T/CIE 132-2022磁控濺射設(shè)備薄膜精度測(cè)試方法

ICS23160

CCSJ7.8

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/CIE132—2022

磁控濺射設(shè)備薄膜精度測(cè)試方法

Testmethodsforthinfilmthicknessofmagnetronsputteringequipment

2022-08-10發(fā)布2022-08-10實(shí)施

中國電子學(xué)會(huì)發(fā)布

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版

T/CIE132—2022

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

測(cè)試方法

4…………………2

設(shè)備基本條件測(cè)試

4.1…………………2

鍍膜精度測(cè)試

4.2………………………3

Ⅰ

T/CIE132—2022

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中國電子學(xué)會(huì)提出并歸口

。

本文件起草單位北京航空航天大學(xué)合肥致真精密設(shè)備有限公司合肥致真智能裝備有限公司

:、、、

北京維開科技有限公司北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司致真存儲(chǔ)北京科技有限公司深圳亙存

、、()、

科技有限責(zé)任公司

。

本文件主要起草人趙巍勝張博宇程厚義彭守仲許涌

:、、、SylvainEIMER、、、PierreVALLOBRA、

王子路姚宇暄許人友葛繼堯杜寅昌杜鴻基李殿浦楊玉杰王戈飛劉宏喜郭瑋何帆

、、、、、、、、、、、。

Ⅲ

T/CIE132—2022

磁控濺射設(shè)備薄膜精度測(cè)試方法

1范圍

本文件規(guī)定了磁控濺射設(shè)備薄膜精度的測(cè)試方法測(cè)試原理被測(cè)件測(cè)試環(huán)境和測(cè)試程序等

,,,。

本文件適用于磁控濺射設(shè)備沉積薄膜精度的驗(yàn)證

。

2規(guī)范性引用文件

本文件沒有規(guī)范性引用文件

。

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

磁控濺射magnetronsputtering

利用電場(chǎng)和磁場(chǎng)束縛等離子體并通過來自等離子體的高能量離子將靶材原子撞擊出來的技術(shù)

,。

注該技術(shù)具有沉積速度高基片溫升低和薄膜損傷小的優(yōu)點(diǎn)

:、。

32

.

薄膜thinfilms

一般按是否可以獨(dú)立存在分為兩種本文件所述的是可以依附于其他物體表面的二維體系其厚度

,,

通常為納米量級(jí)

。

33

.

真空鍍膜vacuumcoating

通過真空泵使封閉腔體達(dá)到真空狀態(tài)而后將膜材氣化并沉積到固體襯底上形成薄膜的技術(shù)

,。

34

.

真空度vacuumdegree

低于一個(gè)大氣壓的氣體狀態(tài)與大氣狀態(tài)相比分子的密度較為稀薄分子之間碰撞的幾率更

。,,

低氣體分子從一次碰撞到下一次碰撞所飛行的距離即分子的平均自由程更長

,,。

35

.

磁控濺射陰極magnetronsputteringcathode

是磁控濺射設(shè)備的重要配件內(nèi)置磁鐵組件水冷組件饋電組件絕緣組件和靶材固定組件等

。、、、。

注也稱靶槍

:。

36

.

磁隧道結(jié)magnetictunneljunctionMTJ

;

為磁隨機(jī)存儲(chǔ)器的基本存儲(chǔ)單元它的核心部分是由兩個(gè)鐵磁金屬層夾著一個(gè)隧穿勢(shì)壘層而形成

。

的三明治結(jié)構(gòu)