半導(dǎo)體二極管及其基本電路 1

1、1,項(xiàng)目一 直流穩(wěn)壓電源設(shè)計(jì)與制作,2,3,小功率直流穩(wěn)壓電源的組成,功能：把交流電壓變成穩(wěn)定的大小合適 的直流電壓,4,整流電路,整流電路的作用: 將交流電壓轉(zhuǎn)變?yōu)槊}動(dòng)的直流電壓。,常見的整流電路： 半波、全波、橋式和倍壓整流；單相和三相整流等。,整流原理： 利用二極管的單向?qū)щ娦?5,第一講 常用半導(dǎo)體器件1-二極管,6,2. 熱敏特性：當(dāng)環(huán)境溫度升高一些時(shí)，半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力就顯著地增加；當(dāng)環(huán)境溫度下降一些時(shí)，半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力就顯著地下降。熱敏電阻就是利用半導(dǎo)體的這種特性制成的。,課前導(dǎo)讀：,半導(dǎo)體具有獨(dú)特的性能,1. 雜敏特性：在純凈的半導(dǎo)體中適當(dāng)?shù)負(fù)饺胍欢ǚN類的極微量的雜質(zhì)，半導(dǎo)體的導(dǎo)

2、電性能就會(huì)成百萬倍的增加-這是半導(dǎo)體最顯著、最突出的特性。,3.光敏特性：當(dāng)有光線照射在某些半導(dǎo)體時(shí)，這些半導(dǎo)體就像導(dǎo)體一樣，導(dǎo)電能力很強(qiáng)；當(dāng)沒有光線照射時(shí)，這些半導(dǎo)體就像絕緣體一樣不導(dǎo)電。例如，用作自動(dòng)化控制用的“光電二極管”、“光電三極管”和光敏電阻等，就是利用半導(dǎo)體的光敏特性制成的。,7,各種半導(dǎo)體器件均以PN結(jié)為基本結(jié)構(gòu)單元。二極管可組成整流、限幅、檢波及低壓穩(wěn)壓電路，在實(shí)際電路中應(yīng)用很廣。,課前導(dǎo)讀：,第一講 二極管及其基本電路,1.1 半導(dǎo)體的基本知識(shí),1.2 PN結(jié)的形成及特性,1.3 半導(dǎo)體二極管,1.4 二極管基本電路及其分析方法,1.5 特殊二極管,9,1.1 半導(dǎo)體的基本

3、知識(shí),1.1.1 半導(dǎo)體材料,1.1.2 半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),1.1.3 本征半導(dǎo)體,1.1.4 雜質(zhì)半導(dǎo)體,10,根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同，來劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。,典型的半導(dǎo)體有:,硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。,11,1.1.2 半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),硅原子結(jié)構(gòu)圖,硅原子的原子序數(shù)為14，核外有14個(gè)電子。第一層有2個(gè)電子，第二層有8個(gè)電子，達(dá)到穩(wěn)定態(tài)。最外層4個(gè)電子即為價(jià)電子，它對(duì)硅原子的導(dǎo)電性起著主導(dǎo)作用。,12,1.1.2 半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),硅晶體的空間排列,13,1.1.2 半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),硅和鍺的原子結(jié)構(gòu)簡化模型及晶體結(jié)構(gòu),本征半導(dǎo)體化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體。

4、它在物理結(jié)構(gòu)上呈單晶體形態(tài)。,14,1.1.3 本征半導(dǎo)體,空穴共價(jià)鍵中的空位。,電子空穴對(duì)由熱激發(fā)而產(chǎn)生的自由電子和空穴對(duì)。,空穴的移動(dòng)空穴的運(yùn)動(dòng)是靠相鄰共價(jià)鍵中的價(jià)電子依次充填空穴來實(shí)現(xiàn)的。,自由電子電子脫離了原來的共價(jià)鍵束縛而形成,載流子可以自由移動(dòng)的帶有電荷的物質(zhì)微粒,15,1.1.4 雜質(zhì)半導(dǎo)體,在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量元素作為雜質(zhì)，可使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性發(fā)生顯著變化。摻入的雜質(zhì)主要是三價(jià)或五價(jià)元素。摻入雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。,N型半導(dǎo)體摻入五價(jià)雜質(zhì)元素（如磷）的半導(dǎo)體。,P型半導(dǎo)體摻入三價(jià)雜質(zhì)元素（如硼）的半導(dǎo)體。,16,1. P型半導(dǎo)體,因三價(jià)雜質(zhì)原子在與硅原子形成共價(jià)鍵

5、時(shí)，缺少一個(gè)價(jià)電子而在共價(jià)鍵中留下一個(gè)空穴。,在P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子，它主要由摻雜形成；自由電子是少數(shù)載流子， 由熱激發(fā)形成。,空穴很容易俘獲電子，使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子。三價(jià)雜質(zhì) 因而也稱為受主雜質(zhì)。,17,2. N型半導(dǎo)體,因五價(jià)雜質(zhì)原子中只有四個(gè)價(jià)電子能與周圍四個(gè)半導(dǎo)體原子中的價(jià)電子形成共價(jià)鍵，而多余的一個(gè)價(jià)電子因無共價(jià)鍵束縛而很容易形成自由電子。,在N型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子，它主要由雜質(zhì)原子提供；空穴是少數(shù)載流子, 由熱激發(fā)形成。,提供自由電子的五價(jià)雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為正離子，因此五價(jià)雜質(zhì)原子也稱為施主雜質(zhì)。,18,本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體,本節(jié)中的有關(guān)概念,N型半導(dǎo)體

6、、P型半導(dǎo)體,多數(shù)載流子、少數(shù)載流子,施主雜質(zhì)、受主雜質(zhì),自由電子、空穴,19,1.2 PN結(jié)的形成及特性,1.2.1 PN結(jié)的形成,1.2.2 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?1.2.3 PN結(jié)的反向擊穿,1.2.4 PN結(jié)的電容效應(yīng),20,P型半導(dǎo)體,N型半導(dǎo)體,擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬，空間電荷區(qū)越寬。,PN結(jié)的形成過程,內(nèi)電場越強(qiáng)，就使漂移運(yùn)動(dòng)越強(qiáng)，而漂移使空間電荷區(qū)變薄，并阻礙擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。,21,所以擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到平衡，相當(dāng)于兩個(gè)區(qū)之間沒有電荷運(yùn)動(dòng)，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。,22,在一塊本征半導(dǎo)體在兩側(cè)通過擴(kuò)散不同的雜質(zhì),分別形成N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。此時(shí)將在N型半

7、導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的結(jié)合面上形成如下物理過程:,因濃度差,空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場, 內(nèi)電場促使少子漂移, 內(nèi)電場阻止多子擴(kuò)散,最后,多子的擴(kuò)散和少子的漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。,多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),由雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū) ,23,1、空間電荷區(qū)中有動(dòng)態(tài)運(yùn)動(dòng)的載流子，但通過交界面空穴與自由電子數(shù)目相同。,2、空間電荷區(qū)中內(nèi)電場一方面阻礙多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，另一方面有利于少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)。,課堂問答:,空間電荷區(qū)中有沒有載流子？ 空間電荷區(qū)形成的內(nèi)電場作用是什么？,24,1.2.2 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?當(dāng)外加電壓使PN結(jié)中P區(qū)的電位高于N區(qū)的電位，稱為加正向電壓，簡稱正偏；反之稱為加反向電壓，簡稱反偏。,

8、(1) PN結(jié)加正向電壓時(shí),PN結(jié)加正向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況,低電阻 大的正向擴(kuò)散電流,25,課堂思考:,PN結(jié)正偏時(shí)，PN結(jié)如何變化？ 提示：根據(jù)PN結(jié)附近的載流子的運(yùn)動(dòng)方向來判斷,PN結(jié)正偏導(dǎo)通時(shí)，形成電流是由什么載流子決定的？,26,（1）、PN 結(jié)正向偏置,P,N,+,_,內(nèi)電場被削弱，多子的擴(kuò)散加強(qiáng)能夠形成較大的擴(kuò)散電流。,1.2.2 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?當(dāng)外加電壓使PN結(jié)中P區(qū)的電位高于N區(qū)的電位，稱為加正向電壓，簡稱正偏；反之稱為加反向電壓，簡稱反偏。,(2) PN結(jié)加反向電壓時(shí),PN結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況,高電阻 很小的反向漂移電流,28,（2） PN 結(jié)反向偏置,N,P,+,_

9、,內(nèi)電場被被加強(qiáng)，多子的擴(kuò)散受抑制。少子漂移加強(qiáng)，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。,R,E,29,PN結(jié)加正向電壓時(shí)，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴(kuò)散電流； PN結(jié)加反向電壓時(shí)，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。,結(jié)論：,由此可以得出結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?30,1 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?(3) PN結(jié)V- I 特性表達(dá)式,其中,IS 反向飽和電流,VT 溫度系數(shù),且在常溫下（T=300K）,PN結(jié)的伏安特性,31,Task 6,電壓、電流等符號(hào)的規(guī)定,（1）直流分量：用大寫字母和大寫下標(biāo)表示。如IB表示晶體管基極直流電流。 （2）交流分量：用小寫字母和小寫下標(biāo)表示。如ib表示晶體

10、管基極交流電流。 （3）瞬時(shí)值：用小寫字母和大寫下標(biāo)表示，它為交流分量和直流分量之和。如iB表示晶體管基極瞬時(shí)電流值，iB =IB + ib。 （4）交流有效值：用大寫字母和小寫下標(biāo)表示。如Ib表示晶體管基極正弦交流電流有效值。 （5）交流峰值：用交流有效值符號(hào)再增加小寫m下標(biāo)表示。如Ibm表示晶體管基極正弦交流電流的峰值。,32,1.2.3 PN結(jié)的反向擊穿,當(dāng)PN結(jié)的反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí)，反向電流突然快速增加，此現(xiàn)象稱為PN結(jié)的反向擊穿。,熱擊穿不可逆,33,1.2.3 PN結(jié)的反向擊穿,雪崩擊穿 當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí)，空間電荷區(qū)中的電場隨著增強(qiáng)。這樣，通過空間電荷區(qū)的電子和空穴，就

11、會(huì)在電場作用下獲得的能量增大，在晶體中運(yùn)動(dòng)的電子和空穴將不斷地與晶體原子又發(fā)生碰撞，當(dāng)電子和空穴的能量足夠大時(shí)，通過這樣的碰撞可使共價(jià)鍵中的電子激發(fā)形成自由電子空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子和空穴也向相反的方向運(yùn)動(dòng)，重新獲得能量，又可通過碰撞，再產(chǎn)生電子空穴對(duì)，這就是載流子的倍增效應(yīng)。當(dāng)反向電壓增大到某一數(shù)值后，載流子的倍增情況就像在陡峻的積雪山坡上發(fā)生雪崩一樣，載流子增加得多而快，這樣，反向電流劇增， PN結(jié)就發(fā)生雪崩擊穿。,34,1.2.3 PN結(jié)的反向擊穿,齊納擊穿 在加有較高的反向電壓下，PN結(jié)空間電荷區(qū)中存一個(gè)強(qiáng)電場，它能夠破壞共價(jià)鍵，將束縛電子分離出來產(chǎn)生電子空穴對(duì)，形成較大的反向電流。發(fā)生

12、齊納擊穿需要的電場強(qiáng)度約為2105V/cm，這只有在雜質(zhì)濃度特別大的PN結(jié)中才能達(dá)到。因?yàn)殡s質(zhì)濃度大，空間電荷區(qū)內(nèi)電荷密度（即雜質(zhì)離子）也大，因而，即使空間電荷區(qū)很窄，電場強(qiáng)度也可能很高。,35,1.2.4 PN結(jié)的電容效應(yīng),(1) 擴(kuò)散電容CD,當(dāng)PN結(jié)處于正向偏置時(shí)，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使多數(shù)載流子穿過PN結(jié)，在對(duì)方區(qū)域PN結(jié)附近有高于正常情況時(shí)的電荷累積。存儲(chǔ)電荷量的大小，取決于PN結(jié)上所加正向電壓值的大小。離結(jié)越遠(yuǎn)，由于受空間電荷吸引越弱，濃度將隨之減小。 若外加正向電壓有一增量V，則相應(yīng)的空穴（電子）擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)在結(jié)的附近產(chǎn)生一電荷增量Q，二者之比Q/V為擴(kuò)散電容CD。,擴(kuò)散電容示意圖,36,1.2

13、.4 PN結(jié)的電容效應(yīng),(2) 勢壘電容CB,勢壘電容是由耗盡區(qū)的空間電荷區(qū)引起的。 當(dāng)外加反向電壓增大時(shí)，耗盡層變寬，空間電荷量增加，猶如電容的充電。 當(dāng)外加反向電壓降低時(shí)，耗盡層變窄，空間電荷量減小，猶如電容的放電。,37,PN結(jié)的高頻等效電路,由于PN結(jié)結(jié)電容的存在，使其在高頻運(yùn)用時(shí)，必須考慮結(jié)電容的影響。PN結(jié)高頻等效電路如下圖所示，圖中r表示電阻，C為結(jié)電容，它包括勢壘電容和擴(kuò)散電容。 C的大小除了與本身結(jié)構(gòu)和工藝有關(guān)外，還與外加電壓有關(guān)。當(dāng)PN結(jié)處于正向偏置時(shí)，r為正向電阻，數(shù)值很小，而結(jié)電容較大（主要決定于擴(kuò)散電容）。當(dāng)PN結(jié)處于反向偏置時(shí)，r為反向電阻，其數(shù)值較大，結(jié)電容較?。?/p>

14、主要決定于勢壘電容）。,1.2.4 PN結(jié)的電容效應(yīng),38,結(jié)電容的影響：,由于勢壘電容和擴(kuò)散電容一般都很?。ńY(jié)面積小的為1pF左右，結(jié)面積大的為幾十至幾百pF），對(duì)于低頻信號(hào)呈現(xiàn)出很大的容抗，其作用可忽略不計(jì)。 但是當(dāng)加在PN結(jié)上的交流電頻率較高時(shí)，交流電就可以通過PN結(jié)的電容形成通路，PN結(jié)就部分或完全失去單向?qū)щ姷奶匦?。,1.2.4 PN結(jié)的電容效應(yīng),39,1）雜質(zhì)半導(dǎo)體有 型和 型之分。 2）PN結(jié)最重要的特性是_，它是一切半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。 3）PN結(jié)的空間電荷區(qū)變厚，是由于PN結(jié)加了_電壓，PN結(jié)的空間電荷區(qū)變窄，是由于PN結(jié)加的是_電壓。 4）PN結(jié)的伏安特性方程是 。 5）在

15、本征半導(dǎo)體中加入 元素可形成N型半導(dǎo)體，加入 元素可形成P型半導(dǎo)體。 6）整流的目的是 。 7）在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決 ，而少數(shù)載流子的濃度則與 有很大關(guān)系。 8）當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流 于漂移電流，耗盡層變 。 當(dāng)PN結(jié)外加反向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流 于漂移電流，耗盡層變 。,練習(xí)題：,40,內(nèi)容回顧：,1 PN結(jié)的形成,2 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?3 PN結(jié)的反向擊穿,4 PN結(jié)的電容效應(yīng),41,1.3 半導(dǎo)體二極管,1.3.1 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu),1.3.2 二極管的伏安特性,1.3.3 二極管的參數(shù),1.3.4 二極管的溫度特性,42,幾種常見的二極管外形如圖所示。,

16、1.3 半導(dǎo)體二極管,43,1.3.1 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu),在PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極管。二極管按結(jié)構(gòu)分有點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型三大類。,(1) 點(diǎn)接觸型二極管,PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。,44,(3) 平面型二極管,往往用于集成電路制造工藝中。PN 結(jié)面積可大可小。,(2) 面接觸型二極管,PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。,(b)面接觸型,(4) 二極管的代表符號(hào),45,在二極管的兩端加上電壓，測量流過管子的電流，則I = f (U )之間的關(guān)系曲線為伏安特性。,正向特性,硅管的伏安特性,反向特性,Is,46,ID,UBR,PN結(jié)U-I特性曲線

17、,伏安特性方程,式中： IS 為反向飽和電流，UD 為二極管兩端的電壓降； UT =kT/q 稱為溫度的電壓當(dāng)量，k為玻耳茲曼常數(shù)，q 為電子電荷量，T 為熱力學(xué)溫度。對(duì)于室溫（相當(dāng)T=300 K），則有UT=26 mV。,二極管的伏安特性方程,47,ID,UBR,PN結(jié)U-I特性曲線,伏安特性方程,二極管的伏安特性方程,二極管的核心是一個(gè)PN結(jié),所以它的伏安特性方程與上式基本相同。,48,1.3.3 二極管的主要參數(shù),49,1.3.3 二極管的主要參數(shù),50,1.3.3 二極管的主要參數(shù),5） 最大功耗 PM,保證二極管安全工作所允許的最大功率損壞。通常大功率二極管要加散熱片。,6）直流電阻

18、RD,二極管伏安特性曲線上工作點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的直流電壓與直流電流之比 。 用萬用表歐姆檔測量出的二極管電阻就是直流電阻。（一般二極管的正向直流電阻為幾十至幾百歐姆，反向直流電阻為幾千至幾百千歐姆。該參數(shù)在工程計(jì)算中用途不大，但可用來說明二極管單向?qū)щ娦缘暮脡?。?7）交流電阻rd,51,7）交流電阻（動(dòng)態(tài)電阻）,二極管在其工作 點(diǎn)Q(I DQ, UDQ)下的電壓微變量與電流微變量之比。,rD的幾何意義為：Q(IDQ, UDQ)點(diǎn)處切線斜率的倒數(shù)。,1.3.3 二極管的主要參數(shù),52,7）交流電阻（動(dòng)態(tài)電阻）,二極管在其工作狀態(tài)(I DQ, UDQ)下的電壓微變量與電流微變量之比。,交流電阻rD,1.

19、3.3 二極管的主要參數(shù),因此,交流電阻rD推導(dǎo),53,rD= rj + rs,- PN結(jié)電阻,rs,- 體電阻+引線接觸電阻,更確切地講，二極管交流電阻,1.3.3 二極管的主要參數(shù),54,例1.3.1 已知D為Si二極管，流過D的靜態(tài)電流IDQ=10mA，交流電壓U=10mV，求流過D的交流電流I=?,解：二極管交流電阻為,所以交流電流為,1.3.3 二極管的主要參數(shù),55,二極管是對(duì)溫度非常敏感的器件。 隨著溫度變化，請(qǐng)分析死區(qū)電壓、正向?qū)▔航怠柡碗娏?、反向擊穿電壓如何變化?實(shí)驗(yàn)表明，隨溫度升高，二極管的正向壓降會(huì)減小，正向伏安特性左移，即二極管的正向壓降具有負(fù)的溫度系數(shù)（約為-2

20、mV/）； 溫度升高，反向飽和電流會(huì)急劇增大，反向伏安特性下移，溫度每升高10，反向電流大約增加一倍。圖所示為溫度對(duì)二極管伏安特性的影響。,1.3.4 二極管的溫度特性,56,圖 溫度對(duì)二極管伏安特性的影響,1.3.4 二極管的溫度特性,57,小結(jié)：,1.3.1 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu),1.3.2 二極管的伏安特性,1.3.3 二極管的參數(shù),1.3.4 二極管的溫度特性,58,1.4 二極管的基本電路及其分析方法,1.4.1二極管電路的簡化模型分析方法,1.4.2 二極管電路分析,59,1.4.1 二極管電路的簡化模型分析方法,理想模型：當(dāng)二極管正向電壓和正向電阻與外接電路的電壓與電阻相比均可忽略

21、時(shí)，這樣的二極管可稱為理想二極管。,二極管V-I 特性的建模,60,1.4.1 二極管電路的簡化模型分析方法,理想二極管在電路中相當(dāng)于一個(gè)理想開關(guān)：,外加電壓少大于零，就導(dǎo)通，管壓降為0V開關(guān)閉合；,當(dāng)反偏時(shí)，二極管截止，其電阻為無窮大開關(guān)斷開。,二極管V-I 特性的建模,61,（2）恒壓降模型：當(dāng)二極管的正向壓降與外加電壓相比不能忽略，可用由理想二極管和電壓源UF串聯(lián)構(gòu)成的模型來近似替代。,正向壓降不再認(rèn)為是0，而是接近實(shí)際工作電壓的某一定值UF，且不隨電流變化。,1.4.1 二極管電路的簡化模型分析方法,二極管V-I 特性的建模,62,（3）折線模型：即考慮二極管的導(dǎo)通電壓UF ，又考慮導(dǎo)

22、通后交流電阻?？捎糜衫硐攵O管、電壓源UF和電阻rD串聯(lián)構(gòu)成的模型來近似替代。,1.4.1 二極管電路的簡化模型分析方法,二極管V-I 特性的建模,63,例1.4.1：硅二極管電路如圖所示，試分別用二極管的理想模型、恒壓降模型計(jì)算回路中的電流ID和輸出電壓U0。設(shè)二極管為硅管。,+,_,2.用恒壓降模型：由于二極管D導(dǎo)通，UON=0.7V，所以,1.4.1 二極管電路的簡化模型分析方法,64,例1.4.1：二極管電路如圖所示，試分別用二極管的理想模型、恒壓降模型計(jì)算回路中的電流ID和輸出電壓U0。設(shè)二極管為硅管。,+,_,1.4.1 二極管電路的簡化模型分析方法,65,總結(jié)：二極管狀態(tài)判斷方法,假設(shè)D截止(開路)求D兩端開路電壓,1.4.2 二極管電路分析,66,1.4.2 二極管電路狀態(tài)判斷,67,正偏,D正向?qū)ǎ?解答,(a)正常工作（b）損壞,68,反偏,反偏：,VD = - 100V,反偏： D反向擊穿,反偏：D反向截止,解答,69,寫出圖中所示各電路的輸出電壓值UO，設(shè)二極管導(dǎo)通電壓,課堂練習(xí),70,1.5 特殊二極管,1.5.1