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電子知識(shí)特斯拉線圈(9)什么是特斯拉線圈 特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈,因?yàn)檫@是從Tesla這個(gè)英文名直接音譯過(guò)來(lái)的。這是一種分布參數(shù)高頻共振變壓器,可以獲得上百萬(wàn)伏的高頻電壓。特斯拉線圈的原理是使用變壓器使普通電壓升壓,然后經(jīng)由兩極線圈,從放電終端放電的設(shè)備。通俗一點(diǎn)說(shuō),它是一個(gè)人工閃電制造器。 在世界各地都有特斯拉線圈的愛好者,他們做出了各種各樣的設(shè)備,制造出了眩目的人工閃電。 特斯拉線圈,它是由一個(gè)感應(yīng)圈、變壓器、打火器、兩個(gè)大電容器和一個(gè)初級(jí)線圈僅幾圈的互感器組成。原理是使用變壓器使普通電壓升壓,然后經(jīng)由兩極線圈,從放電終端放電的設(shè)備。通俗一點(diǎn)說(shuō),它是一個(gè)人工閃電制造器。放電時(shí),未打火時(shí)能量由變壓器傳遞到電容陣,當(dāng)電容陣充電完畢時(shí)兩極電壓達(dá)到擊穿打火器中的縫隙的電壓時(shí),打火器打火,此時(shí)電容陣與主線圈形成回路,完成L/C振蕩進(jìn)而將能量傳遞到次級(jí)線圈。 特斯拉線圈作用特斯拉線圈(Tesla Coil)是一種使用共振原理運(yùn)作的變壓器(共振變壓器),由美籍塞爾維亞裔科學(xué)家尼古拉特斯拉在1891年發(fā)明,主要用來(lái)生產(chǎn)超高電壓但低電流、高頻率的交流電力。特斯拉線圈由兩組(有時(shí)用三組)耦合的共振電路組成。特斯拉線圈難以界定,尼古拉特斯拉試行了大量的各種線圈的配置。特斯拉利用這些線圈進(jìn)行創(chuàng)新實(shí)驗(yàn),如電氣照明,熒光光譜,X射線,高頻率的交流電流現(xiàn)象,電療和無(wú)線電力,以便進(jìn)行電力傳輸。玩過(guò)紅色警戒的人都對(duì)這個(gè)有印象,蘇聯(lián)的所有磁暴武器均是特斯拉線圈,他可以用來(lái)接收能量,也可以把能量發(fā)射出去,這就是無(wú)線電力傳輸?shù)淖畛醢l(fā)明。IBIS模型是一種基于V/I曲線對(duì)I/O BUFFER快速準(zhǔn)確建模方法,是反映芯片驅(qū)動(dòng)和接收電氣特性一種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),它提供一種標(biāo)準(zhǔn)文件格式來(lái)記錄如驅(qū)動(dòng)源輸出阻抗、上升/下降時(shí)間及輸入負(fù)載等參數(shù),非常適合做振蕩和串?dāng)_等高頻效應(yīng)計(jì)算與仿真。 IBIS本身只是一種文件格式,它說(shuō)明在一標(biāo)準(zhǔn)IBIS文件中如何記錄一個(gè)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器不同參數(shù),但并不說(shuō)明這些被記錄參數(shù)如何使用,這些參數(shù)需要由使用IBIS模型仿真工具來(lái)讀取。欲使用IBIS進(jìn)行實(shí)際仿真,需要先完成四件工作:獲取有關(guān)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器原始信息源;獲取一種將原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為IBIS格式方法;提供用于仿真可被計(jì)算機(jī)識(shí)別布局布線信息;提供一種能夠讀取IBIS和布局布線格式并能夠進(jìn)行分析計(jì)算軟件工具。 IBIS模型優(yōu)點(diǎn)可以概括為:在I/O非線性方面能夠提供準(zhǔn)確模型,同時(shí)考慮了封裝寄生參數(shù)與ESD結(jié)構(gòu);提供比結(jié)構(gòu)化方法更快仿真速度;可用于系統(tǒng)板級(jí)或多板信號(hào)完整性分析仿真??捎肐BIS模型分析信號(hào)完整性問(wèn)題包括:串?dāng)_、反射、振蕩、上沖、下沖、不匹配阻抗、傳輸線分析、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分析。IBIS尤其能夠?qū)Ω咚僬袷幒痛當(dāng)_進(jìn)行準(zhǔn)確精細(xì)仿真,它可用于檢測(cè)最壞情況上升時(shí)間條件下信號(hào)行為及一些用物理測(cè)試無(wú)法解決情況;模型可以免費(fèi)從半導(dǎo)體廠商處獲取,用戶無(wú)需對(duì)模型付額外開銷;兼容工業(yè)界廣泛仿真平臺(tái)。 IBIS模型核由一個(gè)包含電流、電壓和時(shí)序方面信息列表組成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多,而精度只是稍有下降。 非會(huì)聚是SPICE模型和仿真器一個(gè)問(wèn)題,而在IBIS仿真中消除了這個(gè)問(wèn)題。實(shí)際上,所有EDA供應(yīng)商現(xiàn)在都支持IBIS模型,并且它們都很簡(jiǎn)便易用。 大多數(shù)器件IBIS模型均可從互聯(lián)網(wǎng)上免費(fèi)獲得??梢栽谕粋€(gè)板上仿真幾個(gè)不同廠商推出器件。 IBIS模型是一種基于V/I曲線對(duì)I/O BUFFER快速準(zhǔn)確建模方法,是反映芯片驅(qū)動(dòng)和接收電氣特性一種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),它提供一種標(biāo)準(zhǔn)文件格式來(lái)記錄如驅(qū)動(dòng)源輸出阻抗、上升/下降時(shí)間及輸入負(fù)載等參數(shù),非常適合做振蕩和串?dāng)_等高頻效應(yīng)計(jì)算與仿真。 IBIS本身只是一種文件格式,它說(shuō)明在一標(biāo)準(zhǔn)IBIS文件中如何記錄一個(gè)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器不同參數(shù),但并不說(shuō)明這些被記錄參數(shù)如何使用,這些參數(shù)需要由使用IBIS模型仿真工具來(lái)讀取。欲使用IBIS進(jìn)行實(shí)際仿真,需要先完成四件工作:獲取有關(guān)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器原始信息源;獲取一種將原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為IBIS格式方法;提供用于仿真可被計(jì)算機(jī)識(shí)別布局布線信息;提供一種能夠讀取IBIS和布局布線格式并能夠進(jìn)行分析計(jì)算軟件工具。 IBIS模型優(yōu)點(diǎn)可以概括為:在I/O非線性方面能夠提供準(zhǔn)確模型,同時(shí)考慮了封裝寄生參數(shù)與ESD結(jié)構(gòu);提供比結(jié)構(gòu)化方法更快仿真速度;可用于系統(tǒng)板級(jí)或多板信號(hào)完整性分析仿真??捎肐BIS模型分析信號(hào)完整性問(wèn)題包括:串?dāng)_、反射、振蕩、上沖、下沖、不匹配阻抗、傳輸線分析、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分析。IBIS尤其能夠?qū)Ω咚僬袷幒痛當(dāng)_進(jìn)行準(zhǔn)確精細(xì)仿真,它可用于檢測(cè)最壞情況上升時(shí)間條件下信號(hào)行為及一些用物理測(cè)試無(wú)法解決情況;模型可以免費(fèi)從半導(dǎo)體廠商處獲取,用戶無(wú)需對(duì)模型付額外開銷;兼容工業(yè)界廣泛仿真平臺(tái)。 IBIS模型核由一個(gè)包含電流、電壓和時(shí)序方面信息列表組成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多,而精度只是稍有下降。 非會(huì)聚是SPICE模型和仿真器一個(gè)問(wèn)題,而在IBIS仿真中消除了這個(gè)問(wèn)題。實(shí)際上,所有EDA供應(yīng)商現(xiàn)在都支持IBIS模型,并且它們都很簡(jiǎn)便易用。 大多數(shù)器件IBIS模型均可從互聯(lián)網(wǎng)上免費(fèi)獲得??梢栽谕粋€(gè)板上仿真幾個(gè)不同廠商推出器件。 IBIS模型是一種基于V/I曲線對(duì)I/O BUFFER快速準(zhǔn)確建模方法,是反映芯片驅(qū)動(dòng)和接收電氣特性一種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),它提供一種標(biāo)準(zhǔn)文件格式來(lái)記錄如驅(qū)動(dòng)源輸出阻抗、上升/下降時(shí)間及輸入負(fù)載等參數(shù),非常適合做振蕩和串?dāng)_等高頻效應(yīng)計(jì)算與仿真。 IBIS本身只是一種文件格式,它說(shuō)明在一標(biāo)準(zhǔn)IBIS文件中如何記錄一個(gè)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器不同參數(shù),但并不說(shuō)明這些被記錄參數(shù)如何使用,這些參數(shù)需要由使用IBIS模型仿真工具來(lái)讀取。欲使用IBIS進(jìn)行實(shí)際仿真,需要先完成四件工作:獲取有關(guān)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器原始信息源;獲取一種將原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為IBIS格式方法;提供用于仿真可被計(jì)算機(jī)識(shí)別布局布線信息;提供一種能夠讀取IBIS和布局布線格式并能夠進(jìn)行分析計(jì)算軟件工具。 IBIS模型優(yōu)點(diǎn)可以概括為:在I/O非線性方面能夠提供準(zhǔn)確模型,同時(shí)考慮了封裝寄生參數(shù)與ESD結(jié)構(gòu);提供比結(jié)構(gòu)化方法更快仿真速度;可用于系統(tǒng)板級(jí)或多板信號(hào)完整性分析仿真??捎肐BIS模型分析信號(hào)完整性問(wèn)題包括:串?dāng)_、反射、振蕩、上沖、下沖、不匹配阻抗、傳輸線分析、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分析。IBIS尤其能夠?qū)Ω咚僬袷幒痛當(dāng)_進(jìn)行準(zhǔn)確精細(xì)仿真,它可用于檢測(cè)最壞情況上升時(shí)間條件下信號(hào)行為及一些用物理測(cè)試無(wú)法解決情況;模型可以免費(fèi)從半導(dǎo)體廠商處獲取,用戶無(wú)需對(duì)模型付額外開銷;兼容工業(yè)界廣泛仿真平臺(tái)。 IBIS模型核由一個(gè)包含電流、電壓和時(shí)序方面信息列表組成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多,而精度只是稍有下降。 非會(huì)聚是SPICE模型和仿真器一個(gè)問(wèn)題,而在IBIS仿真中消除了這個(gè)問(wèn)題。實(shí)際上,所有EDA供應(yīng)商現(xiàn)在都支持IBIS模型,并且它們都很簡(jiǎn)便易用。 大多數(shù)器件IBIS模型均可從互聯(lián)網(wǎng)上免費(fèi)獲得??梢栽谕粋€(gè)板上仿真幾個(gè)不同廠商推出器件。 IBIS模型是一種基于V/I曲線對(duì)I/O BUFFER快速準(zhǔn)確建模方法,是反映芯片驅(qū)動(dòng)和接收電氣特性一種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),它提供一種標(biāo)準(zhǔn)文件格式來(lái)記錄如驅(qū)動(dòng)源輸出阻抗、上升/下降時(shí)間及輸入負(fù)載等參數(shù),非常適合做振蕩和串?dāng)_等高頻效應(yīng)計(jì)算與仿真。 IBIS本身只是一種文件格式,它說(shuō)明在一標(biāo)準(zhǔn)IBIS文件中如何記錄一個(gè)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器不同參數(shù),但并不說(shuō)明這些被記錄參數(shù)如何使用,這些參數(shù)需要由使用IBIS模型仿真工具來(lái)讀取。欲使用IBIS進(jìn)行實(shí)際仿真,需要先完成四件工作:獲取有關(guān)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器原始信息源;獲取一種將原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為IBIS格式方法;提供用于仿真可被計(jì)算機(jī)識(shí)別布局布線信息;提供一種能夠讀取IBIS和布局布線格式并能夠進(jìn)行分析計(jì)算軟件工具。 IBIS模型優(yōu)點(diǎn)可以概括為:在I/O非線性方面能夠提供準(zhǔn)確模型,同時(shí)考慮了封裝寄生參數(shù)與ESD結(jié)構(gòu);提供比結(jié)構(gòu)化方法更快仿真速度;可用于系統(tǒng)板級(jí)或多板信號(hào)完整性分析仿真??捎肐BIS模型分析信號(hào)完整性問(wèn)題包括:串?dāng)_、反射、振蕩、上沖、下沖、不匹配阻抗、傳輸線分析、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分析。IBIS尤其能夠?qū)Ω咚僬袷幒痛當(dāng)_進(jìn)行準(zhǔn)確精細(xì)仿真,它可用于檢測(cè)最壞情況上升時(shí)間條件下信號(hào)行為及一些用物理測(cè)試無(wú)法解決情況;模型可以免費(fèi)從半導(dǎo)體廠商處獲取,用戶無(wú)需對(duì)模型付額外開銷;兼容工業(yè)界廣泛仿真平臺(tái)。 IBIS模型核由一個(gè)包含電流、電壓和時(shí)序方面信息列表組成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多,而精度只是稍有下降。 非會(huì)聚是SPICE模型和仿真器一個(gè)問(wèn)題,而在IBIS仿真中消除了這個(gè)問(wèn)題。實(shí)際上,所有EDA供應(yīng)商現(xiàn)在都支持IBIS模型,并且它們都很簡(jiǎn)便易用。 大多數(shù)器件IBIS模型均可從互聯(lián)網(wǎng)上免費(fèi)獲得。可以在同一個(gè)板上仿真幾個(gè)不同廠商推出器件。 IBIS模型是一種基于V/I曲線對(duì)I/O BUFFER快速準(zhǔn)確建模方法,是反映芯片驅(qū)動(dòng)和接收電氣特性一種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),它提供一種標(biāo)準(zhǔn)文件格式來(lái)記錄如驅(qū)動(dòng)源輸出阻抗、上升/下降時(shí)間及輸入負(fù)載等參數(shù),非常適合做振蕩和串?dāng)_等高頻效應(yīng)計(jì)算與仿真。 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IBIS模型優(yōu)點(diǎn)可以概括為:在I/O非線性方面能夠提供準(zhǔn)確模型,同時(shí)考慮了封裝寄生參數(shù)與ESD結(jié)構(gòu);提供比結(jié)構(gòu)化方法更快仿真速度;可用于系統(tǒng)板級(jí)或多板信號(hào)完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信號(hào)完整性問(wèn)題包括:串?dāng)_、反射、振蕩、上沖、下沖、不匹配阻抗、傳輸線分析、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分析。IBIS尤其能夠?qū)Ω咚僬袷幒痛當(dāng)_進(jìn)行準(zhǔn)確精細(xì)仿真,它可用于檢測(cè)最壞情況上升時(shí)間條件下信號(hào)行為及一些用物理測(cè)試無(wú)法解決情況;模型可以免費(fèi)從半導(dǎo)體廠商處獲取,用戶無(wú)需對(duì)模型付額外開銷;兼容工業(yè)界廣泛仿真平臺(tái)。 IBIS模型核由一個(gè)包含電流、電壓和時(shí)序方面信息列表組成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多,而精度只是稍有下降。 非會(huì)聚是SPICE模型和仿真器一個(gè)問(wèn)題,而在IBIS仿真中消除了這個(gè)問(wèn)題。實(shí)際上,所有EDA供應(yīng)商現(xiàn)在都支持IBIS模型,并且它們都很簡(jiǎn)便易用。 大多數(shù)器件IBIS模型均可從互聯(lián)網(wǎng)上免費(fèi)獲得。可以在同一個(gè)板上仿真幾個(gè)不同廠商推出器件。 More: 數(shù)碼萬(wàn)年歷 More:s2csfa2IBIS模型是一種基于V/I曲線對(duì)I/O BUFFER快速準(zhǔn)確建模方法,是反映芯片驅(qū)動(dòng)和接收電氣特性一種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),它提供一種標(biāo)準(zhǔn)文件格式來(lái)記錄如驅(qū)動(dòng)源輸出阻抗、上升/下降時(shí)間及輸入負(fù)載等參數(shù),非常適合做振蕩和串?dāng)_等高頻效應(yīng)計(jì)算與仿真。 IBIS本身只是一種文件格式,它說(shuō)明在一標(biāo)準(zhǔn)IBIS文件中如何記錄一個(gè)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器不同參數(shù),但并不說(shuō)明這些被記錄參數(shù)如何使用,這些參數(shù)需要由使用IBIS模型仿真工具來(lái)讀取。欲使用IBIS進(jìn)行實(shí)際仿真,需要先完成四件工作:獲取有關(guān)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器原始信息源;獲取一種將原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為IBIS格式方法;提供用于仿真可被計(jì)算機(jī)識(shí)別布局布線信息;提供一種能夠讀取IBIS和布局布線格式并能夠進(jìn)行分析計(jì)算軟件工具。 IBIS模型優(yōu)點(diǎn)可以概括為:在I/O非線性方面能夠提供準(zhǔn)確模型,同時(shí)考慮了封裝寄生參數(shù)與ESD結(jié)構(gòu);提供比結(jié)構(gòu)化方法更快仿真速度;可用于系統(tǒng)板級(jí)或多板信號(hào)完整性分析仿真??捎肐BIS模型分析信號(hào)完整性問(wèn)題包括:串?dāng)_、反射、振蕩、上沖、下沖、不匹配阻抗、傳輸線分析、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分析。IBIS尤其能夠?qū)Ω咚僬袷幒痛當(dāng)_進(jìn)行準(zhǔn)確精細(xì)仿真,它可用于檢測(cè)最壞情況上升時(shí)間條件下信號(hào)行為及一些用物理測(cè)試無(wú)法解決情況;模型可以免費(fèi)從半導(dǎo)體廠商處獲取,用戶無(wú)需對(duì)模型付額外開銷;兼容工業(yè)界廣泛仿真平臺(tái)。 IBIS模型核由一個(gè)包含電流、電壓和時(shí)序方面信息列表組成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多,而精度只是稍有下降。 非會(huì)聚是SPICE模型和仿真器一個(gè)問(wèn)題,而在IBIS仿真中消除了這個(gè)問(wèn)題。實(shí)際上,所有EDA供應(yīng)商現(xiàn)在都支持IBIS模型,并且它們都很簡(jiǎn)便易用。 大多數(shù)器件IBIS模型均可從互聯(lián)網(wǎng)上免費(fèi)獲得??梢栽谕粋€(gè)板上仿真幾個(gè)不同廠商推出器件。 IBIS模型是一種基于V/I曲線對(duì)I/O BUFFER快速準(zhǔn)確建模方法,是反映芯片驅(qū)動(dòng)和接收電氣特性一種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),它提供一種標(biāo)準(zhǔn)文件格式來(lái)記錄如驅(qū)動(dòng)源輸出阻抗、上升/下降時(shí)間及輸入負(fù)載等參數(shù),非常適合做振蕩和串?dāng)_等高頻效應(yīng)計(jì)算與仿真。 IBIS本身只是一種文件格式,它說(shuō)明在一標(biāo)準(zhǔn)IBIS文件中如何記錄一個(gè)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器不同參數(shù),但并不說(shuō)明這些被記錄參數(shù)如何使用,這些參數(shù)需要由使用IBIS模型仿真工具來(lái)讀取。欲使用IBIS進(jìn)行實(shí)際仿真,需要先完成四件工作:獲取有關(guān)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器原始信息源;獲取一種將原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為IBIS格式方法;提供用于仿真可被計(jì)算機(jī)識(shí)別布局布線信息;提供一種能夠讀取IBIS和布局布線格式并能夠進(jìn)行分析計(jì)算軟件工具。 IBIS模型優(yōu)點(diǎn)可以概括為:在I/O非線性方面能夠提供準(zhǔn)確模型,同時(shí)考慮了封裝寄生參數(shù)與ESD結(jié)構(gòu);提供比結(jié)構(gòu)化方法更快仿真速度;可用于系統(tǒng)板級(jí)或多板信號(hào)完整性分析仿真??捎肐BIS模型分析信號(hào)完整性問(wèn)題包括:串?dāng)_、反射、振蕩、上沖、下沖、不匹配阻抗、傳輸線分析、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分析。IBIS尤其能夠?qū)Ω咚僬袷幒痛當(dāng)_進(jìn)行準(zhǔn)確精細(xì)仿真,它可用于檢測(cè)最壞情況上升時(shí)間條件下信號(hào)行為及一些用物理測(cè)試無(wú)法解決情況;模型可以免費(fèi)從半導(dǎo)體廠商處獲取,用戶無(wú)需對(duì)模型付額外開銷;兼容工業(yè)界廣泛仿真平臺(tái)。 IBIS模型核由一個(gè)包含電流、電壓和時(shí)序方面信息列表組成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多,而精度只是稍有下降。 非會(huì)聚是SPICE模型和仿真器一個(gè)問(wèn)題,而在IBIS仿真中消除了這個(gè)問(wèn)題。實(shí)際上,所有EDA供應(yīng)商現(xiàn)在都支持IBIS模型,并且它們都很簡(jiǎn)便易用。 大多數(shù)器件IBIS模型均可從互聯(lián)網(wǎng)上免費(fèi)獲得??梢栽谕粋€(gè)板上仿真幾個(gè)不同廠商推出器件。 IBIS模型是一種基于V/I曲線對(duì)I/O BUFFER快速準(zhǔn)確建模方法,是反映芯片驅(qū)動(dòng)和接收電氣特性一種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),它提供一種標(biāo)準(zhǔn)文件格式來(lái)記錄如驅(qū)動(dòng)源輸出阻抗、上升/下降時(shí)間及輸入負(fù)載等參數(shù),非常適合做振蕩和串?dāng)_等高頻效應(yīng)計(jì)算與仿真。 IBIS本身只是一種文件格式,它說(shuō)明在一標(biāo)準(zhǔn)IBIS文件中如何記錄一個(gè)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器不同參數(shù),但并不說(shuō)明這些被記錄參數(shù)如何使用,這些參數(shù)需要由使用IBIS模型仿真工具來(lái)讀取。欲使用IBIS進(jìn)行實(shí)際仿真,需要先完成四件工作:獲取有關(guān)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器原始信息源;獲取一種將原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為IBIS格式方法;提供用于仿真可被計(jì)算機(jī)識(shí)別布局布線信息;提供一種能夠讀取IBIS和布局布線格式并能夠進(jìn)行分析計(jì)算軟件工具。 IBIS模型優(yōu)點(diǎn)可以概括為:在I/O非線性方面能夠提供準(zhǔn)確模型,同時(shí)考慮了封裝寄生參數(shù)與ESD結(jié)構(gòu);提供比結(jié)構(gòu)化方法更快仿真速度;可用于系統(tǒng)板級(jí)或多板信號(hào)完整性分析仿真??捎肐BIS模型分析信號(hào)完整性問(wèn)題包括:串?dāng)_、反射、振蕩、上沖、下沖、不匹配阻抗、傳輸線分析、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分析。IBIS尤其能夠?qū)Ω咚僬袷幒痛當(dāng)_進(jìn)行準(zhǔn)確精細(xì)仿真,它可用于檢測(cè)最壞情況上升時(shí)間條件下信號(hào)行為及一些用物理測(cè)試無(wú)法解決情況;模型可以免費(fèi)從半導(dǎo)體廠商處獲取,用戶無(wú)需對(duì)模型付額外開銷;兼容工業(yè)界廣泛仿真平臺(tái)。 IBIS模型核由一個(gè)包含電流、電壓和時(shí)序方面信息列表組成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多,而精度只是稍有下降。 非會(huì)聚是SPICE模型和仿真器一個(gè)問(wèn)題,而在IBIS仿真中消除了這個(gè)問(wèn)題。實(shí)際上,所有EDA供應(yīng)商現(xiàn)在都支持IBIS模型,并且它們都很簡(jiǎn)便易用。 大多數(shù)器件IBIS模型均可從互聯(lián)網(wǎng)上免費(fèi)獲得??梢栽谕粋€(gè)板上仿真幾個(gè)不同廠商推出器件。 IBIS模型是一種基于V/I曲線對(duì)I/O BUFFER快速準(zhǔn)確建模方法,是反映芯片驅(qū)動(dòng)和接收電氣特性一種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),它提供一種標(biāo)準(zhǔn)文件格式來(lái)記錄如驅(qū)動(dòng)源輸出阻抗、上升/下降時(shí)間及輸入負(fù)載等參數(shù),非常適合做振蕩和串?dāng)_等高頻效應(yīng)計(jì)算與仿真。 IBIS本身只是一種文件格式,它說(shuō)明在一標(biāo)準(zhǔn)IBIS文件中如何記錄一個(gè)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器不同參數(shù),但并不說(shuō)明這些被記錄參數(shù)如何使用,這些參數(shù)需要由使用IBIS模型仿真工具來(lái)讀取。欲使用IBIS進(jìn)行實(shí)際仿真,需要先完成四件工作:獲取有關(guān)芯片驅(qū)動(dòng)器和接收器原始信息源;獲取一種將原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為IBIS格式方法;提供用于仿真可被計(jì)算機(jī)識(shí)別布局布線信息;提供一種能夠讀取IBIS和布局布線格式并能夠進(jìn)行分析計(jì)算軟件工具。 IBIS模型優(yōu)點(diǎn)可以概括為:在I/O非線性方面能夠提供準(zhǔn)確模型,同時(shí)考慮了封裝寄生參數(shù)與ESD結(jié)構(gòu);提供比結(jié)構(gòu)化方法更快仿真速度;可用于系統(tǒng)板級(jí)或多板信號(hào)完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信號(hào)完整性問(wèn)題包括:串?dāng)_、反射、振蕩、上沖、下沖、不匹配阻抗、傳輸線分析、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分析。IBIS尤其能夠?qū)Ω咚僬袷幒痛當(dāng)_進(jìn)行準(zhǔn)確精細(xì)仿真,它可用于檢測(cè)最壞情況上升時(shí)間條件下信號(hào)行為及一些用物理測(cè)試無(wú)法解決情況;模型可以免費(fèi)從半導(dǎo)體廠商處獲取,用戶無(wú)需對(duì)模型付額外開銷;兼容工業(yè)界廣泛仿真平臺(tái)。 IBIS模型核由一個(gè)包含電流、電壓和時(shí)序方面信息列表組成。IBIS

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