材料分析技術(shù)總結(jié)

1、明場像 ：用另外得裝置來移動物鏡光闌 , 使得只有未散射得透射電子束通過它，其她衍射得電子束被光闌擋掉 , 由此所得到得圖像被稱為明場像（ BF)。暗場像 : 只有衍射電子束通過物鏡光闌 , 透射電子束被光闌擋掉， 稱由此所得到得圖像為暗場像（ DF）。散射電子成像 , 像有畸變：分辨率低通過調(diào)節(jié)中間鏡得電流就可以得到不同放大倍數(shù)得明場像與暗場像.中心暗場像 : 使入射電子束偏轉(zhuǎn)2，使得衍射束平行于物鏡光軸通過物鏡光闌。這種方法稱為中心暗場成像。射電子束對試樣傾斜照明, 得到得暗場像 . 像不畸變：分辨率高八強線 :三強線 ：第一強鋒 ,第二強峰及第三強峰得峰強：峰位:半峰寬等參數(shù)點陣消光 ：

2、由于晶胞中點陣位置而導(dǎo)致得F 2=得現(xiàn)象 .結(jié)構(gòu)消光 ：在點陣消光得基礎(chǔ)上， 因結(jié)構(gòu)基元內(nèi)原子位置不同而進(jìn)一步產(chǎn)生得附加消光現(xiàn)象，稱為結(jié)構(gòu)消光 .系統(tǒng)消光 :晶體衍射實驗數(shù)據(jù)中出現(xiàn)某類衍射系統(tǒng)消失得現(xiàn)象。吸收限 :X 射線照射固體物質(zhì)產(chǎn)生光子效應(yīng)時能量閥值對應(yīng)得波長稱為物質(zhì)得吸收限。短波限 :極限情況下， 能量為e得電子在碰撞中一下子把能量全部轉(zhuǎn)給光子，那么該光子獲得最高能量與具有最短波長。熒光 X 射線 ：當(dāng)入射得 X 射線光量子得能量足夠大將原子內(nèi)層電子擊出遷，輻射出波長嚴(yán)格一定得射線。,外層電子向內(nèi)層躍特征 X 射線 :處于激發(fā)狀態(tài)得原子有自發(fā)回到穩(wěn)定狀態(tài)得傾向，此時外層電子將填充內(nèi)層空

3、位 ,相應(yīng)伴隨著 原子能量得降低 .原子從高能態(tài)變成低能態(tài)時， 多出得能量以射線形式輻射出來。二次電子 ：當(dāng)入射電子與原子核外電子發(fā)生交互作用時，個脫離原子得電子稱為二次電子.會使原子失掉電子而變成離子，這背散射電子:入射電子與固體作用后又離開固體得總電子流。俄歇電子 ：由于原子中得電子被激發(fā)而產(chǎn)生得次級電子,在原子殼層中產(chǎn)生電子空穴后，處于高能級得電子可以躍遷到這一層， 同時釋放能量。 當(dāng)釋放得能量傳遞到另一層得一個電子，這個電子就可以脫離原子發(fā)射，被稱為俄歇電子。襯度光闌 ：襯度光闌又稱為物鏡光闌 ,通常它被放在物鏡得后焦面上。散射角或衍射角較大得電子被光闌擋住， 不能繼續(xù)進(jìn)入鏡筒成像，

4、從而就會在像平面上形成具有一定襯度得圖像。選區(qū)光闌 ：為了分析樣品上得一個微小區(qū)域，應(yīng)該在樣品上放一個光闌光闌限定得微區(qū)。,使電子束只能通過選區(qū)電子衍射 :由選區(qū)形貌觀察與電子衍射結(jié)構(gòu)分析得微區(qū)對應(yīng)性，實現(xiàn)晶體樣品得形貌特征與晶體學(xué)性質(zhì)得原位分析。質(zhì)厚襯度效應(yīng)：由于樣品不同微區(qū)間存在質(zhì)量或厚度得差異而引起得相應(yīng)區(qū)域透射電子強度得改變，從而在圖像上形成亮暗不同得區(qū)域.衍襯像 ：反應(yīng)式樣內(nèi)部得結(jié)構(gòu)與完整性,起源于衍射光束.屏蔽效應(yīng) ：核周圍得電子對抗外加磁場強度所起得作用。自旋耦合 ：由于鄰近不等性質(zhì)子互旋得相互作用而分裂成幾重峰得現(xiàn)象。自旋分裂:由自旋偶合引起得共振峰分裂化學(xué)位移 ：在有機物中，

5、各種氫核周圍得電子云密度不同共振頻率有差異收峰位移 。,即引起得共振吸差熱分析 (DTA) ：在程序控制溫度條件下,測量樣品與參比物之間得溫度差與溫度(或時間)關(guān)系得一種熱分析方法。差示掃描量熱法( S ) ：在程序控制溫度條件下（或時間 )關(guān)系得一種熱分析方法。,測量輸入給樣品與參比物得功率差與溫度熱重法（TG)：在程序控制溫度條件下,測量獲得物質(zhì)得質(zhì)量與溫度關(guān)系得一種技術(shù).D G（微商曲線） ：指對溫度或時間得微分而得到得一階微商曲線,表示質(zhì)量隨時間得變化率（失重速率）與溫度（或時間）得關(guān)系。外推始點（ Te) ：曲線陡峭部分切線與基線延長線這兩條線得交點紅外非活性振動 : 在振動過程中

6、, 分子電偶極距不發(fā)生改變， 不能吸收紅外光子得能量， 不產(chǎn)生紅外吸收譜帶。紅外活性振動 :在振動過程中，分子電偶極距發(fā)生改變，才能吸收紅外光子得能量，不產(chǎn)生紅外吸收譜帶。特征峰 ：同一類得基因都有其特定得紅外吸收,它產(chǎn)生吸收峰得位置就稱特征峰.基因頻率 ：也稱特征吸收頻率，對應(yīng)吸收峰為特征吸收峰。指紋區(qū) :在紅外光譜中30 6 0cm 0 得低頻率區(qū)官能團(tuán)區(qū) ：在紅外光譜中000 300cm1得伸縮振動區(qū)分配系數(shù) ：在一定溫度下，組分在兩相間分配達(dá)到平衡時得濃度比.分子離子 ：分子在離子源中失去一個電子形成得離子碎片離子 :分子獲得能量后,分子中得某化學(xué)鍵斷裂而產(chǎn)生同位素離子 :含有同位素得

7、離子亞穩(wěn)離子 :在離子源生產(chǎn)得離子，如果在飛行中發(fā)生裂解，生成子離子與中性碎片,則把這種在飛行中發(fā)生裂解得母離子稱為亞穩(wěn)態(tài)離子。1、布拉格方程得推導(dǎo)含義 :線照射晶體時,只有相鄰面網(wǎng)之間散射得射線光程差為波長得整數(shù)倍時,才能產(chǎn)生干涉加強，形成衍射線，反之不能形成衍射線。討論1、當(dāng)一定， 相同得晶面 ,必然在相同得情況下才能獲得反射.2、當(dāng)一定，減小，就要增大 ,這說明間距小得晶面，其掠過角必須就是較大得，否則它們得反射線無法加強，在考察多晶體衍射時，這點由為重要。3、在任何可觀測得衍射角下 ,產(chǎn)生衍射得條件為： ，但波長過短導(dǎo)致衍射角過小 ,使衍射現(xiàn)象難以觀測 ,常用 X 射線得波長范圍就是

8、0、 250、 0nm.4、波長一定時,只有得晶面才能發(fā)生衍射衍射得極限條件。2、簡述影響X 射線衍射強度得因素答 :影響射線衍射方向與強度得因素主要有：入射X 射線得波長與強度I、產(chǎn)生衍射得晶面得晶面間距 d、樣品得成分與結(jié)構(gòu)、產(chǎn)生衍射得晶面得多重性、衍射時得溫度、樣品對入 X 射線得吸收性質(zhì)、實驗條件等。吸收限得應(yīng)用:（）濾波片得選擇：靶 0 時， Z 濾 =Z 靶 1； Z 靶 40 時 ,Z 濾 Z 靶 2。獲得單色光得方法之一就是在X 射線出射得路徑上放置一定厚度得濾波片,可以簡便地將K 與連續(xù)譜衰減到可以忽略得程度，只剩下K 輻射。(2)陽極靶材料得選擇:靶 Z 樣 1。）3、 X

9、 射線衍射得必要條件“選擇反射+ 布拉格方程。、布拉格方程由原子面反射方向上散射線得干涉加強條件導(dǎo)出 ,而當(dāng)晶體無限大時反射方向上散射得干涉加強作用可忽略不計 ,故“選擇反射”就是衍射產(chǎn)生得必要條件。,非2、“選擇反射”作為衍射得必要條件,意味著即使?jié)M足“選擇反射”條件得方向上也不一定有反射線。4、物相得定性分析基本原理（ 1)在一定波長得 X 射線照射下，每種晶體物質(zhì)都給出自己特有得衍射花樣位置與強度）。每種物質(zhì)與它得衍射花樣都就是一一對應(yīng)得。(衍射線得(2)在定性相分析時，通常用據(jù)組代表衍射花樣。也就就是說，用d(晶面間距表征衍射線位置)與 (衍射線相對強度dI 數(shù)據(jù)組作為定性相分析得基本

10、判據(jù)。)得數(shù)（）定性相分析得方法 ,就是將由試樣測得得 d I 數(shù)據(jù)組 （即衍射花樣 )與已知結(jié)構(gòu)物質(zhì)得標(biāo)準(zhǔn) d I 數(shù)據(jù)組（即標(biāo)準(zhǔn)衍射花樣 )進(jìn)行對比，從而鑒定出試樣中存在得物相n =2sin 當(dāng)用波長已知得X 射線對晶體進(jìn)行衍射時,只要測出衍射線加強所對應(yīng)得衍射角，就可以從方程計算出晶面間距,不同間距得晶面所產(chǎn)生得衍射角就是不同得,把一種晶體得所有晶面衍射都測量一遍，就可以得到各個晶面間距。物相得定性分析基本步驟(1)制備待分析物質(zhì)樣品,用衍射儀法或照相法獲得樣品衍射花樣;(2）確定各衍射線條眾值及相對強度I/I1值（1 為最強線強度）;（ 3)檢索P F 卡片物相均為未知時,使用數(shù)值索引

11、；（ 4)核對PDP卡片與物相判定；(5)多相物質(zhì)分析.5、二次電子像得襯度與背射電子像得襯度各有啥特點二次：特別適用于顯示形貌襯度。一般來說，凸出得尖棱、小粒子、較陡斜面二次電子產(chǎn)額多 ,圖像亮 ; 平面上二次電子產(chǎn)額小 ,圖像暗 ;凹面圖像暗。 （二次電子像形貌襯度得分辨率比較高且不易形成陰影）二次電子發(fā)射系數(shù)與入射電子與樣品表面法線夾角得關(guān)系可用 /co 表示，可見樣品得棱角、 尖峰等處會產(chǎn)生較多得二次電子，二次電子產(chǎn)生得數(shù)量依賴于入射電子束與樣品表面法線得夾角(入射角） ,而樣品表面形態(tài)得變化則會引起入射角得改變，因此 ,二次電子得產(chǎn)額就是樣品表面特征得函數(shù)背散射電子：無法收集到背散射

12、電子而成一片陰影，圖像襯度大，會掩蓋許多細(xì)節(jié)。、透射電鏡得結(jié)構(gòu)：（1）電子光學(xué)部分1)照明系統(tǒng)電子槍陰極、陽極、柵極 (控制極 )(作用：會聚電子束 ; 控制電子束電流大 小，調(diào)節(jié)像得亮度 )聚光鏡第一聚光鏡(短焦距強激磁透鏡)第二聚光鏡（長焦距磁透鏡）樣品室3)成像系統(tǒng) :由物鏡、中間鏡與投影鏡組成。4）圖像觀察與記錄系統(tǒng)（ 2）真空系統(tǒng)（ 3)供電控制系統(tǒng)放大倍數(shù) M 總 =M 物 M 中 M 投.物、 M 中、 投分別就是物鏡、中間鏡、投影鏡得放大倍數(shù)、透射電鏡成像原理分為兩個過程:第一個過程就是平行電子束遭到物得散射作用而分裂成為各級衍射譜，即由物變換到衍射得過程；第二個過程就是各級衍

13、射譜經(jīng)過干涉重新在像平面上會聚成諸像點，即由衍射重新變換到物（像就是放大了得物 )得過程 .物鏡產(chǎn)生得一次放大像還要經(jīng)過中間鏡與投影鏡得放大作用而得到最終得三次放大像。兩個基本操作 :中間鏡得物平面與物鏡得像平面重合，中間鏡得物平面與物鏡得背焦面重合。1、聚光鏡光闌四個一組得光闌孔被安裝在一個光闌桿得支架上，使用時 ,通過光闌桿得分檔機構(gòu)按需要依次插入，使光闌孔中心位于電子束得軸線上（光闌中心與主焦點重合 ) 。聚光鏡光闌得作用就是限制照明孔徑角。在雙聚光鏡系統(tǒng)中 ,安裝在第二聚光鏡下方得焦點位置 .光闌孔得直徑為 20 400 m,作一般分析觀察時 ,聚光鏡得光闌孔徑可用 00 0 m,若作

14、微束分析時，則應(yīng)采用小孔徑光闌2、物鏡光闌物鏡光闌又稱為襯度光闌,通常它被放在物鏡得后焦面上。電子束通過薄膜樣品后產(chǎn)生散射與衍射。散射角(或衍射角）較大得電子被光闌擋住，不能繼續(xù)進(jìn)入鏡筒成像，從而就會在像平面上形成具有一定襯度得圖像。光闌孔越小， 被擋去得電子越多，圖像得襯度就越大，這就就是物鏡光闌又叫做襯度光闌得原因。作用加入物鏡光闌使物鏡孔徑角減小，能減小像差 ,得到質(zhì)量較高得顯微圖像.物鏡光闌得另一個主要作用就是在后焦面上套取衍射束得斑點 (即副焦點 )成像 ,這就就是所謂暗場像.利用明暗場顯微照片得對照分析，可以方便地進(jìn)行物相鑒定與缺陷分析。、 選區(qū)光闌選區(qū)光闌又稱場限光闌或視場光闌。

15、為了分析樣品上得一個微小區(qū)域，應(yīng)該在樣品上放一個光闌， 使電子束只能通過光闌限定得微區(qū)。對這個微區(qū)進(jìn)行衍射分析叫做選區(qū)衍射。由于樣品上待分析得微區(qū)很小，一般就是微米數(shù)量級。制作這樣大小得光闌孔在技術(shù)上還有一定得困難 ,加之小光闌孔極易污染，因此，選區(qū)光闌都放在物鏡得像平面位置。這樣布置達(dá)到得效果與光闌放在樣品平面處就是完全一樣得。但光闌孔得直徑就可以做得比較大。如果物鏡得放大倍數(shù)就是50 倍，則一個直徑等于5 m 得光闌就可以選擇樣品上直徑為1得區(qū)域。8、掃描電鏡得組成（ 1）電子光學(xué)系統(tǒng)(鏡筒）；(2）掃描系統(tǒng) ;(3)信號收集系統(tǒng)與顯示記錄系統(tǒng);1）二次電子與背散射電子收集器2）顯示系統(tǒng)）

16、吸收電子檢測器4）射線檢測器(）真空系統(tǒng);（ )電源系統(tǒng)。放大倍數(shù) :在顯像管中電子束在熒光屏上最大掃描距離與在鏡筒中電子束針在式樣上最大掃描距離得比值 = /L， l 為熒光屏長度 ,L 為電子術(shù)在式樣上掃過得長度。表面形貌襯度 :利用與樣品表面形貌比較敏感得物理信號作為顯像管得調(diào)制信號襯度稱為表面形貌襯度。,所得到得像、明場像與暗場像如何區(qū)分?兩者各依賴那種成像理論?明場像 (BF ） :選用直射電子形成得像（透射束），像清晰。透射束成像暗場像（ D）：選用散射電子形成得像（衍射束），像有畸變、分辨率低。衍射束成像依賴衍射成像理論。1、產(chǎn)生核磁共振得條件就是什么?若外界提供一個電磁波，波得

17、頻率適當(dāng)， 能量恰好等于核得能量之差E,核進(jìn)動頻率與振蕩器所產(chǎn)生得旋轉(zhuǎn)磁場頻率相等,則原子核與電磁波發(fā)生共振，那么此原子核就可以從低能級躍遷到高能級，產(chǎn)生核磁共振吸收.2、怎樣判斷就是磁性原子核?當(dāng)原子得質(zhì)量數(shù)與原子序數(shù)有一個就是奇數(shù)時， 原子核就與電子一樣有自旋運動， 即磁性原子核 .、裂分峰數(shù)怎么計算 ?多重峰分裂強度有什么樣得規(guī)律？從峰分裂數(shù)中可以獲取什么信息？裂分峰數(shù)用n + 1 規(guī)則來計算（ n鄰近等性質(zhì)子個數(shù); +1裂分峰數(shù) )。2多重峰得相對強度為二項展開式（+b)n 得系數(shù) , n 為等價核得個數(shù).可以得到：相鄰碳原子上質(zhì)子數(shù)。3相鄰碳原子上得質(zhì)子數(shù)。、影響化學(xué)位移得因素有哪些

18、？怎么樣進(jìn)行影響得 ?屏蔽效應(yīng)與化學(xué)位移之間得關(guān)系就是怎樣得？1。電負(fù)性。與質(zhì)子相連元素得電負(fù)性越強，吸電子作用越強,價電子偏離質(zhì)子，屏蔽作用減弱 ,信號峰在低場出現(xiàn)。各向異性。各向異性效應(yīng)就是通過空間而起作用得。化學(xué)位移小 ,屏蔽強，共振需要得磁場強度大,在高場出現(xiàn)?；瘜W(xué)位移大 ,屏蔽弱 ,共振需要得磁場強度小，在低場出現(xiàn)。、為什么用 M 作為核磁共振得基準(zhǔn)?（ 1） 12 個氫處于完全相同得化學(xué)環(huán)境,只產(chǎn)生一個尖峰；（ 2)屏蔽強烈，位移最大.與有機化合物中得質(zhì)子峰不重迭;(3) 化學(xué)惰性；易溶于有機溶劑;沸點低，易回收6、 1HN R 譜圖能提供哪些化合物得結(jié)構(gòu)信息？1、峰得數(shù)目：標(biāo)志分

19、子中磁不等性質(zhì)得種類,多少種 .2、峰得強度 :每類質(zhì)子得數(shù)目，多少個。、峰得位移:每類質(zhì)子所處得化學(xué)環(huán)境，化合物中位置。4、峰得分裂數(shù):相鄰碳原子上質(zhì)子數(shù)；、偶合常數(shù):確定化合物構(gòu)型、影響DA 曲線得儀器、試樣、實驗條件因素有哪些，怎樣進(jìn)行影響得？）影響 TA 曲線得儀器因素:、爐子尺寸均溫區(qū)與溫度梯度得控制，爐膛直徑越小、長度越長、均溫區(qū)越大、差熱基線直、檢測性能穩(wěn)定2、坩堝大小與形狀，熱傳導(dǎo)性控制3、差熱電偶性能，材質(zhì)、尺寸、形狀、靈敏度選擇4、熱電偶與試樣相對位置，熱電偶熱端應(yīng)置于試樣中心2)影響DT 曲線得試樣因素：1、熱容量與熱導(dǎo)率得變化應(yīng)選擇熱容量及熱導(dǎo)率與試樣相近得作為參比物2

20、、試樣得顆粒度，試樣顆粒越大 ,峰形趨于扁而寬。反之 ,顆粒越小 ,熱效應(yīng)溫度偏低，峰形變小。顆粒度要求： 10 目 30 目（ 0、04 0、 1 m）、試樣得結(jié)晶度、 純度與離子取代，結(jié)晶度好 ,峰形尖銳； 結(jié)晶度不好 ,則峰面積要小。純度、離子取代同樣會影響曲線.4、試樣得用量 ,試樣用量多 ,熱效應(yīng)大，峰頂溫度滯后，容易掩蓋鄰近小峰谷。以少為原則 .硅酸鹽試樣用量：、 2-0、 3 克5、試樣得裝填,裝填要求 :薄而均勻，試樣與參比物得裝填情況一致6、熱中性體 (參比物），整個測溫范圍無熱反應(yīng)，比熱與導(dǎo)熱性與試樣相近，粒度與試樣相近（ 1003 0 目篩），常用得參比物 : Al2O3

21、 （經(jīng) 1 70K, 煅燒得高純氧化鋁粉， Al2 晶型）3）影響 TA 曲線得實驗條件因素：1、加熱速度，加熱速度快,峰尖而窄，形狀拉長，甚至相鄰峰重疊。加熱速度慢,峰寬而矮，形狀扁平，熱效應(yīng)起始溫度超前。2、壓力與氣氛 ,對體積變化大試樣，外界壓力增大，熱反應(yīng)溫度向高溫方向移動。氣氛會影響差熱曲線形態(tài) .、影響TG曲線得儀器、試樣、實驗條件因素有哪些，怎樣進(jìn)行影響得？(1) 浮力及對流得影響，浮力與對流引起熱重曲線得基線漂移，浮力影響：為常溫得 /2,1173K 時為 /4 左右。573K時浮力約熱天平內(nèi)外溫差造成得對流會影響稱量得精確度(2) 揮發(fā)物冷凝得影響，解決方案:熱屏板（ 3）溫

22、度測量得影響 ,解決方案 :利用具特征分解溫度得高純化合物或具特征居里點溫度得強磁性材料進(jìn)行溫度標(biāo)定 .(4 ）升溫速率 ,升溫速率越大，熱滯后越嚴(yán)重 ,易導(dǎo)致起始溫度與終止溫度偏高 ,甚至不利于中間產(chǎn)物得測出。( )氣氛控制與反應(yīng)類型、分解產(chǎn)物得性質(zhì)與所通氣體得種類有關(guān).( ）坩堝形狀(8 ）試樣因素 -試樣用量、粒度、熱性質(zhì)及裝填方式等.用量大 ,因吸、放熱引起得溫度偏差大，且不利于熱擴散與熱傳遞。粒度細(xì)，反應(yīng)速率快間變窄。粒度粗則反應(yīng)較慢，反應(yīng)滯后。裝填緊密,反應(yīng)起始與終止溫度降低，反應(yīng)區(qū),試樣顆粒間接觸好,利于熱傳導(dǎo)，但不利于擴散9 、 D A （差熱分析 ) 與 DS ( 示差掃描量

23、熱法）得異同點？用示差掃描量熱法可以直接測量熱量,這就是與差熱分析得一個重要區(qū)別.DTA ：定性分析、測溫范圍大，1650 ,最高可達(dá)2400； DTA 在試樣發(fā)生熱效應(yīng)時，試樣得實際溫度已不就是程序升溫時所控制得溫度。 SC：定量分析、 測溫范圍 8以下； SC 由于試樣得熱量變化隨時可得到補償，試樣與參數(shù)與參比物得溫度始終相等，無溫差，無熱傳遞 ,檢測信號大，靈敏度與精度大有提高，分辨率高 .重現(xiàn)性好。DTA 與 D C 得共同特點就是峰得位置、形狀與峰得數(shù)目與物質(zhì)得性質(zhì)有關(guān) ,故可以定性地用來鑒定物質(zhì)； 峰面積得大小與反應(yīng)熱焓有關(guān) ,即 H=KS. 對 D曲線 ,K 就是與溫度、儀器與操

24、作條件有關(guān)得比例常數(shù) .而對 SC 曲線 ,就是與溫度無關(guān)得 比例常數(shù)。這說明在定量分析中 DSC 優(yōu)于 TA 。1、常見熱效應(yīng)就是怎樣進(jìn)行判斷得？1、吸熱效應(yīng) +失重，可能為脫水或分解過程。2、放熱效應(yīng) +增重，可能為氧化過程。3、吸熱 ,無重量變化 ,有體積變化時,可能為晶型轉(zhuǎn)變。11、紅外吸收光譜得產(chǎn)生條件？1、輻射光子具有得能量與發(fā)生振動躍遷所需得躍遷能量相等。2、輻射與物質(zhì)之間有耦合作用，分子振動必須伴隨偶極矩得變化。單原子與同核分子不能發(fā)生紅外吸收：NE、 E、 2、 O2.12、分子得振動形式有哪幾種？1、伸縮振動 - 對稱伸縮振動s 不對稱伸縮振動as2、彎曲振動- 面內(nèi)彎曲振

25、動（剪式振動s 面內(nèi)搖擺） - - 面外彎曲振動（面外搖擺扭曲振動） 3、振動自由度得概念，所能表達(dá)得意義就是怎樣得？分子得簡正振動數(shù)目稱為振動自由度.非線性分子得振動自由度 = 6、線性分子得振動自由度 =N-514、歸納一下不同有機化合物種類得特征峰信息?影響特征吸收峰得因素有哪些？、化學(xué)鍵得強度: 誘導(dǎo)效應(yīng) , 共軛效應(yīng)2、組成化學(xué)鍵得原子質(zhì)量15、如何辯認(rèn)分子離子峰？1) 原則上除同位素峰外，分子離子峰就是最高質(zhì)量得峰。2）分子離子峰應(yīng)符合“氮律 。在、 H、組成得化合物中, 分子離子峰得質(zhì)量數(shù)一定就是偶數(shù)；在含C、 N 化合物中 , 含 0 個或偶數(shù)個得分子量為偶數(shù)，含奇數(shù)個N得分子

26、量為奇數(shù)3) 分子離子峰與鄰近峰得質(zhì)量差就是否合理。有機分子失去碎片大小就是有規(guī)律得：如失去、 C 3、 2O、 2H5、，因而質(zhì)譜圖中可瞧到- ， 15， 8，M8 等峰。6、質(zhì)譜分析得基本過程?1、首先確認(rèn)分子峰，確認(rèn)分子量。2、用同位素峰強比法或精密質(zhì)量法確定分子式3、計算不飽與度。4、解析某些主要質(zhì)譜峰得歸屬及峰間關(guān)系5、推定結(jié)構(gòu)、驗證 : 查對標(biāo)準(zhǔn)光譜驗證或參考其她光譜及物理常數(shù)17、同位素峰與分子離子峰得強度比得關(guān)系？由于各種元素得同位素在自然界中得豐度就是一定得， 因此同位素與分子離子峰得比值就是一個常數(shù) .18、色譜得分類、定義、實質(zhì)就是什么？a、 分類 :1. 按兩相分子得聚集狀態(tài)分 : 液相色譜氣