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1、溫度傳感器工作原理1. 引腳GND 接地。DQ 為數(shù)字信號(hào)輸入 輸出端。VDD 為外接電源輸入端(在寄生電源接線方式時(shí)接地)2. 與單片機(jī)的連接方式單線數(shù)字溫度傳感器 DS18B20 與單片機(jī)連接電路非常簡(jiǎn)單,引腳 1 接地( GND ),引 腳3 (VCC)接電源+5V,引腳2 (DQ )接單片機(jī)輸入 輸出一個(gè)端口,電壓+5V和信號(hào)線 (DQ )之間接有一個(gè) 4.7k 的電阻。由于每片 DS18B20 含有唯一的串行數(shù)據(jù)口, 所以在一條總線上可以掛接多個(gè) DS18B20-PR丄芯片。外部供電方式單點(diǎn)測(cè)溫電路如圖外部供電方式多點(diǎn)測(cè)溫電路如圖3. DS18B20 的性能特點(diǎn)DS18B20 溫度傳

2、感器是美國(guó) DALLAS 半導(dǎo)體公司最新推出的一種改進(jìn)型智能溫度傳感器。 與傳統(tǒng)的熱敏電阻等測(cè)溫元件相比, 它能直接讀出被測(cè)溫度, 并且可根據(jù)實(shí)際要求通過(guò)簡(jiǎn)單 的編程實(shí)現(xiàn) 912 位的數(shù)字值讀數(shù)方式。 DS18B20 的性能特點(diǎn)如下: 獨(dú)特的單線接口僅需要一個(gè)端口引腳進(jìn)行通信。 多個(gè) DS18B20 可以并聯(lián)在唯一的三線上,實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)組網(wǎng)功能。 不需要外部器件。 在寄生電源方式下可由數(shù)據(jù)線供電,電壓范圍為 3.05.5V 。 零待機(jī)功耗。溫度以912位數(shù)字量讀出 用戶可定義的非易失性溫度報(bào)警設(shè)置。 報(bào)警搜索命令識(shí)別并標(biāo)識(shí)超過(guò)程序限定溫度(溫度報(bào)警條件)的器件。 負(fù)電壓特性,電源極性接反時(shí),溫度計(jì)

3、不會(huì)因發(fā)熱而燒毀,只是不能正常工作。4.內(nèi)部結(jié)構(gòu) DS18B20采用3腳PR 35封裝或8腳SOIC封裝,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖64位ROM的位結(jié)構(gòu)如圖火。開(kāi)始8位是產(chǎn)品類型的編號(hào);接著是每個(gè)器件的唯一序號(hào),共有4 8位;最后8位是前面5 6位的CRC檢驗(yàn)碼,這也是多個(gè)DS18B20可以采用單線進(jìn)行通信的原因。 非易失性溫度報(bào)警觸發(fā)器TH和TL,可通過(guò)軟件寫(xiě)入用戶報(bào)警上下限數(shù)據(jù)。8位檢驗(yàn)CRC48位序列號(hào)8位工廠代碼MSBLSB MSBLSB MSBLSBDS18B20溫度傳感器的內(nèi)部存儲(chǔ)器還包括一個(gè)高速暫存 RAM和一個(gè)非易失性的可電擦除的e2prom 。高速暫存RAM的結(jié)構(gòu)為9字節(jié)的存儲(chǔ)器,結(jié)構(gòu)如

4、圖前2字節(jié)包含測(cè)得的溫度信息。第3和4字節(jié)是TH和TL的拷貝,是易失的,每次上電復(fù)位時(shí)被刷新。第5字節(jié)為配置寄存器,其內(nèi)容用于確定溫度值的數(shù)字轉(zhuǎn)換分辨率,DS18B20工作時(shí)按此寄存器中的分辨率將溫度轉(zhuǎn)化為相應(yīng)精度的數(shù)值。該字節(jié)各位的定義如圖,其中,低5位一直為1 ; TM是測(cè)試模式位,用于設(shè)置 DS18B20在工作模式還是在測(cè)試模式,在DS18B20出廠時(shí),該位被設(shè)置為0,用戶不要去改動(dòng);R0和R1決定溫度轉(zhuǎn)化的精度位數(shù),即用來(lái)設(shè)置分辨率, 其定義方法見(jiàn)表高速暫存RAM的第6、7、8字節(jié)保留未用,表現(xiàn)為全邏輯1。第9字節(jié)是前面所有8 字節(jié)的 CRC 碼可用來(lái)檢驗(yàn)數(shù)據(jù),從而保證通信數(shù)據(jù)的正確性

5、。當(dāng) DS18B20 接收到轉(zhuǎn)化命令后,開(kāi)始啟動(dòng)轉(zhuǎn)化。轉(zhuǎn)化完成后的溫度值就以 16 位的帶 符號(hào)擴(kuò)展的二進(jìn)制補(bǔ)碼形式存儲(chǔ)在高速暫存 RAM 的第 1、 2 字節(jié)中。單片機(jī)可以通過(guò)單線接口讀出該數(shù)據(jù)。讀數(shù)據(jù)時(shí),低位在先,高位在后,數(shù)據(jù)格式以0.0625 C/LSB形式表示。溫度值格式如圖圖中, S 表示符號(hào)位。當(dāng) S=0 時(shí),表示測(cè)得的溫度值為正值,可以直接將二進(jìn)制位轉(zhuǎn) 化為十進(jìn)制;當(dāng) S=0 時(shí),表示測(cè)得的溫度值為負(fù)值,要先將補(bǔ)碼變成原碼,再計(jì)算十進(jìn)制 值。DS18B20 完成溫度轉(zhuǎn)化后, 就把測(cè)得的溫度值與 RAM 中的 TH 、TL 字節(jié)內(nèi)容作比較,若T TH或T V TL,則將該器件內(nèi)的

6、報(bào)警標(biāo)志位置位,并對(duì)主機(jī)發(fā)出的報(bào)警搜索命令作出響應(yīng)。因此,可用多只 DS18B20 同時(shí)測(cè)量溫度并進(jìn)行報(bào)警搜索。5 DS18B20通信協(xié)議在對(duì)DS18B20進(jìn)行讀寫(xiě)編程時(shí),必須嚴(yán)格保證讀寫(xiě)時(shí)序,否則將無(wú)法讀取溫度結(jié)果。根據(jù)DS18B20通信協(xié)議,主機(jī)控制 DS18B20完成溫度轉(zhuǎn)化必須經(jīng)過(guò) 3個(gè)步驟:每一次讀 寫(xiě)之前都要對(duì)DS18B20進(jìn)行復(fù)位,復(fù)位成功后發(fā)送一條 ROM指令,最后發(fā)送RAM指令, 這樣才能對(duì)DS18B20進(jìn)行預(yù)定的操作。復(fù)位要求主 CPU將數(shù)據(jù)線下拉 500us,然后釋放,DS18B20收到信號(hào)后等待 16 - 60us,然后發(fā)出60240us的存在低脈沖,主 CPU收到此信

7、號(hào)表示復(fù)位成功。DS18B20 的ROM 指令如表RAM 指令如表*表*ROM指令表指令約定代碼功能溫度變化44H啟動(dòng)DS18B20 進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換,12位轉(zhuǎn)換時(shí)最長(zhǎng)為 750ms (9位為93.75ms ),結(jié)果存入內(nèi)部 9字節(jié)RAM中讀暫存器0BEH讀內(nèi)部RAM中9字節(jié)的內(nèi)容寫(xiě)暫存器4EH發(fā)出向內(nèi)部 RAM的3、4字節(jié)寫(xiě)上、下限溫度數(shù)據(jù)命令,緊跟 該命令之后是傳送兩字節(jié)的數(shù)據(jù)復(fù)制暫存器48H將RAM中第3、4字節(jié)的內(nèi)容復(fù)制到 E2PROM中重調(diào)e2prom0B8H將E2PROM 中內(nèi)容恢復(fù)到 RAM 中的第3、4字節(jié)讀供電方式0B4H讀DS18B20的供電模式。寄生供電時(shí)DS18B20發(fā)送0

8、,外接電源供電DS18B20發(fā)送1表*RAM指令表指令約定代碼功能讀ROM33H讀取DS18B20溫度傳感器 ROM中的編碼(即64位地址)發(fā)出命令之后,接著發(fā)出64位ROM編碼,訪問(wèn)單總線上與符合ROM55H該編碼對(duì)應(yīng)的DS18B20,使之作出響應(yīng),為下一步對(duì)該DS18B20讀寫(xiě)作準(zhǔn)備搜索ROM0F0H用于確定掛接在冋一總線上DS18B20的個(gè)數(shù)和識(shí)別 64位ROM地址,為操作各器件作好準(zhǔn)備跳過(guò)ROM0CCH跳過(guò)ROM工作報(bào)警搜索命令0ECH執(zhí)行后只有溫度超過(guò)設(shè)定值上限或下限的芯片才能作出響應(yīng)6.使用注意事項(xiàng)因?yàn)橛布_(kāi)銷(xiāo)小,需要復(fù)雜的軟件進(jìn)行補(bǔ)償,由于DS18B20與微處理器間采用串行數(shù)據(jù)傳

9、送,因此,在對(duì) DS18B20進(jìn)行讀寫(xiě)編程時(shí)必須嚴(yán)格保證讀寫(xiě)時(shí)序,否則將無(wú)法讀取 測(cè)溫結(jié)果。當(dāng)單總線上所掛DS18B20超過(guò)8個(gè)時(shí),就需要解決微處理器的總線驅(qū)動(dòng)問(wèn)題,這一 點(diǎn)在進(jìn)行多點(diǎn)測(cè)溫系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)需加以注意。連接DS18B20電纜的長(zhǎng)度超過(guò) 50m時(shí),最好采用屏蔽 4芯雙絞線,其中一對(duì)為接 地線與信號(hào)線,另一組接 VCC和地線,屏蔽層在源端單點(diǎn)接地,正常通信距離可達(dá)150m。在DS18B20測(cè)溫程序中,向 DS18B20發(fā)出溫度轉(zhuǎn)換時(shí)總要等到DS18B20的返回信號(hào),一旦某個(gè) DS18B20接觸不好或斷線當(dāng)程序讀該DS18B20時(shí),將沒(méi)有返回信號(hào),程序進(jìn)入死循環(huán)。7 溫度數(shù)據(jù)的計(jì)算處理方法從

10、DS18B20 讀取出的二進(jìn)制值必須先轉(zhuǎn)化成十進(jìn)制值,才能用于字符的顯示。DS18B20的轉(zhuǎn)換精度為912位可選,為了提高精度采用12位。在采用12位轉(zhuǎn)換精度時(shí),溫度寄存器里的值是以0.0625 為步進(jìn)的,即溫度值為溫度寄存器里的二進(jìn)制值乘以0.0625,就是實(shí)際的十進(jìn)制溫度值。通過(guò)列舉觀察可以發(fā)現(xiàn),一個(gè)十進(jìn)制值與二進(jìn)制值間有很明顯的關(guān)系,就是把二進(jìn)制的高字節(jié)的低半字節(jié)和低字節(jié)的高半字節(jié)組成一個(gè)字節(jié),這個(gè)字節(jié)的二進(jìn)制值化為十進(jìn)制值后,就是溫度值的百、十、個(gè)位值,而剩下的低字節(jié)的低半字節(jié)化成十進(jìn)制后,就是溫度值的小數(shù)部分。因?yàn)樾?shù)部分是半字節(jié),所以二進(jìn)制值范圍是0F,轉(zhuǎn)化成十進(jìn)制小數(shù)值就是0.0

11、625的倍數(shù)(015倍)。這樣需要4位的數(shù)碼管來(lái)顯示小數(shù)部分。 實(shí)際應(yīng)用不必有這 么高的精度,采用一位數(shù)碼管來(lái)顯示小數(shù),可以精確到0.1 C。表就是二進(jìn)制與十進(jìn)制的近似對(duì)應(yīng)關(guān)系表。小數(shù)部分二進(jìn)制與十進(jìn)制的近似對(duì)應(yīng)關(guān)系表小數(shù)部分二0123456789ABCDEF進(jìn)制值十進(jìn)制值0011233455667889STR-36B的使用要點(diǎn)1. STR-36B功能概述STR-36B無(wú)線收發(fā)模塊是微功率、ISM全波段的無(wú)線通信模塊。該模塊內(nèi)置控制CPU ;核心接收芯片外包金屬屏蔽外殼,保證了數(shù)據(jù)的可靠收發(fā)。2. STR-36B的實(shí)物照片、引腳及功能STR-36型引腳接口方式,為標(biāo)準(zhǔn)10針DIP連接Pin引腳

12、名稱功能說(shuō)明1GND電源地接電源地2VDD電源輸入+2.7-5.5VDC3TDB用戶備用接口可接用戶設(shè)備ADC,I/O 口,作為功能擴(kuò)展使用;可不接4TDB用戶備用接口可接用戶設(shè)備ADC,I/O 口,作為功能擴(kuò)展使用;可不接5RESET復(fù)位腳低電平有效,15ms6TxD/TTL串行數(shù)據(jù)發(fā)射端TTL(RxD)7RxD/TTL串行數(shù)據(jù)接收端TTL(TxD)WakeU無(wú)線喚醒(輸出)無(wú)線信號(hào)喚醒用戶設(shè)備,高電平喚醒;9B(RxD)RS-485 的 B,RS-232 的 RxD DP(USB)10A(TxD)RS-485 的 A,RS-232 的 TxD DN(USB)性能參數(shù):型號(hào)STR-36 型調(diào)

13、制頻率標(biāo)準(zhǔn)型在 315.00470MHz,特殊型在24002500MHz 用戶可選;調(diào)頻方式GFSK/MSK功能雙向發(fā)射/接收(半雙工)穩(wěn)頻方式PLL取大發(fā)射功+10dBm率靈敏度-118dBm工作電壓2.7-5.5V接口數(shù)據(jù)格式8E1/8N1/8O1可靠通信距800m (outdoor)離發(fā)射功耗27mA接收功耗16mA待機(jī)功耗10uA通信速率1.2kBit/s -300kBit/s用戶可選;用戶接口方式TTL 接口 /RS232 接口 /RS485 接口;工作濕度10%90%相對(duì)濕度無(wú)冷凝工作溫度-40 C 85 C外形尺寸43mmx20mmx5mm(不含天線)3. STR-36B的無(wú)線喚

14、醒功能STR-36B無(wú)線發(fā)射模塊在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下,若沒(méi)有設(shè)置無(wú)線喚醒功能,則無(wú)線模塊一直保持發(fā)射或接收數(shù)據(jù)狀態(tài);若設(shè)置無(wú)線喚醒功能,則無(wú)線模塊進(jìn)入休眠狀態(tài)。當(dāng)模塊的 WKEN弓I腳接低電平時(shí),模塊工作在無(wú)線喚醒模式下。模塊上電復(fù)位后,處于接收狀態(tài),在持續(xù)3S的時(shí)間內(nèi),如果沒(méi)有接收到串口發(fā)來(lái)的數(shù)據(jù),或沒(méi)有收到有效數(shù)據(jù),則模塊進(jìn)入休眠狀態(tài)。 在休眠過(guò)程中,如果收到串口發(fā)來(lái)的喚醒信號(hào)或無(wú)線喚醒信號(hào),則被喚醒,同時(shí) WKUP弓I腳輸出一個(gè)低電平脈沖信號(hào)。微處理器向該模塊的串口發(fā)1字節(jié)的數(shù)據(jù)可實(shí)現(xiàn)串口喚醒。模塊被喚醒后,若在3S的時(shí)間內(nèi)沒(méi)有收到串口發(fā)來(lái)的喚醒信號(hào)或無(wú)線喚醒信號(hào),模塊又進(jìn)入休眠狀態(tài)。

15、4. STR-36B無(wú)線模塊硬件電路設(shè)計(jì)無(wú)線收發(fā)模塊電路天線的選擇天線的長(zhǎng)度應(yīng)取發(fā)射的14波長(zhǎng),當(dāng)發(fā)射信號(hào)頻率為433MHZ時(shí),天線的最佳長(zhǎng)度為18cm。 為匹配,這里選擇 SANT307天線。 無(wú)線收發(fā)模塊電路布局需要注意的問(wèn)題無(wú)線收發(fā)模塊應(yīng)該安裝在電路板邊緣,離開(kāi)周?chē)骷?mm以上,以免受分布參數(shù)影響而停震。 無(wú)線收發(fā)模塊電路的電源設(shè)置 在實(shí)際應(yīng)用中,STR-36B可與其他設(shè)備共用電源,但必須選擇紋波系數(shù)小的電源,不建議使用開(kāi)關(guān)電源。另外,系統(tǒng)設(shè)備中若有其他設(shè)備,則需可靠接地。液晶顯示模塊LCM16021.1602字符型LCM的特性 內(nèi)部具有字符發(fā)生器 ROM (CGROM ),即字符庫(kù)。

16、可顯示 192個(gè)5 X7點(diǎn)陣字符,如圖,由該字符庫(kù)可看出 LCM顯示的數(shù)字和字母部分的代碼值,恰好與 ASCII碼表中的數(shù)字 和字母相同。所以在顯示數(shù)字和字母時(shí),只需向LCM送人對(duì)應(yīng)的ASCII碼即可。 模塊內(nèi)有64字節(jié)的自定義字符 RAM ( CGRAM )用戶可自定義8個(gè)5 X7點(diǎn)陣字符。 模塊內(nèi)有80字節(jié)的數(shù)據(jù)顯示存儲(chǔ)器(DDRAM )LCM引腳引腳號(hào)符號(hào)引腳功能1GND電源地2VDD+5V邏輯電源3VEE液晶驅(qū)動(dòng)電源4RS寄存器選擇(1 數(shù)據(jù)寄存器,0 命令狀態(tài)寄存器)5RW讀寫(xiě)操作選擇6E使能(下降沿觸發(fā))714DB0數(shù)據(jù)總線,二態(tài)DB7引腳號(hào)符號(hào)引腳功能15E1背光電源,通常為+5

17、V,并串聯(lián)一個(gè)電位器,調(diào)節(jié)背光亮度16E2背光電源地C刪M中字符碼寫(xiě)宇宇符宇槿關(guān)系對(duì)照表oaao0001001 D00110100a 10401 100-111woo10011010101111 DOin 01111D1111komODQCffaTPFx!KOOC1! rilAIQIahb|7|T|3WckxODH(4)xxxxOTODIBIRIbld#|3|C|5|g|s|*|4|D|T|dJJH叩XI戸亍朋WO01Q1K|5|E|U|e|uKJCXXO-t uxacO111si6ifiuitoinaafpzxxkxIDODxxkxIDO!13xxxlDlCnzHusiwi 8IHI 崗 h

18、l 閔 幣 rmrra *l:UIZ|j|z|7|=F|7|7lg 巾l和A 沖丿i冋工口 irilizFT*xwtion+l;IK|E|k|Traa/|?|0OoK-ulU|7|n 叵hl&g.liutTffttTsc.rietrjsftta&*ptcgraiiLfattT 亡廿扯命令格式及功能說(shuō)明1清屏指令指令功能拒令錦碼/nsR/WDB7DB6DB5DB即DB3DB2DB1DBS淸屏Q00aQ000011-6it功能:1清除液晶顯示器,即將DDRAM的內(nèi)容全部填入空白的ASCII碼20H;光標(biāo)歸位,即將光標(biāo)撤回液晶顯示屏的左上方 將地址計(jì)數(shù)器(AC)的值設(shè)為0。2光標(biāo)歸位指令指令功能指令

19、編碼/msRSR/WDB7DB6DB5DB3DB2DB1DB0光標(biāo)歸位000000001X1 -64功能:把光標(biāo)撤回到顯示器的左上方 把地址計(jì)數(shù)器(AC)的值設(shè)置為0; 保持DDRAM的內(nèi)容不變。3進(jìn)入模式設(shè)置指令4.顯示開(kāi)關(guān)控制指令扌旨令功能扌旨令錦期執(zhí)行 時(shí)間/usRSR/HDB7DB6DB5DB4DBSDB2mDBO顯示開(kāi)關(guān)控制00.0:0001DcB功能:控制顯示器開(kāi)/關(guān)、光標(biāo)顯示/關(guān)閉以及光標(biāo)是否閃爍。參數(shù)設(shè)定的情況如 下:位名設(shè)置D0=顯示功能關(guān)仁顯示功能開(kāi)C0=無(wú)光標(biāo)1=有光標(biāo)B0=光標(biāo)閃爍仁光標(biāo)不閃爍5設(shè)定顯示屏或光標(biāo)移動(dòng)方向指令指令功能指令騙碼/VsR/WDB7DB6DBSD

20、BSDB2DS1DBS030e1 |S/CRZLX40S/CR/L0001功能:使光標(biāo)移位或使整個(gè)顯示屏幕移位。參數(shù)設(shè)定的情況如下:設(shè)定情況光標(biāo)左移1格,且AC值減1光標(biāo)右移1格,且AC值加1顯示器上字符全部左移一格,但光標(biāo)不動(dòng)顯示器上字符全部右移一格,但光標(biāo)不動(dòng)6.功能設(shè)定指令:指令功能挹令騙碼/USRSR/W0B7DB6DBSD8已DB3DB2DB1D6 0功能設(shè)定n0001DLNF功能:設(shè)定數(shù)據(jù)總線位數(shù)、顯示的行數(shù)及字型。參數(shù)設(shè)定的情況如下:位名設(shè)置DL0=數(shù)據(jù)總線為4位1=數(shù)據(jù)總線為8位N0=顯示1行仁顯示2行F0=5 X7點(diǎn)陣/每字符仁5 X10點(diǎn)陣/每字符7.設(shè)定CGRAM地址指令

21、指令功能指令鴿碼/vsF1/WDB7DB6DE9D叭DB3DB2DB1&B0設(shè)定GGRAM 地址Q091CGRAN的地址“檢)40功能:設(shè)定下一個(gè)要存入數(shù)據(jù)的 CGRAM的地址8.設(shè)定DDRAM 地址指令指令功能指令騙碼/usRSR/WDB7DB6DBSDB4DB3DB2DMDBO設(shè)定DORAM 地址91CCRAtJ址卩位】1*0功能:設(shè)定下一個(gè)要存入數(shù)據(jù)的 CGRAM的地址9讀取忙信號(hào)或AC地址指令指令功能扌昌令輪碼R/WDB7DB6DB5DB4DB3DS101FB機(jī)內(nèi)容遼初40功能:1讀取忙碌信號(hào)BF的內(nèi)容,BF=1表示液晶顯示器忙,暫時(shí)無(wú)法接收單片機(jī)送來(lái)的數(shù)據(jù)或指令;當(dāng)BF=O時(shí),液晶顯

22、示器可以接收單片機(jī)送來(lái)的數(shù)據(jù) 或指令;2讀取地址計(jì)數(shù)器(AC)的內(nèi)容。10.數(shù)據(jù)寫(xiě)入 DDRAM 或CGRAM 指令一覽扌旨令功能RSR/WDB7DB6DBSDB3DB2Dm/us數(shù)據(jù)與入到D0RAM或CGRAM10要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)刃D0功能:1將字符碼寫(xiě)入DDRAM,以使液晶顯示屏顯示出相對(duì)應(yīng)的字符2 將使用者自己設(shè)計(jì)的圖形存入CGRAM11.從CGRAM或DDRAM讀出數(shù)據(jù)的指令一覽指令功能扌旨令輪碼As胎R/WDB7 DD6DD&DB4DB3DB2DMDBG從CGR刪或 ouRAnittl 數(shù)據(jù)11要讀出的數(shù)據(jù)聽(tīng)D040AT89S51引腳圖,AT89S51單片機(jī)引腳說(shuō)明及管腳定義F1. 0

23、匚fl. 1 匚P1. 2 匸1 35se cc3 P0 0/ADO3 P0 1/AD1P1. 3 c4昇3 P0. 2/AD2F1.4 匚5363 F0 3/AD3MOSl/Pl. 5 EG55 P0 4/AD4MIS0/P1.6 tr543 P0 SJADSSCK/fU 7 La3 F0. 6;AKLSI L號(hào)32 fl.RHD/P3. 0 l:ID313 Ei/VPP1 匚11303 aleJfeocIHT0/P3. 2 r FESKIHT1/P3. 3 Cid肝J P2. 7/A15TO/Fi. 4 匚t4273 P2. 6/fil45 匚1526 FE 3/A13WL/FS. 6 匚

24、253 P2 47Al 2M/ra. 7 I:1724 P2 8JA11EM L F. 2/A1QKUL1 匚皿2Z3 FE, 1 伽FBIPt2051 P2AT89S51引腳圖1AT89S51是一個(gè)低功耗,高性能 CMOS 8位單片機(jī),片內(nèi)含4k BytesISP(In-system programmable) 的可反復(fù)擦寫(xiě)1000次的Flash只讀程序存儲(chǔ)器,器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)制造,兼容標(biāo)準(zhǔn)MCS -51 指令系統(tǒng)及80C51引腳結(jié)構(gòu),芯片內(nèi)集成了通用 8位中央處理器和ISP Flash 存儲(chǔ)單元,功能強(qiáng)大的微型計(jì)算機(jī)的 AT89S51可為許多嵌入式控制應(yīng)用系

25、統(tǒng)提 供高性價(jià)比的解決方案。AT89S51具有如下特點(diǎn):40個(gè)引腳,4k Bytes Flash片內(nèi)程序存儲(chǔ)器,128bytes的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(RAM),32個(gè)外部雙向輸入/輸出(I/O ) 口,5個(gè)中斷優(yōu)先級(jí)2層中斷嵌套中斷,2個(gè)16位可編程定時(shí)計(jì)數(shù)器,2個(gè) 全雙工串 行通信口,看門(mén)狗(WDT)電路,片內(nèi)時(shí)鐘振蕩器。AT89S51弓I腳圖此外,AT89S51設(shè)計(jì)和配置了振蕩頻率可為0Hz并可通過(guò)軟件設(shè)置省電模式??臻e模式下,CPU暫停工作,而RAM定時(shí)計(jì)數(shù)器,串行口,外中斷 系統(tǒng) 可繼續(xù)工作,掉電模式凍結(jié)振蕩器而保存RAM的數(shù)據(jù),停止芯片其它功能直至外中斷激活或硬件復(fù)位。同時(shí)該芯片還具

26、有 PDIP、TQFP和PLCC等三 種封裝形式,以適應(yīng)不同產(chǎn)品的需求。主要功能特性:兼容MCS-51指令系統(tǒng)32個(gè)雙向I/O 口2個(gè)16位可編程定時(shí)/計(jì)數(shù)器全雙工UART串行中斷口線2個(gè)外部中斷源-中斷喚醒省電模式看門(mén)狗(WDT)電路靈活的ISP字節(jié)和分頁(yè)編程4k 可反復(fù)擦寫(xiě)(1000 次)ISP Flash ROM4.5-5.5V工作電壓時(shí)鐘頻率0-33MHZ128x8bit 內(nèi)部 RAM低功耗空閑和省電模式-3級(jí)加密位軟件設(shè)置空閑和省電功能-雙數(shù)據(jù)寄存器指針瓷編輯本段主要性能特點(diǎn)1、 4k Bytes Flash片內(nèi)程序存儲(chǔ)器;2、 128 bytes 的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(RAM );

27、3、32個(gè)外部雙向輸入 /輸出(I/O ) 口;4、 5個(gè)中斷優(yōu)先級(jí)、2層中斷嵌套中斷;5、6個(gè)中斷源;6、2個(gè)16位可編程定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器;7、2個(gè)全雙工串行通信口;8、看門(mén)狗(WDT )電路;9、片內(nèi)振蕩器和時(shí)鐘電路;10、與 MCS-51 兼容;11、 全靜態(tài)工作:0Hz-33MHz ;12、三級(jí)程序存儲(chǔ)器保密鎖定;13、可編程串行通道;14、低功耗的閑置和掉電模式。管腳說(shuō)明VCC :電源電壓輸入端。GND :電源地。P0 口: P0 口為一個(gè) 8位漏級(jí)開(kāi)路雙向I/O 口,每腳可吸收 8TTL門(mén)電流。當(dāng) P1口的管腳第一次寫(xiě)1時(shí),被定義為高阻輸入。P0能夠用于外部程序數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,它可以被

28、定義為數(shù)據(jù)/地址的第八位。 在FIASH編程時(shí),P0 口作為原碼輸入口,當(dāng)FIASH進(jìn)行校驗(yàn)時(shí),P0輸出原碼,此時(shí)P0外部必須被拉高。P1 口: P1 口是一個(gè)內(nèi)部提供上拉電阻的8位雙向I/O 口,P1 口緩沖器能接收輸出4TTL門(mén)電流。P1 口管腳寫(xiě)入 1后,被內(nèi)部上拉為高,可用作輸入,P1 口被外部下拉為低電平時(shí),將輸出電流,這是由于內(nèi)部上拉的緣故。在FLASH編程和校驗(yàn)時(shí),P1 口作為第八位地址接收。P2 口: P2 口為一個(gè)內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O 口,P2 口緩沖器可接收,輸出4個(gè)TTL門(mén)電流,當(dāng) P2 口被寫(xiě)“ 1 ”時(shí),其管腳被內(nèi)部上拉電阻拉高,且作為輸 入。并因此作為輸入時(shí)

29、,P2 口的管腳被外部拉低,將輸出電流。這是由于內(nèi)部上拉的緣故。P2 口當(dāng)用于外部程序存儲(chǔ)器或16位地址外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行存取時(shí),P2口輸出地址的高八位。在給出地址1”時(shí),它利用內(nèi)部上拉優(yōu)勢(shì),當(dāng)對(duì)外部八位地址數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫(xiě)時(shí),P2 口輸出其特殊功能寄存器的內(nèi)容。P2 口在FLASH編程和校驗(yàn)時(shí)接收高八位地址信號(hào)和控制信號(hào)。P3 口: P3 口管腳是 8個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的雙向I/O 口,可接收輸出 4個(gè)TTL門(mén)電流。當(dāng) P3 口寫(xiě)入“ 1 ”后,它們被內(nèi)部上拉為高電平,并用作輸入。作為輸入, 由于外部下拉為低電平,P3 口將輸出電流(ILL )這是由于上拉的緣故。P3 口除了作為普通I/O 口,

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