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-1-AT89C51的介紹描述AT89C51是一個(gè)低電壓,高性能CMOS8位單片機(jī)帶有4K字節(jié)的可反復(fù)擦寫的程序存儲(chǔ)器(PENROM)。和128字節(jié)的存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(RAM),這種器件采用ATMEL公司的高密度、不容易丟失存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn),并且能夠與MCS-51系列的單片機(jī)兼容。片內(nèi)含有8位中央處理器和閃爍存儲(chǔ)單元,有較強(qiáng)的功能的AT89C51單片機(jī)能夠被應(yīng)用到控制領(lǐng)域中。功能特性AT89C51提供以下的功能標(biāo)準(zhǔn):4K字節(jié)閃爍存儲(chǔ)器,128字節(jié)隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,32個(gè)I/O口,2個(gè)16位定時(shí)/計(jì)數(shù)器,1個(gè)5向量?jī)杉?jí)中斷結(jié)構(gòu),1個(gè)串行通信口,片內(nèi)震蕩器和時(shí)鐘電路。另外,AT89C51還可以進(jìn)行0HZ的靜態(tài)邏輯操作,并支持兩種軟件的節(jié)電模式。閑散方式停止中央處理器的工作,能夠允許隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、定時(shí)/計(jì)數(shù)器、串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。掉電方式保存隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中的內(nèi)容,但震蕩器停止工作并禁止其它所有部件的工作直到下一個(gè)復(fù)位。引腳描述VCC:電源電壓GND:地P0口:P0口是一組8位漏極開路雙向I/O口,即地址/數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。作為輸出口時(shí),每一個(gè)管腳都能夠驅(qū)動(dòng)8個(gè)TTL電路。當(dāng)“1”被寫入P0口時(shí),每個(gè)管腳都能夠作為高阻抗輸入端。P0口還能夠在訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或程序存儲(chǔ)器時(shí),轉(zhuǎn)換地址和數(shù)據(jù)總線復(fù)用,并在這時(shí)激活內(nèi)部的上拉電阻。P0口在閃爍編程時(shí),P0口接收指令,在程序校驗(yàn)時(shí),輸出指令,需要接電阻。P1口:-2-P1口一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口,P1的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)4個(gè)TTL電路。對(duì)端口寫“1”,通過(guò)內(nèi)部的電阻把端口拉到高電平,此時(shí)可作為輸入口。因?yàn)閮?nèi)部有電阻,某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)輸出一個(gè)電流。閃爍編程時(shí)和程序校驗(yàn)時(shí),P1口接收低8位地址。P2口:P2口是一個(gè)內(nèi)部帶有上拉電阻的8位雙向I/O口,P2的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)4個(gè)TTL電路。對(duì)端口寫“1”,通過(guò)內(nèi)部的電阻把端口拉到高電平,此時(shí),可作為輸入口。因?yàn)閮?nèi)部有電阻,某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流。在訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或16位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),P2口送出高8位地址數(shù)據(jù)。在訪問(wèn)8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),P2口線上的內(nèi)容在整個(gè)運(yùn)行期間不變。閃爍編程或校驗(yàn)時(shí),P2口接收高位地址和其它控制信號(hào)。P3口:P3口是一組帶有內(nèi)部電阻的8位雙向I/O口,P3口輸出緩沖故可驅(qū)動(dòng)4個(gè)TTL電路。對(duì)P3口寫如“1”時(shí),它們被內(nèi)部電阻拉到高電平并可作為輸入端時(shí),被外部拉低的P3口將用電阻輸出電流。P3口除了作為一般的I/O口外,更重要的用途是它的第二功能,如下表所示:端口引腳第二功能P3.0RXDP3.1TXDP3.2INT0P3.3INT1P3.4T0P3.5T1P3.6WRP3.7RDP3口還接收一些用于閃爍存儲(chǔ)器編程和程序校驗(yàn)的控制信號(hào)。RST:-3-復(fù)位輸入。當(dāng)震蕩器工作時(shí),RET引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上的高電平將使單片機(jī)復(fù)位。ALE/PROG:當(dāng)訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),ALE輸出脈沖用于鎖存地址的低8位字節(jié)。即使不訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器,ALE以時(shí)鐘震蕩頻率的1/16輸出固定的正脈沖信號(hào),因此它可對(duì)輸出時(shí)鐘或用于定時(shí)目的。要注意的是:每當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)將跳過(guò)一個(gè)ALE脈沖時(shí),閃爍存儲(chǔ)器編程時(shí),這個(gè)引腳還用于輸入編程脈沖。如果必要,可對(duì)特殊寄存器區(qū)中的8EH單元的D0位置禁止ALE操作。這個(gè)位置后只有一條MOVX和MOVC指令A(yù)LE才會(huì)被應(yīng)用。此外,這個(gè)引腳會(huì)微弱拉高,單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí),應(yīng)設(shè)置ALE無(wú)效。PSEN:程序儲(chǔ)存允許輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào),當(dāng)AT89C51由外部程序存儲(chǔ)器讀取指令時(shí),每個(gè)機(jī)器周期兩次PSEN有效,即輸出兩個(gè)脈沖。在此期間,當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),這兩次有效的PSEN信號(hào)不出現(xiàn)。EA/VPP:外部訪問(wèn)允許。欲使中央處理器僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器,EA端必須保持低電平。需要注意的是:如果加密位LBI被編程,復(fù)位時(shí)內(nèi)部會(huì)鎖存EA端狀態(tài)。如EA端為高電平,CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的指令。閃爍存儲(chǔ)器編程時(shí),該引腳加上+12V的編程允許電壓VPP,當(dāng)然這必須是該器件是使用12V編程電壓VPP。XTAL1:震蕩器反相放大器及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端。XTAL2:震蕩器反相放大器的輸出端。時(shí)鐘震蕩器AT89C51中有一個(gè)用于構(gòu)成內(nèi)部震蕩器的高增益反相放大器,引腳XTAL1和XTAL2分別是該放大器的輸入端和輸出端。這個(gè)放大器與作為反饋元件的片外石英晶體或陶瓷諧振器一起構(gòu)成自然震蕩器。外接石英晶體及電容C1,C2接在放大器的反饋回路中構(gòu)成并聯(lián)震蕩電路。對(duì)外接電容C1,C2雖然沒(méi)有十分嚴(yán)格的要求,但電容容量的大小會(huì)輕微影響震蕩頻率的高低、震蕩器工作的穩(wěn)定性、起振的難易程序-4-及溫度穩(wěn)定性。如果使用石英晶體,我們推薦電容使用30PF10PF,而如果使用陶瓷振蕩器建議選擇40PF10PF。用戶也可以采用外部時(shí)鐘。采用外部時(shí)鐘的電路如圖示。這種情況下,外部時(shí)鐘脈沖接到XTAL1端,即內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端,XTAL2則懸空。由于外部時(shí)鐘信號(hào)是通過(guò)一個(gè)2分頻觸發(fā)器后作為內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)的,所以對(duì)外部時(shí)鐘信號(hào)的占空比沒(méi)有特殊要求,但最小高電平持續(xù)時(shí)間和最大的低電平持續(xù)時(shí)間應(yīng)符合產(chǎn)品技術(shù)條件的要求。內(nèi)部振蕩電路外部振蕩電路閑散節(jié)電模式AT89C51有兩種可用軟件編程的省電模式,它們是閑散模式和掉電工作模式。這兩種方式是控制專用寄存器PCON中的PD和IDL位來(lái)實(shí)現(xiàn)的。PD是掉電模式,當(dāng)PD=1時(shí),激活掉電工作模式,單片機(jī)進(jìn)入掉電工作狀態(tài)。IDL是閑散等待方式,當(dāng)IDL=1,激活閑散工作狀態(tài),單片機(jī)進(jìn)入睡眠狀態(tài)。如需要同時(shí)進(jìn)入兩種工作模式,即PD和IDL同時(shí)為1,則先激活掉電模式。在閑散工作模式狀態(tài),中央處理器CPU保持睡眠狀態(tài),而所有片內(nèi)的外設(shè)仍保持激活狀態(tài),這種方式由軟件產(chǎn)生。此時(shí),片內(nèi)隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和所有特殊功能寄存器的內(nèi)容保持不變。閑散模式可由任何允許的中斷請(qǐng)求或硬件復(fù)位終止。終止閑散工作
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