模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課件：1-半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)

1、第一章 半導(dǎo)體二極管和三極管,第一章 半導(dǎo)體二極管和三極管,1.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí),1.2 半導(dǎo)體二極管,1.3 晶體三極管,1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí),一、本征半導(dǎo)體,二、雜質(zhì)半導(dǎo)體,三、PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦?四、PN結(jié)的電容效應(yīng),一、本征半導(dǎo)體,導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。,本征半導(dǎo)體是純凈的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。,1、什么是半導(dǎo)體？什么是本征半導(dǎo)體？,導(dǎo)體鐵、鋁、銅等金屬元素等低價(jià)元素，其最外層電子在外電場(chǎng)作用下很容易產(chǎn)生定向移動(dòng)，形成電流。,絕緣體惰性氣體、橡膠等，其原子的最外層電子受原子核的束縛力很強(qiáng)，只有在外電場(chǎng)強(qiáng)到一定程度時(shí)才可能導(dǎo)電。,半導(dǎo)體硅（Si）、鍺（Ge），均

2、為四價(jià)元素，它們?cè)拥淖钔鈱与娮邮茉雍说氖`力介于導(dǎo)體與絕緣體之間。,2、本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu),由于熱運(yùn)動(dòng)，具有足夠能量的價(jià)電子掙脫共價(jià)鍵的束縛而成為自由電子,自由電子的產(chǎn)生使共價(jià)鍵中留有一個(gè)空位置，稱為空穴,自由電子與空穴相碰同時(shí)消失，稱為復(fù)合。,共價(jià)鍵,一定溫度下，自由電子與空穴對(duì)的濃度一定；溫度升高，熱運(yùn)動(dòng)加劇，掙脫共價(jià)鍵的電子增多，自由電子與空穴對(duì)的濃度加大。,外加電場(chǎng)時(shí)，帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴均參與導(dǎo)電，且運(yùn)動(dòng)方向相反。由于載流子數(shù)目很少，故導(dǎo)電性很差。,為什么要將半導(dǎo)體變成導(dǎo)電性很差的本征半導(dǎo)體？,3、本征半導(dǎo)體中的兩種載流子,運(yùn)載電荷的粒子稱為載流子。,溫度升高，熱運(yùn)動(dòng)加劇

3、，載流子濃度增大，導(dǎo)電性增強(qiáng)。 熱力學(xué)溫度0K時(shí)不導(dǎo)電。,二、雜質(zhì)半導(dǎo)體 1. N型半導(dǎo)體,磷（P）,雜質(zhì)半導(dǎo)體主要靠多數(shù)載流子導(dǎo)電。摻入雜質(zhì)越多，多子濃度越高，導(dǎo)電性越強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電性可控。,多數(shù)載流子,空穴比未加雜質(zhì)時(shí)的數(shù)目多了？少了？為什么？,2. P型半導(dǎo)體,硼（B）,多數(shù)載流子,P型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電，摻入雜質(zhì)越多，空穴濃度越高，導(dǎo)電性越強(qiáng)，,在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，溫度變化時(shí)，載流子的數(shù)目變化嗎？少子與多子變化的數(shù)目相同嗎？少子與多子濃度的變化相同嗎？,三、PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦?物質(zhì)因濃度差而產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。氣體、液體、固體均有之。,P區(qū)空穴濃度遠(yuǎn)高于N區(qū)。,N區(qū)自由電子濃度

4、遠(yuǎn)高于P區(qū)。,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使靠近接觸面P區(qū)的空穴濃度降低、靠近接觸面N區(qū)的自由電子濃度降低，產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng)。,PN 結(jié)的形成,因電場(chǎng)作用所產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為漂移運(yùn)動(dòng)。,參與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)的載流子數(shù)目相同，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，就形成了PN結(jié)。,由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使P區(qū)與N區(qū)的交界面缺少多數(shù)載流子，形成內(nèi)電場(chǎng)，從而阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行。內(nèi)電場(chǎng)使空穴從N區(qū)向P區(qū)、自由電子從P區(qū)向N 區(qū)運(yùn)動(dòng)。,PN結(jié)加正向電壓導(dǎo)通： 耗盡層變窄，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加劇，由于外電源的作用，形成擴(kuò)散電流，PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。,PN結(jié)加反向電壓截止： 耗盡層變寬，阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，有利于漂移運(yùn)動(dòng)，形成漂移電流。由于電流很小，故可近似認(rèn)為其截止。,PN 結(jié)的單

5、向?qū)щ娦?必要嗎？,清華大學(xué) 華成英 ,四、PN 結(jié)的電容效應(yīng),1. 勢(shì)壘電容,PN結(jié)外加電壓變化時(shí)，空間電荷區(qū)的寬度將發(fā)生變化，有電荷的積累和釋放的過(guò)程，與電容的充放電相同，其等效電容稱為勢(shì)壘電容Cb。,2. 擴(kuò)散電容,PN結(jié)外加的正向電壓變化時(shí)，在擴(kuò)散路程中載流子的濃度及其梯度均有變化，也有電荷的積累和釋放的過(guò)程，其等效電容稱為擴(kuò)散電容Cd。,結(jié)電容：,結(jié)電容不是常量！若PN結(jié)外加電壓頻率高到一定程度，則失去單向?qū)щ娦裕?問(wèn)題,為什么將自然界導(dǎo)電性能中等的半導(dǎo)體材料制成本征半導(dǎo)體，導(dǎo)電性能極差，又將其摻雜，改善導(dǎo)電性能？ 為什么半導(dǎo)體器件的溫度穩(wěn)定性差？是多子還是少子是影響溫度穩(wěn)定性的主要

6、因素？ 為什么半導(dǎo)體器件有最高工作頻率？,2 半導(dǎo)體二極管,一、二極管的組成,二、二極管的伏安特性及電流方程,三、二極管的等效電路,四、二極管的主要參數(shù),五、穩(wěn)壓二極管,一、二極管的組成,將PN結(jié)封裝，引出兩個(gè)電極，就構(gòu)成了二極管。,小功率二極管,大功率二極管,穩(wěn)壓 二極管,發(fā)光 二極管,一、二極管的組成,點(diǎn)接觸型：結(jié)面積小，結(jié)電容小，故結(jié)允許的電流小，最高工作頻率高。,面接觸型：結(jié)面積大，結(jié)電容大，故結(jié)允許的電流大，最高工作頻率低。,平面型：結(jié)面積可小、可大，小的工作頻率高，大的結(jié)允許的電流大。,二、二極管的伏安特性及電流方程,開(kāi)啟電壓,反向飽和電流,擊穿電壓,溫度的 電壓當(dāng)量,二極管的電流

7、與其端電壓的關(guān)系稱為伏安特性。,利用Multisim測(cè)試二極管伏安特性,從二極管的伏安特性可以反映出： 1. 單向?qū)щ娦?2. 伏安特性受溫度影響,T（）在電流不變情況下管壓降u 反向飽和電流IS，U(BR) T（）正向特性左移，反向特性下移,正向特性為指數(shù)曲線,反向特性為橫軸的平行線,增大1倍/10,三、二極管的等效電路,理想 二極管,近似分析中最常用,導(dǎo)通時(shí)i與u成線性關(guān)系,應(yīng)根據(jù)不同情況選擇不同的等效電路！,1. 將伏安特性折線化,？,100V？5V？1V？,2. 微變等效電路,Q越高，rd越小。,當(dāng)二極管在靜態(tài)基礎(chǔ)上有一動(dòng)態(tài)信號(hào)作用時(shí)，則可將二極管等效為一個(gè)電阻，稱為動(dòng)態(tài)電阻，也就是微

8、變等效電路。,ui=0時(shí)直流電源作用,小信號(hào)作用,靜態(tài)電流,四、二極管的主要參數(shù),最大整流電流IF：最大平均值 最大反向工作電壓UR：最大瞬時(shí)值 反向電流 IR：即IS 最高工作頻率fM：因PN結(jié)有電容效應(yīng),第四版P20,討論：解決兩個(gè)問(wèn)題,如何判斷二極管的工作狀態(tài)？ 什么情況下應(yīng)選用二極管的什么等效電路？,uD=ViR,ID,UD,V與uD可比，則需圖解：,實(shí)測(cè)特性,對(duì)V和Ui二極管的模型有什么不同？,五、穩(wěn)壓二極管,1. 伏安特性,進(jìn)入穩(wěn)壓區(qū)的最小電流,不至于損壞的最大電流,由一個(gè)PN結(jié)組成，反向擊穿后在一定的電流范圍內(nèi)端電壓基本不變，為穩(wěn)定電壓。,2. 主要參數(shù),穩(wěn)定電壓UZ、穩(wěn)定電流I

9、Z,最大功耗PZM IZM UZ,動(dòng)態(tài)電阻rzUZ /IZ,若穩(wěn)壓管的電流太小則不穩(wěn)壓，若穩(wěn)壓管的電流太大則會(huì)因功耗過(guò)大而損壞，因而穩(wěn)壓管電路中必需有限制穩(wěn)壓管電流的限流電阻！,限流電阻,斜率？,1.3 晶體三極管,一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號(hào),二、晶體管的放大原理,三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性,四、溫度對(duì)晶體管特性的影響,五、主要參數(shù),一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號(hào),多子濃度高,多子濃度很低，且很薄,面積大,晶體管有三個(gè)極、三個(gè)區(qū)、兩個(gè)PN結(jié)。,中功率管,大功率管,二、晶體管的放大原理,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流IE，復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成基極電流IB，漂移運(yùn)動(dòng)形成集電極電流IC。,少數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng),因發(fā)射區(qū)多子

10、濃度高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū),因基區(qū)薄且多子濃度低，使極少數(shù)擴(kuò)散到基區(qū)的電子與空穴復(fù)合,因集電區(qū)面積大，在外電場(chǎng)作用下大部分?jǐn)U散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū),基區(qū)空穴的擴(kuò)散,電流分配： IEIBIC IE擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成的電流 IB復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成的電流 IC漂移運(yùn)動(dòng)形成的電流,穿透電流,集電結(jié)反向電流,直流電流放大系數(shù),交流電流放大系數(shù),為什么基極開(kāi)路集電極回路會(huì)有穿透電流？,三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性,為什么UCE增大曲線右移？,對(duì)于小功率晶體管，UCE大于1V的一條輸入特性曲線可以取代UCE大于1V的所有輸入特性曲線。,為什么像PN結(jié)的伏安特性？,為什么UCE增大到一定值曲線右移就不明

11、顯了？,1. 輸入特性,2. 輸出特性,是常數(shù)嗎？什么是理想晶體管？什么情況下 ?,對(duì)應(yīng)于一個(gè)IB就有一條iC隨uCE變化的曲線。,為什么uCE較小時(shí)iC隨uCE變化很大？為什么進(jìn)入放大狀態(tài)曲線幾乎是橫軸的平行線？,飽和區(qū),放大區(qū),截止區(qū),晶體管的三個(gè)工作區(qū)域,晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí)，輸出回路的電流 iC幾乎僅僅決定于輸入回路的電流 iB，即可將輸出回路等效為電流 iB 控制的電流源iC 。,四、溫度對(duì)晶體管特性的影響,五、主要參數(shù),直流參數(shù)： 、 、ICBO、 ICEO,c-e間擊穿電壓,最大集電極電流,最大集電極耗散功率，PCMiCuCE,安全工作區(qū),交流參數(shù)：、fT（使1的信號(hào)頻率）,極限參數(shù)：ICM、PCM、U（BR）CEO,清華大學(xué) 華成英 ,討論一,由圖示特性求出PCM、ICM、U （BR）CEO 、。,