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1、MOS管擊穿的原因及解決方案MOS管被擊穿的原因及解決方案如下:第一、MOS管本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電,而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(U=Q/C),將管子損壞。雖然輸入端有抗靜電的保護(hù)措施,但仍需小心對(duì)待,在存儲(chǔ)和運(yùn)輸中最好用金屬容器或者導(dǎo)電材料包裝,不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。組裝、調(diào)試時(shí),工具、儀表、工作臺(tái)等均應(yīng)良好接地。要防止操作人員的靜電干擾造成的損壞,如不宜穿尼龍、化纖衣服,手或工具在接觸集成塊前最好先接一下地。對(duì)器件引線矯直彎曲或人工焊接時(shí),使用的設(shè)備必須良好接地。第二、電路輸入端的保護(hù)二極
2、管,其導(dǎo)通時(shí)電流容限一般為 在可能出現(xiàn)過(guò)大瞬態(tài)輸入電流(超過(guò))時(shí),應(yīng)串接輸入保護(hù)電阻。而129#在初期設(shè)計(jì)時(shí)沒(méi)有加入保護(hù)電阻,所以這也是MOS管可能擊穿的原因,而通過(guò)更換一個(gè)內(nèi)部有保護(hù)電阻的MOS管應(yīng)可防止此種失效的發(fā)生。還有由于保護(hù)電路吸收的瞬間能量有限,太大的瞬間信號(hào)和過(guò)高的靜電電壓將使保護(hù)電路失去作用。所以焊接時(shí)電烙鐵必須可靠接地,以防漏電擊穿器件輸入端,一般使用時(shí),可斷電后利用電烙鐵的余熱進(jìn)行焊接,并先焊其接地管腳。附錄:靜電的基本物理特征為:有吸引或排斥的力量;有電場(chǎng)存在,與大地有電位差;會(huì)產(chǎn)生放電電流。這三種情形會(huì)對(duì)電子元件造成以下影響:1.元件吸附灰塵,改變線路間的阻抗,影響元件
3、的功能和壽命。2.因電場(chǎng)或電流破壞元件絕緣層和導(dǎo)體,使元件不能工作(完全破壞)。3.因瞬間的電場(chǎng)軟擊穿或電流產(chǎn)生過(guò)熱,使元件受傷,雖然仍能工作,但是壽命受損。上述這三種情況中,如果元件完全破壞,必能在生產(chǎn)及品質(zhì)測(cè)試中被察覺(jué)而排除,影響較少。如果元件輕微受損,在正常測(cè)試中不易被發(fā)現(xiàn),在這種情形下,常會(huì)因經(jīng)過(guò)多次加工,甚至已在使用時(shí),才被發(fā)現(xiàn)破壞,不但檢查不易,而且損失亦難以預(yù)測(cè)。靜電對(duì)電子元件產(chǎn)生的危害不亞于嚴(yán)重火災(zāi)和爆炸事故的損失電子元件及產(chǎn)品在什么情況下會(huì)遭受靜電破壞呢?可以這么說(shuō):電子產(chǎn)品從生產(chǎn)到使用的全過(guò)程都遭受靜電破壞的威脅。從器件制造到插件裝焊、整機(jī)裝聯(lián)、包裝運(yùn)輸直至產(chǎn)品應(yīng)用,都在靜
4、電的威脅之下。在整個(gè)電子產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程中,每一個(gè)階段中的每一個(gè)小步驟,靜電敏感元件都可能遭受靜電的影響或受到破壞,而實(shí)際上最主要而又容易疏忽的一點(diǎn)卻是在元件的傳送與運(yùn)輸?shù)倪^(guò)程。在這個(gè)過(guò)程中,運(yùn)輸因移動(dòng)容易暴露在外界電場(chǎng)(如經(jīng)過(guò)高壓設(shè)備附近、工人移動(dòng)頻繁、車輛迅速移動(dòng)等)產(chǎn)生靜電而受到破壞,所以傳送與運(yùn)輸過(guò)程需要特別注意,以減少損失,避免無(wú)所謂的糾紛。場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別 (1)用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極 根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法:將萬(wàn)用表?yè)茉赗1k檔上,任選兩個(gè)電極,分別
5、測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時(shí),則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言,漏極和源極可互換,剩下的電極肯定是柵極。也可以將萬(wàn)用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個(gè)電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極,測(cè)其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測(cè)得的電阻值近似相等時(shí),則黑表筆所接觸的電極為柵極,其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測(cè)出的電阻值均很大,說(shuō)明是結(jié)的反向,即都是反向電阻,可以判定是溝道場(chǎng)效應(yīng)管,且黑表筆接的是柵極;若兩次測(cè)出的電阻值均很小,說(shuō)明是正向結(jié),即是正向電阻,判定為溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況,可以調(diào)換黑、紅表筆按上述
6、方法進(jìn)行測(cè)試,直到判別出柵極為止。 (2)用測(cè)電阻法判別場(chǎng)效應(yīng)管的好壞 測(cè)電阻法是用萬(wàn)用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極1與柵極2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法:首先將萬(wàn)用表置于或100檔,測(cè)量源極與漏極之間的電阻,通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊(cè)中可知,各種不同型號(hào)的管,其電阻值是各不相同的),如果測(cè)得阻值大于正常值,可能是由于內(nèi)部接觸不良;如果測(cè)得阻值是無(wú)窮大,可能是內(nèi)部斷極。然后把萬(wàn)用表置于檔,再測(cè)柵極1與2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值,當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無(wú)窮大,則說(shuō)明管是正常的;若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥?/p>
7、,則說(shuō)明管是壞的。要注意,若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極,可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè)。 (3)用感應(yīng)信號(hào)輸人法估測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力 具體方法:用萬(wàn)用表電阻的R100檔,紅表筆接源極,黑表筆接漏極,給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5的電源電壓,此時(shí)表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極,將人體的感應(yīng)電壓信號(hào)加到柵極上。這樣,由于管的放大作用,漏源電壓VDS和漏極電流I都要發(fā)生變化,也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化,由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極表針擺動(dòng)較小,說(shuō)明管的放大能力較差;表針擺動(dòng)較大,表明管的放大能力大;若表針不動(dòng),說(shuō)明管是壞的。 根據(jù)上述方法,我們用萬(wàn)用表的R100檔,測(cè)結(jié)型
8、場(chǎng)效應(yīng)管3DJ2F。先將管的極開(kāi)路,測(cè)得漏源電阻RDS為600,用手捏住極后,表針向左擺動(dòng),指示的電阻RDS為12k,表針擺動(dòng)的幅度較大,說(shuō)明該管是好的,并有較大的放大能力。 運(yùn)用這種方法時(shí)要說(shuō)明幾點(diǎn):首先,在測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管用手捏住柵極時(shí),萬(wàn)用表針可能向右擺動(dòng)(電阻值減小),也可能向左擺動(dòng)(電阻值增加)。這是由于人體感應(yīng)的交流電壓較高,而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同(或者工作在飽和區(qū)或者在不飽和區(qū))所致,試驗(yàn)表明,多數(shù)管的RDS增大,即表針向左擺動(dòng);少數(shù)管的RDS減小,使表針向右擺動(dòng)。但無(wú)論表針擺動(dòng)方向如何,只要表針擺動(dòng)幅度較大,就說(shuō)明管有較大的放大能力。第二,此方法對(duì)MOS場(chǎng)效
9、應(yīng)管也適用。但要注意,MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸人電阻高,柵極允許的感應(yīng)電壓不應(yīng)過(guò)高,所以不要直接用手去捏柵極,必須用于握螺絲刀的絕緣柄,用金屬桿去碰觸柵極,以防止人體感應(yīng)電荷直接加到柵極,引起柵極擊穿。第三,每次測(cè)量完畢,應(yīng)當(dāng)G-S極間短路一下。這是因?yàn)镚-S結(jié)電容上會(huì)充有少量電荷,建立起G電壓,造成再進(jìn)行測(cè)量時(shí)表針可能不動(dòng),只有將G-S極間電荷短路放掉才行。 (4)用測(cè)電阻法判別無(wú)標(biāo)志的場(chǎng)效應(yīng)管 首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳,也就是源極和漏極,余下兩個(gè)腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測(cè)的源極與漏極之間的電阻值記下來(lái),對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次,把其測(cè)得電阻值記下來(lái),兩次測(cè)得阻值較
10、大的一次,黑表筆所接的電極為漏極;紅表筆所接的為源極。用這種方法判別出來(lái)的、極,還可以用估測(cè)其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證,即放大能力大的黑表筆所接的是極;紅表筆所接地是極,兩種方法檢測(cè)結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極、源極的位置后,按、的對(duì)應(yīng)位置裝人電路,一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置,這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置,從而就確定了、S、G1、G2管腳的順序。 (5)用測(cè)反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小 對(duì) 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量跨導(dǎo)性能時(shí),可用紅表筆接源極、黑表筆接漏極,這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵極是開(kāi)路的,管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬(wàn)用表的歐姆檔選在R10k的高阻檔,此
11、時(shí)表內(nèi)電壓較高。當(dāng)用手接觸柵極時(shí),會(huì)發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化,其變化越大,說(shuō)明管的跨導(dǎo)值越高;如果被測(cè)管的跨導(dǎo)很小,用此法測(cè)時(shí),反向阻值變化不大。 二、.場(chǎng)效應(yīng)管的使用注意事項(xiàng) (1)為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管,在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管的耗散功率,最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。 (2)各類型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí),都要嚴(yán)格按要求的偏置接人電路中,要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是結(jié),溝道管柵極不能加正偏壓;溝道管柵極不能加負(fù)偏壓,等等。 (3)MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸人阻抗極高,所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤
12、其要注意,不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放人塑料盒子內(nèi),保存時(shí)最好放在金屬盒內(nèi),同時(shí)也要注意管的防潮。 (4)為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時(shí),先焊源極;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時(shí),應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等;當(dāng)然,如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵,焊接場(chǎng)效應(yīng)管是比較方便的,并且確保安全;在未關(guān)斷電源時(shí),絕對(duì)不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意。 (5)在安裝場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件;為了防管件振動(dòng)
13、,有必要將管殼體緊固起來(lái);管腳引線在彎曲時(shí),應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸毫米處進(jìn)行,以防止彎斷管腳和引起漏氣等。 對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管,要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用,必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器,確保殼體溫度不超過(guò)額定值,使器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作。 總之,確保場(chǎng)效應(yīng)管安全使用,要注意的事項(xiàng)是多種多樣,采取的安全措施也是各種各樣,廣大的專業(yè)技術(shù)人員,特別是廣大的電子愛(ài)好者,都要根據(jù)自己的實(shí)際情況出發(fā),采取切實(shí)可行的辦法,安全有效地用好場(chǎng)效應(yīng)管。 三.VMOS場(chǎng)效應(yīng)管 VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起
14、來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高(108W)、驅(qū)動(dòng)電流?。?.1A左右),還具有耐壓高(最高1200V)、工作電流大(1.5A100A)、輸出功率高(1250W)、跨導(dǎo)的線性好、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍)、功率放大器、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。 VMOS場(chǎng)效應(yīng)功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點(diǎn),尤其是其具有負(fù)的電流溫度系數(shù),即在柵-源電壓不變的情況下,導(dǎo)通電流會(huì)隨管溫升高而減小,故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象。因此,VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應(yīng)用
15、。 眾所周知,傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上,其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同,從圖1上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):第一,金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu);第二,具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流動(dòng),而是自重?fù)诫sN+區(qū)(源極S)出發(fā),經(jīng)過(guò)P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),最后垂直向下到達(dá)漏極D。電流方向如圖中箭頭所示,因?yàn)榱魍ń孛娣e增大,所以能通過(guò)大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應(yīng)管。國(guó)內(nèi)生產(chǎn)VMOS場(chǎng)效應(yīng)管的主要廠家有877廠、天津半導(dǎo)體器件四廠、杭州電子管廠等,典型產(chǎn)品有VN40
16、1、VN672、VMPT2等。 下面介紹檢測(cè)VMOS管的方法。 1判定柵極G 將萬(wàn)用表?yè)苤罵1k檔分別測(cè)量三個(gè)管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)窮大,并且交換表筆后仍為無(wú)窮大,則證明此腳為G極,因?yàn)樗土硗鈨蓚€(gè)管腳是絕緣的。 2判定源極S、漏極D 由圖1可見(jiàn),在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,可識(shí)別S極與D極。用交換表筆法測(cè)兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極,紅表筆接D極。 3測(cè)量漏-源通態(tài)電阻RDS(on) 將G-S極短路,選擇萬(wàn)用表的R1檔,黑表筆接S極,紅表筆接D極,阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。 由于
17、測(cè)試條件不同,測(cè)出的RDS(on)值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。例如用500型萬(wàn)用表R1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。 4檢查跨導(dǎo) 將萬(wàn)用表置于R1k(或R100)檔,紅表筆接S極,黑表筆接D極,手持螺絲刀去碰觸柵極,表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)愈大,管子的跨導(dǎo)愈高。 注意事項(xiàng): (1)VMOS管亦分N溝道管與P溝道管,但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對(duì)于P溝道管,測(cè)量時(shí)應(yīng)交換表筆的位置。 (2)有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護(hù)二極管,本檢測(cè)方法中的1、2項(xiàng)不再適用。 (3)目前市場(chǎng)上還有一種VMOS管功率模塊,專供交流電機(jī)調(diào)速器、逆變器使用。例如美國(guó)IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊,內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只,構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu)。 (4)現(xiàn)在市售V
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