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1、一、是非題(每題 1.5分,共 24 分)I、(V)三只普通硅二極管串聯(lián),可作2.1伏穩(wěn)壓管使用。2 ( V )在很高頻率的條件下工作,晶體二極管將失去單向?qū)?電性能。3、( V )橋式整流,負(fù)載為電容濾波的電路中,若電容器上的電壓為 17 伏,則整流器輸入的交流信號(hào)有效值一般要 大于 17 伏。4、( X )交流放大器級(jí)間耦合電容器的容量若減小,則放大器的低頻特性將變差,即fL將減小。5、( X )共發(fā)射極晶體管放大器與共源極場(chǎng)效應(yīng)管放大器相比,前者所允許的輸入信號(hào)幅值將大于后者。6、( X )觸發(fā)器的置位端(置 1 端)至輸出端的信號(hào)延時(shí)量一定大于觸發(fā)器由輸入端至輸出端的延時(shí)量。7、( X
2、 )在實(shí)際電路中,與門、與非門的多余輸入端口最好都接高電平,以免干擾信號(hào)竄入電路。8、( V )譯碼器、加法器、觸發(fā)器等都屬于組合邏輯電路。9、( V )計(jì)算機(jī)系統(tǒng)既應(yīng)包括硬件系統(tǒng),也應(yīng)包括軟件系統(tǒng)。10、( X )計(jì)算機(jī)的機(jī)器語(yǔ)言能為硬件電路所識(shí)別,它與所用CPU勺類型無(wú)關(guān)。II、( V ) MCS-51單片機(jī)的復(fù)位電平均為低電平,其持續(xù)(保持)時(shí)間應(yīng)在 2 個(gè)機(jī)器周期以上。12 ( V ) MCS-51單片機(jī)與80C51單片機(jī)是完全兼容的。13、( X )要對(duì)20HZ10 k HZ的語(yǔ)音信號(hào)進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換,則采樣信號(hào)的頻率應(yīng)在10KH以上。14、( V )信號(hào)源的輸出阻抗一般均較低,電壓表
3、的輸入阻抗均較高。15、( X )直流穩(wěn)壓電源的內(nèi)阻愈高,它的輸出電壓穩(wěn)定性能就愈好。16、( V )掃頻儀是用來檢測(cè)、分析信號(hào)頻譜結(jié)構(gòu)的一種測(cè)量?jī)x器。二、選擇題(每題 2 分,共 26 分)1、( A )標(biāo)注為2P2的電容器,其電容值為:A、 2.2PFB、 22PFC、 220PFD、 0.22uF2、( B )在色環(huán)(帶)標(biāo)注的電阻值的電阻體上,棕色代表數(shù)字:A、 0B、 1C、 2D、 33、( D )穩(wěn)壓管、變?nèi)荻O管在正常工作時(shí),應(yīng):A、二者均加正向電壓B、二者均加反向電壓C 、前者加正向電壓,后者加反向電壓D 、前者加反向電壓,后者加正向電壓4、( B )晶體管共集電極放大器與場(chǎng)
4、效應(yīng)管共漏極放大器的輸出電壓與輸入電壓間的相位關(guān)系為:A 、均為同相B 、均為反相C、前者為同相,后者為反相D、前者為反相,后者為同相5、( A )一前后沿很陡的方波通過一放大電路,若其輸出的方波前后沿變得不陡,甚至近似為三角波或鋸齒波,其主要原因?yàn)椋篈、放大器的增益不合適B、放大器的下限截止頻率fL過高C、放大器的上限截止頻率f H過低D、放大器的上限截止頻率fH過高)已知電路如圖,其主要功能為:D6、(、低通濾波Ui、高通濾波、帶阻濾波RU0、帶通濾波7、( D )已知低通電路如,其上限截止頻率為:A、fH=1/RCB、fH=1/2 n RCC、fH=1/VRCUi Uo、fH=1/2 n
5、VRC)已知放大電路如圖,當(dāng)工作點(diǎn)合適,其輸入正弦信9、( DABCD要設(shè)計(jì)一個(gè)頻率穩(wěn)定度甚高,且頻率可調(diào)范圍甚寬號(hào)U的幅值最大不能超過多少時(shí),才能使輸出信號(hào)的正弦波振蕩器,應(yīng)選用:10、(、RC振蕩電路、LC三點(diǎn)式振蕩電路、石英晶體振蕩電路D、DDS振蕩電路計(jì)算機(jī)中,12根地址線,可尋址的最大容量為:、1KB、2KB、4KB、8KB11、(對(duì)30V直流電壓進(jìn)行12位A/D轉(zhuǎn)換,則電壓的分辨率為:、14.6mV、7.3 mV、19.5 mV、39 mV12、()常用示波器的輸入電阻大致為:、10K?左右、100K?左右、1M?左右、10 M?左右13、( C )對(duì)于同一操作,與匯編語(yǔ)言程序相比
6、,高級(jí)語(yǔ)言程序的特點(diǎn)是:A、電路執(zhí)行速度快,所需存儲(chǔ)空間小B、電路執(zhí)行速度快,所需存儲(chǔ)空間大C、電路執(zhí)行速度慢,所需存儲(chǔ)空間大D、電路執(zhí)行速度慢,所需存儲(chǔ)空間小三、填空題(每題2分,共16分)1、 在共e、共b、共c三類放大器中,輸出阻抗最低的是共C 放大器,輸入阻抗最低者是 共B放大器。2、 在各類負(fù)反饋放大電路中,能穩(wěn)定輸出電壓的是電壓 負(fù)反饋放大器,能提高輸入阻抗的是 串聯(lián)負(fù)反饋放大器。3、 理想運(yùn)算放大器的輸入電阻為無(wú)窮,輸入電流為0。4、 完成下述數(shù)制轉(zhuǎn)換:(268)io=( 10C ) 16=()25、用邏輯代數(shù)化簡(jiǎn)下式:A+AB二A ,A+B+1。6、模擬示波器中,若輸入信號(hào)幅值
7、過大,則探頭衰減器開關(guān)應(yīng)置于 X10 位置,若要使所示波形的個(gè)數(shù)由多至少,應(yīng)調(diào)節(jié)Time/Div旋鈕。7、單片機(jī)程序中的 MOV A #F1的含義是將 內(nèi)部RAMFH送至_A中。& 電子技術(shù)中,F(xiàn)PGA勺含義是現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列,SOPC勺含義是可編程片上系統(tǒng)。四、簡(jiǎn)答題(每題5分,共15分)1、已知某穩(wěn)壓電路如下圖,請(qǐng)回答:A、在保證輸出Vo=12V的條件下,輸入V大致要多少伏?為 什么? 15-17伏 工作在線性區(qū)B、二極管D起什么作用?C、電位器動(dòng)點(diǎn)調(diào)至 A,調(diào)至B,會(huì)對(duì)輸出Vo值產(chǎn)生什么影2、已知圖(a)為TTL門電路,圖(b)為CMO門電路,設(shè)輸入端A均接高電平1,請(qǐng)回答:A、在R值很
8、小時(shí),L1=1,L2=0為什么?B、在R值較大時(shí),L1=0,L2=1為什么?L2TTL與門CMOS與門圖(a)圖(b)3、要對(duì)1090度溫度進(jìn)行數(shù)據(jù)采集、存儲(chǔ)與顯示,要求數(shù)值分 辨率為0.1度,請(qǐng)回答:1 、畫出數(shù)據(jù)采集、存儲(chǔ)、顯示系統(tǒng)的電路組成框圖。2、A/D轉(zhuǎn)換器的選用指標(biāo)應(yīng)如何?五、綜合題(第1題9分,第2題10分,共19分)1、設(shè)計(jì)一 3人裁判電路,須有2或3人同意即判成功(其中必 須有主裁同意),請(qǐng)回答:A、列出真值表(設(shè) A B、C為三裁判,A為主裁,同意為1, 不同意為0,成功為1,不成功為0)B、寫出邏輯表達(dá)式并化簡(jiǎn)C、根據(jù)邏輯簡(jiǎn)化式,畫出邏輯電路圖2、 已知某調(diào)速系統(tǒng)中將PW
9、M脈沖(頻率約為1KHZ)轉(zhuǎn)換成直流 輸出的部分電路如圖,請(qǐng)回答:A、 說明F3、C1及運(yùn)放的作用(3分)限流 低通濾波B、說明A點(diǎn)、B點(diǎn)、C點(diǎn)處是什么信號(hào)? ( 3分)A:交直流B:直流C :直流C、在輸出端C點(diǎn)之右的虛線框中,畫一個(gè)控制電機(jī)轉(zhuǎn)速的電路(4分)六、簡(jiǎn)述焊接的概念和焊接生產(chǎn)工藝過程。答:焊接是通過加熱或加壓,或者兩者并用,并且用或不用填充材料,使工件達(dá)到結(jié)合的一種方 法。其實(shí)質(zhì)就是通過適當(dāng)?shù)奈锢?化學(xué)過程,使兩個(gè)分離表面的金屬原子接近到晶格距離(0.30.5nm)形成金屬鍵,從而使兩金屬連為一體。各種焊接結(jié)構(gòu),其主要的生產(chǎn)工藝過程為:備料t裝配t焊接t焊接變形矯正t質(zhì)量檢驗(yàn)t表面處理(油漆、噴塑或熱噴涂等)。七、說一下整機(jī)裝配的一般原則。答:整機(jī)裝配的一般原則是: 先輕后重,先小后大,先鉚后裝,先裝后焊,先里后外,先下后上,先平后高,易碎易損壞后裝,上道工序不得影響下道工序。八、簡(jiǎn)述整機(jī)調(diào)試的一般程序。答:電子整機(jī)因?yàn)楦髯缘膯卧娐返姆N類和數(shù)量不同,所以在具體的測(cè)試程序上也不盡相同。通常調(diào)試的一般程序是:接線通電、調(diào)試電源、
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