BSF理論與機理研究

1、1.BSF基本理論w BSF的發(fā)展是一個重大進步，經(jīng)歷了30年的發(fā)展。背表面的重摻雜，B、Al同屬于第三主族元素，形成背部的反射場，提高了電池片的內(nèi)量子效率。w 優(yōu)化和控制BSF的性能具有重要的意義，例如摻雜的曲線和BSF的厚度（鈍化性能），硅片彎曲，背電場的反射率，BSF的均勻性等參數(shù)都會對電池片的性能產(chǎn)生重要的影響。w 主要試驗用品：a. Al漿料：Ferro53-038， b. 硅片：(100)晶相 c. RTP爐 2.BSF形成的基本過程w 2.1 典型燒結曲線及BSF形成的溫度區(qū)間w 2.2 從AlSi相圖看Al與Si的反應過程w 2.3 BSF形成的基本過程及模型2.1 典型燒結曲

2、線及BSF形成的溫度區(qū)間BSF形成的溫度區(qū)間位于：26區(qū)間2.2 從AlSi相圖看Al與Si的反應過程2到6的過程反應了AlSi合金在燒結過程中Si在 Al中的熔解和分凝過程2.3 BSF形成的基本過程及模型3.氧化層與燒結氣氛w 3.1 Al漿燒結前后微觀形貌的變化w 3.2 氧化層的厚度w 3.3 燒結氣氛的影響3.1 Al漿燒結前后微觀形貌的變化EDX分析表明：燒結后漿料中含有了Si和O原子3.2 氧化層的厚度對比burnout后和燒結后的重量，表明燒結過程中，1的Al被氧化。3.3 燒結氣氛的影響純N2氣氛下燒結，漿料不穩(wěn)定并且會導致漿料坍塌，收縮純O2氣氛下燒結，Al漿料易發(fā)生鼓泡破

3、裂，通常會導致硅片破裂4.Al-Si內(nèi)界面研究w 4.1 Al-Si界面基本狀態(tài)w 4.2 Al-Si界面薄層微觀結構w 4.3 BSF反射模型4.1 Al-Si界面基本狀態(tài)4.2 Al-Si界面薄層微觀結構4.2 Al-Si界面薄層微觀結構4.3 BSF反射模型w BSF的反射率大致在75-80之間w 導致BSF反射率低的原因有： 1.背面粗糙度過大； 2.燒結后的BSF不連續(xù)w RBSF(1-Rfca)【0.9*90%(Si-Al)+0.1*0%(片層結構)】 Rfca自由載流子吸收率； 90的BSF是被SiAl合金層覆蓋； 10的BSF是被片層狀結構覆蓋。 5. BSF生長的影響因素紅黑

4、線比較： 保溫時間延長，BSF增厚綠黑線比較： 升溫速率變慢，BSF增厚紅藍線比較： 升溫速率過快，BSF變薄綠黑線比較： 升溫速率慢，則Al可已充分利用。反之，升溫速率快，保溫時間變短，也可以使Al充分利用6. 不均勻BSF的形成w 6.1 Al擴散沉積的不均勻w 6.2 AlSi 凝聚偏聚6.1 Al擴散沉積的不均勻6.2 AlSi 凝聚偏聚7 結論w 1.燒結氣氛中充足的氧氣供量對于加厚和強化用以包裹液態(tài)鋁和硅氧化物殼層至關重要。w 2.硅鋁的合金化過程發(fā)生于漿料顆粒和硅片的緊密接觸處。w 3.為了形成緊密的BSF層，在燒結溫度的峰值處要形成Al-Si的合金溶液，通常鋁的比例和成分要求最少6mg/cm2 。w 4.大成分含量的Al（大于10 mg/cm2）用的并不是很多。燒結后，通常會在BSF和漿料顆