多晶硅,單晶硅,非晶硅區(qū)別.doc

單晶硅,多晶硅,非晶硅簡介及區(qū)別名 稱：單晶硅英文名： Monocrystalline silicon 分子式： Si 單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分。硅的單晶體，具有基本完整的點陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導材料。純度要求達到99.9999，甚至達到99.9999999以上。用于制造半導體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。熔融的單質(zhì)硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。單晶硅具有準金屬的物理性質(zhì)，有較弱的導電性，其電導率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導電性。超純的單晶硅是本征半導體。在超純單晶硅中摻入微量的A族元素，如硼可提高其導電的程度，而形成p型硅半導體；如摻入微量的A族元素，如磷或砷也可提高導電程度，形成n型硅半導體。單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。單晶硅主要用于制作半導體元件。用 途： 是制造半導體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關(guān)器件等。名 稱：多晶硅英文名：polycrystalline silicon性 質(zhì)：灰色金屬光澤。密度2.322.34。熔點1410。沸點2355。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆，切割時易碎裂。加熱至800以上即有延性，1300時顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導體材料，但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導電性。多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。用 途：電子工業(yè)中廣泛用于制造半導體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎(chǔ)材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經(jīng)冷凝、精餾、還原而得。 名 稱：非晶硅英文名：amorphous silicon非晶硅是一種直接能帶半導體，它的結(jié)構(gòu)內(nèi)部有許多所謂的“懸鍵”，也就是沒有和周圍的硅原子成鍵的電子，這些電子在電場作用下就可以產(chǎn)生電流，并不需要聲子的幫助，因而非晶硅可以做得很薄，還有制作成本低的優(yōu)點非晶硅的制備：由非晶態(tài)合金的制備知道，要獲得非晶態(tài)，需要有高的冷卻速率，而對冷卻速率的具體要求隨材料而定。硅要求有極高的冷卻速率，用液態(tài)快速淬火的方法目前還無法得到非晶態(tài)。近年來，發(fā)展了許多種氣相淀積非晶態(tài)硅膜的技術(shù)，其中包括真空蒸發(fā)、輝光放電、濺射及化學氣相淀積等方法。一般所用的主要原料是單硅烷（SiH4）、二硅烷（Si2H6）、四氟化硅（SiF4）等，純度要求很高。用 途：可以制成非晶硅場效應晶體管；用于液晶顯示器件、集成式aSi倒相器、集成式圖象傳感器、以及雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器等器件中作為非線性器件；利用非晶硅膜可以制成各種光敏、位敏、力敏、熱敏等傳感器；利用非晶硅膜制做靜電復印感光膜，不僅復印速率會大大提高，而且圖象清晰，使用壽命長；等等。單晶硅、非晶硅、多晶硅的區(qū)別1區(qū)別晶體非晶體？ 日常所見到的固體分為非晶體和晶體兩大類，非晶體物質(zhì)的內(nèi)部原子排列沒有一定的規(guī)律，當斷裂時斷口也是隨機的，如塑料和玻璃等，而稱之為晶體的物質(zhì)，外形呈現(xiàn)天然的有規(guī)則的多面體，具有明顯的棱角與平面，其內(nèi)部的原子是按照一定的規(guī)律整齊的排列起來，所以破裂時也按照一定的平面斷開，如食鹽、水晶等。 2區(qū)別單晶體和多晶體？ 有的晶體是由許許多多的小晶粒組成，若晶粒之間的排列沒有規(guī)則，這種晶體稱之為多晶體，如金屬銅和鐵。但也有晶體本身就是一個完整的大晶粒，這種晶體稱之為單晶體，如水晶和晶剛石。 3單晶硅與多晶硅光伏電池的比較？ 單晶硅電池具有電池轉(zhuǎn)換效率