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一 低通rc結(jié)的tina仿真圖1 一階低通rc結(jié)電路圖如上，當(dāng)輸入50hz方波時(shí)，電容器兩端電壓的上升沿和下降沿以指數(shù)規(guī)律變化,從而出現(xiàn)圓角。指數(shù)規(guī)律變化的上升沿其上升時(shí)間為。圖2 一階低通rc結(jié)在tina中的仿真波形由一階rc低通結(jié)的幅頻特性與相頻特性知道，方波通過(guò)一階rc低通結(jié)時(shí)，諧波頻率越高則幅值衰減越大，相位滯后越多（但最多不超過(guò)）。二 方波的圓角方波出現(xiàn)圓角的原因是：相對(duì)較低次的諧波而言，頻率較高的諧波的幅值衰減較大，即高頻抑制。圖3 方波的前20次諧波合成的波形圖4 方波的前100次諧波合成的波形由圖4可以明顯地觀察到吉布斯現(xiàn)象。圖5 高次諧波經(jīng)衰減與相移后的合成波形圖6 高次諧波經(jīng)過(guò)衰減（無(wú)相移）后的合成波形由圖5和圖6可以看出，高次諧波經(jīng)過(guò)衰減以后，將使得方波出現(xiàn)圓角。若各次諧波沒(méi)有相移，則合成后仍然為對(duì)稱波形。三 方波的過(guò)沖方波出現(xiàn)過(guò)沖的原因是：相對(duì)較低次的諧波而言，頻率較低的諧波的幅值衰減較大，即低頻抑制。圖7 無(wú)相移時(shí)低頻抑制的合成波形(rc=1)圖8 無(wú)相移時(shí)低頻抑制的合成波形(rc=10)圖9 有相移時(shí)低頻抑制的合成波形(rc=0.1)圖10 有相移時(shí)低頻抑制的合成波形(rc=

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