模擬電子技術學習筆記

1、本證半導體：純凈晶體結(jié)構(gòu)的導體。 常用的有硅和鍺。在外電場的作用下，自由電子定向移動形成電子電流；從而破壞晶格間原有的共價鍵，出現(xiàn)電子的空位，稱為空穴?？昭ㄒ策M行位置的相對移動，形成空穴電流。N型半導體：在本征半導體中加入+5價的元素，（磷，銻，砷）。使導體內(nèi)的每一個原子周圍除形成共價鍵之外，有一個游離的電子，N型半導體的多數(shù)載流子電子，少數(shù)載流子空穴。電子受力移動，留下施主雜質(zhì)帶正電 （不參與導電）。 所以，雜質(zhì)半導體，多數(shù)載流子主要取決于雜質(zhì)的濃度。少數(shù)載流子有共價鍵提供，其濃度取決于溫度。整個半導體內(nèi)先電中性。當達到平衡時，擴散運動與漂移運動的作用相等，通過界面的總載流子數(shù)為零，PN結(jié)的

2、電流為0；PN結(jié)交界區(qū)形成一個高阻區(qū)，稱為耗盡層。 P型半導體本征半導體+微量正3價元素，晶格內(nèi)形成共價鍵時，少電子而多空穴，即為多數(shù)載流子。電子則為少數(shù)載流子。 雜質(zhì)元素稱為受主雜質(zhì)，在外界能量的作用下形成空穴的移動，留下帶負電的雜質(zhì)離子。主要靠空穴導電，PN結(jié)P型與N型的交界處形成PN結(jié)。交界兩側(cè)電子與空穴濃度差懸殊，產(chǎn)生擴散運動。電子由N向P移動，形成P向N的電子電流。交界P,N分別留下（漂移）了不能移動且顯負，正的雜質(zhì)離子，從而形成N向P的自建電場，阻礙了擴散運動，中將達到二者平衡。擴散電容PN結(jié)的導電性正向電壓P接電源高電壓，N接電源低電壓，外加電場與自建場方向相反，阻擋層變窄，促進

3、多子擴散，PN結(jié)導通。反向電壓N接電源高電壓，P接電源低電壓反向電壓超過0.幾V時少子基本在電場作用下，形成漂移電流，少子不因為電壓變大而增多，反向電流基本不變，即飽和電流。外加電場與自建場方向相同，阻擋層變寬，促進少子漂移，PN結(jié)截止，電流方向與正向偏置時相反，稱為反向電流。少子成小電流，反向電流很小。擊穿特性雪奔擊穿（碰撞擊穿）少子能量過大，與原子碰撞，從而形成電子空穴對。如此連鎖反應，反向電流快速增加。電壓超過門限值，PN結(jié)擊穿 擊穿不一定PN結(jié)的損壞齊納擊穿（電場擊穿）原子間的價電子直接拉出，形成電子空穴對，反向電流急劇增加。勢壘電容工作在擊穿條件下，反向電流變化大，電壓卻變化很小，即

4、具有穩(wěn)壓性。穩(wěn)壓二極管二極管的應用：限幅電路 門電路三極管的結(jié)構(gòu)及類型無論是PNP還是NPN型的三極管，都包含三個區(qū)：發(fā)射區(qū)(c)、基區(qū)(b)和集電極區(qū)(e)。 集電結(jié) 發(fā)射結(jié)正向反向正向飽和狀態(tài)放大狀態(tài)反向反向放大截止狀態(tài) 三極管的接法： Ie=Ic+Ib(共基極電流放大系數(shù)，共發(fā)射極電流放大系數(shù)) 1：發(fā)射結(jié)(c)重摻雜。三極管的放大作用 2：基區(qū)(e)很薄。 3：集電極面積大。 1：當Uce不變時，輸入回路中的電流Ib與電壓Ube之間的關 系曲線稱為輸入特性三極管的特性曲線： 2：當Ib不變時，輸出回路中的電流Ic與電壓Uce之間的關系 曲線稱為輸出特性直流分析：即靜態(tài)分析，基極電流Ib、集電極電流Ic=Ib，Uce。 電容 開路 (先畫出直流通路) 電感 短路 信號源 短路共設極的電路： 1、輸入電壓與輸出電壓反相。 2、頂部失真，輸入回路就出現(xiàn)開始失真。（飽和） Uce減小到極限 3、底部失