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文檔簡介
湖北省市級示范高中智學聯(lián)盟2025年春季高二年級5月聯(lián)考1.答題前,先將自己的姓名、準考證號、考場號、座位號填寫在試題卷和答題卡上,并將準考證號2.選擇題的作答:每小題選出答案后,用2B鉛筆把答題卡上對應(yīng)題目的答案標號涂黑。寫在試卷、3.非選擇題的作答:用黑色簽字筆直接答在答題卡上對應(yīng)的答題區(qū)域內(nèi)。寫在試卷、草稿紙和答題4.考試結(jié)束后,請將答題卡上交。一、選擇題:本題共15小題,每小題3分,共45分。每小題只有一個選項符合題目要求。1.回首百年征程,我國在科技領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新和超越是“關(guān)鍵變量”。下列A.在量子計算機原型機“九章三號”中扮演重要角色的半導體材料硅和氮化硅B.“祝融號”火星車的車輪為鋁基碳化硅復合材料,基態(tài)鋁原子的p電子數(shù)為1C.新一代人造太陽“中國環(huán)流三號”已實現(xiàn)100萬安培等離子體電流下的高約束模式運行;等離子體D.“奮斗者”號潛水器外殼材料為鈦合金,基態(tài)鈦原子價電子排布式為32.按系統(tǒng)命名法,下列有機物的命名錯誤的是3.下列化學用語或圖示表達正確的是B.分子中sp2雜化的碳原子數(shù)為6個C.與足量H?加成后,產(chǎn)物中有兩種含氧官能團D.分子中最多有9個碳原子共平面湖北省市級示范高中智學聯(lián)盟2025年春季高二年級5月聯(lián)考化學試題第1頁共8頁5.下列實驗裝置(夾持裝置略)或操作能夠達到實驗?zāi)康牡氖锹犽娛?8D.分離苯酚和NaHCO?溶液6.結(jié)構(gòu)決定性質(zhì),性質(zhì)決定用途。下列事實解釋錯誤的是選項A逐個斷開CH?中的C—H鍵,每步所需能量不同B摻雜I?的聚乙炔具有良好的導電性聚乙炔的共軛大π鍵體系為電荷傳遞提供了通路C乙二醇是黏稠的液體乙二醇分子間的氫鍵較強D石墨的硬度比金剛石的硬度小7.List和MacMillan因開發(fā)“不對稱有機催化”榮獲2021年諾貝爾獎。下圖是一個典型的不對稱催化反應(yīng)(圖中“楔形”結(jié)構(gòu)表示該基團不在紙張平面上)。下列說法錯誤的是A.化合物A的分子式為C??H??O?B.1mol化合物B中sp3雜化的原子數(shù)為4NAC.化合物C存在多種對映異構(gòu)體D.圖中A→C的反應(yīng)類型是加成反應(yīng)8.四氮唑()和呋喃()都是典型芳香雜環(huán)有機物,均含有大π鍵。下列有關(guān)說法錯誤的是A.鍵角:∠1<∠2B.呋喃的二氯代物有4種C.第一電離能:N>0>H>CD.四氮唑和呋喃中含有的大π鍵均可表征為II;9.2-甲基-2-氯丙烷是重要的化工原料,實驗室中可由叔丁醇與濃鹽酸反應(yīng)制備,路線如下:蒸餾室溫攪拌、分液、水↓有機相分液分液有機相↓有機相有機相下列說法錯誤的是湖北省市級示范高中智學聯(lián)盟2025年春季高二年級5月聯(lián)考化學試題第2頁共8頁湖北省市級示范高中智學聯(lián)盟2025年春季高二年級5月聯(lián)考化學試題第3頁共8頁A.叔丁醇不能使酸性KMnO?溶液褪色B.可用NaOH溶液代替Na?CO?溶液洗滌D.蒸餾除去殘余反應(yīng)物叔丁醇時,產(chǎn)物先蒸餾出體系10.化學用語可以表達化學過程,下列有機B.鄰羥基苯甲醛中加入足量飽和溴水:C.丁醛與氰化氫反應(yīng):11.Friedel-Crafts烷基化反應(yīng)是有機化學中常見的反應(yīng),用于構(gòu)造芳環(huán)中的側(cè)鏈,其反應(yīng)循環(huán)可用下圖表A.中間體RCH?Cl—AICl?分子中含有配位鍵12.1,4-環(huán)己二醇(是生產(chǎn)某些液晶材料和藥物的原料,現(xiàn)以環(huán)已烷(○)為基礎(chǔ)原料,合成1,4-環(huán)己湖北省市級示范高中智學聯(lián)盟2025年春季高二年級5月聯(lián)考化學試題第4頁共8頁A.反應(yīng)(2)與反應(yīng)(7)的反應(yīng)條件不相同B.物質(zhì)X的化學名稱為1,3-環(huán)二己烯,它最多有10個原子共面C.反應(yīng)(5)生成的產(chǎn)物不止1種D.合成過程涉及取代反應(yīng)、加成反應(yīng)、消去反應(yīng)13.組成和結(jié)構(gòu)可用和表示的有機物分別共有(不考慮立體異構(gòu))A.10種、20種B.16種、20種C.10種、12種D.16種、12種14.實驗室制取HF的原理↑;氫氟酸可用來刻蝕玻璃,發(fā)生反應(yīng)SiO?+4HF=SiF?↑+2H?O。CaF?的立方晶胞如圖所示,其晶胞參數(shù)為apm。下列說法錯誤的是A.F位于Ca2+圍成的正四面體的空隙中B.SO?2-和SiF?的VSEPR模型均為正四面體形C.Ca2+配位數(shù)是4,且Ca2+與F之間的最近距離為15.苯在濃HNO?和濃H?SO?作用下,反應(yīng)過程中的能量變化示意圖如下。下列說法錯誤的是HYHII產(chǎn)物IⅡ能量二M+oA.該過程的決速步為反應(yīng)①B.由苯得到生成中間體M時,苯中的大π鍵發(fā)生改變C.X為苯的加成產(chǎn)物;升高溫度時,X的產(chǎn)率增大D.對于生成Y的反應(yīng),濃H?SO?作催化劑湖北省市級示范高中智學聯(lián)盟2025年春季高二年級5月聯(lián)考化學試題第5頁共8頁二、非選擇題:本題包括4小題,共55分。16.(14分)正丁醚微有乙醚氣味,可用作溶劑、電子級清洗劑及有機酸、蠟、樹脂等的萃取劑和精制劑。以正丁醇為原料可制得正丁醚,反應(yīng)原理和反應(yīng)裝置如下:物質(zhì)沸點/℃正丁醇正丁醚查閱資料:正丁醇能溶解在50%的硫酸中,而正丁醚則溶解很少。實驗步驟如下:②A中液體冷卻后連同分水器中的液體一起倒入盛有30mL水的分液漏斗中,振蕩后靜置,分液得到粗產(chǎn)③得到的粗產(chǎn)品先用50%硫酸洗滌2次(每次10mL)、再用12mL水洗滌;④向③中洗滌后的產(chǎn)物中加入少量無水氯化鈣固體,靜置片刻,過濾除去氯化鈣固體;⑤進行蒸餾純化,收集139℃~142℃的餾分,得正丁醚6.1g。回答下列問題:(1)儀器B的名稱為。若反應(yīng)溫度過高,則最有可能生成的有機副產(chǎn)物為(填化學名稱)。(2)下列關(guān)于步驟①中的操作分析錯誤的是(填標號)。a.濃硫酸和正丁醇的添加順序為先加入正丁醇,再加入濃硫酸d.分水器中加飽和食鹽水而不用水,是為了降低正丁醇及正丁醚在水中的溶解度(3)當觀察到(填實驗現(xiàn)象)時,停止加熱,結(jié)束反應(yīng)。結(jié)合平衡移動原理解釋步驟①中使用分水器的目的(4)下列關(guān)于步驟③中粗產(chǎn)品的提純操作分析正確的是(填標號)。a.用50%的硫酸洗滌可以除去未反應(yīng)的正丁醇b.將用50%的硫酸洗滌的次數(shù)改為一次(總酸量不變),洗滌效果更好湖北省市級示范高中智學聯(lián)盟2025年春季高二年級5月聯(lián)考化學試題第6頁共8頁c.用水洗滌可以除去酸洗時帶入的酸d.分液時下層液體先從下口放出,及時關(guān)閉活塞,上層液體再從上口倒出(5)本實驗所得到的正丁醚的產(chǎn)率是%(保留三位有效數(shù)字)。17.(14分)硅是無機非金屬材料的主角,硅及其化合物在生活、生產(chǎn)和科技等方面應(yīng)用廣泛。請回答下列(1)基態(tài)Si原子核外有種不同空間運動狀態(tài)的電子,其中電子占據(jù)最高能級的電子云輪廓圖是形。(2)由硅原子核形成的三種微粒,電子排布式分別為:①[Ne]3s23p1、②[Ne]3s23p2、③[Ne]3s'3p14s1,有關(guān)這些微粒的敘述,錯誤的是(填標號)。A.微粒半徑:③>①>②B.電子排布屬于基態(tài)原子(或離子)的是:①②C.電離一個電子所需最低能量:②>①>③D.得電子能力:①>②(3)Si與P形成的某化合物晶體為立方晶胞,晶胞邊長為anm,結(jié)構(gòu)如下圖。該晶體類型是_,該晶體的密度為g·cm-3。(列出計算式,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值)(4)在硅酸鹽中,SiO?4-四面體[如下圖(a)]通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖(b)為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根(硅原子數(shù)為n),其中Si原子的雜化方式為_,化學式可表示為o(5)SiCl?比CCl?易水解,導致SiCl?比CCl4易水解的因素有(填標號)。a.Si—C1鍵極性更大b.Si的原子半徑更大c.Si—Cl鍵鍵能更大d.Si有更多的價層軌道湖北省市級示范高中智學聯(lián)盟2025年春季高二年級5月聯(lián)考化學試題第7頁共8頁18.(14分)乙烯是石油化學工業(yè)重要的基本原料,其產(chǎn)量可以用來衡量一個國家石油化學工業(yè)的發(fā)展水平。某化學興趣小組以乙烯為原料,設(shè)計了如下合成藥物中間體二酮H的合成路線:回答下列問題:(1)D→E的反應(yīng)類型為,E的化學名稱是o(4)D的同分異構(gòu)體中,與其具有相同官能團的有種(不考慮對映異構(gòu));其中核磁共振氫譜有三組峰,峰面積之比為9:2:1的結(jié)構(gòu)簡式為_o(5)有人設(shè)計了一種為原料合成的合成路線流程圖(無機試劑和有機溶劑任選)如下圖所示。回答下列問題:要無水乙醚IH?SO,①J的結(jié)構(gòu)簡式為②由生成I的反應(yīng)方程式為(寫出具體反應(yīng)條件)。湖北省市級示范高中智學聯(lián)盟2025年春季高二年級5月聯(lián)考化學試題第8頁共8頁19.(13分)一種從廢舊芯片(主要成分為單晶硅,還含有塑料和少量Au、Ag、Cu、Pd等金屬,除Au外其他金屬均可溶于濃硝酸)中回收和利用貴金屬的流程如下:空空氣濃硝酸濃硝酸、濃鹽酸濾渣2濾液2NaCl已知:①在此工藝條件下Si在空氣中灼燒不反應(yīng);②Au3+可與CI發(fā)生反應(yīng):Au3++4CI?=[AuCl4]?;卮鹣铝袉栴}:(1)從產(chǎn)物的分離提純和環(huán)保的角度考慮,“灼燒”的目的是_(2)濃硝酸與濃鹽酸混合溶解Au時,HNO?被還原為NO。寫出Au溶解過程中發(fā)生反應(yīng)的化學方程式 0(3)“濾渣2”的主要成分是(填化學式)。(4)“濾液2”中含有Cu、Pd等金屬元素,可進一步將其分離提純。①基態(tài)Cu原子的價層電子軌道表示式為_o②溶液中的Pd2+經(jīng)過一定處理后可以得到四配位的Pd(NH?)?Cl?沉淀,其有2種同分異構(gòu)體a和b。下列A.Pd(NH?)?Cl?中存在的化學鍵類型是配位鍵、離子鍵B.Pd(NH?)?Cl?的晶體類型屬于分子晶體aC.a和b的空間結(jié)構(gòu)均為四面體形D.a的極性大于b③某研究小組以Pd(NH?)?Cl?為原料制備金屬Pd。將適量Pd(NH?)?Cl?配制成懸濁液,向其中加入足量鹽酸后,用氨水調(diào)節(jié)pH至弱堿性,得到[Pd(NH?)?]Cl?溶液。再加入足量N?H?·H?O(性質(zhì)類似于NH?·H?O)還原,生成Pd的同時還生成了N?,寫出生成Pd反應(yīng)的離子方程式(5)AgCl沉淀用氨水溶解后可直接用于表面電鍍,將待鍍元件制成電極放置于“氨溶”后所得溶液中通電即可進行電鍍,陰極上發(fā)生的電極反應(yīng)為_o1高二年級5月月考化學參考答案及評分標準題號123456789BCDDADBABCDBACC二、非選擇題:本題包括4小題,共55分。16.(14分)(1)球形冷凝管(2分)1-丁烯(2分)(2)bc(2分,對而不全得1分)(4)acd(2分,對而不全得1分)17.(14分)(1)8(2分)啞鈴(1分)(2)AC(2分,對而不全得1分)(3)共價晶體(1分)等化簡后的合理答案)(2分)(5)abd(2分,對而不全得1分)18.(14分)(1)消去反應(yīng)(1分)2-甲基-2-丁烯(1分)(2)碳碳雙鍵、酮羰基(或羰基)(2分,對1個得1分)2(1分)2(4)7(2分)(寫鍵線式亦可)(2分)19.(13分)(2分,反應(yīng)條件未寫或錯寫扣1分)(2)Au+HNO?+4HCl=H[AuCl4]+NO↑+2H?O(2分)③2[Pd(NH?)4]2++N?H?·H?O+(5)[Ag(NH?)?]++e?=Ag+2NH?↑或[Ag(NH?)?]?+2H?O+e?=Ag+2NH?·H?O(2分,NH?的“↑”3高二化學參考答案詳解【解析】B.基態(tài)鋁原子的p電子數(shù)為7,故B錯誤?!窘馕觥緼.醛基的電子式為:故A錯誤。B.2-丁炔分子中4個碳原子共線,鍵線式為:,故B錯誤。似的的性質(zhì);此外,該分子中的酮羰基還可與H?發(fā)生加成反應(yīng)。據(jù)此分析:B.由題信息知,分子中sp2雜化的碳原子數(shù)為7個,故B錯誤。C.與足量H?加成后,產(chǎn)物為,產(chǎn)物中只有醇羥基一種含氧官能團,故C錯誤。D.γ-崖柏素分子中有一個異丙基,與異丙基中間的碳原子相連的2個—CH?碳原子最多有1個碳原子在該平面上,即分子中最多有9個碳原子共平面,故D正確。【解析】A.電石中混有雜質(zhì),反應(yīng)中會產(chǎn)生H?S,CuSO?溶液可以與H?S反應(yīng),從而實現(xiàn)除雜,故A正B.將苯、液溴、鐵粉混合物反應(yīng)產(chǎn)生的氣體通入到AgNO?溶液中,因液溴揮發(fā)也會生成AgBr沉淀,不能證明苯與液溴在FeBr?催化下發(fā)生取代反應(yīng),故B4混合物,無法通過過濾操作分離,可通過萃取一分液操作分離,故D錯誤?!窘馕觥緼.斷開第一個C—H鍵時,碳原子周圍的共用電子對多,原子核對共用電子對的吸引力較弱,需要能量較??;斷開C—H鍵越多,碳原子周圍共用電子對越少,原子核對共用電子對的吸引力越大,需要的能量變大;所以各步中的C—H鍵所處的化學環(huán)境不同,每步所需能量不同,故A正確。B.要使聚乙炔能導電,需用I?或Na等作摻雜處理。摻雜I?的聚乙炔,摻雜過程可表示為—→[CH]nx++xI?;摻雜I?后的聚乙炔結(jié)構(gòu)式可表示為I?作為氧化劑,能夠從聚乙炔的共軛鏈中奪取電子,形成I??,而聚乙炔鏈則因失去電子而產(chǎn)生正電荷空穴,這一過程相當于在聚合物中引入高濃度的空穴載流子,摻雜后,聚乙炔的共軛鏈上會形成局域的電荷缺陷,這些缺陷作為空穴載流子可以在電場作用下沿主鏈移動,即聚乙炔的共軛大π鍵體系為電荷傳遞提供了通路,從而顯著提高材料的導電性;故B正確。C.乙二醇分子中有2個—OH,在液相中,每個乙二醇分子可以與其周圍臨近的乙二醇分子形成分子間氫鍵,大大加強了乙二醇分子間的相互作用力,所以乙二醇是黏稠的液體,故C正確。D.石墨的硬度比金剛石的硬度小,是因為石墨晶體是層狀結(jié)構(gòu)的,層間沒有化學鍵,是靠范德華力維系的,所以其硬度??;而金剛石是通過共價鍵結(jié)合成的三維骨架結(jié)構(gòu),所以其硬度大;故D錯誤。【解析】B.化合物B中五元環(huán)上的4個C原子和1個N原子都為sp3雜化,羧基中的羥基O原子上的孤對電子與羰基的π鍵形成p-π共軛體系,其雜化方式為sp2;所以1mol化合物B中sp3雜化的原子數(shù)為5NA,故B錯誤。C.化合物C中含有2個手性碳原子(連一OH的碳原子和連—CH?的碳原子),所以存在多種對映異構(gòu)體,故C正確。D.A→C反應(yīng)是A中的五元環(huán)下角的碳氧雙鍵斷裂其π鍵,最左邊—CH?斷裂一個碳氫鍵,氫原子和氧原子結(jié)合成羥基,碳原子和碳原子相連成六元環(huán),該反應(yīng)屬于加成反應(yīng),故D正確?!窘馕觥恳罁?jù)信信息,四氮)和呋喃)均含有大π鍵,所以環(huán)上的原子都采用sp2雜化。四氮唑中未連H原子的三個N原子sp2雜化軌道上分布2個單電子和1對孤電子對,未參與雜化的p軌道上分布1個單電子;連H原子的N原子sp2雜化軌道上分布3個單電子,未參與雜化的p軌道上分布1對孤電子對;C原子sp2雜化軌道上分布3個單電子,未參與雜化的p軌道上分布1個單電子,故四氮唑中含有的大π鍵為II。呋喃O原子sp2雜化軌道上分布2個單電子和1對孤電子對,未參與雜化的p軌道上分布1對孤電子對;C原子未參與雜化的p軌道上分布1個單電子,故呋喃中A.∠1和∠2的中心原子均為sp2雜化,∠1的中心N原子sp2雜化軌道上分布3個單電子,但∠2的中心O原子sp2雜化有1對孤電子對,排斥力強,鍵角小,∠1>∠2,故A錯誤。C.由同周期元素第一電離能的變化規(guī)律知:N>O>C,由選擇性必修二教材配圖1-22知,H元素的第一電離能介于C、O元素之間,即N>0>H>C,故C正確。【解析】由題給流程可知,叔丁醇與濃鹽酸發(fā)生取代反應(yīng)生成2-甲基-2-氯丙烷和水,分液得到混有鹽酸的2-甲基-2-氯丙烷和殘余叔丁醇的有機相;有機相經(jīng)水洗分液可除去其中混有的大部分的鹽酸;再加入5%Na?CO?溶液洗滌后可除去其中混有的少量的鹽酸,分液得到混有Na?CO?和NaCl的有機相;有機相再經(jīng)水洗分液得到混有水的有機相;向有機相中加入干燥劑無水氯化鈣除水后,得到混有殘余叔丁醇的2-甲基-2-氯丙烷的有機相;經(jīng)蒸餾即可得到產(chǎn)物。A.叔丁醇α-C上沒有H原子,不能被酸性KMnO?溶液氧化,故A正確。B.若用NaOH溶液代替Na?CO?溶液洗滌有機相,2-甲基-2-氯丙烷會在NaOH溶液中發(fā)生水解反應(yīng)生成C.加入5%Na?CO?溶液洗滌后可除去其中混有的少量的鹽酸,分液得到混有Na?CO?和NaC1的有機相;故第二次水洗的目的是除去有機相中的鈉鹽,故C正確。D.叔丁醇分子間存在氫鍵,導致其沸點高于2-甲基-2-氯丙烷,蒸餾時產(chǎn)物2-甲基-2-氯丙烷會先蒸餾出體系,故D正確。6故B錯誤。C.醛基與氰化氫等極性試劑可發(fā)生加成反應(yīng),故C正確。D.向苯酚鈉溶液中通入少量CO?,反應(yīng)為【解析】A.RCH?C1中的Cl提供孤電子對給AICl?中A1形成配位鍵,故A正確。B.由圖知,反應(yīng)物有苯和RCH?Cl,生成物和HCl,故B正確。C.由圖知,若用甲苯替代苯作為反應(yīng)物,該反應(yīng)苯環(huán)上其他位置也能發(fā)生烷基化反應(yīng),有機產(chǎn)物會有多種,故C正確。D.—NO?是吸電子基,會使苯環(huán)上電子云密度降低;而—CH【解析】環(huán)己烷發(fā)生取代反應(yīng)得到生消去反應(yīng)得到M與溴發(fā)生加成反應(yīng)得到N:加熱;反應(yīng)條件不同,故A正確。B.物質(zhì)X的化學名稱應(yīng)為1,3-環(huán)己二烯;故B錯誤。其結(jié)構(gòu)如圖:連的四個氫原子都在一個平面上,只有⑤⑥號碳原子上所連的四個氫原子不在該10個原子共面。7【解析】—C?H?有4種結(jié)構(gòu),所以最多有4×4=16種結(jié)構(gòu),由于兩個取代基同為—C4H9,重復的結(jié)構(gòu)有6種,所以有16-6=10種結(jié)構(gòu)(或4+C?2=10種,或?qū)?種—C?H9分別標記為A、B、C、D,則組合有AA、AB、AC、AD、BB、BC、BD、CC、CD、DD,共10種結(jié)構(gòu))。—CCI(CH?)25種結(jié)構(gòu),所以有4×5=20種結(jié)構(gòu)。故A正確。【解析】A.CaF?晶體中Ca2+為面心立方堆積,F(xiàn)位于Ca2+圍成的正四面體的空隙中,故A正確。B.SO?2、SiF4、H?O三者的中心原子的價層電子對數(shù)均為4,故VSEPR模型均為四面體形,故B正確。C.Ca2+配位數(shù)是8,且Ca2+與F之間的最近距離為故C錯誤?!窘馕觥緼.由圖信息知,第一步反應(yīng)的正反應(yīng)的活化能最大,故該過程的決速步為反應(yīng)①,故A正確。B.由圖信息知,M的六元環(huán)中與一NO?相連的C原子為sp3雜化,而作為原料的苯,苯環(huán)上的碳原子為C.由圖信息知,X為苯的加成產(chǎn)物。雖然生成X的總反應(yīng)為吸熱反應(yīng),但升高溫度時,平衡不一定正向移動,因為升高溫度可能會使HNO?揮發(fā)和分解,使反應(yīng)物的濃度降低,所以X的產(chǎn)率不一定增大,故CD.由圖信息知,Y為苯的取代產(chǎn)物,濃H?SO?作催化劑,故D正確。二、非選擇題16.(1)球形冷凝管(2分)1-丁烯(2分)(2)bc(2分,對而不全得1分)8及時分離反應(yīng)生成的水,使平衡向生成正丁醚的方向移動,有利于提高正丁醚的產(chǎn)率(2分)(4)acd(2分,對而不全得1分)【解析】(5)由方程式:2CH?CH?CH?CH?OH、34~1CH?CH?CH?CH?OCH?CH?CH?CH?(正丁醚)+H?O17.(1)8(2分)啞鈴(1分)(2)AC(2分,對而不全得1分)(3)共價晶體(1分)域等化簡后的合理答案)(2分)(5)abd(2分,對而不全得1分)【解析】(2)由電子排布式可推知①、②、③三種微粒分別為基態(tài)Si+、基態(tài)Si原子、激發(fā)態(tài)Si原子。A.微粒半徑:③>②>①,故A錯誤。C.激發(fā)態(tài)Si原子不穩(wěn)定,容易失去電子;基態(tài)Si原子失去一個電子是硅的第一電離能,基態(tài)Si+失去一個電子是硅的第二電離能,由于I?>I?,可以得出電離一個電子所需最低能量:①>②>③,故C錯誤。D.①比②更難失電子,則①比②更容易得電子,即得電子能力:①>②,故D正確。子數(shù)是1,氧原子數(shù)是即Si與O的原子數(shù)之比為1:3;化學式為[SiO?]n2n或SiO?2?。(5)a.C的電負性大于Si,則Si—C1鍵的極b.Si的原子半徑更大,SiCl4中的共用電子對更加偏向于Cl,導致Si—C1鍵極性更大,Si—Cl鍵更易斷裂c.C—Cl鍵鍵能約為339kJ·mol-1,Si—Cl鍵鍵能約在360~400kJmol-1范圍內(nèi),通常鍵能越大化學鍵越穩(wěn)定且不易斷裂,因此,Si—C1鍵鍵能更大不能說明Si—C1更易斷裂,故不能說明SiCl4比CCl4易水
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