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文檔簡介
12.7質(zhì)譜基本原理
一般獲得質(zhì)譜的基本方法是將分子離解為不同質(zhì)量帶電荷的離子,將這些離子加速引入
磁場,由于這些離子的質(zhì)量與電荷比(簡稱質(zhì)荷比,m/z)不同,在磁場中運(yùn)行軌道偏轉(zhuǎn)不同,使
它們得以分離并被檢測。一、質(zhì)譜儀
化合物的質(zhì)譜是由質(zhì)譜儀完成的。最常見的一種為單聚焦(磁偏轉(zhuǎn))質(zhì)譜儀。結(jié)構(gòu)如圖12-26所示。
整個體系是高真空的,一般壓力為1.33xl0-4?1.33xlO-5Pa。氣體樣品從a進(jìn)入離解室內(nèi),樣品分子被一束加速電子b撞擊,這些電子的能量約70eV,結(jié)果使分子發(fā)生各種反應(yīng)。其中之一是分子中的一個電子被擊出,形成一帶正電荷的自由基分子離子。如甲烷能生成質(zhì)荷比為16的自由基分子離子[CH4]+?。而該離子可繼續(xù)反應(yīng)形成碎片離子,碎片離子可進(jìn)一步分裂成新的碎片離子。這樣,一種化合物在離子室內(nèi)可以產(chǎn)生若干質(zhì)荷比不同的離子。如甲烷可產(chǎn)生m/zA為16、15、14等的離子碎片。
這些離子進(jìn)入一個具有幾千伏電壓的區(qū)域c加速后,通過狹縫d進(jìn)人磁場f。質(zhì)量為m的離子在電場加速后,動能與勢能相等,這個關(guān)系可由式(12-6)表示。
在磁場中離子運(yùn)動的向心力(Hzv)應(yīng)與它的離心力(mv2/r)相等[式(12-7)]。由此可得到式
(12-8)。
從式(12-8)可知,在一定速度和一定磁場強(qiáng)度時,不同質(zhì)荷比的離子運(yùn)行半徑r不同。質(zhì)荷比大的離子將有大的運(yùn)行半徑。圖12-27表示不同質(zhì)荷比離子的運(yùn)行軌道。在圖12-27(a)圖中m/z為y的離子按它的運(yùn)行軌道通過狹縫q進(jìn)入離子收集器i。若把式(12-6)代入式(12-8),消去速度v可得到式(12-9),為直觀起見可將式(12-9)稍做變化得(12-10)。
從式(12-10)可清楚地看到,質(zhì)荷比一定的離子運(yùn)行(或偏轉(zhuǎn))半徑r可由提高加速電壓V和減
小磁場強(qiáng)度H而增大。圖12-27(b)是增大加速電壓或減小磁場強(qiáng)度后各離子運(yùn)行軌道變化的情況。此時x離子通過狹縫q進(jìn)入離子收集器i,而y離子因增大運(yùn)行半徑而不能通過。在操作中可以固定磁場改變加速電壓(電掃描),也能固定加速電壓改變磁場強(qiáng)度(磁掃描),使不同質(zhì)荷比的離子改變運(yùn)行軌道,使它們逐一進(jìn)入離子收集器。離子收集器內(nèi)光電倍增管被撞擊后產(chǎn)生微電流,該電流的大小與碎片離子的多少成正比。信號放大后由記錄儀記錄而獲得化合物的質(zhì)譜圖。二、質(zhì)譜圖
一般質(zhì)譜圖橫坐標(biāo)為不同離子的質(zhì)荷比m/z,縱坐標(biāo)為各峰相對強(qiáng)度。圖12-28是甲烷質(zhì)譜圖。在不同的m/z值處有高低不等的豎線,為強(qiáng)度不同的各峰。最高的峰稱做基峰,如圖中m/z16的峰為基峰,把它的強(qiáng)度定為100,其他峰高相對于它的百分?jǐn)?shù)為各峰相對強(qiáng)度。峰的相對強(qiáng)度表示不同質(zhì)荷比離子的相對含量。圖中m/z16的基峰是甲烷打掉一個電子生成的[CH4]+.所顯亦的峰,叫做分子離子峰,用M+
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