太陽能電池片絲網(wǎng)印刷知識(shí)點(diǎn)匯總

1、出現(xiàn)過一種降級(jí)的電池片，是由于刮刀有缺口，造成三根主柵上都有一條突起的刮痕，容易引起包裝碎片和焊接碎片，希 望各班引以為戒，發(fā)現(xiàn)相似的問題，及時(shí)更換刮條。G 檔分類1、擴(kuò)散面放反：Uoc:0.57 0.60Isc：1 左右Rs:100-200 左右 Rsh:10 以內(nèi)，約為 1FF：50 以內(nèi)（ 30-40 ） Irve1:12 （也有正常的） Ncell:2% 左右 主要參數(shù)特征： Irev112,Rs100,Isc=1 左右。解釋：擴(kuò)散時(shí)下面和背面都成 N 型，但背面 N 型擴(kuò)散的結(jié)淺，擴(kuò)散面放反后，原下面的 N 型被 Al 摻 雜為 P 型，原背面的淺結(jié)很容易被燒穿。2、部分?jǐn)U散：Uoc

2、:0.58 0.60Isc:3 4Rs:10 20Rsh:10 以內(nèi)FF ：50-60 左右Irev1 接近 12 Ncell:10% 左右主要參數(shù)特征：Isc減小，Rsh12Ncell124、N 型片或高度補(bǔ)償U(kuò)oc 0.02-0.06 Isc:5 左右 Rs-20 左右 Rsh:0Ncell： 2-3%FF:100200主要參數(shù)特征： Rs100,Irev1=0.03解釋：N型片背面印刷鋁漿后成為P+型，下面擴(kuò)散后形成N+型，從而產(chǎn)生電流5、方塊電阻偏大Uoc 0.60-0.61 Isc:4 左右 Rs:20 左右 Rsh:10-20Ncell： 10%左右FF:50 60Irev1 接近

3、 1主要參數(shù)特征： Rs 偏大, Isc 偏小, Rsh 偏小 解釋：方塊電阻不均的直接影響就是薄層電阻，此外應(yīng)為方塊電阻偏大，致使薄層電阻偏大，串聯(lián)電 阻增大。6、方塊電阻偏小Uoc 0.2 左右Ncell： 1%左右7、沒有擴(kuò)散Uoc 0.0002 左右 Ncell ：為 0Isc:3 左右 Rs:-0.07 左右FF:24 多一點(diǎn) Irev112Rsh:0.2 以下Isc:0.03 左右（正常偏低） Rs=0 或?yàn)樨?fù)FF:300-800Irev1 接近12或大于 12Rsh10 或?yàn)?0主要參數(shù)特征：電壓和電流基本為 0，串聯(lián)電阻為 0.8、銀漿混合不均勻解釋：沒有 P-N 結(jié)Uoc 0

4、.62 左右 Isc:4.8 左右Rs=3-6Rsh： 60-90Ncell： 10%左右FF:50 左右 Irev11210、刻過，將 PN 結(jié)腐蝕掉了。Irev1 很大。1 1 、不明原因Uoc 0.4-0.5Isc:0.6-0.8Rs:-2000 左右Rsh： 1-4Ncell ： 1 左右FF:30-40Irev112主要參數(shù)特征：Rs12解釋：應(yīng)為嚴(yán)重?zé)?。特殊：Uoc,lsc,Rs,Rsh, n,FF,lrve1121 2 、測(cè)試異常： Rs 值達(dá)到數(shù)千，這應(yīng)該是軟件問題。重裝軟件時(shí)， DB 和 DATA 不用拷貝，其它文件直接覆蓋， Irev1=0 ，應(yīng)該是反向偏壓設(shè)置錯(cuò)了。13

5、、周邊未刻蝕。 Rsh12排查 G 檔片原因的步驟：1、看電性能參數(shù)，然后對(duì)照 G 檔片原因分析表，看一下是否以前曾出現(xiàn)過類似情況，不過 G 檔片分 析表只能做為參考，不應(yīng)當(dāng)作證據(jù)指證任何工序。2、觀察外觀是否有異常，如下： 背場(chǎng)是否有滾輪印（4條），判斷是否為RENA刻蝕不透。 觀察是否為擊穿和隱裂。 觀察是否有邊緣漏漿的現(xiàn)象。 觀察是否背電極印偏的現(xiàn)象。 觀察是否有微晶現(xiàn)象（1厘米內(nèi)的晶粒數(shù)多于10個(gè)）。 觀察是否有手指印現(xiàn)象。 觀察是否有斷柵的現(xiàn)象。 觀察背場(chǎng)是否有特殊的圖形和印跡。 觀察是否有刻蝕線，若沒有可以嘗試打磨。3、觀察燒結(jié)爐是否爐溫存在異常波動(dòng)，若 Rs 偏大的片子較多可以重

6、燒。4、觀察測(cè)試是否有異常，將 G 檔片放入其他線進(jìn)行測(cè)試。5、若為 Rs 偏大，可以更換網(wǎng)版刮刀漿料， 有可能為漿料攪拌不均勻， 或被污染或干漿料瓶料瓶底料。6、片源是否為試驗(yàn)片，是否為板 P ，是否為返工片，是否前面有流程卡混亂的情況。燒結(jié)爐進(jìn)水壓力和出水壓力都在 4-6 之間，若有異常通知設(shè)備人員放水，同時(shí)觀察過濾網(wǎng)是否有雜質(zhì) 附著，若堵塞，會(huì)進(jìn)水，壓力 6.5，出水壓 12 ，這里的無 Uoc,Isc 是指 Uoco.1V,Isc12.2、外觀上，放反的電池片是在二次清洗完成以后至 PE 鍍膜之前，由于特殊原因造成擴(kuò)散面（ N 型） 向下，非擴(kuò)散面（ P 型）向上，在非擴(kuò)散面鍍膜，當(dāng)測(cè)

7、試時(shí)光線照在非擴(kuò)散面時(shí)，根本沒有電流產(chǎn)生，所 以效率接近 0.在外觀上，放反的電池片擴(kuò)散工藝正常，二次刻蝕也正常，所以在擴(kuò)散面的邊緣會(huì)有刻蝕痕 跡出現(xiàn)，當(dāng)擴(kuò)散面放反時(shí)，這些刻蝕痕跡會(huì)出現(xiàn)在電池片的背面，但是背面我們會(huì)印刷上背電場(chǎng)，在背電 場(chǎng)的邊緣會(huì)有刻蝕痕跡。而未擴(kuò)散的電池片，由于沒有進(jìn)行擴(kuò)散，所以沒有形成磷硅玻璃，而磷硅與玻璃具有親水性，能夠吸 附 HF 和磷硅玻璃以及磷硅玻璃以下的硅層反應(yīng)，進(jìn)而把 PN 結(jié)去除，如果沒有磷硅玻璃，電池片的表面 呈現(xiàn)鈍化效果，所以阻礙了 HF 和硅層反應(yīng)，所以此時(shí)，從外觀上看，電池片的正面和背面都沒有刻蝕痕 跡。3、P-N 型。通過使用萬用表測(cè)量電池片的 P

8、-N 型，也可以斷定為何種 G 檔片，未擴(kuò)散的電池片，正反面都沒有PN結(jié)，即都不存在N型導(dǎo)電區(qū)域，所以在使用萬用表測(cè)量其表面電阻時(shí)，它的值應(yīng)在 104Q 左右。而擴(kuò)散面放反的電池片，其正面也是 P型區(qū)域，表面電阻為104Q左右，但背面應(yīng)該存在N型區(qū)域， 用萬用表測(cè)量表面電阻時(shí)，就在10 Q左右。引起 Rs 偏大的原因： 1、若發(fā)現(xiàn)某個(gè)時(shí)間以后，突然整體偏大，或是間斷性出現(xiàn) Rs 偏大，是很有可 能為印刷效果不好造成柵線和硅片之間沒有形成合金層，有空隙，造成 Rs 偏大，而此時(shí)的印刷效果與壓 力很相關(guān)， 將壓力增大， 然后再等一會(huì)， 觀察效果， 一般會(huì)好轉(zhuǎn)。 2、一般 Uoc,Isc 偏低的 R

9、s 大的 G 檔片， 有可能為燒結(jié)原因造成的。而 Uoc,Isc 偏高的 Rs 大的 G 檔片有可能為方塊電阻偏高的原因造成的。高串聯(lián)電阻片：燒結(jié)后的電池片，經(jīng)測(cè)試，串聯(lián)電阻高達(dá) 10u Q以上。原因： 一是燒結(jié)溫度與正電極漿料不匹配；二是正電極漿料被污染；三是由于正電極印刷不良；四是 方塊電阻異常。處理方法： 首先停止正電極印刷后硅片的流出，檢查燒結(jié)工藝是否有報(bào)警，然后用調(diào)墨刀把正電極網(wǎng)版底部的漿料鏟出去，添加新漿料試印刷 5 片流下去看效果，如果串聯(lián)電阻還是比較高，重新?lián)Q掉網(wǎng)版試 印刷5片流下去看效果，問題還沒有解決的話重新開一瓶新漿料。測(cè)方塊電阻，取3片Rs10m Q,再取Rs 正常的

10、2 片電池片去測(cè)量方塊電阻進(jìn)行對(duì)比，若有差異（即 Rs 偏大與方塊電阻的數(shù)值偏大正相關(guān)） ， 則說明這是由于方塊電阻異常偏大所導(dǎo)致的 Rs 偏大，通知擴(kuò)散工藝員。需要我們對(duì)前道工藝有所了解。 （比如各個(gè)中心方阻控制在多少，是雙面擴(kuò)還是單面擴(kuò)，大絨面和小絨面，酸制絨和堿制 絨，干刻和濕刻都需要了解清楚）如果測(cè)試機(jī)有問題，先走標(biāo)片，再走重復(fù)性，最后互測(cè)，觀察是哪一個(gè)參數(shù)有異常，如果是串聯(lián)電阻互測(cè)偏差較大（大于0.5m Q ）弓|起填充因子的偏差，就需要通知設(shè)備人員到場(chǎng)解決。如果燒結(jié)爐有問題，爐溫波動(dòng)較大（溫度波動(dòng)超過6 C）升高爐溫或是降低爐溫觀察一下效果。第三臺(tái)絲印機(jī)有問題，先更換漿料觀察效果，

11、再調(diào)節(jié)印刷參數(shù)觀察效果。然后再排查一下前兩臺(tái)印刷機(jī)是否有問題。 工藝員的處理原則：先搞清楚問題是否真的發(fā)生。問題為什么發(fā)生。善后和避免此類問題再次發(fā)生排查異常情況的原因時(shí)最常用的，最有說服力的方法就是對(duì)比實(shí)驗(yàn)：測(cè)試系統(tǒng)的互測(cè)（ 10片）燒結(jié)爐的精確對(duì)比（ 20 片）絲印+燒結(jié)的精確對(duì)比（ 20 片）絲印整條線的精確對(duì)比（ 100-200 片）在遇到突發(fā)的異常情況時(shí)：先看一下從其他線拿幾片電池片在出現(xiàn)異常的生產(chǎn)線測(cè)試一下，排查一下測(cè)試在看一下燒結(jié)爐溫圖像是否有異常再看一下正電極是否剛加入漿料。分析異常電池的方法有：電性能 / 數(shù)據(jù)趨勢(shì)分析外觀（包括測(cè)試柵線寬度）EL測(cè)試方塊電阻PN 型測(cè)試打磨

12、/重?zé)娦阅?/ 數(shù)據(jù)趨勢(shì)分析： 開路電壓、短路電流和漏電是實(shí)測(cè)的值，即便是異常電池片這三個(gè)值也是可以反映電池片的性能。 而串聯(lián)值和填充因子是通過 IV 曲線來模擬近似計(jì)算出來的結(jié)果， 在測(cè)試異常的電池片時(shí) IV 曲線可能是較特殊的曲線， 而此時(shí)模擬近似處理的結(jié)果有可能就不準(zhǔn)確了，例如：串聯(lián)成百上千，或是負(fù)數(shù)等，只能作為參考值。常見的問題可以通過數(shù)據(jù)趨勢(shì)的分析大概得到結(jié)論，從而節(jié)省了排查時(shí)間，提高準(zhǔn)確性。常見問題：理論上每一片電池的電性能都是不同的， 他們的溫度和光強(qiáng)也是不同的。 如果發(fā)現(xiàn)他們的測(cè)試結(jié)果有一項(xiàng)一直是相同 的，這就極有可能是測(cè)試機(jī)出現(xiàn)了問題。例如測(cè)試溫度一直是一樣的，那就有可能是

13、測(cè)溫探頭失靈了。光強(qiáng)一直是一樣的，那就有可能標(biāo)片上有異物蓋上了，或是氙燈壞了。無開壓和短流，而且漏電很大的情況極有可能為放反或是未擴(kuò)散。 開壓短路低一些，而且串聯(lián)電阻偏低的情況有可能為片源問題。 短路電流偏高而串聯(lián)電阻偏高，有可能是柵線印刷過窄造成的。 短路電流偏低有可能是柵線印刷過寬造成的。開壓和短流偏高，串聯(lián)很高，有可能是方阻擴(kuò)散較大造成。 開壓短流正常，只有串聯(lián)很大時(shí)，有可能是漿料問題也有可能是燒結(jié)爐的問題。如果一條線和另一條線相比串聯(lián)很穩(wěn)定，只是稍大1mQ左右，有可能是測(cè)試串聯(lián)偏大，有可能是燒結(jié)爐溫設(shè)定的問題，也有可能是柵線寬度的問題，也有可能是漿料輕微污染。外觀排查：觀察電池片的邊緣

14、是否有漏漿（漏電大） 觀察電池片是否有印裂（漏電大） 觀察電池片是否有擊穿（漏電大） 觀察電池片是否有邊框拉毛（漏電大） 觀察電池片是否嚴(yán)重的網(wǎng)紋（效率低，漏電大） 觀察電池片是否有微晶（效率低，漏電大） 觀察電池片是否有黑邊（黑邊很重，有可能漏電大；沒有刻蝕痕跡，也可能漏電大，但打磨有效） 觀察電池片背面是否有滾輪?。ㄓ锌赡苈╇姶螅┯^察電池片背面是否有鋁刺 觀察電池片背面是否有鼓包（溫度過高，印刷不均勻或漿料攪拌不均勻） 觀察電池片背面是否有脫落和掉粉觀察電池片背面邊緣是否發(fā)白（PE繞射）觀察電池片是否有正電極脫落背電極（印刷過厚） 測(cè)量電池片的細(xì)柵線寬度是否超過范圍（120卩m）外觀排查總

15、的原則是：不影響電性能，不影響包裝碎片，不影響焊接EL測(cè)試：EL 正偏發(fā)亮的區(qū)域表示此區(qū)域結(jié)特性正常，發(fā)暗的區(qū)域表明一種可能是這個(gè)區(qū)域的少子壽命很低，載流子無法起到 傳送電流的作用，另一種可能是這個(gè)區(qū)域電極和電池片之間的接觸電阻很大，還有一種可能是沒有形成pn 結(jié)。EL反偏發(fā)亮的區(qū)域的區(qū)域表明該區(qū)域有漏電，發(fā)暗的區(qū)域表明該區(qū)域沒有漏電。方塊電阻 使用四探針測(cè)試未燒結(jié)之前的電池片更有說服力。單晶方阻455 多晶方阻 546 是目前擴(kuò)散的正常方阻。但是如果在燒結(jié)之后測(cè)試到方阻為 70 以上的時(shí)候，這就說明方阻有問題。pn型測(cè)試使用萬用表的 KQ檔，測(cè)量其表層的電阻值。1 ，如果電池片表層有氮化硅層

16、，而氮化硅層不會(huì)導(dǎo)電，將會(huì)影響其測(cè)量的阻值。所以需要使用探頭將電池片表層反 復(fù)磨蝕，去掉氮化硅的顏色才可以進(jìn)行測(cè)量。2，兩個(gè)探頭間相距 0.5cm 左右3，當(dāng)測(cè)得的結(jié)果為10100 Q左右時(shí)，即為N型導(dǎo)電層；當(dāng)測(cè)得的結(jié)果為10000 Q左右時(shí)，即為P型導(dǎo)電層。N 型導(dǎo)電層導(dǎo)電電阻值低的原因： 1，在擴(kuò)磷的過程中，擴(kuò)散面相對(duì)與基底為重?fù)诫s，所以產(chǎn)生的導(dǎo)電離子較多，所以電阻值會(huì)降低。2, N型導(dǎo)電粒子比P型導(dǎo)電粒子更為活潑，導(dǎo)電能力更強(qiáng)。正常情況下電池片正面為 n型，電池片的背面為 p型，如果測(cè)試到電池片的正面為p型則說明正面沒有擴(kuò)散進(jìn)入磷,或者是擴(kuò)散的磷被刻蝕掉了。打磨/ 重?zé)槍?duì)漏電較大的電池

17、片，而且外觀上沒有看到刻蝕痕跡，EL 圖像顯示漏電發(fā)生在電池片邊緣，可以進(jìn)一步進(jìn)行打磨，但是要注意一下幾點(diǎn)： 使用細(xì)砂紙進(jìn)行打磨，否者容易蹦邊。電池片的每一個(gè)邊緣都必須要打磨到，導(dǎo)角處也一定要打磨干凈。 絲印的返工片不需要打磨，它肯定沒有效果。針對(duì)懷疑沒有燒結(jié)透的電池片，可以重?zé)幌隆Ｖ責(zé)靶枰獪y(cè)試電性能，以便和重?zé)蟮碾娦阅軐?duì)比。重?zé)臅r(shí)候需要 在電池片下面墊上假片，防止背場(chǎng)鋁珠。如果重?zé)院蟠?lián)降低，則有可能是未燒透；如果重?zé)蟠?lián)增加，漏電增大， 則有可能是過燒了。漏電原因1、印刷鋁漿時(shí)網(wǎng)版的漏漿及承印面感光紙沒有及時(shí)更換所致。 2、表面雜質(zhì)：主要是生產(chǎn)過程中環(huán)境 因素影響，在鍍膜面上

18、留下雜質(zhì)，印刷時(shí)如果和電極重合，在高溫?zé)Y(jié)時(shí)進(jìn)入 PN 結(jié)導(dǎo)致漏電。 3、漿料污 染：銀漿長(zhǎng)期暴露在空氣中，多次印刷過程中有雜質(zhì)混入，最終表現(xiàn)出來漏電。 4、燒結(jié)溫度的控制，如果 燒結(jié)溫度過高或是硅片本身某個(gè)區(qū)域有很深的制絨深洞， 在燒結(jié)時(shí)則會(huì)造成燒穿， Irev1 增加。 5、擴(kuò)散時(shí)， 某些區(qū)域擴(kuò)散的 P 很薄，或是沒有擴(kuò)散，則會(huì)造成正極和背場(chǎng)導(dǎo)通造成 Irev1 很大。 6、在硅片的生產(chǎn)傳遞 的任何一個(gè)環(huán)節(jié)，對(duì)硅片的污染（即便戴上乳膠手套或是吸筆的碰觸）均會(huì)引起 Irev1 偏大。單晶更為明 顯，板P更為明顯。7、微晶片（1厘米內(nèi)晶粒數(shù)目達(dá)到或超過10 個(gè)）,在有微晶的位置，雜質(zhì) C和0含

19、 量較高，更容易造成 Irev1 很大。 8、網(wǎng)紋存在的位置氧含量較高，更容易被腐蝕，絨面更深，所以外觀上 發(fā)暗，也更容易擊穿或是 Irev1 偏大。 9、硅片本身的雜質(zhì)含量較高的硅片強(qiáng)烈依賴背場(chǎng)的鈍化和吸雜，若 存在背場(chǎng)或是背電極印偏的情況有背面沒有被背場(chǎng) Al 漿所覆蓋的話， 這個(gè)區(qū)域由于沒有經(jīng)過鈍化和吸雜容 易出現(xiàn) Irev1 偏大。燒結(jié)爐溫度波動(dòng)較大：10-30 度屬于爐溫異常波動(dòng)，在有電池片在爐內(nèi)的情況之下，一般爐溫波動(dòng)在 5 度以內(nèi)，基本是直線， 高功率的加熱區(qū)所使用的加熱管易出現(xiàn)這種問題，燒結(jié)爐長(zhǎng)期關(guān)閉冷卻，重新使用時(shí)和新?lián)Q上高功率的加 熱管時(shí)易出現(xiàn)這問題。原因： 當(dāng)燒結(jié)區(qū)溫度過

20、高時(shí)，達(dá)到溫度控制的上限時(shí)，加熱管所顯示的功率逐漸接近 0% ，表示加熱 管停止工作。此時(shí)，爐溫開始下降，燒結(jié)區(qū)的溫度急劇下降，降到燒結(jié)溫度的控制下限以下，此時(shí)加熱管 全速啟動(dòng)來加熱升溫， 加熱管所顯示的功率由 0%上升到最大值 （一般設(shè)定為 70%），很快燒結(jié)區(qū)的溫度又 變得過高，達(dá)到和越過溫度控制的上限，如此循環(huán)往復(fù)，爐溫記錄曲線圖象接近正弦波，周期為 4.5min.解決方案：1、爐溫波動(dòng)過在大的本質(zhì)是，加熱管功率劇烈起伏，接近于共振，而解決共振的一個(gè)方法2、便是擾動(dòng)，將燒結(jié)爐徹底關(guān)閉冷卻，再重新啟動(dòng)，相當(dāng)于一次徹底的巨大的干攪，但不是一定會(huì)好轉(zhuǎn) 在燒結(jié)區(qū)的爐溫超過下界時(shí)，加熱管的功率加大

21、，正在全速加熱時(shí)，通過減小加熱管輸出功率的方法，減 緩爐溫上升的速度，使?fàn)t溫慢慢上升到平均值，進(jìn)而達(dá)到穩(wěn)定，但是容易造成爐溫劇烈波動(dòng)，引起 G 檔和 DE 檔片，同增，要謹(jǐn)慎使用。 3、通過控制輸出功率的大小的將爐溫維持在比較穩(wěn)定的水平，維持一段時(shí) 間爐溫比較穩(wěn)定。爐溫急停的處理方法：1、通知設(shè)備盡快將傳送帶啟動(dòng)，將所有燒結(jié)爐內(nèi)的電池片取出。在取出的過程中要注意，接近出口的3-5 片可以正常流入測(cè)試，背場(chǎng)發(fā)黃，變色或是部分發(fā)黃變色，為過燒，過燒的電池片也不必截下，都可 以交給質(zhì)量組長(zhǎng)進(jìn)行外觀判斷。2、將其它所有燒結(jié)爐內(nèi)的電池片盡快取出（保證正面對(duì)正面，背面對(duì)背面，防止將正面污染，造成 Irve

22、1 檔），如果燒結(jié)停頓時(shí)間過長(zhǎng)，取出未燒透的電池片，流出時(shí)會(huì)有背電場(chǎng)脫落，正電場(chǎng)部分脫落的現(xiàn) 象，將這兩類片子取出待處理，將其它片子取出，再次流入燒結(jié)爐，取出后交給質(zhì)量組長(zhǎng)進(jìn)行外觀判定。3、將柵線脫落的電池片交給質(zhì)量組長(zhǎng)進(jìn)行外觀判定。4、將背場(chǎng)脫落嚴(yán)重的電池片，背場(chǎng)刮凈待以后重新印上背場(chǎng)，背場(chǎng)部分脫落，又無法刮凈的電池片交給質(zhì)量。5、統(tǒng)計(jì)由于燒結(jié)急停造成的碎片，由柵線脫落背場(chǎng)脫落，鋁珠，彎曲等造成碎片，以及印殘（柵線脫 落等造成的印殘）。6、重新開線，確認(rèn)爐溫，冷卻水等。取片子時(shí)，針對(duì)那些背場(chǎng)未燒透，發(fā)白的電池片，要用泡沫盒或 用插片盒裝盛，此時(shí)的背場(chǎng)極易脫落和劃傷，小心拿取，且不益存放時(shí)間過

23、長(zhǎng)，應(yīng)及時(shí)處理。7、燒結(jié)爐報(bào)警燈的頂端紅燈若是亮起，代表燒結(jié)爐在2 分鐘以內(nèi)肯定會(huì)停止工作，要通知絲印，停止生產(chǎn)。加熱管的結(jié)構(gòu)形式： 為實(shí)現(xiàn)燒結(jié)段的溫度尖峰，需在很短的爐膛空間內(nèi)布置足夠的加熱功率，目前，有短波孿管和短波單 管兩種結(jié)構(gòu)可以選擇，其線性功率密度均達(dá)到 60KW/m2 。雖然短波孿管擁有更高的單根功率（相當(dāng)于兩 根單管并聯(lián)），但由于其制造工藝復(fù)雜， 對(duì)石英玻璃管的質(zhì)量要求更高， 制造成本約是單管的 2.5 倍。因此， 在實(shí)際使用中，大多采用單管加熱管的固定形式：燒結(jié)段的溫度峰值在 850 度左右，此時(shí)燈管的表面溫度將達(dá)到 1100 度，接近石英管的使用極限，稍 微過熱產(chǎn)生氣孔就會(huì)立

24、刻燒毀燈管。而在燈管的引出導(dǎo)線部位，由于焊接導(dǎo)線的金屬片和石英玻璃密封在 一起，二者熱膨脹系數(shù)不一致，如果此處溫度過高就會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力裂紋，造成燈管漏氣。因此，燈管在爐膛 中的固定方式十分重要。爐管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)：太陽能電池片的燒結(jié)工藝決定了相鄰兩個(gè)溫區(qū)的溫度會(huì)有 300 度以上的落差。雖然輻射加熱具有很好 的定向性， 但是在燈管和基本之間由于爐膛氣氛的存在， 在一部分能量會(huì)因?qū)α骱涂諝獾睦鋮s作用而損失， 同時(shí)，高溫區(qū)的熱量有向相鄰低溫區(qū)擴(kuò)散的趨勢(shì)，這種熱擴(kuò)散會(huì)抬高相鄰溫區(qū)的實(shí)際溫度，阻礙溫度尖峰 的形成。因此，如何減少空氣的熱損失和相鄰溫區(qū)的熱擴(kuò)散是爐膛結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的重點(diǎn)。整個(gè)爐膛采取大加熱腔小通道的結(jié)構(gòu)

25、，大加熱腔可以提供足夠的熱量，減少熱震蕩，提高爐膛的溫度 均勻性；小通道可以使每個(gè)溫區(qū)的空間相對(duì)獨(dú)立，減少對(duì)流，降低相鄰溫區(qū)間熱擴(kuò)散干擾，由于硅基片厚 度曲線測(cè)量器件從爐膛通過，一般有效高度在 30mm 左右。氣氛布置： 1、烘干爐的氣氛布置。輻射加熱迅速烘干漿料中的有機(jī)溶劑和水分，為有效地將廢氣排出，需領(lǐng)先合理的氣氛流向。 外界的冷空氣由鼓風(fēng)機(jī)送入加熱器， 被加熱到約 200 度，從頂部進(jìn)入爐膛， 分成左右兩段， 通過對(duì)流將烘干過程產(chǎn)生的廢氣攜帶至廢氣收集管，在抽氣煙囪的作用下排出爐膛。通過這種強(qiáng)制熱風(fēng)對(duì) 流循環(huán)，爐膛內(nèi)的廢氣定向有序地排出，減少了對(duì)基片的污染。2、預(yù)燒段的氣氛布置。輻射加熱

26、在迅速提高基本溫度的同時(shí)，也會(huì)因燈管布置間距，電流通斷時(shí)間， 輻射角度變化而造成基本受熱不均勻。而在爐膛內(nèi)通入一定量的熱空氣，巧妙利用對(duì)流攪拌作用，使溫度 分布更加均勻，消除了基片產(chǎn)生熱應(yīng)力的隱患。此外，預(yù)熱時(shí)隨著溫度升高，漿料中的鋁離子開始擴(kuò)散揮 發(fā)，為防止基片正反兩面金屬離子交叉污染，如何形成上下溫區(qū)互不干擾的氣氛流向是設(shè)計(jì)的重點(diǎn)。3、燒結(jié)段的氣氛布置。 燒結(jié)段燈管的表面溫度極高， 此處氣氛布置的主要目的是利用空氣的冷卻效應(yīng)， 使燈管保持在安全的使用溫度以內(nèi)。冷壓縮空氣自爐膛兩側(cè)的連接嘴通入，從燈管與安裝孔的空隙吹進(jìn)爐 膛，一方面冷空氣經(jīng)過耐火層時(shí)被逐漸加熱，不會(huì)對(duì)溫區(qū)溫度產(chǎn)生擾動(dòng)；另一方

27、面，冷空氣在燈管表面形 成一層很薄的冷卻層，防止燈管過燒，并給冷端降溫4、降溫段的氣氛布置。降溫段的氣氛布置相對(duì)簡(jiǎn)單，主要作用是阻隔燒結(jié)段的熱量擴(kuò)散，因此，在燒結(jié)段與降溫段之間的過度區(qū)，布置數(shù)道垂直的壓縮空氣氣幕，并結(jié)合水冷鋼套的作用使熱能被完全阻隔在 燒結(jié)段內(nèi)。金屬化工藝燒結(jié)過程下面 Ag-Si 合金-背面 Al-Si 合金H 擴(kuò)散進(jìn)入 Si 體相，鈍化缺陷和雜質(zhì)。優(yōu)化接觸需三個(gè)過程有機(jī)協(xié)作： 1、正表面形成均一，低電阻和高分流電阻的歐姆接觸，以提高Uoc和FF。2、H深入擴(kuò)散進(jìn)入材料體相并鈍化雜質(zhì)和缺陷，以產(chǎn)生高Isc和Uoc。3、背面Al-Si合金區(qū)需形成大的 P+-P 場(chǎng)，降低背面復(fù)合

28、，提高 Uoc.燒結(jié)對(duì)三個(gè)過程的影響方式不同：溫和燒結(jié)能得到較好的正面接觸，但是 H 無法深度擴(kuò)散入體相；強(qiáng) 力燒結(jié)雖可得到好的背電場(chǎng)，但導(dǎo)致正面結(jié)合的分流 即并聯(lián)電阻減小及 H 的溢出。使電池效率最大化的 一種方法是 Tailor 三個(gè)參數(shù)：氮化硅層，正面的銀漿，背面的鋁刺，使它們的功能在同一個(gè)溫度時(shí)間過程 中達(dá)到極大值。 Al-Si 合金共熔溫度 835 度， Ag 的熔化溫度 961.9 度，而現(xiàn)在的溫度均低于這兩個(gè)值。燒結(jié)對(duì)電池片的影響： 相對(duì)于鋁漿燒結(jié)，銀漿的燒結(jié)更重要很多，對(duì)電池片電性能影響主要體現(xiàn)在串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻，即FF 的變化。鋁漿燒結(jié)的目的使?jié){料中的有機(jī)溶劑完全揮發(fā)，并形

29、成完好的鋁硅合金和鋁層，局部的受熱不均和散 熱不均可能會(huì)導(dǎo)致起包，嚴(yán)重的會(huì)起鋁珠。背場(chǎng)經(jīng)燒結(jié)后形成的鋁硅合金， 鋁在硅片中是作為 P 型摻雜，它可以減少金屬與硅交接處的少子復(fù)合， 從而提高開路電壓和短路電流，改善對(duì)紅外線的影響。異常情況處理流程一、 Rs 偏大1、將Rs偏大的電池片取出重新測(cè)試，檢查是否為測(cè)試偏差導(dǎo)致的Rs偏大。2、測(cè)試Rs偏大的電池片的柵線高寬，確認(rèn)是否為印刷（只指印刷狀態(tài)）導(dǎo)致。3、測(cè)試Rs偏大的電池片和正常的電池片的方塊電阻，看兩者之間是否存在差異。4、做交叉對(duì)比試驗(yàn)，確認(rèn)為印刷工序（包括印刷狀態(tài)和漿料）或燒結(jié)工序的問題。5、拉爐溫檢測(cè)爐溫是否在正常范圍內(nèi)，如超出范圍可適

30、當(dāng)調(diào)整。Rs偏大檢查是否為測(cè)試導(dǎo)致非測(cè)試導(dǎo)致檢查電阻率是否0.5-3測(cè)試偏差導(dǎo)致檢查柵線印刷高寬柵線高寬異常柵線高寬正常檢查印刷零點(diǎn)和網(wǎng)版刮刀檢查方塊電阻方塊電阻異常方塊電阻正常做交叉對(duì)比試驗(yàn)，確 認(rèn)漿料或燒結(jié)問題通知擴(kuò)散，并檢查未 印刷的電池片，防止 方塊電阻大的電池片 再流入絲網(wǎng)印刷漿料問題燒結(jié)問題更換網(wǎng)版 刮刀，并報(bào) 廢漿料拉爐溫，根 據(jù)爐溫曲 線調(diào)整丿檢查探針及夾手二、Irevl 偏大1、取磨砂紙打磨電池邊緣，使邊緣露出亮亮的硅本色。重新測(cè)試觀測(cè)漏電是否改善。2、 統(tǒng)計(jì)兩條線數(shù)據(jù)，檢查Irevl是否有差異3、檢查烘干爐托盤和印刷軌道是否清理干凈Irevl偏大打磨電池片邊緣*漏電好轉(zhuǎn)漏電

31、無改善通知擴(kuò)散檢查等離 子刻蝕，并 要求生產(chǎn) 將漏電大 的電池片 重新打磨 統(tǒng)計(jì)兩條線漏電差異（同一片源）有差異做對(duì)比試驗(yàn)印刷導(dǎo)致漏 電大無差異可適當(dāng)根 據(jù)管P或板 P變換調(diào)整 燒結(jié)，但調(diào) 整幅度要 小，無效果 恢復(fù)燒結(jié)爐導(dǎo)致的漏電 大清理烘干 爐托盤及 印刷軌道， 更換正面 電極漿料 網(wǎng)版及刮 刀，確認(rèn)是 否沾污導(dǎo) 致。如為人 為操作導(dǎo) 致的沾污， 記錄并通 知其領(lǐng)班拉爐溫確 認(rèn)工藝后， 可作適當(dāng) 調(diào)節(jié)；在產(chǎn) 能允許的 情況下，也 可做燒結(jié) 爐清洗 丿三、兩條線效率差異20001、檢查兩條線同一片源差異大小。如數(shù)據(jù)較穩(wěn)定，可通過 500片以上數(shù)據(jù)來判斷差異。如數(shù)據(jù)波動(dòng)較大，必須通過 片以上的

32、數(shù)據(jù)來確認(rèn)差異大小。2、取10片電池片（單晶取 B3-1,多晶取C3-1檔），分別在兩線測(cè)試，檢查測(cè)試有無差異。3、統(tǒng)計(jì)兩條線數(shù)據(jù)，檢測(cè)產(chǎn)生效率差異的參數(shù)為哪個(gè)。根據(jù)相關(guān)參數(shù)來調(diào)節(jié)。4、 確認(rèn)非絲印燒結(jié)情況下，可安排PECVD交換對(duì)比試驗(yàn)。四、電池片彎曲1、檢查背電場(chǎng)印刷重量是否正常125 單晶：0.9 0.05g156 多晶：1.5 0.10g2、檢查電池片厚度（重量）是否正常125單晶：重量應(yīng)大于 5.3g156多晶：重量應(yīng)大于 9g3、印刷重量調(diào)節(jié)方法：，正常后應(yīng)恢復(fù)印刷速度。 適當(dāng)減慢印刷速度可降低過墨量，但調(diào)節(jié)后務(wù)必記錄絲網(wǎng)印刷參數(shù)更改表 加大印刷壓力可降低過墨量 使用高目數(shù)網(wǎng)版可降

33、低過墨量檢查背電場(chǎng)印刷重量是否正常印刷重量偏大檢查硅片厚度重量是否正常硅片正常適當(dāng)調(diào)節(jié) 印刷參數(shù) 或使用高 目數(shù)網(wǎng)版，檢驗(yàn)燒結(jié) 爐溫，可做 適當(dāng)調(diào)節(jié)丿電池片彎曲調(diào)節(jié)印刷參 數(shù)，使印刷量 至正常范圍如調(diào)節(jié)無 效果，是否 為設(shè)備零 點(diǎn)漂移，通 知設(shè)備處 理印刷重 量正常硅片偏溥使印刷量 低于正常 范圍。但硅 片厚度正 常后，須恢 復(fù)印刷工I藝粘片：在印刷硅片的時(shí)候，硅片脫離工作臺(tái)而粘到絲網(wǎng)上導(dǎo)致印刷故障。原因：硅片與工作臺(tái)之間的力小于絲網(wǎng)與硅片之間的力，原因是漿料變稠，有可能是網(wǎng)版的張力變小,也有可能是印刷工藝參數(shù)的零點(diǎn)漂移造成的。處理方法：首先確定漿料是否太稠，如果不是很稠，用調(diào)墨刀把網(wǎng)版底部的

34、漿料鏟出去，添加新漿料試印刷，不能解決更換新網(wǎng)版，新網(wǎng)版也不能解決可以調(diào)節(jié)工藝參數(shù) snap off 和 down stop ；如果網(wǎng)版上 的漿料很稠，重新?lián)Q網(wǎng)版和漿料。彎曲片： 燒結(jié)后出來的電池片的彎曲度大于 1.5.原因：一是由于本身硅片太?。欢菬Y(jié)溫度過高；三是由于印刷的背場(chǎng)過厚。處理方法： 首先檢查燒結(jié)工藝是否正常，正常的情況下測(cè)量下鍍膜后硅片的厚度，如果厚度小于180um ，不適合做，厚度在 180-200um 之間，調(diào)下背電極的 Snap off 和 down stop, 增大壓力，調(diào)慢印刷 速度。主柵線脫落的原因： 主柵太厚， PV159 漿料易出現(xiàn)這種主柵線脫落的現(xiàn)象，將壓力

35、增加，大于80N ，保證刮刀平整，一般不會(huì)有主柵線脫落的問題，日本漿料也出現(xiàn)過這種情況。一般為刮條不平整有彎曲現(xiàn)象，而在彎曲的位置，易造成印厚或是虛印，但是把壓力加大，又易造成 爆版。方塊電阻： 單位厚度單位面積上的電阻值稱為方塊電阻，單位為歐姆 /平方 /密耳。單位厚度為密耳。 1 密耳=25um，用/口（ 25um厚度下）表示，計(jì)算方法：1、測(cè)出被測(cè)線路的長(zhǎng)度L,線路的寬度 W和線 路T （密耳）。2、用歐姆表測(cè)出線路兩端的電阻讀數(shù) R （歐姆）。3、L/W=被測(cè)線路的方塊數(shù)n。R/n=每平 方塊上的電阻值。4、方塊電阻Q口 =R/n/T.銀漿 R 口增大的原因是什么？1 、烘干不徹底，即

36、烘干的溫度不夠，時(shí)間不夠或干燥方式欠佳。2、印刷厚度不滿足銀漿要求的溫度，印刷厚度薄，銀與銀連接不結(jié)實(shí)。3 、缸子打開時(shí)攪拌不徹底，造成缸子上層銀含量低，油墨方阻增大，下層銀含量高，附著力降低，因 為銀的比重很大，是水的十幾倍所以容易沉在底部，所以應(yīng)徹底攪拌。背場(chǎng)燒結(jié)后鼓包的處理：1 、漿料攪拌時(shí)間過度和漿料溫度過高。漿料攪拌時(shí)間過長(zhǎng)導(dǎo)致漿料發(fā)熱，漿料中的有機(jī)溶劑揮發(fā)使?jié){料中產(chǎn)生很多氣泡。措施：控制漿料攪拌時(shí)間，同時(shí)漿料攪拌完以后靜置一段時(shí)間才能上線使用。2、絨面過大而且不均勻絨面角錐過大同時(shí)不均勻，印刷后鋁漿沒有完全接觸硅片表面，硅片和漿料之間留有空氣，燒結(jié)后產(chǎn) 生鼓包措施：增大印刷量，盡量

37、使印刷層與硅片表面接觸良好。調(diào)節(jié)間距參數(shù)：絲網(wǎng)間距超大，背電場(chǎng)越厚，刮刀高度越低，背電場(chǎng)越厚。印刷速度越快，背電場(chǎng)越 厚，但速度超過一定量時(shí)，背電場(chǎng)又會(huì)變薄，印刷壓力越小，背電場(chǎng)越厚。背場(chǎng)鼓包最主要的原因還是在 于漿料中的有機(jī)溶劑或者氣體在燒結(jié)過程中揮發(fā)不完全形成的。可以升高幾個(gè)溫區(qū)會(huì)有效果。燒結(jié)溫度過 高，則會(huì)在背場(chǎng)形成密密麻麻的鼓包，降低 5，6 區(qū)的爐溫會(huì)有好轉(zhuǎn)，特別是 5 區(qū)的爐溫效果會(huì)更好。為何高方阻的 Uoc,Isc 較高？擴(kuò)散的深度較淺，表面的空穴較多，所以方塊電阻較高，但是 Uoc,Isc 較高的原因有以下幾點(diǎn)： 1、方 塊電阻較高，表面表面的 P 濃度較少，雜質(zhì)也較少，少子壽

38、命較高，所以 Uoc,Isc 也就較高。 2、方塊電阻 較高表示形成的 P-N 結(jié)較淺，載流子移動(dòng)到表面的路更短，損耗也就更少， Uoc,Isc 也就會(huì)更高。 3、光譜 響應(yīng)。Berger 測(cè)試系統(tǒng)1、測(cè)試原理： Pulse 長(zhǎng)度超過 16ms ，其中主要包括兩個(gè)部分，光強(qiáng) 1000W/m2 部分和 500W/m2 部 分。通過兩條 IV 曲線，可以用 IEC61215 標(biāo)準(zhǔn)提供的公式計(jì)算 Rs.2、Moniter Cell 的作用。其功能只是用來確定光強(qiáng)。其電流輸出到一定值電阻上，通過測(cè)量該電阻 上的電壓，確定 Moniter Cell 的短路電流，進(jìn)而確定光強(qiáng)。3、測(cè)試點(diǎn)的分配。對(duì)于每一規(guī)

39、格的電池， Berger 系統(tǒng)需要知道電池的面積和大致電流密度，計(jì)算出Isc,并以此值為基礎(chǔ)分配IV曲線各段的測(cè)試點(diǎn)數(shù)量。其具體做法是：a.在坐標(biāo)系上找到(lsc,Uoc) (Uoc 一般變化不大)，連接此點(diǎn)與原點(diǎn)；b.找到(lsc,Uoc/3),連接此點(diǎn)與原點(diǎn)；c.找到(lsc,2Uoc/3)，連接此點(diǎn)與 原點(diǎn)；d.找到(Isc/2,Uoc )，連接此點(diǎn)與原點(diǎn)；e.這4條線，加上兩條坐標(biāo)軸，把IV曲線分割成5個(gè)部分， Berger 系統(tǒng)分配給每個(gè)部分 20 個(gè)測(cè)試點(diǎn)，以保證測(cè)試點(diǎn)在 lV 曲線上分布均勻。4、IV 曲線不完整的問題。 IV 曲線不在 Isc 端出現(xiàn)不完整，最可能是曲高接觸電阻

40、造成的，測(cè)試探針( Pin )損壞，電阻偏高，或測(cè)試線內(nèi)部出現(xiàn)損傷等。Berger 的系統(tǒng)在電路中設(shè)置了一個(gè)正向的補(bǔ)償電壓( offset voltage )來補(bǔ)償由于電路中寄生電阻造成的電壓降。寄生電阻主要來自三個(gè)部分。一是探針和電池片的接觸電阻，其典型值在100-150m Q之間；二IV 曲線與 I 軸有交點(diǎn)是可變負(fù)載，其最小值也不精確為零，因此需要補(bǔ)償；三是電池的電阻。為了確保 在測(cè)試的初始時(shí)刻，即 T=0 時(shí)，測(cè)量電壓應(yīng)小于 0，若寄生電阻過大，電壓降超過補(bǔ)償電壓，則會(huì)造成測(cè) 試電壓初始值大于 0，反應(yīng)在 IV 曲線上就是 IV 曲線不完整，在 Isc 端出現(xiàn)缺口（ V 從一開始就大于

41、 0 ）。5、為了計(jì)算補(bǔ)償電壓，系統(tǒng)需要知道太陽電池的 Isc ，并默認(rèn)寄生電阻為一恒定值，二者的乘積即為 補(bǔ)償電壓。這個(gè)短路電流是指系統(tǒng)測(cè)量得到和未加光強(qiáng)修正的電流，因此為了確保補(bǔ)償電流設(shè)置準(zhǔn)確，測(cè) 試的光強(qiáng)應(yīng)為 950-1050 之內(nèi)。6、反向暗電流。 Berger 系統(tǒng)最大反向電壓 15V ，在測(cè)量反向暗電流的電路中，可變負(fù)載的范圍是0到 400 Q.有關(guān)漏漿的討論。結(jié)柵線上印粗的漏漿，也有員工稱之為細(xì)柵線印粗。 1、有可能是網(wǎng)版老化。生產(chǎn)過程中會(huì)不斷擦拭網(wǎng) 版，而網(wǎng)版又很容易在細(xì)柵線處磨損， 所以造成漏漿， 但這種情況下， 漏漿的位置很固定， 很容易發(fā)現(xiàn)。 2、 漿料中有雜質(zhì)， 而且是

42、很細(xì)碎的雜質(zhì)， 但一般會(huì)將網(wǎng)版磨壞， 或者是斷柵， 很少出現(xiàn)。 3、硅片表面和毛屑， 有時(shí)在第一次印刷時(shí)，毛屑就粘在細(xì)柵線上，造成這個(gè)位置相應(yīng)的印粗，而且以后印刷的幾片電池片也都 會(huì)在相應(yīng)的位置印粗，但可印幾片就會(huì)又正常。印粗的位置在顯微鏡下觀察會(huì)發(fā)現(xiàn)呈葫蘆狀，中間細(xì)，兩 邊很粗，處理方法是擦干凈第二臺(tái)烘干爐內(nèi)的托盤， 并用干凈的無塵布擦掉硅片表面的毛屑。 4、刮刀老化， 鈍化也會(huì)造成漏漿點(diǎn)較多。 5、回料刀過高或過低都有可能出現(xiàn)漏漿點(diǎn)。 回料刀過高時(shí)，留給刮刀的漿料就 較多，刮刀在行進(jìn)過程中阻力較大，更易將漿料擠到網(wǎng)版以下漏在硅片上，回料刀過低，那么回料刀在回 料過程中對(duì)漿料的力就會(huì)增大，可

43、能將漿料擠到網(wǎng)版下，所以在印刷過程中造成柵線的印粗。邊緣漏漿，將會(huì)影響電池片的漏電，由于Al是重?fù)诫s質(zhì)，在燒結(jié)過程中會(huì)擴(kuò)散進(jìn)入電池片表層 3-6um 片，若鋁漿較多，且連成一片，極有可能將正面的 N 層和背面的 P 層導(dǎo)通，從而造成邊緣漏電。不過要更正一種思想，邊緣只有一個(gè)小點(diǎn)的漏漿且很模糊不連貫，這樣的漏漿不會(huì)影響到電池片的電 性能，因?yàn)锳l在燒結(jié)過后，Al離子會(huì)擴(kuò)散進(jìn)入到3-6um，而電池片邊緣被刻蝕掉的距離有 1mm，差將近 兩個(gè)數(shù)量級(jí)，所以根本沒有影響。微晶區(qū)域?qū)﹄姵仄娦阅艿挠绊憽? 、在多晶硅片上，作為晶界，位錯(cuò)和雜質(zhì)三者聚集的微晶區(qū)域，是少數(shù)載流子的強(qiáng)復(fù)合中心，會(huì)嚴(yán)重 影響硅片的

44、少子壽命。2、微晶區(qū)域，尤其是晶界處垂直 PN 結(jié)的長(zhǎng)條狀導(dǎo)電型， SiC 的存在，會(huì)造成多晶硅電池的嚴(yán)重漏電 甚至 PN 結(jié)局部短路，使電性能嚴(yán)重下降甚至報(bào)廢用萬用表測(cè)量 PN 型。使用萬用表的KQ檔測(cè)量其表層電阻值，由于電池片表層有氮化硅層，而氮化硅層不導(dǎo)電，將會(huì)影響 其測(cè)量的阻值，所以需要使探頭將電池片表層反復(fù)磨無下，去掉氮化硅的顏色才可以進(jìn)行測(cè)量（但有的電 池片在不磨損氮化硅的情況下也可以測(cè)量 PN型）。兩個(gè)探頭間相距0.5cm左右，當(dāng)測(cè)得的結(jié)果為10 Q左 右是為N型導(dǎo)電。當(dāng)為10000 Q時(shí)為P型導(dǎo)電。原因是在擴(kuò)磷的過程中，擴(kuò)散面相對(duì)于基底為重?fù)诫s，所 以產(chǎn)生的導(dǎo)電離子較多，所以電

45、阻值會(huì)降低。 N 型導(dǎo)體粒子比 P 型導(dǎo)電粒子更為活潑，導(dǎo)電能力更強(qiáng)。EL 原理場(chǎng)致發(fā)光，又稱電致發(fā)光（ EL）electroluminescent ，是固體發(fā)光材料在電場(chǎng)激發(fā)下發(fā)光的現(xiàn)象。儀器說明 :萬用表與 PN 型檢測(cè)儀-測(cè)量表面電阻和 PN 型 金相顯微鏡， 3D 顯微鏡測(cè)試柵線調(diào)試和寬度Suns-Voc 判斷結(jié)與原材料光譜儀 測(cè)試膜厚與折射率WT-200 測(cè)試方塊電阻，少子壽命及整面 QE OL-750 測(cè)試單點(diǎn) QEEL 測(cè)試漏電區(qū)域Correscan 測(cè)試漏電及接觸電阻SEM 測(cè)試絨面及印刷情況絲網(wǎng)印刷機(jī)是意大利 BSCCINI 公司制造，有光學(xué)定位，印刷頭旁的 CCD 數(shù)碼相機(jī)

46、檢測(cè)絲網(wǎng)基準(zhǔn)。影響 Uoc 的參數(shù)1 、材料 -光伏有源材料：電阻率，少子壽命，其它雜質(zhì)2、表面發(fā)射極摻雜層。3、背面電場(chǎng)（ BSF ：Back surface field ）4、漏電流 -反向飽和電流 I05、理想因子 n6、并聯(lián)電阻7、鈍化技術(shù) -電池材料的表面和內(nèi)部的鈍化。提高效率的路徑1 、絨面結(jié)構(gòu)； 2、正面減反射膜； 3、表面發(fā)射極摻雜層 -高或低的磷濃度； 4、減少遮光損失； 5、串 聯(lián)電阻；6、背面反射； 7、鈍化技術(shù)。影響 FF 的因素1、表面發(fā)射極摻雜層 -高或低的磷濃度； 2、去除周邊 PN 結(jié)和去磷玻璃； 3、串聯(lián)電阻； 4、下面減反 射膜； 5、金屬電極接觸的燒結(jié)； 6、并聯(lián)電阻。太陽能電池能量轉(zhuǎn)換效率由 Uoc,Isc,FF 確定