半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)概念

chip半導(dǎo)體集成電路基礎(chǔ)概念-------------------行業(yè)術(shù)語半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域有不少英文縮寫術(shù)語，本節(jié)羅列部分工作中常用術(shù)語，暫不做更多延伸行業(yè)術(shù)語-1ChipDieIDMWaferFablessASIC晶圓：本義為薄片，在集成電路中指晶圓。它和我們常聽到的硅片在大多時(shí)候是一個(gè)意思裸片：晶圓完成制造后切割成方形裸芯片，是芯片封裝之前的形態(tài)，已經(jīng)有了各種電路。芯片：從Wafer上切割下來的Die進(jìn)行封裝，就形成了Chip，即我們通常講的芯片。Fabless是指沒有Fab，即不進(jìn)行制造環(huán)節(jié)的芯片公司，特指專注于IC設(shè)計(jì)的公司，比如華為海思。有的公司既做IC設(shè)計(jì)，又直接制造芯片，這類公司就稱為IDM，典型的代表有英特爾（Intel）、德州儀器（TI）ApplicationSpecificIntegratedCircuit，是指為特定用戶、特定系統(tǒng)的需要而設(shè)計(jì)的專用集成電路，例如手機(jī)的CPU就是一個(gè)ASICFabFoundry本義為鑄造廠，在IC領(lǐng)域是專注于芯片制造的廠家。如臺(tái)積電、中芯國(guó)際，稱這類公司為Fab。FPGAFieldProgrammableGateArray，是一種預(yù)先做好的邏輯門陣列芯片，可以通過硬件編程的方式，來實(shí)現(xiàn)多種多樣的電路功能.基礎(chǔ)概念基礎(chǔ)概念-半導(dǎo)體、集成電路半導(dǎo)體

(Semiconductor)

：是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，其中硅是最常用的一種半導(dǎo)體材料，半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明應(yīng)用、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域應(yīng)用。元素半導(dǎo)體硅(Si)、鍺(Ge)等半導(dǎo)體(Semiconductor)砷化鎵(GaAs)、磷化鎵

(GaP)、碳化硅(SiC)、

氮化鎵(GaN)、磷化銦(lnP)、鋁鎵砷(AIGaAs)化合物半導(dǎo)體集成電路

(

Integrated

Circuit,IC)

:是指通過一系列特定的加工工藝，將晶體管、二極管等有源器件和電阻器、電容器等無源元件，按照一定的電路互聯(lián)，“集成”在半導(dǎo)體晶片上，封裝在一個(gè)外殼內(nèi)，執(zhí)行特定功能的電路或系統(tǒng)基礎(chǔ)概念-芯片芯片（Chip）：又稱微電路（microcircuit、微芯片（microchip）、集成電路（integratedcircuit,IC）是半導(dǎo)體元件的統(tǒng)稱，我們可以把它理解成半導(dǎo)體+集成電路，合起來就叫芯片。它根據(jù)特定功能，采用一定的工藝，可以將上百億晶體管及其他被動(dòng)元件布線集成在一塊半導(dǎo)體晶圓上，然后封裝起來，就形成了體積很小，但具備強(qiáng)大功能的芯片?；A(chǔ)概念-芯片示例圖部分封裝好的芯片圖例基礎(chǔ)概念-晶圓制作主要流程冶煉粗硅多晶硅拉單晶棒切割研磨拋光清洗晶圓就是硅做的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。晶圓再經(jīng)過一系列半導(dǎo)體制造工藝形成極微小的電路結(jié)構(gòu)，再經(jīng)切割、封裝、測(cè)試成為芯片?；A(chǔ)概念-襯底材料20世紀(jì)50年代鍺（Ge）20世紀(jì)60年代后期硅（Si）第一代半導(dǎo)體襯底材料上游開采冶煉鍺管適用于高頻大功率器件中，且在強(qiáng)輻射與－40℃下運(yùn)轉(zhuǎn)正常。鍺襯底適用于太陽能、衛(wèi)星與空間站的啟動(dòng)電源等領(lǐng)域。鍺煤鍺礦渣鍺廢料材料特性硅礦硅石硅砂半導(dǎo)體器件產(chǎn)值來看，全球95%以上的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路采用硅作為襯底材料。稀有金屬元素，自然界分不少儲(chǔ)量豐富、自然界分布廣較高電子遷移率和空穴遷移率薄膜絕緣性能好，可靠性高資源特點(diǎn)各自優(yōu)點(diǎn)基礎(chǔ)概念-襯底材料第二代半導(dǎo)體材料第三代半導(dǎo)體材料代表材料以砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）等化合物材料為代表應(yīng)用領(lǐng)域微波功率器件、低噪聲器件、發(fā)光二極管、激光器、光探測(cè)器等材料特性較好的電子遷移率和帶隙寬度，但原料稀缺且有毒，不適合廣泛使用，生長(zhǎng)工藝較成熟。代表材料以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬禁帶化