T/CEMIA 023-2021半導(dǎo)體單晶硅生長用石英坩堝

ICS29045

CCSL.90

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/CEMIA023—2021

半導(dǎo)體單晶硅生長用石英坩堝

Quartzcrucibleforsemiconductormonosilicongrowth

2021-07-15發(fā)布2021-12-25實(shí)施

中國電子材料行業(yè)協(xié)會發(fā)布

T/CEMIA023—2021

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由中國電子材料行業(yè)協(xié)會提出并歸口

。

本文件主要起草單位內(nèi)蒙古歐晶科技股份有限公司錦州佑鑫石英科技有限公司江西中昱新材

:、、

料科技有限公司

。

本文件參與起草單位寧波寶斯達(dá)坩堝保溫制品有限公司常州裕能石英科技有限公司江陰龍?jiān)?/p>

:、、

石英制品有限公司江蘇中天科技股份有限公司北京雅博石光照明器材有限公司隆基綠能科技股份

、、、

有限公司廊坊赫爾勞斯太陽能光伏有限公司湖南黎輝新材料科技有限公司中國建筑材料科學(xué)研究

、、、

總院有限公司

。

本文件主要起草人何文兵陳曼蘇光都杜興林李宗輝王文慶朱旦李曉航朱劍徐曉軍

:、、、、、、、、、、

王君偉王慧韓東李秀英錢宜剛賈建亮萬鵬遠(yuǎn)潘志華楊軍周銳

、、、、、、、、、。

Ⅰ

T/CEMIA023—2021

半導(dǎo)體單晶硅生長用石英坩堝

1范圍

本文件界定了半導(dǎo)體單晶硅生長用石英坩堝的術(shù)語和定義規(guī)定了規(guī)格尺寸技術(shù)要求試驗(yàn)方法

,、、、

檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸儲存

、、、、。

本文件適用于以高純石英砂成分二氧化硅為原料采用電弧熔融法生產(chǎn)用于半導(dǎo)體單晶硅生

(:),,

長的石英坩堝

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

石英玻璃化學(xué)成分分析方法

GB/T3284

石英玻璃術(shù)語

JC/T2205—2014

光伏單晶硅生長用石英坩堝

T/CEMIA004—2018

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

JC/T2205—2014、T/CEMIA004—2018。

31

.

微氣泡microbubble

直徑小于的氣泡

0.5mm。

來源有修改

[:T/CEMIA004—2018,3.1,]

32

.

白斑vaporspots

目視可見的帶有微小氣泡的灰色乳白色粗糙或平滑的斑點(diǎn)

、、。

來源

[:T/CEMIA004—2018,3.2]

33

.

凸起bulge

高出石英坩堝內(nèi)表面和外表面的點(diǎn)

。

來源

[:T/CEMIA004—2018,3.3]

34

.

圓度偏差circularitytolerance

石英坩堝圓柱體同一橫截面上最大與最小直徑之差

。

來源有修改

[:T/CEMIA004—2018,3.4,]

35

.

偏壁值sidingvalue