DDR3該退休了 DDR4內(nèi)存發(fā)展深入分析

1、ddr3該退休了? ddr4內(nèi)存發(fā)展深入分析 ddr3內(nèi)存進(jìn)入市場三年了，現(xiàn)在已經(jīng)替代ddr2內(nèi)存成為了市場的主流產(chǎn)品。jedec和內(nèi)存制造廠商正在計(jì)劃下一代用于取代ddr3規(guī)格的內(nèi)存型號：ddr4。按照之前的計(jì)劃我們可以在2012年看到成品，但是現(xiàn)在這個時間恐怕要拖延到2015年了。內(nèi)存線路圖在最近的memcon tokyo 2010可以看見內(nèi)存廠商的線路圖，上面已經(jīng)很明確的表明ddr4內(nèi)存被推遲到了2015年，因?yàn)榇蟛糠謽I(yè)內(nèi)人士認(rèn)為2012年還沒有到ddr4取代ddr3內(nèi)存的時機(jī)。做為推遲ddr4的補(bǔ)充，jedec的標(biāo)準(zhǔn)中也出現(xiàn)了更高頻率的ddr3內(nèi)存規(guī)格，但是默認(rèn)時序也大大的提高了，例如

2、工作在2133mhz的內(nèi)存默認(rèn)時序?yàn)?2-12-12，而現(xiàn)在ddr3 1333mhz的時序?yàn)?-8-8或者9-9-9。ddr3與ddr4內(nèi)存訪問機(jī)制改變按照現(xiàn)在的計(jì)劃來看，ddr4內(nèi)存的訪問機(jī)制已經(jīng)改變了，ddr3內(nèi)存訪問是采用的是雙通道，而ddr4則是在每個單獨(dú)的內(nèi)存條中采用點(diǎn)對點(diǎn)接口進(jìn)口進(jìn)行訪問。這相對現(xiàn)在的桌面產(chǎn)品來說并不存在太大的影響，但是對于服務(wù)器以及工作站卻存在一定的問題。改變內(nèi)存訪問機(jī)制在一定程度上限制了更大的內(nèi)存容量，尤其是在服務(wù)器和高端工作站上面。不過可能的解決方案包含添加一個內(nèi)存開關(guān)來使內(nèi)存控制器工作于不同的模式之下，這樣可以使主板的布線變得更加的簡單。開關(guān)切換擴(kuò)大每通道容

3、量的解決方案ddr4內(nèi)存總體設(shè)計(jì)方案投影圖硅穿孔(tsv)技術(shù)來提升容量密度解決方案還有一種選擇就是使用fb-dimm技術(shù)，就想現(xiàn)在的ddr3一樣，但是這相對于增加內(nèi)存總線開關(guān)來說會帶來更加高昂的花費(fèi)。當(dāng)然同時還有其他幾種解決方案，我們暫時只能夠等待，一切工作都在進(jìn)行之中，最后我們會得到一個最優(yōu)的解決方案。從線路圖中我們可以看出，ddr4的起跳頻率為2133mhz，雖然現(xiàn)在一些高端的ddr3內(nèi)存已經(jīng)可以達(dá)到這個速度甚至可以更快。在線路圖中ddr4內(nèi)存的最高頻率達(dá)到了4266mhz，不過這很有可能要等到2020年才可能實(shí)現(xiàn)。內(nèi)存制程發(fā)展路徑我們再次看到了更低的電壓模塊，相比1.2v來說，1.1v或者1.05v可能成為最后的規(guī)格。降低電壓在高頻率之下顯得非常的困難，至少現(xiàn)在的制造工藝還不能夠達(dá)到這個標(biāo)準(zhǔn)。dram產(chǎn)業(yè)已經(jīng)準(zhǔn)備在2013年轉(zhuǎn)向三十納米以下的制造工藝，這應(yīng)該有助于解決這個問題。電壓持續(xù)下降.不像gddr5內(nèi)存使用4通道來提高內(nèi)存性能，在ddr4之中我們并沒有看到太大的技術(shù)進(jìn)步。所以在相同的時鐘頻率之下，ddr4相比于ddr3并沒有太多的性能優(yōu)勢，就像ddr3和d