開關(guān)電壓沖擊電流控制方法

1、開關(guān)電源的沖擊電流控制方法開關(guān)電源的輸入一般有濾波器來減小電源反饋到輸入的紋波，輸入濾波器一般有電容和電感組成形濾波器，圖1. 和圖2. 分別為典型的AC/DC電源輸入電路和DC/DC電源輸入電路。由于電容器在瞬態(tài)時可以看成是短路的，當開關(guān)電源上電時，會產(chǎn)生非常大的沖擊電流，沖擊電流的幅度要比穩(wěn)態(tài)工作電流大很多，如對沖擊電流不加以限制，不但會燒壞保險絲，燒毀接插件，還會由于共同輸入阻抗而干擾附近的電器設(shè)備。圖3.通信系統(tǒng)的最大沖擊電流限值（AC/DC電源）圖4.通信系統(tǒng)在標稱輸入電壓和最大輸出負載時的沖擊電流限值（DC/DC電源）歐洲電信標準協(xié)會(the European Telecommun

2、ications Standards Institute)對用于通信系統(tǒng)的開關(guān)電源的沖擊電流大小做了規(guī)定，圖3為通信系統(tǒng)用AC/DC電源供電時的最大沖擊電流限值4，圖4為通信系統(tǒng)在DC/DC電源供電，標稱輸入電壓和最大輸出負載時的最大沖擊電流限值5。圖中It為沖擊電流的瞬態(tài)值，Im為穩(wěn)態(tài)工作電流。沖擊電流的大小由很多因素決定，如輸入電壓大小，輸入電線阻抗，電源內(nèi)部輸入電感及等效阻抗，輸入電容等效串連阻抗等。這些參數(shù)根據(jù)不同的電源系統(tǒng)和布局不同而不同，很難進行估算，最精確的方法是在實際應(yīng)用中測量沖擊電流的大小。在測量沖擊電流時，不能因引入傳感器而改變沖擊電流的大小，推薦用的傳感器為霍爾傳感器。2

3、. AC/DC開關(guān)電源的沖擊電流限制方法2.1 串連電阻法對于小功率開關(guān)電源，可以用象圖5的串連電阻法。如果電阻選得大，沖擊電流就小，但在電阻上的功耗就大，所以必須選擇折衷的電阻值，使沖擊電流和電阻上的功耗都在允許的范圍之內(nèi)。圖5. 串連電阻法沖擊電流控制電路（適用于橋式整流和倍壓電路，其沖擊電流相同）串連在電路上的電阻必須能承受在開機時的高電壓和大電流，大額定電流的電阻在這種應(yīng)用中比較適合，常用的為線繞電阻，但在高濕度的環(huán)境下，則不要用線繞電阻。因線繞電阻在高濕度環(huán)境下，瞬態(tài)熱應(yīng)力和繞線的膨脹會降低保護層的作用，會因濕氣入侵而引起電阻損壞。圖5所示為沖擊電流限制電阻的通常位置，對于110V、

4、220V雙電壓輸入電路，應(yīng)該在R1和R2位置放兩個電阻，這樣在110V輸入連接線連接時和220V輸入連接線斷開時的沖擊電流一樣大。對于單輸入電壓電路，應(yīng)該在R3位置放電阻。2.2 熱敏電阻法在小功率開關(guān)電源中，負溫度系數(shù)熱敏電阻（NTC）常用在圖5中R1，R2，R3位置。在開關(guān)電源第一次啟動時，NTC的電阻值很大，可限制沖擊電流，隨著NTC的自身發(fā)熱，其電阻值變小，使其在工作狀態(tài)時的功耗減小。用熱敏電阻法也由缺點，當?shù)谝淮螁雍?，熱敏電阻要過一會兒才到達其工作狀態(tài)電阻值，如果這時的輸入電壓在電源可以工作的最小值附近，剛啟動時由于熱敏電阻阻值還較大，它的壓降較大，電源就可能工作在打嗝狀態(tài)。另外，

5、當開關(guān)電源關(guān)掉后，熱敏電阻需要一段冷卻時間來將阻值升高到常溫態(tài)以備下一次啟動，冷卻時間根據(jù)器件、安裝方式、環(huán)境溫度的不同而不同，一般為1分鐘。如果開關(guān)電源關(guān)掉后馬上開啟，熱敏電阻還沒有變冷，這時對沖擊電流失去限制作用，這就是在使用這種方法控制沖擊電流的電源不允許在關(guān)掉后馬上開啟的原因。2.3 有源沖擊電流限制法對于大功率開關(guān)電源，沖擊電流限制器件在正常工作時應(yīng)該短路，這樣可以減小沖擊電流限制器件的功耗。圖6. 有源沖擊電流限制電路 （橋式整流時的沖擊電流大）在圖6中，選擇R1作為啟動電阻，在啟動后用可控硅將R1旁路，因在這種沖擊電流限制電路中的電阻R1可以選得很大，通常不需要改變110V輸入倍

6、壓和220V輸入時的電阻值。在圖6中所畫為雙向可控硅，也可以用晶閘管或繼電器將其替代。圖6所示電路在剛啟動時，沖擊電流被電阻R1限制，當輸入電容充滿電后，有源旁路電路開始工作將電阻R1旁路，這樣在穩(wěn)態(tài)工作時的損耗會變得很小。在這種可控硅啟動電路中，很容易通過開關(guān)電源主變壓器上的一個線圈來給可控硅供電。由開關(guān)電源的緩啟動來提供可控硅的延遲啟動，這樣在電源啟動前就可以通過電阻R1將輸入電容充滿電。3. DC/DC開關(guān)電源的沖擊電流限制方法 3.1 長短針法圖7所示電路為長短針法沖擊電流限制電路，在DC/DC電源板插入時，長針接觸，輸入電容C1通過電阻R1充電，當電源板完全插入時，電阻R1被斷針短路

7、。C1代表DC/DC電源的所有電容量。圖7. 長短針法沖擊電流限制電路這種方法的缺陷是插入的速度不能控制，如插入速度過快，電容C1還沒充滿電時，短針就已經(jīng)接觸，沖擊電流的限制效果就不好。也可用熱敏電阻法來限制沖擊電流，但由于DC/DC電源的輸入電壓較低，輸入電流較大，在熱敏電阻上的功耗也較大，一般不用此方法。3.2 有源沖擊電流限制法3.2.1 利用MOS管限制沖擊電流利用MOS管控制沖擊電流可以克服無源限制法的缺陷。MOS管有導(dǎo)通阻抗Rds_on低和驅(qū)動簡單的特點，在周圍加上少量元器件就可以做成沖擊電流限制電路。MOS管是電壓控制器件，其極間電容等效電路如圖8所示。圖8. 帶外接電容C2的N

8、型MOS管極間電容等效電路MOS管的極間電容柵漏電容Cgd、柵源電容Cgs、漏源電容Cds可以由以下公式確定：公式中MOS管的反饋電容Crss,輸入電容Ciss和輸出電容Coss的數(shù)值在MOS管的手冊上可以查到。電容充放電快慢決定MOS管開通和關(guān)斷的快慢，為確保MOS管狀態(tài)間轉(zhuǎn)換是線性的和可預(yù)知的，外接電容C2并聯(lián)在Cgd上，如果外接電容C2比MOS管內(nèi)部柵漏電容Cgd大很多，就會減小MOS管內(nèi)部非線性柵漏電容Cgd在狀態(tài)間轉(zhuǎn)換時的作用。外接電容C2被用來作為積分器對MOS管的開關(guān)特性進行精確控制。控制了漏極電壓線性度就能精確控制沖擊電流。 電路描述：圖9所示為基于MOS管的自啟動有源沖擊電流

9、限制法電路。MOS管 Q1放在DC/DC電源模塊的負電壓輸入端，在上電瞬間，DC/DC電源模塊的第1腳電平和第4腳一樣，然后控制電路按一定的速率將它降到負電壓，電壓下降的速度由時間常數(shù)C2*R2決定，這個斜率決定了最大沖擊電流。C2可以按以下公式選定：R2由允許沖擊電流決定：其中Vmax為最大輸入電壓，Cload為C3和DC/DC電源模塊內(nèi)部電容的總和，Iinrush為允許沖擊電流的幅度。圖9. 有源沖擊電流限制法電路D1用來限制MOS管 Q1的柵源電壓。元器件R1，C1和D2用來保證MOS管Q1在剛上電時保持關(guān)斷狀態(tài)。上電后，MOS管的柵極電壓要慢慢上升，當柵源電壓Vgs高到一定程度后，二極

10、管D2導(dǎo)通，這樣所有的電荷都給電容C1以時間常數(shù)R1C1充電，柵源電壓Vgs以相同的速度上升，直到MOS管Q1導(dǎo)通產(chǎn)生沖擊電流。以下是計算C1和R1的公式：其中Vth為MOS管Q1的最小門檻電壓，VD2為二極管D2的正向?qū)▔航担琕plt為產(chǎn)生Iinrush沖擊電流時的柵源電壓。Vplt可以在MOS管供應(yīng)商所提供的產(chǎn)品資料里找到。MOS管選擇以下參數(shù)對于有源沖擊電流限制電路的MOS管選擇非常重要：l 漏極擊穿電壓 Vds 必須選擇Vds比最大輸入電壓Vmax和最大輸入瞬態(tài)電壓還要高的MOS管，對于通訊系統(tǒng)中用的MOS管，一般選擇Vds100V。l 柵源電壓Vgs穩(wěn)壓管D1是用來保護MOS管Q1

11、的柵極以防止其過壓擊穿，顯然MOS管Q1的柵源電壓Vgs必須高于穩(wěn)壓管D1的最大反向擊穿電壓。一般MOS管的柵源電壓Vgs為20V，推薦12V的穩(wěn)壓二極管。l 導(dǎo)通電阻Rds_on.MOS管必須能夠耗散導(dǎo)通電阻Rds_on所引起的熱量，熱耗計算公式為：其中Idc為DC/DC電源的最大輸入電流，Idc由以下公式確定：其中Pout為DC/DC電源的最大輸出功率，Vmin為最小輸入電壓，為DC/DC電源在輸入電壓為Vmin輸出功率為Pout時的效率?？梢栽贒C/DC電源供應(yīng)商所提供的數(shù)據(jù)手冊里查到。MOS管的Rds_on必須很小，它所引起的壓降和輸入電壓相比才可以忽略。圖10. 有源沖擊電流限制電路

12、在75V輸入，DC/DC輸出空載時的波形設(shè)計舉例已知： Vmax=72VIinrush=3A選擇MOS管Q1為IRF540S選擇二極管D2為BAS21按公式（4）計算：C21700pF。 選擇 C2=0.01F;按公式（5）計算：R2=252.5kW。 選擇 R2=240kW，選擇 R3=270WR2;按公式（7）計算：C1=0.75F。 選擇 C1=1F;按公式（8）計算：R1=499.5W。 選擇 R1=1kW圖10所示為圖9電路的實測波形，其中DC/DC電源輸出為空載。3.2.2 利用專用集成電路控制沖擊電流和實現(xiàn)熱插拔功能對于復(fù)雜的系統(tǒng)，可能需要復(fù)雜的控制電路來實現(xiàn)以下功能：n DC/

13、DC電源開關(guān)機控制n 當輸入電壓低于DC/DC電源最低工作電壓時，關(guān)斷沖擊電流控制電路，當輸入電壓恢復(fù)正常時，重新啟動?，F(xiàn)在有些公司的熱插拔芯片可以提供這些功能，如Linear Technology公司的TL1640芯片就提供了簡單而有效的沖擊電流控制方法。這種芯片可以工作在很寬的輸入電壓范圍，可提供輸入過、欠壓保護，還可以對DC/DC電源提供開關(guān)機信號。圖11.基于LT1640L的沖擊電流控制電路圖11所示電路為基于LT1640L的沖擊電流控制電路，該電路可以可靠的控制沖擊電流、管理熱插拔而不引起瞬態(tài)過壓或欠壓。在上電或插入瞬間，MOS管Q1保持在關(guān)斷狀態(tài)，將未充電電容C3、DC/DC電源濾

14、波器電容和輸入電源隔開，隨后MOS管Q1慢慢開通，電容在控制狀態(tài)下慢慢充電，只有在電容充滿電后，PWRGD才給出開關(guān)信號讓DC/DC電源開始工作。電路描述：電阻R3和MOS管Q1的柵極和源極間接外接電容C2作為反饋可以精確控制沖擊電流的大小，外接?xùn)艠O和源極間電容C2的容量可以由以下公式計算得到：式中：Vth為MOS管Q1的最小門檻電壓，Cload為C3和DC/DC電源模塊內(nèi)部電容的總和。電容C2的容量決定在MOS管Q1導(dǎo)通過程中沖擊電流Iinrush的大小，最好將沖擊電流Iinrush設(shè)定得和DC/DC的最大穩(wěn)態(tài)工作電流一樣。改變所要求的沖擊電流Iinrush的大小、MOS管型號，甚至MOS管

15、生產(chǎn)廠家，就需要改變外接電容C1、C2的容量。電阻R18的作用是減小MOS管Q1的關(guān)斷時間，R3一般在10KW 到15KW之間。電阻R7、R8決定電路的欠壓保護點，電阻R9、R10決定電路的過壓保護點，由于UV、OV的比較電平都是1.24V，圖11所示的過、欠壓保護點分別為74V和30V。C5、C6消除OV、UV端的干擾，C5和C6越接近芯片的各自管腳越好。R4和C7為芯片LT1640L的低通濾波，C7越接近芯片越好。設(shè)計舉例已知： Vmax=72VIinrush=3AMOS管Q1為IRF540S選擇： R18270W，R312 kW按公式（11）計算：C21380pF。 選擇 C2=1500pF;按公式（12）計算：C1=0.058mF。 選擇 C10.1mF圖12. 圖11電路在48V輸入、輸出空載時的沖擊電流圖12為圖11所示電路在48VDC輸入、輸出空載時的波形。上電后， ON/OFF端電壓被DC/DC電源內(nèi)部電路抬升，當電容C3和濾波器中電容充滿電后，PWRGD輸出低電平，將ON/OFF端電壓拉低，DC/DC電源開始工作。圖13為圖11所示電路在48VDC輸入、DC/DC電源輸出為30W時的波形。最下面