF2AECQ002測(cè)試組G-腔體封裝完整性測(cè)試機(jī)械沖擊MSG1H.D.G1510失效JEDECJESD22-B104僅Y1方向，5次脈沖，持續(xù)0.5ms，1500g峰值加速度，MS前后的測(cè)試在室溫下進(jìn)行。變頻振動(dòng)VFVG2H.D.G1510失效JEDECJESD22-B10320HZ~2000HZ~20HZXYZ方向上各進(jìn)行四次這樣的循環(huán)，50g峰值加速度，VFV前后的測(cè)試在室溫下進(jìn)行。恒定加速度CAG3H.D.G1510失效MIL-STD-883Method2001僅Y1方向，30000g對(duì)于小于40管腳的器件，20000g對(duì)于大于40管腳的器件，CA前后的測(cè)試在室溫下進(jìn)行。粗/細(xì)檢漏測(cè)試GFLG4H.D.G1510失效MIL-STD-883Method1014包裝跌落DROPG5H.D.G510失效-1.26前后的測(cè)試在室溫下進(jìn)行。封蓋扭矩測(cè)試LTG6H.D.G510失效MIL-STD-883Method2024僅適用于陶瓷封裝空腔器件。芯片剪切力DSG7H.D.G510失效MIL-STD-883Method2019對(duì)于所有空腔器件要在封蓋/密封前進(jìn)行該試驗(yàn)。內(nèi)部水汽含量測(cè)試IWVG8H.D.G510失效MIL-STD-883Method1018僅適用于陶瓷封裝空腔器件。注：注：“備注”列字母所代表的含義見(jiàn)如下：H僅要求密封器件。P僅要求塑封器件。B僅要求焊球表面貼裝(BGA)器件。N非破壞性測(cè)試，器件還可以用到其他測(cè)試上或用到生產(chǎn)上。D破壞性測(cè)試，器件不能重新用來(lái)認(rèn)證和生產(chǎn)。S僅要求表面貼裝塑封器件。G承認(rèn)通用數(shù)據(jù)。K使用AEC-Q100-005方法來(lái)對(duì)獨(dú)立非易失性存儲(chǔ)器集成電路或帶有非易失性存儲(chǔ)器模塊的集成電路進(jìn)行預(yù)處理。T/SZAA002—2024T/SZAA002—2024PAGEPAGE27A.2。

表A.2 制程變更鑒定要求應(yīng)力測(cè)試方法A2A3A4A5A6B1B2B3C1C2C3C4C5C6D1D2D3D4D5E2E3E4E5E7E8E9E10