薄膜物理與技術(shù)基本概念常識(shí)大全

1、. 薄膜物理基礎(chǔ)知識(shí)大全第一章： 最可幾速度：平均速度：均方根速度：平均自由程：每個(gè)分子在連續(xù)兩次碰撞之間的路程稱為自由程；其統(tǒng)計(jì)平均值成為平均自由程。常用壓強(qiáng)單位的換算 1torr=133.322 pa 1 pa=7.510-3 torr 1 mba=100pa 1atm=1.013*100000pa真空區(qū)域的劃分、真空計(jì)、各種真空泵粗真空 1105 to 1102 pa 低真空 1102 to 110-1 pa 高真空 110-1 to 110-6 pa 超高真空 110-6 pa精品.旋轉(zhuǎn)式機(jī)械真空泵 油擴(kuò)散泵 復(fù)合分子泵 屬于氣體傳輸泵，即通過(guò)氣體吸入并排出真空泵從而達(dá)到排氣的目的 分

2、子篩吸附泵 鈦升華泵 濺射離子泵 低溫泵屬于氣體捕獲泵，即通過(guò)各種吸氣材料特有的吸氣作用將被抽氣體吸除，以達(dá)到所需真空。不需要油作為介質(zhì)，又稱為無(wú)油泵絕對(duì)真空計(jì)： u型壓力計(jì)、壓縮式真空計(jì)相對(duì)真空計(jì)： 放電真空計(jì)、熱傳導(dǎo)真空計(jì)、電離真空計(jì)機(jī)械泵、擴(kuò)散泵、分子泵的工作原理，真空計(jì)的工作原理第二章：精品.1. 什么是飽和蒸氣壓、蒸發(fā)溫度？ 在一定溫度下，真空室內(nèi)蒸發(fā)物質(zhì)的蒸氣與固體或液體平衡過(guò)程中所表現(xiàn)出來(lái)的壓力 規(guī)定物質(zhì)在飽和蒸氣壓為10-2torr時(shí)的溫度2. 克-克方程及其意義？ 3. 蒸發(fā)速率、溫度變化對(duì)其影響？根據(jù)氣體分子運(yùn)動(dòng)論，在氣體壓力為p時(shí)，單位時(shí)間內(nèi)碰撞單位面積器壁上的分子數(shù)量，

3、即碰撞分子流量（通量或蒸發(fā)速率）j：蒸發(fā)源溫度微小變化就可以引起蒸發(fā)速率的很大變化4. 平均自由程與碰撞幾率的概念。 蒸發(fā)分子在兩次碰撞之間所飛行的平均距離 熱平衡條件下，單位時(shí)間通過(guò)單位面積的氣體分子數(shù)為5. 點(diǎn)蒸發(fā)源和小平面蒸發(fā)源特性？能夠從各個(gè)方向蒸發(fā)等量材料的微小球狀蒸發(fā)源稱為點(diǎn)蒸發(fā)源（點(diǎn)源）。這種蒸發(fā)源的發(fā)射特性具有方向性，使得在 alpha 角方向蒸發(fā)的材料質(zhì)量和 cos(alpha) 成正比。6. 拉烏爾定律？如何控制合金薄膜的組分？ 在定溫下，在稀溶液中，溶劑的蒸氣壓等于純?nèi)軇┱魵鈮?乘以溶液中溶劑的物質(zhì)的量分?jǐn)?shù)精品. 在真空蒸發(fā)法制作合金薄膜時(shí)，為保證薄膜組成，經(jīng)常采用瞬時(shí)蒸

4、發(fā)法、雙蒸發(fā)源法等。7. mbe的特點(diǎn)？(分子束外延) 外延: 在一定的單晶材料襯底上，沿襯底某個(gè)指數(shù)晶面向外延伸生長(zhǎng)一層單晶薄膜。1) mbe可以嚴(yán)格控制薄膜生長(zhǎng)過(guò)程和生長(zhǎng)速率。mbe雖然也是以氣體分子論為基礎(chǔ)的蒸發(fā)過(guò)程，但它并不以蒸發(fā)溫度為控制參數(shù)，而是以四極質(zhì)譜、原子吸收光譜等近代分析儀器，精密控制分子束的種類和強(qiáng)度。2) mbe是一個(gè)超高真空的物理淀積過(guò)程，即不需要中間化學(xué)反應(yīng)，又不受質(zhì)量輸運(yùn)的影響，利用快門(mén)可對(duì)生長(zhǎng)和中斷進(jìn)行瞬時(shí)控制。薄膜組成和摻雜濃度可以隨源的變化作迅速調(diào)整。3) mbe的襯底溫度低，降低了界面上熱膨脹引入的晶格失配效應(yīng)和襯底雜質(zhì)對(duì)外延層自摻雜擴(kuò)散的影響。4) mb

5、e是一個(gè)動(dòng)力學(xué)過(guò)程，即將入射的中性粒子（原子或分子）一個(gè)一個(gè)地堆積在襯底上進(jìn)行生長(zhǎng)，而不是一個(gè)熱力學(xué)過(guò)程，所以它可以生長(zhǎng)普通熱平衡生長(zhǎng)難以生長(zhǎng)的薄膜。5) mbe生長(zhǎng)速率低，相當(dāng)于每秒生長(zhǎng)一個(gè)單原子層，有利于精確控制薄膜厚度、結(jié)構(gòu)和成分，形成陡峭的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。特別適合生長(zhǎng)超晶格材料。精品.6) mbe在超高真空下進(jìn)行，可以利用多種表面分析儀器實(shí)時(shí)進(jìn)行成分、結(jié)構(gòu)及生長(zhǎng)過(guò)程分析，進(jìn)行科學(xué)研究。8. 膜厚的定義？監(jiān)控方法？ 厚度：是指兩個(gè)完全平整的平行平面之間的距離。理想薄膜厚度：基片表面到薄膜表面之間的距離。 監(jiān)控方式見(jiàn)書(shū)上詳解p50第二章：1. 濺射鍍膜與真空鍍膜相比，有何特點(diǎn)？1) 任何物質(zhì)都

6、可以濺射，尤其是高熔點(diǎn)金屬、低蒸氣壓元素和化合物；2) 濺射薄膜與襯底的附著性好；3) 濺射鍍膜的密度高、針孔少，膜層純度高；4) 膜層厚度可控性和重復(fù)性好。5) 濺射設(shè)備復(fù)雜，需要高壓裝置；6) 成膜速率較低（0.01-0.5mm）。2. 正常輝光放電和異常輝光放電的特征？ 在正常輝光放電區(qū)，陰極有效放電面積隨電流增加而增大，從而使有效區(qū)內(nèi)電流密度保持恒定。 當(dāng)整個(gè)陰極均成為有效放電區(qū)域后，只有增加陰極電流密度，才能增大電流，形成均勻而穩(wěn)定的“異常輝光放電”，并均勻覆蓋基片，這個(gè)放電區(qū)就是濺射區(qū)域。精品.3. 射頻輝光放電的特點(diǎn)？i. 在輝光放電空間產(chǎn)生的電子可以獲得足夠的能量，足以產(chǎn)生碰撞

7、電離；ii. 由于減少了放電對(duì)二次電子的依賴，降低了擊穿電壓；iii. 射頻電壓可以通過(guò)各種阻抗偶合，所以電極可以是非金屬材料。 4. 濺射的概念及濺射參數(shù)。 濺射是指荷能粒子轟擊固體表面（靶），使固體原子或者分子從表面射出的現(xiàn)象。1) 濺射閾值2) 濺射率及其影響因素3) 濺射粒子的速度和能量分布4) 濺射原子的角度分布5) 濺射率的計(jì)算5. 濺射機(jī)理 濺射現(xiàn)象是被電離氣體的離子在電場(chǎng)中加速并轟擊靶面，而將能量傳遞給碰撞處的原子，導(dǎo)致很小的局部區(qū)域產(chǎn)生高溫，使靶材融化，發(fā)生熱蒸發(fā)。 濺射完全是一個(gè)動(dòng)量轉(zhuǎn)移過(guò)程 該理論認(rèn)為，低能離子碰撞靶時(shí)，不能直接從表面濺射出原子，而是把動(dòng)量傳遞給被碰撞的原

8、子，引起原子的級(jí)聯(lián)碰撞。這種碰撞沿晶體點(diǎn)陣的各個(gè)方向進(jìn)行。精品. 碰撞因在最緊密排列的方向上最有效，結(jié)果晶體表面的原子從近鄰原子得到越來(lái)越多的能量。 當(dāng)原子的能量大于結(jié)合能時(shí)，就從表面濺射出來(lái) 6. 二極直流濺射、偏壓濺射、三極或四極濺射、射頻濺射、磁控濺射、離子束濺射系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)和原理二極直流濺射：是依賴離子轟擊陰極所發(fā)射的次級(jí)電子來(lái)維持輝光放電 靶與基板的距離以大于陰極暗區(qū)的3-4倍為宜。 直流二極濺射 射頻二極濺射偏壓濺射：結(jié)構(gòu)、基片施加負(fù)偏壓。三極或四極濺射：熱陰極發(fā)射的電子與陽(yáng)極產(chǎn)生等離子體 靶相對(duì)于該等離子體為負(fù)電位、為使放電穩(wěn)定，增加第四個(gè)電極穩(wěn)定化電極射頻濺射：等離子體中的電子容

9、易在射頻場(chǎng)中吸收能量并在電場(chǎng)內(nèi)振蕩，與工作氣體的碰撞幾率增大，從而使擊穿電壓和放電電壓顯著降低。磁控濺射：使用了磁控靶在陰極靶的表面上形成一個(gè)正交的電磁場(chǎng)。濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區(qū)內(nèi)被加速成為高能電子，但是它并不直接飛向陽(yáng)極，而在電場(chǎng)和磁場(chǎng)的作用下作擺線運(yùn)動(dòng)。高能電子束縛在陰極表面與工作氣體分子發(fā)生碰撞，傳遞能量，并成為低能電子。精品.離子束濺射系統(tǒng)：離子束由惰性氣體或反應(yīng)氣體的離子組成，離子能量高，它們打到由薄膜材料構(gòu)成的靶上，引起靶原子濺射，并在襯底上形成薄膜。第四章：1. 離子鍍膜系統(tǒng)工作的必要條件？1) 造成一個(gè)氣體放電的空間；2) 將鍍料原子(金屬原子或非金屬原子)引進(jìn)放電空間

10、，使其部分離化。2. 離子鍍膜的原理及薄膜形成條件？ 淀積過(guò)程為淀積原子在基片表面的淀積速率；為薄膜質(zhì)量密度；m為淀積物質(zhì)的摩爾質(zhì)量；na阿佛加德羅常數(shù)。濺射過(guò)程：j是入射離子形成的電流密度3. 離子鍍膜技術(shù)的分類？ 按薄膜材料氣化方式分類： 電阻加熱、電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱、陰極弧光放電加熱等。精品.按原子或分子電離和激活方式分類：輝光放電型、電子束型、熱電子型、電弧放電型、以及各種離子源。4. 直流二極離子鍍、三極和多陰極離子鍍、活性反應(yīng)離子鍍、射頻離子鍍的原理和特點(diǎn)？ 直流二極離子鍍：利用二極間的輝光放電產(chǎn)生離子、并由基板所加的負(fù)電壓對(duì)其加速 轟擊離子能量大，引起基片溫度升高，薄膜表面

11、粗糙，質(zhì)量差；工藝參數(shù)難于控制。附著力方面優(yōu)于其它的離子鍍方法。 三極和多陰極離子鍍：1) 可實(shí)現(xiàn)低氣壓下的離子鍍膜。真空度比二級(jí)型離子鍍的真空度大約高一個(gè)數(shù)量級(jí)。所以，鍍膜質(zhì)量好，光澤致密 2) 通過(guò)改變輔助陰極(多陰極)的燈絲電流來(lái)控制放電狀態(tài)。3) 避免了直流二極型離子鍍?yōu)R射嚴(yán)重、成膜粗糙、溫升高而難以控制的弱點(diǎn)?；钚苑磻?yīng)離子鍍：在離子鍍膜基礎(chǔ)上，若導(dǎo)入與金屬蒸氣起反應(yīng)的氣體，如o2、n2、c2h2、ch4等代替ar或摻入ar之中，并用各種不同的放電方式使金屬蒸氣和反應(yīng)氣體的分子、原子激活、離化、使其活化，促進(jìn)其間的化學(xué)反應(yīng)，在基片表面就可以獲得化合物薄膜，這種方法稱為活性反應(yīng)離子鍍法。

12、精品.特點(diǎn)：1) 電離增加了反應(yīng)物的活性，在溫度較低的情況下就能獲得附著性能良好的碳化物、氮化物薄膜。2) 可以在任何材料上制備薄膜，并可獲得多種化合物薄膜。3) 淀積速率高。 4) 調(diào)節(jié)或改變蒸發(fā)速率及反應(yīng)氣體壓力可以十分方便地制取不同配比、不同結(jié)構(gòu)、不同性質(zhì)的同類化合物。5) 由于采用了大功率、高功率密度的電子束蒸發(fā)源，幾乎可以蒸鍍所有金屬和化合物。6) 清潔，無(wú)公害。射頻離子鍍：（1）以蒸發(fā)源為中心的蒸發(fā)區(qū)；（2）以線圈為中心的離化區(qū)；（3）以基板為中心，使生成的離子加速，并沉積在基板特點(diǎn):a) 蒸發(fā)、離化、加速三種過(guò)程可分別獨(dú)立控制，離化率靠射頻激勵(lì)，而不是靠加速直流電場(chǎng)，基板周圍不產(chǎn)

13、生陰極暗區(qū)。b) 在10-1-l0-3 pa的較低工作壓力下也能穩(wěn)定放電，而且離化率較高，薄膜質(zhì)量好。精品.c) 容易進(jìn)行反應(yīng)離子鍍。d) 和其它離子鍍方法相比，基板溫升低而且較容易控制。第五章:1. cvd熱力學(xué)分析的主要目的？ 預(yù)測(cè)某些特定條件下某些cvd反應(yīng)的可行性（化學(xué)反應(yīng)的方向和限度）。2. cvd過(guò)程自由能與反應(yīng)平衡常數(shù)的過(guò)程判據(jù)？ 小于零則反應(yīng)3. cvd熱力學(xué)基本內(nèi)容？反應(yīng)速率及其影響因素？ 反應(yīng)動(dòng)力學(xué)是一個(gè)把反應(yīng)熱力學(xué)預(yù)言變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)，使反應(yīng)實(shí)際進(jìn)行的問(wèn)題；它是研究化學(xué)反應(yīng)的速度和各種因素對(duì)其影響的科學(xué)。反應(yīng)速率是指在反應(yīng)系統(tǒng)的單位體積中，物質(zhì)（反應(yīng)物或產(chǎn)物）隨時(shí)間的變化率。較低

14、襯底溫度下， 隨溫度按指數(shù)規(guī)律變化。較高襯底溫度下，反應(yīng)物及副產(chǎn)物的擴(kuò)散速率為決定反應(yīng)速率的主要因素。4. 熱分解反應(yīng)、化學(xué)合成反應(yīng)及化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)及其特點(diǎn)？精品. 熱分解反應(yīng)（吸熱反應(yīng)）：該方法在簡(jiǎn)單的單溫區(qū)爐中，在真空或惰性氣體保護(hù)下加熱基體至所需溫度后，導(dǎo)入反應(yīng)物氣體使之發(fā)生熱分解，最后在基體上沉積出固體圖層。 化學(xué)合成反應(yīng):指兩種或兩種以上的氣態(tài)反應(yīng)物在熱基片上發(fā)生的相互反應(yīng)?；瘜W(xué)合成反應(yīng)法比熱分解法的應(yīng)用范圍更加廣泛?？梢灾苽鋯尉А⒍嗑Ш头蔷П∧?。容易進(jìn)行摻雜。 化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng): 將薄膜物質(zhì)作為源物質(zhì)（無(wú)揮發(fā)性物質(zhì)），借助適當(dāng)?shù)臍怏w介質(zhì)與之反應(yīng)而形成氣態(tài)化合物，這種氣態(tài)化合物經(jīng)過(guò)化學(xué)遷移

15、或物理輸運(yùn)到與源區(qū)溫度不同的沉積區(qū)，在基片上再通過(guò)逆反應(yīng)使源物質(zhì)重新分解出來(lái)5. cvd的必要條件？1) 在沉積溫度下，反應(yīng)物具有足夠的蒸氣壓，并能以適當(dāng)?shù)乃俣缺灰敕磻?yīng)室；2) 反應(yīng)產(chǎn)物除了形成固態(tài)薄膜物質(zhì)外，都必須是揮發(fā)性的；3) 沉積薄膜和基體材料必須具有足夠低的蒸氣壓6. 什么是冷壁cvd？什么是熱壁cvd？特點(diǎn)是什么？ 冷壁cvd：器壁和原料區(qū)都不加熱，僅基片被加熱，沉積區(qū)一般采用感應(yīng)加熱或光輻射加熱。缺點(diǎn)是有較大溫差，溫度均勻性問(wèn)題需特別設(shè)計(jì)來(lái)克服。 適合反應(yīng)物在室溫下是氣體或具有較高蒸氣壓的液體。精品.熱壁cvd：器壁和原料區(qū)都是加熱的，反應(yīng)器壁加熱是為了防止反應(yīng)物冷凝。管壁有反

16、應(yīng)物沉積，易剝落造成污染。7. 什么是開(kāi)管cvd？什么是閉管cvd？特點(diǎn)是什么？ 開(kāi)管式：1) 能連續(xù)地供氣和排氣，物料的運(yùn)輸一般是靠惰性氣體來(lái)實(shí)現(xiàn)的。反應(yīng)總處于非平衡狀態(tài)，而有利于形成薄膜沉積層（至少有一種反應(yīng)產(chǎn)物可連續(xù)地從反應(yīng)區(qū)排出）。2) 在大多數(shù)情況下，開(kāi)口體系是在一個(gè)大氣壓或稍高于一個(gè)大氣壓下進(jìn)行的。但也可在真空下連續(xù)地或脈沖地供氣及不斷地抽出副產(chǎn)物。3) 開(kāi)口體系的沉積工藝容易控制，工藝重現(xiàn)性好，工件容易取放，同一裝置可反復(fù)多次使用。4) 有立式和臥式兩種形式。閉管式:把一定量的反應(yīng)物和適當(dāng)?shù)幕w分別放在反應(yīng)器的兩端，抽空后充入一定的輸運(yùn)氣體，然后密封，再將反應(yīng)器置于雙溫區(qū)爐內(nèi)，使

17、反應(yīng)管內(nèi)形成溫度梯度。閉管法的優(yōu)點(diǎn)：污染的機(jī)會(huì)少，不必連續(xù)抽氣保持反應(yīng)器內(nèi)的真空，可以沉積蒸氣壓高的物質(zhì)。閉管法的缺點(diǎn)：材料生長(zhǎng)速率慢，不適合大批量生長(zhǎng)，一次性反應(yīng)器，生長(zhǎng)成本高；管內(nèi)壓力檢測(cè)困難等。精品.8. 什么是低壓cvd和等離子cvd？、早期cvd技術(shù)以開(kāi)管系統(tǒng)為主低壓下氣體擴(kuò)散系數(shù)增大，使氣態(tài)反應(yīng)物和副產(chǎn)物的質(zhì)量傳輸速率加快，形成薄膜的反應(yīng)速率增加。等離子化學(xué)氣相沉積如果能在反應(yīng)室內(nèi)形成低溫等離子體（如輝光放電），則可以利用在等離子狀態(tài)下粒子具有的較高能量，使沉積溫度降低。第六章：1. 什么是化學(xué)鍍？它與化學(xué)沉積鍍膜的區(qū)別？ 化學(xué)鍍膜是指在還原劑的作用下，使金屬鹽中的金屬離子還原成原

18、子，在基片表面沉積的鍍膜技術(shù)，又稱無(wú)電源電鍍。化學(xué)鍍不加電場(chǎng)、直接通過(guò)化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)薄膜沉積?；瘜W(xué)鍍膜的還原反應(yīng)必須在催化劑的作用下才能進(jìn)行，且沉積反應(yīng)只發(fā)生在基片表面上?；瘜W(xué)沉積鍍膜：還原反應(yīng)是在整個(gè)溶液中均勻發(fā)生的，只有一部分金屬在基片上形成薄膜，大部分形成粉粒沉積物2. 自催化鍍膜的特點(diǎn)？ 自催化是指參與反應(yīng)物或產(chǎn)物之一具有催化作用的反應(yīng)過(guò)程。精品.1) 可以在復(fù)雜形狀表面形成薄膜；2) 薄膜的孔隙率較低；3) 可直接在塑料、陶瓷、玻璃等非導(dǎo)體表面制備薄膜；4) 薄膜具有特殊的物理、化學(xué)性能；5) 不需要電源，沒(méi)有導(dǎo)電電極。3. sol-gel鍍膜技術(shù)的特點(diǎn)和主要 過(guò)程？ 采用金屬醇鹽或其

19、它鹽類作為原料，通常溶解在醇、醚等有機(jī)溶劑中形成均勻溶液（solution），該溶液經(jīng)過(guò)水解和縮聚反應(yīng)形成溶膠（sol），進(jìn)一步聚合反應(yīng)實(shí)現(xiàn)溶膠-凝膠轉(zhuǎn)變形成凝膠（gel），在經(jīng)過(guò)熱處理脫除溶劑和水，最后形成薄膜。優(yōu)點(diǎn)： 高度均勻性； 高純度； 可降低燒結(jié)溫度； 可制備非晶態(tài)薄膜； 可制備特殊材料（薄膜、纖維、粉體、多孔材料等）缺點(diǎn)： 原料價(jià)格高； 收縮率高，容易開(kāi)裂； 存在殘余微氣孔； 存在殘余的羥基、碳等； 有機(jī)溶劑有毒。精品.主要步驟： 復(fù)合醇鹽的制備； 成膜（勻膠、浸漬提拉）； 水解和聚合； 干燥； 焙燒。4. 陽(yáng)極氧化鍍膜和電鍍的原理和特點(diǎn)？陽(yáng)極氧化技術(shù)：金屬或合金在適當(dāng)?shù)碾娊庖褐凶?/p>

20、為陽(yáng)極，并施加一定的直流電壓，由于電化學(xué)反應(yīng)在陽(yáng)極表面形成氧化物薄膜的方法特點(diǎn)：1) 采用陽(yáng)極氧化法生成的氧化膜的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)、色調(diào)隨電解液的種類、電解條件的不同而變化。2) 用陽(yáng)極氧化法得到的氧化物薄膜大多是無(wú)定形結(jié)構(gòu)。由于多孔性使得表面積特別大，所以顯示明顯的活性，既可吸附染料也可吸附氣體。3) 化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定的超硬薄膜耐磨損性強(qiáng)，用封孔處理法可將孔隙塞住，使薄膜具有更好耐蝕性和絕緣性。4) 利用著色法可以使膜具有裝飾效果。 電鍍：指在含有被鍍金屬離子的水溶液中通入直流電流，使正離子在陰極表面沉積，得到金屬薄膜的工藝過(guò)程。 特點(diǎn)：精品.1) 膜層缺陷：孔隙、裂紋、雜質(zhì)污染、凹坑等；2) 上述缺

21、陷可以由電鍍工藝條件控制；3) 限制電鍍應(yīng)用的最重要因素之一是拐角處鍍層的形成；4) 在拐角或邊緣電鍍層厚度大約是中心厚度的兩倍；5) 多數(shù)被鍍件是圓形，可降低上述效應(yīng)的影響。5. 什么是lb技術(shù)？lb薄膜的種類？lb薄膜的特點(diǎn)？ 把液體表面的有機(jī)單分子膜轉(zhuǎn)移到固體襯底表面上的一種成膜技術(shù)。得到的有機(jī)薄膜稱為lb薄膜。、 根據(jù)薄膜分子在基片上的相對(duì)取向，lb薄膜可分為x型、y型、z型三種類型。優(yōu)點(diǎn)：1) lb薄膜中分子有序定向排列，這是一個(gè)重要特點(diǎn)；2) 很多材料都可以用lb技術(shù)成膜，3) lb膜有單分子層組成，它的厚度取決于分子大小和分子的層數(shù)；4) 通過(guò)嚴(yán)格控制條件，可以得到均勻、致密和缺

22、陷密度很低的lb薄膜；5) 設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便。缺點(diǎn)：1) 成膜效率低，2) lb薄膜均為有機(jī)薄膜，包含了有機(jī)材料的弱點(diǎn)；3) lb薄膜厚度很薄，在薄膜表征手段方面難度較大。精品. 第七章： 1. 薄膜形成的基本過(guò)程描述？ 薄膜形成分為：凝結(jié)過(guò)程、核形成與生長(zhǎng)過(guò)程、島形成與結(jié)合生長(zhǎng)過(guò)程2. 什么是凝聚？入射原子滯留時(shí)間、平均表面擴(kuò)散時(shí)間、平均擴(kuò)散距離的概念？ 凝結(jié)過(guò)程是指吸附原子在基體表面形成原子對(duì)及其后續(xù)過(guò)程。 入射原子的滯留時(shí)間： 平均表面擴(kuò)散時(shí)間：吸附原子在吸附位置上的停留時(shí)間 平均表面擴(kuò)散距離：3. 什么是捕獲面積？對(duì)薄膜形成的影響？ 吸附原子的捕獲面積： 吸附原子在滯留時(shí)間內(nèi)的遷移距

23、離除以吸附位置密度 總捕獲面積：精品. 當(dāng) 時(shí) 總的小于1 時(shí)，每個(gè)吸附原子的捕獲面積內(nèi)只有一個(gè)原子，故不能形成原子對(duì)，也不能產(chǎn)生凝結(jié)。 當(dāng) 1到2之間 時(shí)，發(fā)生部分凝結(jié)。平均每個(gè)吸附原子的捕獲面積內(nèi)有一個(gè)或兩個(gè)吸附原子，可形成原子對(duì)或三原子團(tuán)。在滯留時(shí)間內(nèi)，一部分吸附原子有可能重新蒸發(fā)掉。 當(dāng) 大于2時(shí)，每個(gè)吸附原子的捕獲面積內(nèi)至少有兩個(gè)吸附原子?？尚纬稍訉?duì)或更大的原子團(tuán)，從而達(dá)到完全凝結(jié)。4. 凝聚過(guò)程的表征方法？ 凝結(jié)系數(shù)：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)，完全凝結(jié)的氣相原子數(shù)與入射到基片表面上的總原子數(shù)之比。 粘附系數(shù)：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)，再凝結(jié)的氣相原子數(shù)與入射到基片表面上的總原子數(shù)之比。熱適應(yīng)系數(shù)：表征入射氣相（或分子）與基體表面碰撞時(shí)相互交換能量的程度的物理量稱為熱適應(yīng)系數(shù)。5. 核形成與生長(zhǎng)的物理過(guò)程。 （1）入射到表面上的氣相原子，部分因能量較大而彈性反射出去。部分則吸附在基體表面上。其中有一小部分因能量稍大而再蒸發(fā)出去；（2）吸附氣相原子在基體表面擴(kuò)散遷移，互相碰撞結(jié)合成原子對(duì)或小原子團(tuán)并凝結(jié)在基體表面上；（3）原子團(tuán)和其他吸附原子