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1、本證半導(dǎo)體:純凈晶體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體。 常用的有硅和鍺。在外電場(chǎng)的作用下,自由電子定向移動(dòng)形成電子電流;從而破壞晶格間原有的共價(jià)鍵,出現(xiàn)電子的空位,稱為空穴??昭ㄒ策M(jìn)行位置的相對(duì)移動(dòng),形成空穴電流。N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中加入+5價(jià)的元素,(磷,銻,砷)。使導(dǎo)體內(nèi)的每一個(gè)原子周圍除形成共價(jià)鍵之外,有一個(gè)游離的電子,N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子電子,少數(shù)載流子空穴。電子受力移動(dòng),留下施主雜質(zhì)帶正電 (不參與導(dǎo)電)。 所以,雜質(zhì)半導(dǎo)體,多數(shù)載流子主要取決于雜質(zhì)的濃度。少數(shù)載流子有共價(jià)鍵提供,其濃度取決于溫度。整個(gè)半導(dǎo)體內(nèi)先電中性。當(dāng)達(dá)到平衡時(shí),擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)動(dòng)的作用相等,通過界面的總載流子數(shù)為零,PN結(jié)的
2、電流為0;PN結(jié)交界區(qū)形成一個(gè)高阻區(qū),稱為耗盡層。 P型半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體+微量正3價(jià)元素,晶格內(nèi)形成共價(jià)鍵時(shí),少電子而多空穴,即為多數(shù)載流子。電子則為少數(shù)載流子。 雜質(zhì)元素稱為受主雜質(zhì),在外界能量的作用下形成空穴的移動(dòng),留下帶負(fù)電的雜質(zhì)離子。主要靠空穴導(dǎo)電,PN結(jié)P型與N型的交界處形成PN結(jié)。交界兩側(cè)電子與空穴濃度差懸殊,產(chǎn)生擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。電子由N向P移動(dòng),形成P向N的電子電流。交界P,N分別留下(漂移)了不能移動(dòng)且顯負(fù),正的雜質(zhì)離子,從而形成N向P的自建電場(chǎng),阻礙了擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),中將達(dá)到二者平衡。擴(kuò)散電容PN結(jié)的導(dǎo)電性正向電壓P接電源高電壓,N接電源低電壓,外加電場(chǎng)與自建場(chǎng)方向相反,阻擋層變窄,促進(jìn)
3、多子擴(kuò)散,PN結(jié)導(dǎo)通。反向電壓N接電源高電壓,P接電源低電壓反向電壓超過0.幾V時(shí)少子基本在電場(chǎng)作用下,形成漂移電流,少子不因?yàn)殡妷鹤兇蠖龆啵聪螂娏骰静蛔?,即飽和電流。外加電?chǎng)與自建場(chǎng)方向相同,阻擋層變寬,促進(jìn)少子漂移,PN結(jié)截止,電流方向與正向偏置時(shí)相反,稱為反向電流。少子成小電流,反向電流很小。擊穿特性雪奔擊穿(碰撞擊穿)少子能量過大,與原子碰撞,從而形成電子空穴對(duì)。如此連鎖反應(yīng),反向電流快速增加。電壓超過門限值,PN結(jié)擊穿 擊穿不一定PN結(jié)的損壞齊納擊穿(電場(chǎng)擊穿)原子間的價(jià)電子直接拉出,形成電子空穴對(duì),反向電流急劇增加。勢(shì)壘電容工作在擊穿條件下,反向電流變化大,電壓卻變化很小,即
4、具有穩(wěn)壓性。穩(wěn)壓二極管二極管的應(yīng)用:限幅電路 門電路三極管的結(jié)構(gòu)及類型無論是PNP還是NPN型的三極管,都包含三個(gè)區(qū):發(fā)射區(qū)(c)、基區(qū)(b)和集電極區(qū)(e)。 集電結(jié) 發(fā)射結(jié)正向反向正向飽和狀態(tài)放大狀態(tài)反向反向放大截止?fàn)顟B(tài) 三極管的接法: Ie=Ic+Ib(共基極電流放大系數(shù),共發(fā)射極電流放大系數(shù)) 1:發(fā)射結(jié)(c)重?fù)诫s。三極管的放大作用 2:基區(qū)(e)很薄。 3:集電極面積大。 1:當(dāng)Uce不變時(shí),輸入回路中的電流Ib與電壓Ube之間的關(guān) 系曲線稱為輸入特性三極管的特性曲線: 2:當(dāng)Ib不變時(shí),輸出回路中的電流Ic與電壓Uce之間的關(guān)系 曲線稱為輸出特性直流分析:即靜態(tài)分析,基極電流Ib、集電極電流Ic=Ib,Uce。 電容 開路 (先畫出直流通路) 電感 短路 信號(hào)源 短路共設(shè)極的電路: 1、輸入電壓與輸出電壓反相。 2、頂部失真,輸入回路就出現(xiàn)開始失真。(飽和) Uce減小到極限 3、底部失
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