接觸電阻測(cè)試原理及PCB板的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介ppt課件

1、接觸電阻測(cè)試原理及接觸電阻測(cè)試原理及PCB板的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介板的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介 一、何為接觸電阻？一、何為接觸電阻？ 接觸電阻就是電流流過(guò)閉合的接觸點(diǎn)對(duì)時(shí)接觸電阻就是電流流過(guò)閉合的接觸點(diǎn)對(duì)時(shí)的電阻。這類丈量是在諸如銜接器、繼電器的電阻。這類丈量是在諸如銜接器、繼電器和開(kāi)關(guān)等元件上進(jìn)展的。和開(kāi)關(guān)等元件上進(jìn)展的。 二、接觸電阻構(gòu)成原理二、接觸電阻構(gòu)成原理 在顯微鏡下察看銜接器接觸件的外表，雖然鍍?cè)陲@微鏡下察看銜接器接觸件的外表，雖然鍍金層非常光滑，那么仍能察看到金層非常光滑，那么仍能察看到5-105-10微米的凸起部微米的凸起部分。會(huì)看到插合的一對(duì)接觸件的接觸，并不整個(gè)接分。會(huì)看到插合的一對(duì)接觸件的接觸，并不

2、整個(gè)接觸面的接觸，而是分布在接觸面上一些點(diǎn)的接觸。觸面的接觸，而是分布在接觸面上一些點(diǎn)的接觸。實(shí)踐接觸面必然小于實(shí)際接觸面。根據(jù)外表光滑程實(shí)踐接觸面必然小于實(shí)際接觸面。根據(jù)外表光滑程度及接觸壓力大小，兩者差距有的可達(dá)幾千倍。度及接觸壓力大小，兩者差距有的可達(dá)幾千倍。 實(shí)踐接觸面可分為兩部分：一是真正金屬與金實(shí)踐接觸面可分為兩部分：一是真正金屬與金屬直接接觸部分。即金屬間無(wú)過(guò)渡電阻的接觸微點(diǎn)，屬直接接觸部分。即金屬間無(wú)過(guò)渡電阻的接觸微點(diǎn)，亦稱接觸斑點(diǎn)，它是由接觸壓力或熱作用破壞界面亦稱接觸斑點(diǎn)，它是由接觸壓力或熱作用破壞界面膜后構(gòu)成的。此部分約占實(shí)踐接觸面積的膜后構(gòu)成的。此部分約占實(shí)踐接觸面積的

3、5-10%5-10%。二是經(jīng)過(guò)接觸界面污染薄膜后相互接觸的部分。由二是經(jīng)過(guò)接觸界面污染薄膜后相互接觸的部分。由于任何金屬都有前往原氧化物形狀的傾向。于任何金屬都有前往原氧化物形狀的傾向。二、接觸電阻構(gòu)成原理二、接觸電阻構(gòu)成原理實(shí)踐上，在大氣中不存在真正干凈的金屬外表，即使很干凈的金屬外表，一旦暴露在大氣中，便會(huì)很快生成幾微米的初期氧化膜層。例如銅只需2-3分鐘，鎳約30分鐘，鋁僅需2-3秒鐘，其外表便可構(gòu)成厚度約2微米的氧化膜層。即使特別穩(wěn)定的貴金屬金，由于它的外表能較高，其外表也會(huì)構(gòu)成一層有機(jī)氣體吸附膜。此外，大氣中的塵埃等也會(huì)在接觸件外表構(gòu)成堆積膜。因此，從微觀分析任何接觸面都是一個(gè)污染面

4、。 三、接觸電阻的組成三、接觸電阻的組成 綜上所述，接觸電阻普通由收縮電阻、綜上所述，接觸電阻普通由收縮電阻、外表膜電阻和導(dǎo)體電阻組成。外表膜電阻和導(dǎo)體電阻組成。 1.收縮電阻收縮電阻收縮電阻是電流在流經(jīng)電接觸區(qū)域時(shí)，從收縮電阻是電流在流經(jīng)電接觸區(qū)域時(shí)，從原來(lái)截面較大的導(dǎo)體原來(lái)截面較大的導(dǎo)體 忽然轉(zhuǎn)入截面很小忽然轉(zhuǎn)入截面很小的接觸點(diǎn)，電流發(fā)生猛烈收縮景象或集的接觸點(diǎn)，電流發(fā)生猛烈收縮景象或集中景象，此景象所呈現(xiàn)的附加電阻稱為中景象，此景象所呈現(xiàn)的附加電阻稱為收縮電或集中電阻。收縮電或集中電阻。 2.外表膜電阻外表膜電阻由于接觸外表氧化膜層及其他污染物所構(gòu)由于接觸外表氧化膜層及其他污染物所構(gòu)成的

5、電阻稱為膜層電阻或界面電阻。成的電阻稱為膜層電阻或界面電阻。三、接觸電阻的組成三、接觸電阻的組成 3.導(dǎo)體電阻導(dǎo)體電阻實(shí)踐丈量電銜接器接觸件的接觸電阻時(shí)，實(shí)踐丈量電銜接器接觸件的接觸電阻時(shí)，都是在接點(diǎn)引出端進(jìn)展的，故實(shí)踐測(cè)得的都是在接點(diǎn)引出端進(jìn)展的，故實(shí)踐測(cè)得的接觸電阻還包含接觸外表以外接觸件和引接觸電阻還包含接觸外表以外接觸件和引出導(dǎo)線本身的導(dǎo)體電阻。導(dǎo)體電阻主要取出導(dǎo)線本身的導(dǎo)體電阻。導(dǎo)體電阻主要取決于金屬資料本身的導(dǎo)電性能，它與周?chē)鷽Q于金屬資料本身的導(dǎo)電性能，它與周?chē)h(huán)境溫度的關(guān)系可用溫度系數(shù)來(lái)表征。環(huán)境溫度的關(guān)系可用溫度系數(shù)來(lái)表征。 為便于區(qū)分，將收縮電阻加上外表膜電阻稱為真實(shí)接觸電阻

6、。而將實(shí)踐測(cè)得包含有導(dǎo)體電阻的稱為總接觸電阻。四、接觸電阻丈量原理四、接觸電阻丈量原理 接觸電阻的丈量普通都采用開(kāi)爾文四線法原理。開(kāi)爾文四線法銜接有兩個(gè)要求：對(duì)于每個(gè)測(cè)試點(diǎn)都有一條鼓勵(lì)線F和一條檢測(cè)線S，二者嚴(yán)厲分開(kāi)，各自構(gòu)成獨(dú)立回路；同時(shí)要求S線必需接到一個(gè)有極高輸入阻抗的測(cè)試回路上，使流過(guò)檢測(cè)線S的電流極小，近似為零。見(jiàn)圖1。圖1中r表示引線電阻和探針與測(cè)試點(diǎn)的接觸電阻之和。由于流過(guò)測(cè)試回路的電流為零，在 r3，r4上的壓降也為零，而鼓勵(lì)電流 I在r1，r2上的壓降不影響I在被測(cè)電阻上的壓降，所以電壓表測(cè)出的電壓降即為Rt兩端的電壓值。從而準(zhǔn)確丈量出R t的阻值。測(cè)試結(jié)果和r無(wú)關(guān),有效地減

7、小了丈量誤差。四、接觸電阻丈量原理四、接觸電阻丈量原理 由于四線法丈量接觸電阻采用10mA/100mA的恒流源，故丈量接觸電阻的本質(zhì)是丈量微動(dòng)接觸電壓。運(yùn)用Chroma毫歐姆表丈量接觸電阻的原理見(jiàn)圖2： D+: Drive +D -: Drive S+: Sense+S -: Sense 圖圖 1HF:高電位施加線 LF:低電位施加線 HS:高電位檢測(cè)線 LS:低電位檢測(cè)線 圖圖 2四、接觸電阻丈量原理四、接觸電阻丈量原理 圖2所測(cè)電阻即為接點(diǎn)接觸時(shí)的電阻，其中的恒流源用來(lái)為接觸區(qū)域提供電流I，電壓表用來(lái)丈量P+和P-之間的電壓降V，由于電壓表內(nèi)阻相對(duì)于所測(cè)接觸電阻來(lái)說(shuō)相當(dāng)大(大到使電壓表上分

8、得的電流可以忽略不計(jì))，可以以為電壓表所測(cè)電壓V即為P+和P-之間的電壓值，從而電壓V與電流I的比值即為電阻值。但由于接觸區(qū)域非常小，按圖中的接線得到的是P+和P-之間的電阻值。為了使測(cè)得的數(shù)據(jù)盡量接近真實(shí)的接觸電阻值，應(yīng)使得P+和P-接線端盡量接近接觸區(qū)域 ，防止在丈量結(jié)果中計(jì)入測(cè)試引線和體積電阻產(chǎn)生的電壓降 。 我們運(yùn)用我們運(yùn)用Chroma毫歐姆表進(jìn)展低功率接觸電阻毫歐姆表進(jìn)展低功率接觸電阻時(shí)，為什么在時(shí)，為什么在“Dry 檔位普通選擇檔位普通選擇“ON呢？呢？ 通常，測(cè)試接觸電阻的目的是確定接觸點(diǎn)氧化通常，測(cè)試接觸電阻的目的是確定接觸點(diǎn)氧化或其它外表薄膜積累能否添加了被測(cè)器件的電阻?；蚱?/p>

9、它外表薄膜積累能否添加了被測(cè)器件的電阻。即使在極短的時(shí)間內(nèi)器件兩端的電壓過(guò)高，也會(huì)破即使在極短的時(shí)間內(nèi)器件兩端的電壓過(guò)高，也會(huì)破壞這種氧化層或薄膜，從而破壞測(cè)試的有效性。擊壞這種氧化層或薄膜，從而破壞測(cè)試的有效性。擊穿薄膜所需求的電壓電平通常在穿薄膜所需求的電壓電平通常在30mV到到100mV的的范圍內(nèi)。范圍內(nèi)。 在測(cè)試時(shí)流過(guò)接點(diǎn)的電流過(guò)大也能使接觸區(qū)域在測(cè)試時(shí)流過(guò)接點(diǎn)的電流過(guò)大也能使接觸區(qū)域發(fā)生細(xì)微的物理變化。電流產(chǎn)生的熱量可以使接觸發(fā)生細(xì)微的物理變化。電流產(chǎn)生的熱量可以使接觸點(diǎn)及其周?chē)鷧^(qū)域變軟或熔解。結(jié)果，接點(diǎn)面積增大點(diǎn)及其周?chē)鷧^(qū)域變軟或熔解。結(jié)果，接點(diǎn)面積增大并導(dǎo)致其電阻降低。并導(dǎo)致其電

10、阻降低。 五、干電路五、干電路 Dry Circuit 測(cè)試測(cè)試五、干電路五、干電路 Dry Circuit 測(cè)試測(cè)試為了防止這類問(wèn)題，通常采用干電路的方法來(lái)進(jìn)展接點(diǎn)電阻測(cè)試。干電路就是將其電壓和電流限制到不能引起接觸結(jié)點(diǎn)的物理和電學(xué)形狀發(fā)生變化電平的電路。這就意味著其開(kāi)路電壓為20mV或更低，短路電流為100mA或更低。 由于所運(yùn)用的測(cè)試電流很低，所以就需求非常靈敏的電壓表來(lái)丈量這種通常在微伏范圍的電壓降。由于其它的測(cè)試方法能夠會(huì)引起接點(diǎn)發(fā)生物理或電學(xué)的變化，所以對(duì)器件的干電路丈量該當(dāng)在進(jìn)展其它的電學(xué)測(cè)試之前進(jìn)展。如：接觸電阻測(cè)試普通在測(cè)試耐電壓和絕緣電阻之前進(jìn)展。 六、影響接觸電阻的要素六

11、、影響接觸電阻的要素 接觸方式接觸方式接觸電阻的方式可分為三類：點(diǎn)接觸、接觸電阻的方式可分為三類：點(diǎn)接觸、線接觸和面接觸。接觸方式對(duì)收縮電阻線接觸和面接觸。接觸方式對(duì)收縮電阻Rs的的影響主要表如今接觸點(diǎn)的數(shù)目上。普通情況影響主要表如今接觸點(diǎn)的數(shù)目上。普通情況下，面接觸的接觸點(diǎn)數(shù)下，面接觸的接觸點(diǎn)數(shù)n最大而最大而Rs最?。稽c(diǎn)接最?。稽c(diǎn)接觸那么觸那么n最小，最小，Rs最大；線接觸那么介于兩者最大；線接觸那么介于兩者之間。接觸方式對(duì)膜電阻之間。接觸方式對(duì)膜電阻Rb的影響主要是看的影響主要是看每一個(gè)接觸點(diǎn)所接受的壓力每一個(gè)接觸點(diǎn)所接受的壓力F。普通情況下，。普通情況下，在對(duì)觸頭外加壓力在對(duì)觸頭外加壓力

12、F一樣的情況下，點(diǎn)接觸方一樣的情況下，點(diǎn)接觸方式式n最小，單位面積接受壓力最小，單位面積接受壓力F1最大，容易破最大，容易破壞外表膜，所以有能夠使壞外表膜，所以有能夠使Rb減到最小；反之，減到最?。环粗?，面接觸的面接觸的F1就最小，對(duì)就最小，對(duì)Rb的破壞力最小，的破壞力最小，Rb值有能夠最大。在實(shí)踐情況中，需求綜合以值有能夠最大。在實(shí)踐情況中，需求綜合以上兩個(gè)要素，對(duì)接觸電阻的大小進(jìn)展詳細(xì)的上兩個(gè)要素，對(duì)接觸電阻的大小進(jìn)展詳細(xì)的分析判別。分析判別。 六、影響接觸電阻的要素六、影響接觸電阻的要素2 接觸壓力接觸壓力 接觸壓力接觸壓力F對(duì)收縮電阻對(duì)收縮電阻Rs值和外表膜電阻值和外表膜電阻Rb值的影

13、響最大，值的影響最大，F(xiàn)的添加使接觸點(diǎn)的有效接觸面的添加使接觸點(diǎn)的有效接觸面積增大，即接觸點(diǎn)數(shù)添加，從而使積增大，即接觸點(diǎn)數(shù)添加，從而使Rs減小。當(dāng)減小。當(dāng)加大加大F超越一定值時(shí)，可使觸頭外表的氣體分子超越一定值時(shí)，可使觸頭外表的氣體分子層吸附膜減少到個(gè)；當(dāng)超越資料的屈服壓層吸附膜減少到個(gè)；當(dāng)超越資料的屈服壓強(qiáng)時(shí)，產(chǎn)生塑性變形，外表膜被壓碎出現(xiàn)裂痕，強(qiáng)時(shí)，產(chǎn)生塑性變形，外表膜被壓碎出現(xiàn)裂痕，從而添加了接觸面積，這就使收縮電阻從而添加了接觸面積，這就使收縮電阻Rs因外表因外表膜電阻膜電阻Rb的減小而下降，的減小而下降， Rs和和Rb同時(shí)減小，從同時(shí)減小，從而使接觸電阻大大下降。相反，當(dāng)接觸不到位

14、、而使接觸電阻大大下降。相反，當(dāng)接觸不到位、接觸觸頭失去了彈性變形等緣由使接觸壓力接觸觸頭失去了彈性變形等緣由使接觸壓力F下下降時(shí)，接觸面積減小，收縮電阻降時(shí)，接觸面積減小，收縮電阻Rs增大，外表膜增大，外表膜電阻電阻Rb受受F的破壞作用減弱或不受其影響，從而的破壞作用減弱或不受其影響，從而使外表膜電阻使外表膜電阻Rb增大。同時(shí)因增大。同時(shí)因Rb增大，使接觸增大，使接觸面積減小，從而使接觸電阻增大，二者的綜協(xié)作面積減小，從而使接觸電阻增大，二者的綜協(xié)作用使接觸電阻整體上升。用使接觸電阻整體上升。 六、影響接觸電阻的要素六、影響接觸電阻的要素3 接觸外表的光潔度接觸外表的光潔度 接觸外表的光潔度

15、對(duì)接觸電阻有一定的接觸外表的光潔度對(duì)接觸電阻有一定的影響，這主要表如今接觸點(diǎn)數(shù)的不同。接影響，這主要表如今接觸點(diǎn)數(shù)的不同。接觸外表可以是粗加工、精加工，甚至是采用觸外表可以是粗加工、精加工，甚至是采用機(jī)械或電化學(xué)拋光。不同的加工方式直接影機(jī)械或電化學(xué)拋光。不同的加工方式直接影響接觸點(diǎn)數(shù)的多少，并最終影響接觸電阻響接觸點(diǎn)數(shù)的多少，并最終影響接觸電阻的大小。的大小。 六、影響接觸電阻的要素六、影響接觸電阻的要素4 接觸電阻在長(zhǎng)期任務(wù)中的穩(wěn)定性接觸電阻在長(zhǎng)期任務(wù)中的穩(wěn)定性 電阻接觸在長(zhǎng)期任務(wù)中要遭到腐蝕作用：電阻接觸在長(zhǎng)期任務(wù)中要遭到腐蝕作用：化學(xué)腐蝕。電接觸的長(zhǎng)期允許溫度化學(xué)腐蝕。電接觸的長(zhǎng)期允許

16、溫度普通都很低，雖然接觸面的金屬不與周?chē)槠胀ǘ己艿?，雖然接觸面的金屬不與周?chē)橘|(zhì)接觸，但周?chē)橘|(zhì)中的氧會(huì)從接觸點(diǎn)周?chē)|(zhì)接觸，但周?chē)橘|(zhì)中的氧會(huì)從接觸點(diǎn)周?chē)饾u侵入，并與金屬起化學(xué)作用，構(gòu)成金屬逐漸侵入，并與金屬起化學(xué)作用，構(gòu)成金屬氧化物，從而使實(shí)踐接觸面積減小，使接觸氧化物，從而使實(shí)踐接觸面積減小，使接觸電阻添加，接觸點(diǎn)溫度上升。溫度越高，氧電阻添加，接觸點(diǎn)溫度上升。溫度越高，氧分子的活動(dòng)力越強(qiáng)，可以更深地侵入到金屬分子的活動(dòng)力越強(qiáng)，可以更深地侵入到金屬內(nèi)部，這種腐蝕作用變得更為嚴(yán)重；內(nèi)部，這種腐蝕作用變得更為嚴(yán)重；電化學(xué)腐蝕。不同的金屬構(gòu)成電接電化學(xué)腐蝕。不同的金屬構(gòu)成電接觸時(shí)，可以發(fā)生這

17、種腐蝕。它使負(fù)極金屬溶觸時(shí)，可以發(fā)生這種腐蝕。它使負(fù)極金屬溶解到電解液中，呵斥負(fù)電極金屬的腐蝕。解到電解液中，呵斥負(fù)電極金屬的腐蝕。六、影響接觸電阻的要素六、影響接觸電阻的要素5 溫度溫度 當(dāng)接觸點(diǎn)溫度升高時(shí)，金屬的電阻率就當(dāng)接觸點(diǎn)溫度升高時(shí)，金屬的電阻率就會(huì)有所增大，但資料的硬度有所降低，從而會(huì)有所增大，但資料的硬度有所降低，從而使接觸點(diǎn)的有效面積增大。前者使收縮電阻使接觸點(diǎn)的有效面積增大。前者使收縮電阻Rs增大，后者使增大，后者使Rs減小，結(jié)果是兩者互為補(bǔ)減小，結(jié)果是兩者互為補(bǔ)償，故接觸電阻變化甚微。但是，發(fā)熱使接償，故接觸電阻變化甚微。但是，發(fā)熱使接觸面上生成氧化層薄膜，添加了接觸電阻，

18、觸面上生成氧化層薄膜，添加了接觸電阻，這種接觸電阻可成百成千倍地增大。其氧化這種接觸電阻可成百成千倍地增大。其氧化速度與觸頭外表溫度有關(guān)，當(dāng)發(fā)熱溫度超越速度與觸頭外表溫度有關(guān)，當(dāng)發(fā)熱溫度超越某一臨界溫度時(shí)，這個(gè)過(guò)程就會(huì)加速進(jìn)展，某一臨界溫度時(shí)，這個(gè)過(guò)程就會(huì)加速進(jìn)展，這就限制了接觸面的極限允許溫度。否那么，這就限制了接觸面的極限允許溫度。否那么，那么將使接觸電阻劇增，會(huì)引起惡性循環(huán)。那么將使接觸電阻劇增，會(huì)引起惡性循環(huán)。另外，當(dāng)發(fā)熱溫度超越一定值時(shí)，彈簧接觸另外，當(dāng)發(fā)熱溫度超越一定值時(shí)，彈簧接觸部分的彈性元件會(huì)被退火，使壓力降低，也部分的彈性元件會(huì)被退火，使壓力降低，也會(huì)使接觸電阻添加，惡性循環(huán)

19、加劇，最后會(huì)會(huì)使接觸電阻添加，惡性循環(huán)加劇，最后會(huì)導(dǎo)致銜接形狀遭到破壞導(dǎo)致銜接形狀遭到破壞 。六、影響接觸電阻的要素六、影響接觸電阻的要素6 資料性質(zhì)資料性質(zhì) 構(gòu)成電接觸的金屬資料的性質(zhì)，直接影構(gòu)成電接觸的金屬資料的性質(zhì)，直接影響接觸電阻的大小，比如：電阻率響接觸電阻的大小，比如：電阻率、資料的、資料的布氏硬度布氏硬度HB、資料的化學(xué)性質(zhì)、資料的金屬、資料的化學(xué)性質(zhì)、資料的金屬化合物的機(jī)械強(qiáng)度等。以我國(guó)普遍運(yùn)用的銅化合物的機(jī)械強(qiáng)度等。以我國(guó)普遍運(yùn)用的銅為例，銅有良好的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能，其強(qiáng)度為例，銅有良好的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能，其強(qiáng)度和硬度都比較高，熔點(diǎn)也較高，易于加工。和硬度都比較高，熔點(diǎn)也較高，易

20、于加工。因此銅線接頭在接觸良好的情況下，溫度低因此銅線接頭在接觸良好的情況下，溫度低于無(wú)接頭部位的溫度；但在高溫下，其在大于無(wú)接頭部位的溫度；但在高溫下，其在大氣或變壓器油中也能氧化，生成氣或變壓器油中也能氧化，生成Cu2O，其導(dǎo)，其導(dǎo)電性很差，氧化膜厚度隨著時(shí)間和溫度的添電性很差，氧化膜厚度隨著時(shí)間和溫度的添加而不斷地添加，接觸電阻也成倍地添加，加而不斷地添加，接觸電阻也成倍地添加，有時(shí)甚至運(yùn)用閉合電路出現(xiàn)斷路景象。有時(shí)甚至運(yùn)用閉合電路出現(xiàn)斷路景象。六、影響接觸電阻的要素六、影響接觸電阻的要素6 資料性質(zhì)資料性質(zhì) 因此銅不適宜于做非頻繁操作電器的觸因此銅不適宜于做非頻繁操作電器的觸頭資料，對(duì)

21、于頻繁操作的接觸器，電流大于頭資料，對(duì)于頻繁操作的接觸器，電流大于150A時(shí)，氧化膜在開(kāi)閉時(shí)產(chǎn)生電弧的高溫作時(shí)，氧化膜在開(kāi)閉時(shí)產(chǎn)生電弧的高溫作用下分解，可采用銅觸頭。從整體減小接觸用下分解，可采用銅觸頭。從整體減小接觸電阻的角度看，可在銅上鍍銀、鑲銀或錫，電阻的角度看，可在銅上鍍銀、鑲銀或錫，后兩者的優(yōu)點(diǎn)是電阻率及資料的布氏硬度值后兩者的優(yōu)點(diǎn)是電阻率及資料的布氏硬度值小，氧化膜機(jī)械強(qiáng)度很低，因此銅件上采取小，氧化膜機(jī)械強(qiáng)度很低，因此銅件上采取此措施可減小接觸電阻此措施可減小接觸電阻 。六、影響接觸電阻的要素六、影響接觸電阻的要素7 運(yùn)用電壓和電流運(yùn)用電壓和電流 運(yùn)用電壓到達(dá)一定閾值，會(huì)使接觸件

22、膜層運(yùn)用電壓到達(dá)一定閾值，會(huì)使接觸件膜層被擊穿，而使接觸電阻迅速下降。但由于熱被擊穿，而使接觸電阻迅速下降。但由于熱效應(yīng)加速了膜層附近區(qū)域的化學(xué)反響，對(duì)膜效應(yīng)加速了膜層附近區(qū)域的化學(xué)反響，對(duì)膜層有一定的修復(fù)作用。于是阻值呈現(xiàn)非線性。層有一定的修復(fù)作用。于是阻值呈現(xiàn)非線性。在閾值電壓附近，電壓降的微小動(dòng)搖會(huì)引起在閾值電壓附近，電壓降的微小動(dòng)搖會(huì)引起電流能夠二十倍或幾十倍范圍內(nèi)變化，使接電流能夠二十倍或幾十倍范圍內(nèi)變化，使接觸電阻發(fā)生很大變化觸電阻發(fā)生很大變化 。 當(dāng)電流超越一定值時(shí)，接觸件界面微小當(dāng)電流超越一定值時(shí)，接觸件界面微小點(diǎn)處通電后產(chǎn)生的焦耳熱作用而使金屬軟化點(diǎn)處通電后產(chǎn)生的焦耳熱作用而

23、使金屬軟化或熔化，會(huì)對(duì)集中電阻產(chǎn)生影響，隨之降低或熔化，會(huì)對(duì)集中電阻產(chǎn)生影響，隨之降低接觸電阻。接觸電阻。 七、七、PCB板的設(shè)計(jì)板的設(shè)計(jì)1 以前以前PCB板的設(shè)計(jì)板的設(shè)計(jì) 對(duì)于用毫歐姆表的測(cè)試夾頭不能直接夾持對(duì)于用毫歐姆表的測(cè)試夾頭不能直接夾持或不能在樣品上直接焊接測(cè)試引線的樣品，普或不能在樣品上直接焊接測(cè)試引線的樣品，普通會(huì)將樣品焊接在一個(gè)專門(mén)測(cè)試接觸電阻用的通會(huì)將樣品焊接在一個(gè)專門(mén)測(cè)試接觸電阻用的PCB板上，經(jīng)過(guò)板上，經(jīng)過(guò)PCB板上的測(cè)試引線來(lái)丈量接板上的測(cè)試引線來(lái)丈量接觸電阻。觸電阻。 以前運(yùn)用的以前運(yùn)用的PCB板焊錫區(qū)域一端只引出一板焊錫區(qū)域一端只引出一根測(cè)試引線，見(jiàn)圖根測(cè)試引線，見(jiàn)

24、圖3。此方式丈量的總電阻包。此方式丈量的總電阻包括銜接器待測(cè)接觸電阻、探頭與測(cè)試點(diǎn)的接觸括銜接器待測(cè)接觸電阻、探頭與測(cè)試點(diǎn)的接觸電阻和引線電阻。引線電阻可扣除，但探頭與電阻和引線電阻。引線電阻可扣除，但探頭與測(cè)試點(diǎn)的接觸電阻卻無(wú)法扣除。加上多次丈量測(cè)試點(diǎn)的接觸電阻卻無(wú)法扣除。加上多次丈量的誤差，導(dǎo)致結(jié)果不準(zhǔn)確。的誤差，導(dǎo)致結(jié)果不準(zhǔn)確。圖圖 3r1和r2分別為引線和焊接區(qū)線阻七、七、PCB板的設(shè)計(jì)板的設(shè)計(jì)2 目前目前PCB板的設(shè)計(jì)板的設(shè)計(jì) 根據(jù)四線法原理，在根據(jù)四線法原理，在PCB板焊錫區(qū)域兩端板焊錫區(qū)域兩端分別引出一根測(cè)試引線，一根作電壓降探測(cè)線，分別引出一根測(cè)試引線，一根作電壓降探測(cè)線，另一根作恒流源線，見(jiàn)圖另一根作恒流源線，見(jiàn)圖4。此方式丈量的總。此方式丈量的總電阻不包括探頭與測(cè)試點(diǎn)的接觸電阻和引線電電