AT45DB161D_中文資料

1、SPI 接口的 FLASH ROM AT45DB161D 的驅(qū)動(dòng)方法（1）芯片介紹AT45DB161D 是串行接口的閃存芯片，可工作在 2.5V2.7V，可廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)語(yǔ)音、圖像、程序代碼數(shù)據(jù)存儲(chǔ)中。AT45DB161D 支持 RapidS 串行接口，適用于高速場(chǎng)合。RapidS串行接口是與 SPI 相兼容的，速度可達(dá)到 66MHz。它包含有 17,301,504 個(gè)位，被組織為 4096 個(gè)頁(yè)，每個(gè)頁(yè) 512 或 528 個(gè)字節(jié)。除了主存儲(chǔ)器，AT45DB161D 還包括兩個(gè) SRAM 數(shù)據(jù)緩沖區(qū)，每個(gè)緩沖區(qū) 512/528 個(gè)字節(jié)。在主存儲(chǔ)器正在編程時(shí)，緩沖區(qū)是允許接收數(shù)據(jù)的，并且支持?jǐn)?shù)

2、據(jù)流式寫入。與并行 FLASH 儲(chǔ)存器不同，它采用 RapidS 串行接口，從而大大減少了可用引腳數(shù)量，同時(shí)也提高了系統(tǒng)可靠性，降低了開(kāi)關(guān)噪聲，縮小了封裝體積?？梢詰?yīng)用于商業(yè)、工業(yè)等需要高密度、低引腳數(shù)、低電壓與低功耗的應(yīng)用場(chǎng)合。AT45DB161D 允許簡(jiǎn)單的在系統(tǒng)重新編程，而無(wú)需輸入高編程電壓。芯片可以采用 2.5V3.6V 或 2.7V3.6V 單電源供電，進(jìn)行編程與讀取操作。它可以通過(guò)#CS 來(lái)進(jìn)行使能，并通過(guò)三線接口（SI、SO、SCK）進(jìn)行數(shù)據(jù)通信。（2）引腳配置與封裝1.芯片封裝圖2.引腳功能詳述符號(hào)名稱與功能有效電平類型#CS片選：#CS 用以選中芯片。當(dāng)#CS 被LOW輸入設(shè)

3、置為無(wú)效狀態(tài)時(shí)，芯片則不被選中，并且處于閑置狀態(tài)（不是深度睡眠狀態(tài)），輸出引腳 SO 處于高阻態(tài)。當(dāng)芯片未被選中時(shí)，從輸入引腳 SI輸入的數(shù)據(jù)將不被接受。#CS 引腳上的下降沿將會(huì)啟動(dòng)一個(gè)操作，而上跳沿則會(huì)結(jié)束一個(gè)操作。在一個(gè)內(nèi)部操作如芯片內(nèi)部的編程或擦除周期內(nèi)，芯片不會(huì)進(jìn)入閑置狀態(tài)，直到操作完畢。SCK串行時(shí)鐘：此引腳用來(lái)向芯片提供時(shí)-輸入鐘信號(hào)，有來(lái)控制數(shù)據(jù)流的出入。SI引腳上的命令、地址與輸入數(shù)據(jù)在時(shí)鐘 SCK 的上升沿被寫入，而 SO 引腳上的輸出數(shù)據(jù)則在時(shí)鐘的下降沿變化。SI串行輸入：SI 引腳用來(lái)向芯片以移-輸入位方式寫入數(shù)據(jù)。SI 引腳上的所有數(shù)據(jù)輸入包括命令與地址。SI 上的數(shù)

4、據(jù)在時(shí)鐘的上升沿寫入芯片。SO串行輸出：SO 引腳用來(lái)從芯片以移-輸出位方式輸出數(shù)據(jù)。SI 上的數(shù)據(jù)在時(shí)鐘的下降沿變化。#WP寫保護(hù)：當(dāng)#WP 被設(shè)置為有效時(shí)芯片LOW輸入的扇區(qū)將被保護(hù)起來(lái)，以防止編程與擦除對(duì)數(shù)據(jù)的破壞。但是扇區(qū)保護(hù)使能與扇區(qū)死鎖命令仍然可以被芯片識(shí)別。#WP 引腳在內(nèi)部被拉高，可以懸空。但是仍然建議在外部接到 VCC。#RESET復(fù)位：#RESET 引腳上的低電平會(huì)終LOW輸入止正在處理的操作并復(fù)位內(nèi)部狀態(tài)機(jī)到閑置狀態(tài)。#RESET 引腳上的低電平會(huì)使芯片一直處于復(fù)位狀態(tài)。當(dāng)#RESET 上轉(zhuǎn)為高電平后，才能進(jìn)行正常的操作。芯片內(nèi)部設(shè)置上電復(fù)位電路。當(dāng)此引腳不用時(shí)，外部接到

5、高電平。RDY/#BUSY就緒/忙碌狀態(tài)指示：此引腳是漏極-輸出開(kāi)路的輸出引腳。當(dāng)芯片處于忙狀態(tài)時(shí)（內(nèi)部操作過(guò)程中）此引腳為低電平，此引腳在正常狀態(tài)下為高電平（外部接上拉電阻）。當(dāng)正在進(jìn)行編程/擦除操作，比較操作與頁(yè)-緩沖區(qū)傳送時(shí)，被拉低。忙狀態(tài)指示 FLASH 儲(chǔ)存陣列與某一個(gè)緩沖區(qū)不能被操作，而對(duì)另一個(gè)緩沖區(qū)的讀與寫操作仍然可以進(jìn)行。VCC芯片電源供給-電源GND地：此引腳應(yīng)與系統(tǒng)地接在一起。-地（3）AT45DB161D 的功能框圖：（4）存儲(chǔ)器陣列：AT45DB161D 的儲(chǔ)存器陣列被分為 3 個(gè)級(jí)別的粒度，分別為扇區(qū)、塊與頁(yè)。下面的“存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)圖”對(duì)各個(gè)級(jí)別進(jìn)行了分析，詳細(xì)說(shuō)明了每個(gè)

6、扇區(qū)與塊的頁(yè)數(shù)。所有的編程操作都是針對(duì)于頁(yè)的。擦除操作可以作用于芯片、扇區(qū)、塊或頁(yè)。扇區(qū)結(jié)構(gòu)：（扇區(qū) 0A）8 頁(yè)4096/4224字節(jié) （扇區(qū) 0B）248 頁(yè) 126,976/130,944 字節(jié)（扇區(qū) 1 ）256 頁(yè) 131,072/135,168 字節(jié)（扇區(qū) 2 ）256 頁(yè) 131,072/135,168 字節(jié)（扇區(qū) 14）256 頁(yè) 131,072/135,168 字節(jié)（扇區(qū) 15）256 頁(yè) 131,072/135,168 字節(jié) 塊結(jié)構(gòu)：塊 0扇區(qū) 0塊 1塊 2塊 30扇區(qū) 1塊 31塊 32塊 33塊 62扇區(qū) 2塊 63塊 64塊 65塊 510塊 511頁(yè)結(jié)構(gòu)：頁(yè) 0頁(yè)

7、 1塊 0頁(yè) 6頁(yè) 7頁(yè) 8頁(yè) 9塊 1頁(yè) 14頁(yè) 15頁(yè) 16頁(yè) 17頁(yè) 18頁(yè) 4093頁(yè) 4094頁(yè) 4095（5）芯片操作：芯片的操作是通過(guò)單片機(jī)的指令來(lái)完成的。指令列表與指令操作碼在后面的“指令表”中有詳細(xì)的說(shuō)明。一個(gè)有效的指令由#CS 的下降沿來(lái)指示它的開(kāi)始，隨后是一個(gè)有意義的 8 位操作碼與緩存區(qū)或主存儲(chǔ)器的地址。當(dāng)#CS 為低時(shí)，由時(shí)鐘 SCK 引腳來(lái)控制由 SI 引腳寫入的操作碼與緩存區(qū)或主存儲(chǔ)器的地址。所有的指令、地址與數(shù)據(jù)在傳輸時(shí)都是高位在前的。528 字節(jié)模式下，緩沖區(qū)中數(shù)據(jù)的地址由 BFA9BFA0 來(lái)表示。主存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的地址由 PA11PA0 與 BA9BA0 來(lái)

8、表示，PA11PA0 用來(lái)表示 12 位頁(yè)地址，BA9BA0 表示 10 位的頁(yè)內(nèi)字節(jié)地址。在 512 字節(jié)模式下，緩沖區(qū)中數(shù)據(jù)地址由 BFA8BFA0 來(lái)表示(A8A0 表示 08 共 9 位地址數(shù)據(jù)，512 個(gè)字節(jié))。主存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的地址由 A20A0 來(lái)表示（020 共 21 位地址數(shù)據(jù)），其中 A20A9 是 12 位的頁(yè)地址（4096 頁(yè)），A8A0 為 9 位的頁(yè)內(nèi)字節(jié)地址（512 個(gè)字節(jié)）。（6）讀命令使用相應(yīng)的操作碼，數(shù)據(jù)可以從主存儲(chǔ)器或某一個(gè) SRAM 緩沖區(qū)中讀出。1. 連續(xù)讀（命令碼：E8H）：可以達(dá)到 66MHz在提供了主存儲(chǔ)器陣列的開(kāi)始地址后，在時(shí)鐘信號(hào)的作用下連續(xù)讀

9、命令可以從芯片中以數(shù)據(jù)流方式進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取，而無(wú)需額外的地址信息或控制信號(hào)。芯片內(nèi)部的地址計(jì)數(shù)器會(huì)在每一個(gè)時(shí)鐘周期后自動(dòng)自增，因而可以在不用寫入新的地址的情況下繼續(xù)讀取下一個(gè)字節(jié)。要進(jìn)行一次對(duì)頁(yè)（528 字節(jié)）的連續(xù)讀操作，操作碼 E8H 必須要寫入芯片中，隨后是 3 個(gè)字節(jié)的地址（22 位的頁(yè)與字節(jié)地址序列）與 4 個(gè)無(wú)關(guān)字節(jié)。開(kāi)始的 12 位（PA11PA0）來(lái)用表示將要讀取的數(shù)據(jù)在主存儲(chǔ)器中的頁(yè)地址。后 10 位（BA9BA0）用來(lái)表示字節(jié)在頁(yè)中的地址。而要進(jìn)行一次對(duì)頁(yè)（512 字節(jié)）的連續(xù)讀時(shí)，操作碼 E8H 同樣也要先寫入到芯片中，隨后是三個(gè)字節(jié)的地址與 4 個(gè)無(wú)關(guān)字節(jié)。21 位序列中

10、前 12 位（A20A9）表示要讀的數(shù)據(jù)在主存儲(chǔ)器的頁(yè)地址，后 9 位（A8A0）是頁(yè)內(nèi)的字節(jié)地址。那些無(wú)關(guān)字節(jié)在讀操作初始化時(shí)是必需的。在無(wú)關(guān)字節(jié)后，SCK 引腳上的時(shí)鐘信號(hào)使數(shù)據(jù)從 SO 引腳輸出。在操作寫入地址字節(jié)、無(wú)關(guān)字節(jié)與數(shù)據(jù)讀取的過(guò)程中，#CS 引腳上要保持低電平。連續(xù)讀到達(dá)一個(gè)頁(yè)的結(jié)尾時(shí)，芯片會(huì)從下個(gè)頁(yè)的開(kāi)頭繼續(xù)讀取，頁(yè)間的跨越是沒(méi)有延時(shí)的。當(dāng)主存儲(chǔ)器的最后一個(gè)位被讀出后，芯片會(huì)自動(dòng)返回到第一頁(yè)的開(kāi)頭繼續(xù)讀取。與頁(yè)間跨越相同的，從存儲(chǔ)器陣列結(jié)尾轉(zhuǎn)到開(kāi)頭也是無(wú)延時(shí)的。2. 連續(xù)讀（命令碼：0BH 高速模式）：可以達(dá)到 66MHz此命令可以在最高頻率以下的任意時(shí)鐘頻率下通過(guò)串行接口對(duì)

11、主存儲(chǔ)器進(jìn)行高速讀取。要進(jìn)行一次連續(xù)讀（頁(yè)容量為 528 字節(jié)），#CS 必須處于有效狀態(tài)，然后操作碼 0BH 必須寫入到芯片中，隨后是 3 字節(jié)地址與一個(gè)字節(jié)。22 位地址序列中的前 12 位（PA11PA0）表示將要讀取的數(shù)據(jù)在主存儲(chǔ)器中的頁(yè)地址，后 10 位（BA9BA0）表示頁(yè)內(nèi)的字節(jié)地址。要進(jìn)行一次連續(xù)讀（頁(yè)容量為 512 字節(jié)），同樣地，操作碼 OBH 也要先寫入芯片中，隨后是 3 字節(jié)地址（A20A0）與一個(gè)字節(jié)。在此字節(jié)后數(shù)據(jù)將在 SCK 引腳上的時(shí)鐘信號(hào)作用下從 SO 引腳輸出。同 1 中的內(nèi)容。3. 連續(xù)讀（命令碼：03H 低速模式）：可以達(dá)到 33MHz大部分與高速模式下

12、的連續(xù)讀是相同的。不同的在于 3 字節(jié)地址寫入后無(wú)需再寫入一個(gè)字節(jié)。4. 主存儲(chǔ)器頁(yè)讀（操作碼：D2H）主存儲(chǔ)器頁(yè)讀允許直接從 4096 個(gè)頁(yè)中某一個(gè)頁(yè)中讀取數(shù)據(jù)，而不影響緩沖區(qū)中的數(shù)據(jù)。其它的內(nèi)容與 1 相同。5. 緩存區(qū)讀（操作碼：緩沖區(qū) 1 D4H 或 D1H 緩沖區(qū) 2 D6H 或 D3H）主存儲(chǔ)陣列中的數(shù)據(jù)可以放在 SRAM 數(shù)據(jù)緩存區(qū)內(nèi)，使用緩存區(qū)讀命令允許直接從緩沖區(qū)中讀取數(shù)據(jù)。操作碼的選用要根據(jù)時(shí)鐘頻率而定。D4H、D6H 與 D1H、D3H可以分別使用在頻率低于 66MHz 與 33MHz 的情況下。要進(jìn)行一次緩沖區(qū)讀（528 字節(jié)），操作碼必須先寫入芯片，隨后是 3 字節(jié)地

13、址（14 個(gè)無(wú)關(guān)位與 10 位緩沖區(qū)地址）。要進(jìn)行一次緩沖區(qū)讀（512 字節(jié)），操作同樣也要先寫入芯片，隨后是 3 字節(jié)地址（15個(gè)無(wú)關(guān)位與 9 位緩沖區(qū)地址）。在地址字節(jié)后，一個(gè)無(wú)關(guān)字節(jié)必須要寫入芯片以初始化讀操作。在操作碼、地址字節(jié)、無(wú)關(guān)字節(jié)寫入的過(guò)程中，#CS 引腳必須保持低電平。當(dāng)?shù)竭_(dá)緩沖區(qū)的結(jié)尾時(shí)，芯片會(huì)自動(dòng)返回到緩沖區(qū)的開(kāi)始。#CS 的上跳沿將終止讀操作。（7）編程與擦除命令1. 緩沖區(qū)寫（操作碼：緩沖區(qū) 1 84H 緩沖區(qū) 2 87H）數(shù)據(jù)可以通過(guò) SI 引腳寫入緩沖區(qū) 1 或 2 中。要將數(shù)據(jù)寫入緩沖區(qū)（528 字節(jié)），操作碼必須先寫入芯片，隨后是 3 字節(jié)地址（14 位無(wú)關(guān)位

14、與 10 位緩沖區(qū)地址BFA9BFA0）。這 10 位地址表示要寫入的數(shù)據(jù)的第一個(gè)字節(jié)的緩沖區(qū)地址。要將數(shù)據(jù)寫入緩沖區(qū)（512 字節(jié)），操作碼同樣也要先寫入芯片，隨后是 3 字節(jié)地址（15個(gè)無(wú)關(guān)位與 9 位緩沖區(qū)地址 BFA8BFA0）。這 9 位緩沖區(qū)地址表示要寫入的每個(gè)字節(jié)的地址。在最后一個(gè)地址位寫入后，就可以開(kāi)始向其寫入數(shù)據(jù)了。如果到達(dá)了緩沖區(qū)的結(jié)尾，則芯片會(huì)自動(dòng)返回到緩沖區(qū)的開(kāi)頭。數(shù)據(jù)會(huì)繼續(xù)寫入到緩沖區(qū)中，直到#CS 引腳上產(chǎn)生上跳沿為止。2. 緩沖向主存儲(chǔ)器頁(yè)編程（帶預(yù)擦除 操作碼：緩沖區(qū) 1 83H 緩沖區(qū) 2 86H）被寫入到緩沖中的數(shù)據(jù)可以被編程到主存儲(chǔ)器中。先寫入操作碼，對(duì)于

15、頁(yè)容量為 528 字節(jié)的情況，隨后是 3 字節(jié)地址（2 個(gè)無(wú)關(guān)位，12 位頁(yè)地址 PA11PA0 與10 個(gè)無(wú)關(guān)位）。而對(duì)于容量為 512 字節(jié)的情況，操作碼寫入后，隨后是 3 字節(jié)地址（3 個(gè)無(wú)關(guān)位，12 位的地址位 A20A9 與 9 個(gè)無(wú)關(guān)位）。當(dāng)#CS 引腳的上跳沿時(shí)，芯片會(huì)先擦除主存儲(chǔ)器中所選中的頁(yè)（擦除后都為邏輯 1），然后將緩沖區(qū)中的數(shù)據(jù)編程到頁(yè)中。擦除與編程操作都是內(nèi)部進(jìn)行的，并會(huì)在一定時(shí)間內(nèi)完成。在這期間，狀態(tài)寄存器與 RDY/#BUSY 都會(huì)指示芯片處于忙狀態(tài)。3. 緩沖區(qū)向主存儲(chǔ)器頁(yè)編程（無(wú)預(yù)擦除 操作碼：緩沖區(qū) 1 88H 緩沖區(qū) 2 89H）主存儲(chǔ)器中已經(jīng)被擦除的頁(yè)可

16、以通過(guò)此操作由緩沖區(qū)向其編程。與有預(yù)擦除的操作不同就在于它是無(wú)預(yù)擦除的。4. 頁(yè)擦除（操作碼：81H）頁(yè)擦除操作可以獨(dú)立對(duì)主存儲(chǔ)陣列中某一個(gè)頁(yè)進(jìn)行擦除，隨后可以對(duì)該頁(yè)進(jìn)行緩沖區(qū)向主存儲(chǔ)器頁(yè)編程（無(wú)預(yù)擦除）操作。對(duì)于頁(yè)容量為 528 字節(jié)的情況，先要寫入操作碼，隨后是 3 字節(jié)地址（2 個(gè)無(wú)關(guān)位，12 位頁(yè)地址 PA11P10 與 10 個(gè)無(wú)關(guān)位）。對(duì)于頁(yè)容量 512 字節(jié)的情況，也要先寫入操作碼，隨后是 3 字節(jié)地址（3個(gè)無(wú)關(guān)位，12 位頁(yè)地址 A20A9 與 9 個(gè)無(wú)關(guān)位）。當(dāng)#CS 引腳上產(chǎn)生上跳沿時(shí)，芯片會(huì)擦除所選中的頁(yè)（擦除后都為邏輯 1）。擦除操作是內(nèi)部進(jìn)行的，并會(huì)在一定時(shí)間內(nèi)完成。

17、在這期間，狀態(tài)寄存器與 RDY/#BUSY 都會(huì)指示芯片處于忙狀態(tài)。5. 塊擦除（操作碼：50H）塊擦除操作可以使塊內(nèi)的 8 個(gè)頁(yè)一次全部擦除。這個(gè)命令可以用在有大量數(shù)據(jù)需要寫入的時(shí)候，可以避免多次調(diào)用寫擦除命令。在頁(yè)容量為 528 字節(jié)時(shí)，操作碼先要寫入芯片，隨后是 3 字節(jié)地址（2 個(gè)無(wú)關(guān)位，9 位頁(yè)地址 PA11PA3 ，13 個(gè)無(wú)關(guān)位）。要進(jìn)行一次塊擦除操作（頁(yè)容量 512 字節(jié)），也要先寫入操作碼，隨后是 3 字節(jié)地址（3 個(gè)無(wú)關(guān)位，9 位頁(yè)地址 A20A12 與 12 個(gè)無(wú)關(guān)位）。當(dāng)#CS 上產(chǎn)生上跳沿時(shí)，芯片將擦除選中的塊。擦除操作是內(nèi)部進(jìn)行的，并會(huì)在一定時(shí)間內(nèi)完成。在這期間，狀

18、態(tài)寄存器與 RDY/#BUSY 都會(huì)指示芯片處于忙狀態(tài)。塊擦除地址如下表所示：PA11/PA10/PA9/PA8/PA7/PA6/PA5/PA4/PA3/PA2/PA1/PA0/BLOCKA20A19A18A17A16A15A14A13A12A11A10A9000000000XXX0000000001XXX1000000010XXX2000000011XXX311111100XXX50811111101XXX50911111110XXX51011111111XXX5116. 扇區(qū)擦除（操作碼：7CH）扇區(qū)擦除命令可以獨(dú)立對(duì)主存儲(chǔ)器中的某一個(gè)扇區(qū)進(jìn)行擦除。一共有 16 個(gè)扇區(qū)，每次扇區(qū)擦除操作只

19、能對(duì)一個(gè)扇區(qū)進(jìn)行擦除。頁(yè)容量為 528 字節(jié)時(shí)，要對(duì)扇區(qū)0A 或扇區(qū) 0B 進(jìn)行擦除，需要先寫入操作碼，隨后是 3 字節(jié)地址（2 個(gè)無(wú)關(guān)位，9位頁(yè)地址 PA11PA3 與 13 個(gè)無(wú)關(guān)位）。要擦除扇區(qū) 115，也要先寫入操作碼，隨后是 3 字節(jié)地址（2 個(gè)無(wú)關(guān)位，4 位頁(yè)地址 PA11PA8 與 18 個(gè)無(wú)關(guān)位）。頁(yè)容量為 512 字節(jié)時(shí)，要對(duì)扇區(qū) 0A 或扇區(qū) 0B 進(jìn)行擦除，先寫入操作碼，隨后是 3 字節(jié)地址（3 個(gè)無(wú)關(guān)位，9 位頁(yè)地址 A20A12 與 12 個(gè)無(wú)關(guān)位）。要擦除扇區(qū) 115，也要先寫入操作碼，隨后是 4 字節(jié)地址（3 個(gè)無(wú)關(guān)位，4 位頁(yè)地址 A20A17 與 17 個(gè)無(wú)關(guān)

20、位）。擦除操作是內(nèi)部進(jìn)行的，并會(huì)在一定時(shí)間內(nèi)完成。在這期間，狀態(tài)寄存器與 RDY/#BUSY 都會(huì)指示芯片處于忙狀態(tài)。7. 片擦除（操作碼：C7H、94H、80H 與 9AH）主存儲(chǔ)器可以使用片擦除命令一次全部擦除。要進(jìn)行一次片擦除操作，先要寫入操作碼，無(wú)須寫入地址，交且操作過(guò)程中任何寫入的數(shù)據(jù)都是無(wú)效的。操作碼寫入后，#CS 引腳上的上跳沿可以開(kāi)始擦除過(guò)程。在操作過(guò)程中，狀態(tài)寄存器指示芯片處于忙狀態(tài)。那些被保護(hù)或死鎖的扇區(qū)不受此命令的影響，其數(shù)據(jù)不會(huì)發(fā)生改變。只有那些沒(méi)有保護(hù)或死鎖的扇區(qū)會(huì)被擦除。芯片在進(jìn)行擦除操作的過(guò)程中#WP 引腳可以設(shè)為有效，但是在內(nèi)部擦除周期完成前保護(hù)不會(huì)生效。8.

21、通過(guò)緩沖區(qū)對(duì)主存儲(chǔ)器頁(yè)編程（操作碼：緩沖區(qū) 1 82H 緩沖區(qū) 2 85H）這個(gè)命令是緩沖區(qū)寫與緩沖區(qū)向主存儲(chǔ)器頁(yè)編程（帶預(yù)擦除）兩條命令的綜合。數(shù)據(jù)先從輸入引腳 SI 寫入緩沖區(qū) 1 或 2，再?gòu)木彌_區(qū)向指定的頁(yè)編程。在頁(yè)容量為 528 字節(jié)時(shí)，要進(jìn)行一次此操作，先要寫入操作碼，再將數(shù)據(jù)寫入到緩沖區(qū)中，然后向芯片寫入 3 字節(jié)地址（2 個(gè)無(wú)關(guān)位，12 位頁(yè)地址 PA11PA0 與 10 位緩沖區(qū)地址 BFA9BFA0）。在頁(yè)容量為 512 字節(jié)時(shí)，要進(jìn)行此操作，也要先將操作碼寫入，再將數(shù)據(jù)寫入到緩沖區(qū)中，隨后是 3 字節(jié)地址（3 個(gè)無(wú)關(guān)位，12 位頁(yè)地址 A20A9 與 9 位緩沖區(qū)地址 B

22、FA8BFA0）。所有的地址字節(jié)都被寫入后，就可以通過(guò)輸入引腳向芯片寫入數(shù)據(jù)了。當(dāng)#CS 引腳上出現(xiàn)上跳沿時(shí)，芯片先會(huì)擦除主存儲(chǔ)器所選中的頁(yè)，然后將存在緩沖區(qū)中的數(shù)據(jù)編程到頁(yè)中去。編程操作是在芯片內(nèi)部進(jìn)行的，并會(huì)在一定時(shí)間內(nèi)完成。在這期間，狀態(tài)寄存器與 RDY/#BUSY 都會(huì)指示芯片處于忙狀態(tài)。（8）扇區(qū)保護(hù)AT45DB161D 提供硬件與軟件兩種方法對(duì)扇區(qū)進(jìn)行保護(hù)，以使其避免數(shù)據(jù)的破壞。軟件的方法是通過(guò)軟件命令來(lái)實(shí)現(xiàn)扇區(qū)保護(hù)的使能與禁止的。而硬件的方法則是通過(guò)使用#WP 引腳來(lái)實(shí)現(xiàn)的。通過(guò)“扇區(qū)保護(hù)寄存器”對(duì)哪一個(gè)扇區(qū)保護(hù)或不保護(hù)進(jìn)行選擇。要知道某一個(gè)扇區(qū)是否有保護(hù)，可以查詢狀態(tài)寄存器。1

23、. 扇區(qū)保護(hù)的軟件方法1）扇區(qū)保護(hù)使能命令（操作碼：3DH-2AH-7FH-A9H）指定的扇區(qū)通過(guò)使扇區(qū)保護(hù)使能命令可使其在編程與擦除操作中得以保護(hù)。要采用方法使能扇區(qū)保護(hù)，#CS 引腳必須處于有效狀態(tài)，從輸入引腳 SI 寫入 4 字節(jié)命令序列。寫入后，#CS 引腳轉(zhuǎn)為無(wú)效狀態(tài)，此時(shí)扇區(qū)保護(hù)就被使能了。命令字節(jié) 1字節(jié)2字節(jié)3字節(jié)4扇區(qū)保護(hù)使能命令3DH2AH7FHA9H扇區(qū)保護(hù)使能命令的時(shí)序圖：2）扇區(qū)保護(hù)禁止命令（操作碼：3DH-2AH-7FH-9AH）用軟件方法來(lái)禁止扇區(qū)保護(hù)時(shí)，除了寫入的操作碼序列不同，其它與扇區(qū)保護(hù)使能命令是相同的。命令字節(jié) 1字節(jié)2字節(jié)3字節(jié)4扇區(qū)保護(hù)禁止命令3DH

24、2AH7FH9AH扇區(qū)保護(hù)禁止命令的時(shí)序圖：3）軟件控制保護(hù)的各個(gè)方面軟件控制保護(hù)在#WP 沒(méi)有或不能被單片機(jī)控制的情況下是很有用的。在這種情況下，#WP 可以懸空（#WP 引腳在內(nèi)部拉高），扇區(qū)保護(hù)可以由以上兩種命令來(lái)控制。（9）保護(hù)的硬件控制#WP 引腳設(shè)為有效狀態(tài)后，在扇區(qū)保護(hù)寄存器中設(shè)置為保護(hù)的扇區(qū)及扇區(qū)保護(hù)寄存器自身在編程與擦除操作中可以得到保護(hù)。扇區(qū)保護(hù)寄存器與設(shè)置為保護(hù)的任何一個(gè)扇區(qū)，都不能被編程或擦除。要改變扇區(qū)保護(hù)寄存器的值只能將#WP 設(shè)為無(wú)效。如果#WP 被接到地，扇區(qū)保護(hù)寄存器的內(nèi)容不能被改變。如果#WP 被設(shè)為無(wú)效或接到 VCC，則其內(nèi)容可以被改變。#WP 會(huì)使保護(hù)的

25、軟件控制方法無(wú)效。例如：如果扇區(qū)原先并沒(méi)有被扇區(qū)保護(hù)使能命令保護(hù)，那么簡(jiǎn)單的把#WP 設(shè)為有效狀態(tài)就可以使能扇區(qū)保護(hù)。當(dāng)#WP 引腳設(shè)為有效狀態(tài)而扇區(qū)保護(hù)使能命令沒(méi)有執(zhí)行，扇區(qū)保護(hù)不會(huì)被使能。如果在#WP 引腳設(shè)為有效狀態(tài)前扇區(qū)保護(hù)使能命令被執(zhí)行了，那么只簡(jiǎn)單地將#WP 設(shè)為無(wú)效并不能禁止扇區(qū)保護(hù)。在這種情況下，扇區(qū)保護(hù)禁止命令需要在#WP 引腳無(wú)效時(shí)執(zhí)行來(lái)使扇區(qū)保護(hù)禁止。在#WP 引腳為有效時(shí)，扇區(qū)保護(hù)禁止命令會(huì)被忽略。1. 扇區(qū)保護(hù)寄存器非易揮發(fā)的（掉電不丟失）扇區(qū)保護(hù)寄存器指示哪些扇區(qū)被保護(hù)或未被保護(hù)。扇區(qū)保護(hù)寄存器包括 16 個(gè)字節(jié)，從第 0 到第 15 字節(jié)的不同值確定了扇區(qū) 0 到

26、 15 是否被保護(hù)。扇區(qū)保護(hù)寄存器是可以由用戶修改的，但在生新程序前必須先擦除。扇區(qū)保護(hù)寄存器：扇區(qū)號(hào)0（0A,0B）1 to 15保護(hù)見(jiàn)下表FFH未保護(hù)00H扇區(qū) 0（0A,0B）0A0B07 頁(yè)8255 頁(yè)位位數(shù)據(jù)值位 7,6位 5,43,21,0扇區(qū) 0A,0B 未保護(hù)0000xxxx0xH0A 保護(hù)（第 07 頁(yè)）1100xxxxCxH0B 保護(hù)（第 8255 頁(yè)）0011xxxx3xH扇區(qū) 0A（第 07 頁(yè)），0B（第 8255 頁(yè)）1111xxxxFxH注：從 ATMEL 出廠后 015 字節(jié)默認(rèn)值為 00H。1）擦除扇區(qū)保護(hù)寄存器命令（操作碼：3DH-2AH-7FH-CFH）為

27、了修改扇區(qū)保護(hù)寄存器的值，必須先使用擦除扇區(qū)保護(hù)寄存器命令將其擦除。要擦除扇區(qū)保護(hù)寄存器，#CS 必須設(shè)置為有效，然后將 4 字節(jié)的操作碼序列寫入芯片。在操作碼寫入后，需要將#CS 設(shè)置為無(wú)效，以初始化一個(gè)擦除操作。扇區(qū)保護(hù)寄存器的擦除需要一定的時(shí)間，此期間狀態(tài)寄存器會(huì)指示芯片處于忙狀態(tài)。如果在進(jìn)行擦除的過(guò)程中掉電，則扇區(qū)保護(hù)寄存器的擦除得不到保證。命令字節(jié)1字節(jié)2字節(jié)3字節(jié)4擦除扇區(qū)保護(hù)寄存器命令3DH2AH7FHCFH擦除扇區(qū)保護(hù)寄存器命令的時(shí)序圖：2）扇區(qū)保護(hù)寄存器編程命令（操作碼：3DH-2AH-7FH-FCH）在扇區(qū)保護(hù)寄存器被擦除后，就可以使用扇區(qū)保護(hù)寄存器編程命令對(duì)其進(jìn)行重新編程

28、。要對(duì)扇區(qū)保護(hù)寄存器進(jìn)行編程，必須先將#CS 設(shè)為有效，從 SI 引腳寫入 4字節(jié)操作碼序列。寫入后，再將要寫入扇區(qū)保護(hù)寄存器的內(nèi)容寫入。扇區(qū)保護(hù)寄存器中包括有 16 個(gè)字節(jié)，所以要寫入 16 個(gè)字節(jié)。每個(gè)字節(jié)對(duì)應(yīng)對(duì)寄存器中的每個(gè)單元。16 個(gè)字節(jié)被寫入后，#CS 引腳需要設(shè)為無(wú)效以初始化一個(gè)編程周期。編程過(guò)程需要一定的時(shí)間，在此期間狀態(tài)寄存器指示芯片處于忙狀態(tài)。如果在進(jìn)行編程的過(guò)程中掉電，則扇區(qū)保護(hù)寄存器中的內(nèi)容的修改得不到保證。如果在#CS 引腳無(wú)效以前沒(méi)有寫入適當(dāng)數(shù)量的字節(jié)，則沒(méi)有字節(jié)與其相對(duì)應(yīng)的寄存器單元所對(duì)應(yīng)扇區(qū)保護(hù)狀態(tài)的改變不能保證。如果扇區(qū)保護(hù)寄存器中的字節(jié)不是 00H 或 FF

29、H，則相應(yīng)單元所對(duì)應(yīng)的扇區(qū)保護(hù)狀態(tài)的改變不能保證。扇區(qū)保護(hù)寄存器編程命令利用內(nèi)部 SRAM 數(shù)據(jù)緩沖區(qū) 1 來(lái)實(shí)現(xiàn)編程操作。緩沖區(qū) 1 的數(shù)據(jù)在命令執(zhí)行完畢后會(huì)恢復(fù)回到原來(lái)的數(shù)據(jù)。命令 字節(jié) 1 字節(jié) 2 字節(jié) 3 字節(jié) 4扇區(qū)保護(hù)寄存器編程命令 3DH 2AH 7FH 9AH扇區(qū)保護(hù)寄存器編程命令的時(shí)序圖：3）扇區(qū)保護(hù)寄存器讀取命令（操作碼：32H）要讀取扇區(qū)保護(hù)寄存器，首先要將#CS 引腳設(shè)為有效，從 SI 引腳寫入操作碼與三個(gè)字節(jié)。寫入后，芯片便可以從 SO 引腳輸出數(shù)據(jù)。第一個(gè)字節(jié)是扇區(qū) 0 的內(nèi)容，第二個(gè)字節(jié)是扇區(qū) 1 的內(nèi)容，最后一個(gè)字節(jié)是扇區(qū) 15 的內(nèi)容。在最后一個(gè)字節(jié)輸出后，

30、再輸出的數(shù)據(jù)就為未定義數(shù)據(jù)。最后必須要將#CS 設(shè)為無(wú)效狀態(tài)以終止扇區(qū)保護(hù)寄存器讀取操作，并使輸出轉(zhuǎn)為高阻態(tài)。命令字節(jié)1字節(jié)2字節(jié)3字節(jié)4扇區(qū)保護(hù)寄存器讀取命令32HXXHXXHXXH扇區(qū)保護(hù)寄存器的時(shí)序圖：4）扇區(qū)保護(hù)寄存器的各個(gè)方面扇區(qū)保護(hù)寄存器約可以擦/寫 10000 次。使用者會(huì)很關(guān)心芯片在其應(yīng)用系統(tǒng)中的使用壽命。如果應(yīng)用系統(tǒng)中需要多于 10000 次對(duì)扇區(qū)保護(hù)寄存器的修改，因?yàn)樗枰R時(shí)性地對(duì)某一個(gè)扇區(qū)不加以保護(hù)，那么應(yīng)用系統(tǒng)就要限制自身的使用。要合理地設(shè)計(jì)應(yīng)用系統(tǒng)，以使其對(duì)扇區(qū)保護(hù)寄存器的個(gè)性不超過(guò) 10000 次。（10）安全措施1）扇區(qū)死鎖命令（3DH-2AH-7FH-30H）

31、這一命令應(yīng)用于商業(yè)上。芯片可以通過(guò)扇區(qū)死鎖命令對(duì)某一個(gè)扇區(qū)進(jìn)行死鎖，從而使扇區(qū)變?yōu)橹蛔x的。這在應(yīng)用中是很有用的，用來(lái)存儲(chǔ)代碼或安全信息。當(dāng)一個(gè)扇區(qū)被死鎖后，它就不能再被擦除或編程，也不能解鎖。要執(zhí)行扇區(qū)死鎖命令，#CS 引腳要設(shè)為有效狀態(tài)，寫入 4 字節(jié)操作碼序列，一定按正確的順序?qū)懭?。寫入后，再寫?3 字節(jié)地址。在地址寫入后，再將#CS引腳設(shè)為無(wú)效狀態(tài)以初始化一個(gè)內(nèi)部死鎖操作。在進(jìn)行死鎖操作的過(guò)程中，狀態(tài)寄存器指示芯片處于忙狀態(tài)。如果操作過(guò)程中掉電，則死鎖操作得不到保證。在這種情況下，使用者應(yīng)讀取扇區(qū)死鎖寄存器以確定相應(yīng)的扇區(qū)是否已經(jīng)死鎖。命令字節(jié)1字節(jié)2字節(jié)3字節(jié)4扇區(qū)死鎖命令3DH2A

32、H7FH30H扇區(qū)死鎖命令的時(shí)序圖：1. 扇區(qū)死鎖寄存器扇區(qū)死鎖寄存器中包含 16 個(gè)字節(jié)，如下表所示：扇區(qū)號(hào)0（0A,0B）1 to 15保護(hù)見(jiàn)下表FFH未保護(hù)00H扇區(qū) 0（0A,0B）0A0B07 頁(yè)8255 頁(yè)位位數(shù)據(jù)值位 7,6位 5,43,21,0扇區(qū) 0A,0B 未保護(hù)0000000000H0A 保護(hù)（第 07 頁(yè)）11000000C0H0B 保護(hù)（第 8255 頁(yè)）0011000030H扇區(qū) 0A（第 07 頁(yè)），0B（第 8255 頁(yè)）11110000F0H2. 扇區(qū)死鎖寄存器讀取命令（操作碼：35H）扇區(qū)死鎖寄存器中的數(shù)據(jù)可以讀取以確定扇區(qū)是否被死鎖。要讀取扇區(qū)死鎖寄存器，#CS 引腳必須設(shè)為有效，通過(guò) SI 引腳寫入操作碼與 3 個(gè)字節(jié)。寫入后，扇區(qū)死鎖寄存器中的數(shù)據(jù)將從 SO 引腳輸出。每一個(gè)字節(jié)是扇區(qū) 0 （0A,0B）的內(nèi)容，第二個(gè)字節(jié)是扇區(qū) 1 的內(nèi)