GJB B 微電子器件試驗(yàn)方法和程序

1、 GJB 548B-2005 微電子器件試驗(yàn)方法和程序 點(diǎn)擊次數(shù)：181 發(fā)布時(shí)間：2011-3-1 14:24:07 GJB 548B-2005 代替 GJB 548A-1996 中華人民共和國(guó)國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn) 微電子器件試驗(yàn)方法和程序 Test methods and procedures for microelectronic device 方法 1009.2 鹽霧(鹽汽) 1 目的 本試驗(yàn)是為了模擬海邊空氣對(duì)器件影響的一個(gè)加速的腐蝕試驗(yàn) 1.1 術(shù)語(yǔ)和定義 1.1.1 腐蝕 corrosion 指涂層和(或)底金屬由于化學(xué)或電化學(xué)的作用而逐漸地?fù)p壞 1.1.2 腐蝕部位 corrosion

2、 site 指涂層和(或)底金屬被腐蝕的部位，即腐蝕位置 1.1.3 腐蝕生成物(淀積物) corrosion product(dcposit) 指腐蝕作用的結(jié)果(即銹或氧化鐵、氧化鎳、氧化錫等)。腐蝕生成物可能在原來(lái)腐蝕部位，或者由于鹽液的流 動(dòng)或蔓延而覆蓋非腐蝕區(qū)域。 1.1.4 腐蝕色斑 corrosion stain 腐蝕色斑是由腐蝕產(chǎn)生的半透明沉淀物。 1.1.5 氣泡 blister 指涂層和底金屬之間的局部突起和分離 1.1.6 針孔 pinhole 指涂層中產(chǎn)生的小孔，它是完全貫穿涂層的一種缺陷。 1.1.7 凹坑 pitting 指涂層和(或)底金屬的局部腐蝕，在某一點(diǎn)或小區(qū)

3、域形成空洞 1.1.8 起皮 flaking 指局部涂層分離，而使底金屬顯露 2 設(shè)備 鹽霧試驗(yàn)所用設(shè)備應(yīng)包括： a) 帶有支撐器件夾具的試驗(yàn)箱。該箱及其附件應(yīng)彩不會(huì)與鹽霧發(fā)生作用的材料(玻璃、塑料等)制造。在試驗(yàn) 箱內(nèi)，與試驗(yàn)樣品接觸的所有零件，應(yīng)當(dāng)用不產(chǎn)生電解腐蝕的材料制造。該箱應(yīng)適當(dāng)通風(fēng)，以防止產(chǎn)生“高壓” ，并保持鹽霧的均勻分布； b) 能適當(dāng)?shù)胤乐怪車h(huán)境條件對(duì)鹽溶液容器的影響。如需要，為了進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間試驗(yàn)，可采用符合試驗(yàn)條件C和D( 見3.2)要求的備用鹽溶液容器； c) 使鹽液霧化的手段，包括合適的噴嘴和壓縮空氣或者由20%氧、80%氮組成的混合氣體(應(yīng)防止諸如油和灰塵 等雜質(zhì)隨氣

4、體進(jìn)入霧化器中); d) 試驗(yàn)箱應(yīng)能加熱和控制 e) 在高于試驗(yàn)箱溫度的某溫度下，使空氣潮濕的手段； f) 空氣或惰性氣體于燥器； g) 1倍3倍、10倍20倍和30倍60倍的放大鏡。 3 程序 3.1 試驗(yàn)箱的維護(hù)和初始處理 試驗(yàn)箱的清洗是為了保證把會(huì)對(duì)試驗(yàn)結(jié)果產(chǎn)生不良影響的所有物質(zhì)清除出試驗(yàn)箱。使試驗(yàn)箱工作在(353) ，用去離子水或蒸餾水進(jìn)行必要的清洗。每當(dāng)容器里的鹽溶液用完時(shí)，就應(yīng)當(dāng)清洗試驗(yàn)箱。某些試驗(yàn)可能在清洗 之前進(jìn)行，這取決于盛鹽溶液的容器的大小和所規(guī)定的試驗(yàn)條件(見3.2)。當(dāng)需要做長(zhǎng)時(shí)間試驗(yàn)(見3.2的試驗(yàn) 條件C和D)時(shí)，盛鹽溶液的容器可采用備用的容器來(lái)補(bǔ)充，以便試驗(yàn)不中斷

5、。清洗后，試 驗(yàn)箱開始工作時(shí)，鹽溶 液應(yīng)補(bǔ)滿該容器，并且應(yīng)對(duì)試驗(yàn)箱進(jìn)行適當(dāng)?shù)乜刂?，使其溫度穩(wěn)定(見3.1.4)。如果試驗(yàn)箱中斷工作超過(guò)一個(gè) 星期，即使還留有鹽溶液，也應(yīng)廢棄。而且試驗(yàn)箱在重新開始工作之前應(yīng)當(dāng)進(jìn)行清洗。如果鹽溶液的pH值和濃度 保持在3.1.1中規(guī)定的范圍之內(nèi)，允許試驗(yàn)箱不連續(xù)工作。 3.1.1 鹽溶液 為了達(dá)到3.1.4所要求的淀積速率，鹽溶液的濃度應(yīng)為0.5%3.0%(重量百分比)的去離子水或蒸餾水溶液。所用 的鹽應(yīng)為氯化鈉，其碘化鈉的質(zhì)量百分比不得多于0.1%，且總雜質(zhì)的質(zhì)量百分比不得多于0.3%。在(353) 下測(cè)量時(shí)，鹽溶液的pH值應(yīng)在6.57.2 之間。只能用化學(xué)純的

6、鹽酸或氫氧化鈉(稀溶液)來(lái)調(diào)整pH值。 3.1.2 引線的預(yù)處理 除另有規(guī)定外，試驗(yàn)樣品不應(yīng)進(jìn)行預(yù)處理。當(dāng)有要求時(shí)(見4c)，樣品進(jìn)行試驗(yàn)之前，器件引線應(yīng)按方法2004試 驗(yàn)條件B1的要求，承受彎曲應(yīng)力的初始處理。如果進(jìn)行試驗(yàn)的樣品已經(jīng)作為其他試驗(yàn)的一部分進(jìn)行過(guò)所要求的初 始處理，那么，其引線無(wú)需重新彎曲。 3.1.3 試驗(yàn)樣品的安置 樣品應(yīng)按下述方位安置在固定的夾具上(有機(jī)玻璃棒、尼龍或玻璃纖維篩、尼龍繩等)。樣品應(yīng)這樣安置，使它 們彼此不接觸，彼此不遮擋，能自由地接受鹽霧作用，腐蝕生成物和凝聚物不會(huì)從一個(gè)樣品落到另一個(gè)樣品上。 a) 引線固定于封裝側(cè)面或引線從封裝側(cè)面引出的雙列封裝(例：側(cè)

7、面纖焊雙列封裝和陶瓷玻璃熔封雙列封裝) ：蓋面向上，偏離垂直方向1545。將有引線的一個(gè)封裝側(cè)面向上，偏離垂直方向大于Ia) 15(見圖或等于 ) b) 引線固定于封裝底部(與蓋板相對(duì)的那一面)或引線從底部引出的封裝(例如金屬圓形封裝，金屬平板封裝 )：蓋板偏離垂直方向1545。試驗(yàn)時(shí)一半樣品應(yīng)蓋面向上；剩下一半，引線向上(見圖1b) c) 引線固定于封裝某一面或從某一面引出，且與蓋板平行的封裝(例如扁平封裝)：蓋板偏離垂直方向1545 將有引線的封裝面向上，且偏離垂直方向或等于15。對(duì)金屬殼封裝，試驗(yàn)時(shí)一半樣品封帽向上。剩下的樣品 外殼向上。其他封裝都應(yīng)蓋板向上做試驗(yàn)(見圖1c)。 d) 無(wú)

8、引線或有引線片式載體：蓋板偏離垂直方向1545,試驗(yàn)時(shí)一半樣品蓋板向上，剩余的樣品蓋板向下( 見圖1d) 注1：對(duì)于要求進(jìn)行兩種取向的試驗(yàn)，應(yīng)把規(guī)定的樣品數(shù)分成兩等份(或盡可能接近一半)。在所有的情況下， 對(duì)所有的封裝表面按3.4進(jìn)行試驗(yàn)后的檢查。 注2：對(duì)開有窗口的紫外線可擦器件進(jìn)行試驗(yàn)時(shí)，要采取保護(hù)措施，以防止光感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)產(chǎn)生電解作用。 3.1.4 試驗(yàn)箱的控制 按照第3章的要求對(duì)試驗(yàn)箱進(jìn)行處理之后，具有溫度至少35的鹽霧在規(guī)定的試驗(yàn)時(shí)間內(nèi)(見3.2)流過(guò)試驗(yàn)箱。 試驗(yàn)箱內(nèi)的溫度應(yīng)保持在(353)。鹽霧的濃度和速度應(yīng)調(diào)節(jié)到使得鹽在試驗(yàn)區(qū)域內(nèi)的淀積速率在(2050) g/(m2d)之間。鹽的

9、淀積速率可以用體積的、重要的或其他方法來(lái)測(cè)定(由用戶任意選擇)。在試驗(yàn)箱底部收 集的鹽液應(yīng)廢棄。 試驗(yàn)時(shí)間3.2 應(yīng)從下列試驗(yàn)條件中規(guī)定試驗(yàn)的最短時(shí)間。除另有規(guī)定外，應(yīng)采用試驗(yàn)條件A 3.3樣品檢驗(yàn)的準(zhǔn)備工作 完成試驗(yàn)后，試驗(yàn)樣品應(yīng)立即用自由流動(dòng)的去離子水(水溫不得超過(guò)38)至少?zèng)_洗5min，以便除去樣品表面沉 淀的鹽。而后樣品用空氣或惰性氣體吹干，進(jìn)行下述檢查。 表1 試驗(yàn)條件 試驗(yàn)條件 試驗(yàn)時(shí)間h A 24 B 48 C 96 D 240 3.4 失效判據(jù) 除3.4.1 b)和3.4.1 c)另有規(guī)定外，所有檢查都應(yīng)在放大10倍20倍的情況下進(jìn)行。 注1：腐蝕色斑不應(yīng)認(rèn)為是3.4.1a)中

10、所指的缺陷 注2: 由引線腐蝕產(chǎn)生的淀積在引線以外部位的腐蝕生成物，不應(yīng)認(rèn)為是3.4.1a)中所指的缺陷。 注3：引線端頭的腐蝕和由此腐蝕產(chǎn)生的腐蝕生成物，不應(yīng)判為不合格。 注4：若由于幾何形狀尺寸或設(shè)計(jì)(例如針柵陣列封裝的引線底部或陶瓷雙列封裝的釬焊部分)不能按3.4.1b( 作進(jìn)一步試驗(yàn)的引線，應(yīng)根據(jù)3.4.1a)失效判據(jù)進(jìn)行判定。 3.4.1 帶有表面鍍涂的產(chǎn)品 器件出現(xiàn)以下情況則不能接收： a) 腐蝕缺陷面積超過(guò)除引線外的任何封裝零件(例如蓋板、管帽或外殼)鍍涂或底金屬面積的5%。在測(cè)量中要 計(jì)入的腐蝕缺陷有：凹坑、氣泡、起皮和腐蝕生成物。腐蝕缺陷面積由以下方法確定：用已 知缺陷面積的

11、卡片或 照片(見圖2)進(jìn)行比較，用網(wǎng)格或類似的測(cè)量器具或鏡像分析儀直接測(cè)量。 b) 引線缺損、斷裂或部分分離。此外，若引線出現(xiàn)針孔、凹坑、氣泡、起皮、腐蝕生成物完全跨越引線，或玻 璃封裝中出現(xiàn)針孔、凹坑、氣泡、起皮、腐蝕生成或腐蝕色斑的引線，應(yīng)進(jìn)一步做如下試驗(yàn)：在引線缺陷處彎曲 90，使拉伸應(yīng)力加到缺陷處。若出現(xiàn)引線的斷裂或底層金屬的破裂面超過(guò)引線橫截面積的50%，應(yīng)拒收。若有 多處出現(xiàn)缺陷，應(yīng)在腐蝕最嚴(yán)重處進(jìn)行彎曲。對(duì)10根以上引線出現(xiàn)缺陷的封裝，只需對(duì)最多10根腐蝕最嚴(yán)重引線 進(jìn)行彎曲。應(yīng)放大30倍60倍進(jìn)行破裂情況檢查。 c) 規(guī)定標(biāo)志的一部分脫落、褪色、弄臟、模糊或不可辨認(rèn)。該檢查應(yīng)在室內(nèi)正常照明下放大1倍3倍進(jìn)行。 3.4.2 封裝元件 作為來(lái)料檢查，在封裝裝配之前，對(duì)封裝元件或部分組裝的封裝殼體進(jìn)行本試驗(yàn)，或作為一種選擇性的質(zhì)量控 制在完成封裝之前進(jìn)行本試驗(yàn)，或作為一種要求的試驗(yàn)(見4d)時(shí)，呈現(xiàn)下列現(xiàn)象的元件不得接收： a) 腐蝕缺陷面積超過(guò)蓋板鍍涂面積或底金屬面積的1.0%，或超過(guò)除引線以外其他任何封裝零件(例如外殼)鍍 涂面積或底金屬面積的2.5%。器件制造完成后不會(huì)暴露于周圍環(huán)境的鍍涂或底金屬層上的腐蝕不必考慮。應(yīng)根據(jù)