福建省福清市私立三華學(xué)校高三化學(xué)二輪復(fù)習(xí)課件選考專(zhuān)題物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)共61

1、選考專(zhuān)題物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì),高考動(dòng)向掃描,對(duì)2009-2014年福建省高考物構(gòu)考點(diǎn)分析如下：,原子結(jié)構(gòu)：電子排布式（136號(hào)元素，Cr、Cu、外圍電子排布） 分子結(jié)構(gòu)：化學(xué)鍵的類(lèi)型（NaCl、NaOH、H2 O） 共價(jià)鍵的類(lèi)型、鍵參數(shù)（N2、甲烷、乙烯） 范德華力、氫鍵 （NH3、H2O、HF） 晶體的結(jié)構(gòu)（NaCl、CsCl、金剛石、SiO2、干冰、石墨） 雜化軌道與分子空間構(gòu)型（ 甲烷、乙烯、 CO2 ） 配合物的組成：（ NH4Cl、膽礬、銀氨配合物）,1、核心知識(shí)點(diǎn),（1）結(jié)構(gòu)知識(shí),（2）元素性質(zhì)知識(shí)(聯(lián)系元素周期表、周期律）,原子半徑、化合價(jià) 第一電離能、電負(fù)性 金屬性、非金屬性 熔沸點(diǎn)

2、、硬度 穩(wěn)定性、溶解性 晶體組成、性質(zhì),（3）結(jié)構(gòu) 性質(zhì)的關(guān)系（應(yīng)用：關(guān)鍵）,電子排布 電子成對(duì)情況、電離能、電負(fù)性 金屬性、非金屬性 共價(jià)鍵的類(lèi)型、鍵參數(shù)（鍵能、鍵長(zhǎng)） 穩(wěn)定性 雜化軌道及其類(lèi)型 分子空間構(gòu)型 溶解性 配位鍵 配合物 性質(zhì) 范德華力、氫鍵 分子晶體熔沸點(diǎn)，硬度 化學(xué)鍵、晶體類(lèi)型（晶體的結(jié)構(gòu) ）晶體組成、性質(zhì)（熔沸點(diǎn)，硬度，導(dǎo)電性等）,可見(jiàn)近幾年常見(jiàn)（高頻率）考點(diǎn)與熱點(diǎn),（1）電子排布式的書(shū)寫(xiě)（基態(tài)或離子或價(jià)電子）及未成對(duì)電子數(shù)的判斷 （2）電離能、電負(fù)性的大小判斷及其與化合價(jià)、物質(zhì)性質(zhì)的關(guān)系 （3）化學(xué)鍵類(lèi)型、共價(jià)鍵類(lèi)型（ 鍵與鍵）、晶體類(lèi)型的判斷及其與物質(zhì)性質(zhì)的關(guān)系 （4）

3、雜化軌道與分子空間構(gòu)型 和性質(zhì)關(guān)系 （5）氫鍵與物質(zhì)性質(zhì)的關(guān)系 （6）描述晶體的結(jié)構(gòu)及結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系 （7）簡(jiǎn)單配合物的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)關(guān)系,熱點(diǎn)難點(diǎn)突破,小專(zhuān)題突破,熱點(diǎn)難點(diǎn)突破 緊扣重點(diǎn) 變式透析,考點(diǎn)1 原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì),【例1】 (1)(2014年福建理綜)基態(tài)硼原子的電子排布式為。,(2)(2013年福建理綜)依據(jù)第2周期元素第一電離能的變化規(guī)律,參照如圖B、F元素的位置,用小黑點(diǎn)標(biāo)出C、N、O三種元素的相對(duì)位置。 基態(tài)銅原子的核外電子排布式為。,(3)(2012年福建理綜)元素的第一電離能:AlSi(填“”或“”)。 基態(tài)Mn2+的核外電子排布式為 。,解析:(1)硼原子的核外電子

4、數(shù)是5,則基態(tài)硼原子的電子排布式為1s22s22p1。 (2)同周期元素的第一電離能呈增大趨勢(shì),但是氮的2p軌道處于半充滿(mǎn)狀態(tài)2p3,使其結(jié)構(gòu)相對(duì)較為穩(wěn)定,致使其第一電離能大于相鄰的碳、氧元素。 銅的原子序數(shù)為29,處于B族,故其電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1。 (3)同周期從左向右,元素的第一電離能呈增大趨勢(shì)。 基態(tài)Mn原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s2,失去4s2電子后形成Mn2+,其核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d5。,【探究思考】 (1)O、N、F為同一周期的元素,則O、N、F原子的第一電離能由大到小的順序是什么

5、?為什么? 答案:FNO;同周期主族元素,從左到右,第一電離能呈依次增大的趨勢(shì),但是第A族(ns2np3),因p軌道處于半滿(mǎn)狀態(tài),比較穩(wěn)定,所以其第一電離能大于同周期右側(cè)相鄰的A族元素,故NO。,(3)與Cu屬于同一周期,且未成對(duì)價(jià)電子數(shù)最多的元素是什么?基態(tài)原子核外電子排布式為?,1.基態(tài)原子的核外電子排布 (1)排布規(guī)律,規(guī)律方法,2,相同,2.元素第一電離能和電負(fù)性的遞變性,變式訓(xùn)練,(2)Mg (3)H2O分子間氫鍵數(shù)比HF多,所以H2O沸點(diǎn)高BC,考點(diǎn)2 化學(xué)鍵與物質(zhì)的性質(zhì),六方相氮化硼晶體層內(nèi)一個(gè)硼原子與相鄰氮原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為,其結(jié)構(gòu)與石墨相似卻不導(dǎo)電,原因是 。,Q,規(guī)律方法

6、,1.鍵和鍵的比較,2.雜化軌道的特點(diǎn) (1)只有能量相近的原子軌道才能雜化。 (2)原子軌道雜化時(shí),軌道總數(shù)不變,軌道的形狀發(fā)生變化。 (3)雜化軌道只能形成鍵。 3.雜化類(lèi)型與分子構(gòu)型,變式訓(xùn)練,(4)某砷的氧化物俗稱(chēng)“砒霜”,其分子結(jié)構(gòu)如圖所示。該化合物的分子式為,As原子采取雜化。 (5)GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似。GaAs晶體中,每個(gè)As與個(gè)Ga相連,As與Ga之間存在的化學(xué)鍵有(填字母)。 A.離子鍵B.鍵 C.鍵D.氫鍵 E.配位鍵F.金屬鍵 G.極性鍵,考點(diǎn)3 分子間作用力與物質(zhì)的性質(zhì),關(guān)于這兩種晶體的說(shuō)法,正確的是(填序號(hào))。 a.立方相氮化

7、硼含有鍵和鍵,所以硬度大 b.六方相氮化硼層間作用力小,所以質(zhì)地軟 c.兩種晶體中的BN鍵均為共價(jià)鍵 d.兩種晶體均為分子晶體,Q,硼砂是含結(jié)晶水的四硼酸鈉,其陰離子X(jué)m-(含B、O、H三種元素)的球棍模型如圖所示:,硼砂晶體由Na+、Xm-和H2O構(gòu)成,它們之間存在的作用力有 (填序號(hào))。 A.離子鍵B.共價(jià)鍵 C.金屬鍵D.范德華力 E.氫鍵,規(guī)律方法,1.晶體的熔、沸點(diǎn)高低比較 (1)不同類(lèi)型的晶體:一般而言,熔、沸點(diǎn)高低順序?yàn)樵泳w離子晶體分子晶體。 (2)同類(lèi)型的晶體 原子晶體的熔、沸點(diǎn)取決于共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)和鍵能,鍵能越大,鍵長(zhǎng)越短,共價(jià)鍵越強(qiáng),熔、沸點(diǎn)越高,如金剛石碳化硅晶體硅。有

8、時(shí)鍵能的大小、鍵長(zhǎng)的長(zhǎng)短可直接通過(guò)形成共價(jià)鍵的原子半徑來(lái)判斷。 離子晶體熔、沸點(diǎn)的高低取決于離子鍵的強(qiáng)弱,一般來(lái)說(shuō),離子所帶電荷數(shù)越多,離子間距離越小,離子鍵越強(qiáng),熔、沸點(diǎn)越高,如KFKClKBr。 分子晶體的熔、沸點(diǎn)取決于分子間作用力的大小。不存在氫鍵時(shí),對(duì)于組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì),相對(duì)分子質(zhì)量越大,范德華力越大,熔、沸點(diǎn)越高,如I2Br2Cl2F2。有氫鍵的分子晶體,還要考慮氫鍵的影響。,2.判斷晶體類(lèi)型的方法 (1)根據(jù)組成晶體的粒子和粒子間的作用力判斷 先找出晶體中的微粒,由微粒分析出微粒之間的作用力,由作用力確定何種晶體。 (2)依據(jù)物質(zhì)的類(lèi)別判斷 金屬氧化物(如K2O、Na2O2等)

9、、強(qiáng)堿(如NaOH等)和絕大多數(shù)鹽類(lèi)都是離子晶體。 大多數(shù)非金屬單質(zhì)(除金剛石、石墨、晶體硅等)、氣態(tài)氫化物、非金屬氧化物(除二氧化硅)、酸、大多數(shù)有機(jī)物是分子晶體。 短周期第A族元素形成的單質(zhì)(如金剛石、晶體硅),及與附近元素形成部分化合物(如碳化硅、二氧化硅等)屬于原子晶體。,(3)依據(jù)物質(zhì)的熔點(diǎn)和硬度判斷 離子晶體的熔點(diǎn)較高,常在幾百到一千多攝氏度。原子晶體的熔點(diǎn)很高,常在一千至幾千攝氏度。分子晶體熔點(diǎn)低,常在幾百攝氏度至更低溫度。一般熔點(diǎn)高的晶體硬度大。 (4)依據(jù)導(dǎo)電性判斷 晶體能夠?qū)щ?、熔融狀態(tài)也能夠?qū)щ姷臑榻饘倬w,晶體不導(dǎo)電,而熔融態(tài)導(dǎo)電為離子晶體;晶體和熔融態(tài)均不導(dǎo)電的為分子

10、晶體或原子晶體(少數(shù)混合晶體如石墨導(dǎo)電,有些半導(dǎo)體原子晶體,如硅)。,3.晶體中微粒間作用力類(lèi)型的判斷 (1)金屬晶體中只存在金屬鍵,原子晶體中只存在鍵(包括少數(shù)可能的配位鍵)。 (2)分子晶體中一定存在范德華力,一定沒(méi)有離子鍵和金屬鍵,可能存在、鍵(包括配位鍵)、氫鍵。 (3)離子晶體中一定存在離子鍵,一定不存在金屬鍵,可能存在、鍵(包括配位鍵)、氫鍵、范德華力等。,變式訓(xùn)練,.二甘氨酸合銅()是最早被發(fā)現(xiàn)的電中性?xún)?nèi)配鹽,它的結(jié)構(gòu)如圖:,(3)基態(tài)Cu2+的外圍電子排布式為 。 (4)二甘氨酸合銅()中,第一電離能最大的元素與電負(fù)性最小的非金屬元素可形成多種微粒,其中一種是5核10電子的微粒

11、,該微粒的空間構(gòu)型是 。 (5)1 mol二甘氨酸合銅()含有的鍵數(shù)目是 。 (6)二甘氨酸合銅()結(jié)構(gòu)中,與銅形成的化學(xué)鍵中一定屬于配位鍵的是(填寫(xiě)編號(hào))。,答案:(1)分子晶體(2)dsp3 (3)3d9 (4)正四面體形 (5)2NA或1.2041024 (6)1和4,專(zhuān)題易錯(cuò)盤(pán)點(diǎn),3.誤認(rèn)為只要含有氫鍵物質(zhì)的熔沸點(diǎn)就高,其實(shí)不一定,分子間的氫鍵會(huì)使物質(zhì)的熔沸點(diǎn)升高,而分子內(nèi)氫鍵一般會(huì)使物質(zhì)的熔沸點(diǎn)降低。 4.誤認(rèn)為只有極性鍵的分子都一定是極性分子,其實(shí)不一定,如CO2、BF3等是非極性分子。 5.誤認(rèn)為雜化軌道構(gòu)型和分子構(gòu)型一定一致,其實(shí)不一定,如H2O是sp3雜化,雜化軌道構(gòu)型為四面

12、體,但由于分子中存在孤電子對(duì),根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論可知,H2O是V形。 6.誤認(rèn)為含有(陽(yáng))離子的晶體一定是離子晶體,其實(shí)不正確。金屬晶體中含有陽(yáng)離子和自由電子。,小專(zhuān)題突破 深度分析 解題思想,雜化類(lèi)型及分子空間構(gòu)型的判斷方法,分子空間構(gòu)型、雜化類(lèi)型是高考中的必考內(nèi)容,兩者均可以應(yīng)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷,除此之外還可以應(yīng)用分子空間構(gòu)型與雜化類(lèi)型相互判斷,此時(shí)應(yīng)注意孤電子對(duì)的存在對(duì)兩者互判時(shí)的影響,如:sp3雜化類(lèi)型對(duì)應(yīng)的分子空間構(gòu)型有正四面體形(CCl4,中心原子無(wú)孤電子對(duì))、三角錐形(NH3,中心原子有一對(duì)孤電子對(duì))、V形(H2O,中心原子有2對(duì)孤電子對(duì)),另外也可以采用類(lèi)比思想進(jìn)行判斷如CH4、CCl4均為四面體形空間構(gòu)型,碳原子均采取sp3雜化。,【例題】 指出下列原子的雜化軌道類(lèi)型及分子的結(jié)構(gòu)式、空間構(gòu)型。 (1)CO2分子中的C:雜化,分子的結(jié)構(gòu)式,空間構(gòu)型。 (2)CH2O中的C:雜化,分子的結(jié)構(gòu)式,空間構(gòu)型。 (3)CH3Cl分子中的C:雜化,分子的結(jié)構(gòu)式,空間構(gòu)型。 (4)H2S分子中的S:雜化,分子的結(jié)構(gòu)式,空間構(gòu)型。,解題策略,嘗試應(yīng)用,C,Cu2+ 的核外電子排布式是 。 Si的基態(tài)原子核外電子式為 。 基態(tài)硼原子的電子排布為 。 Ar原子核外電子排布為 。 As原子基態(tài)時(shí)的電子排布式 ， O元素原子的價(jià)層電子的軌道表示式為 。 O元素原子