場(chǎng)效應(yīng)管教學(xué)設(shè)計(jì).doc

1.3場(chǎng)效晶體管課型： 新 課授課班級(jí)：153授課時(shí)數(shù)：1教學(xué)目標(biāo)：1掌握?qǐng)鲂Ьw管結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和類型。2了解場(chǎng)效晶體管電壓放大原理。教學(xué)重點(diǎn)：1場(chǎng)效晶體管類型、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和工作原理。2場(chǎng)效晶體管與三極管的比較。教學(xué)難點(diǎn)：場(chǎng)效晶體管電壓放大原理。教學(xué)過程：A引入半導(dǎo)體三極管是利用輸入電流控制輸出電流的半導(dǎo)體器件，稱為電流控制型器件。場(chǎng)效晶體管是利用輸入電壓產(chǎn)生電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電流的器件，稱為電壓控制型器件。B新授課1.3場(chǎng)效晶體管1.3.1結(jié)型場(chǎng)效晶體管1符號(hào)和分類（1）電路符號(hào)和外形三個(gè)電極：漏極（D）、源極（S）、柵極（G），D和S可交換使用，電路符號(hào)和外形如圖所示。（2）分類結(jié)型場(chǎng)效晶體管可分為P溝道和N溝道兩種。2電壓放大作用（1）放大電路（2）總結(jié)：場(chǎng)效晶體管共源極電路中，漏極電流受柵源電壓控制。場(chǎng)效晶體管是電壓控制器件，具有電壓放大作用。1.3.2絕緣柵場(chǎng)效晶體管柵極與漏、源極完全絕緣的場(chǎng)效晶體管，稱絕緣柵場(chǎng)效晶體管。1電路符號(hào)和分類四種場(chǎng)效晶體管的電路符號(hào)如圖所示。N溝道增強(qiáng)型P溝道增強(qiáng)型N溝道耗盡型 P溝道耗盡型 N溝道箭頭指向內(nèi)。溝道用虛線為增強(qiáng)型，用實(shí)線為耗盡型，N溝道稱NMOS管。 P溝道箭頭指向外。溝道用虛線為增強(qiáng)型，用實(shí)線為耗盡型，P溝道稱PMOS管。2結(jié)構(gòu)和工作原理以N溝道增強(qiáng)型MOSFET為例。（1）結(jié)構(gòu) N型區(qū)引出兩個(gè)電極：漏極（D）、源極（S）。 在源區(qū)和漏區(qū)之間的襯底表面覆蓋一層很薄的絕緣層，再在絕緣層上覆蓋一層金屬薄層，形成柵極（G）。 從襯底基片上引出一個(gè)電極，稱為襯底電極。（2）工作原理工作原理示意圖如圖所示。 當(dāng)= 0時(shí)，漏極電流 0，處于截止?fàn)顟B(tài)。 增大，超過開啟電壓，形成漏區(qū)和源區(qū)間的導(dǎo)電溝道。若此時(shí)在漏極和源極之間加正向電壓 0，就會(huì)形成漏極電流?？偨Y(jié)：越大，導(dǎo)電溝道越寬，溝道電阻越小，越大。則通過調(diào)節(jié)可控制漏極電流。（3）輸出特性和轉(zhuǎn)移特性（與晶體管類似）。3電壓放大作用MOS場(chǎng)效晶體管放大電路與結(jié)型場(chǎng)效晶體管放大電路的工作原理相似。不同的是N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效晶體管的的正向電壓應(yīng)大于開啟電壓才能正常工作。而N溝道耗盡型場(chǎng)效晶體管的不僅可取負(fù)值，取正值和零均能正常工作。P溝道MOS管的工作電路只需將相應(yīng)的電壓方向改變即可。1.3.3MOSFET和三極管的比較1MOSFET溫度穩(wěn)定性好。2MOSFET輸入電阻極高，因此，MOSFET放大級(jí)對(duì)前級(jí)的放大能力影響極小。3MOSFET存放時(shí)，應(yīng)使柵極與源極短接，避免柵極懸空。4MOSFET的源極和漏極可以互換使用。C 練 習(xí)：1場(chǎng)效晶體管是一種_控制器件，用_極電壓來(lái)控制_極電流。它具有高_(dá)和低_特性。2場(chǎng)效晶體管有_場(chǎng)效晶體管和_場(chǎng)效晶體管兩大類，每類又有_溝道和_溝道的區(qū)分。D小 結(jié)：1場(chǎng)效晶體管分為結(jié)型場(chǎng)效晶體管和絕緣柵型場(chǎng)效晶體管。2場(chǎng)效晶體管