幾種常見的晶體模型

1、幾種常見的晶體模型1原子晶體原子晶體2分子晶體分子晶體3 3離子晶體離子晶體FCa離子晶體中的配位數(shù)是指一個(gè)離子周圍最鄰近離子晶體中的配位數(shù)是指一個(gè)離子周圍最鄰近的異電性離子的數(shù)目。的異電性離子的數(shù)目。決定離子晶體結(jié)構(gòu)的因素有：幾何因素、電荷決定離子晶體結(jié)構(gòu)的因素有：幾何因素、電荷因素、鍵性因素。因素、鍵性因素。幾種碳酸鹽的熱分解溫度和陽(yáng)離子半徑幾種碳酸鹽的熱分解溫度和陽(yáng)離子半徑碳酸鹽碳酸鹽MgCO3CaCO3SrCO3BaCO3熱分解溫度熱分解溫度/40290011721360陽(yáng)離子半徑陽(yáng)離子半徑/pm6699112135金屬陽(yáng)離子的半徑越小，分解溫度越小。金屬陽(yáng)離子的半徑越小，分解溫度越小

2、。4石墨晶體石墨晶體石墨晶體中，既有共價(jià)鍵，石墨晶體中，既有共價(jià)鍵，又有金屬鍵，還有范德華又有金屬鍵，還有范德華力。力。思考：石墨為什么會(huì)導(dǎo)電？思考：石墨為什么會(huì)導(dǎo)電？5常見金屬晶體的原子堆積模型常見金屬晶體的原子堆積模型 二維平面堆積方式二維平面堆積方式I 型II 型行列對(duì)齊四球一空行列對(duì)齊四球一空 非最緊密排列非最緊密排列行列相錯(cuò)三球一空行列相錯(cuò)三球一空最緊密排列最緊密排列密置層密置層非密置層非密置層 三維空間堆積方式. 簡(jiǎn)單立方堆積. 體心立方堆積第一層第一層 ：密置層的堆積方式密置層的堆積方式123456第二第二層層 ：對(duì)：對(duì)第一層來(lái)講最緊密的堆積方式是將球?qū)?zhǔn)第一層來(lái)講最緊密的堆積方

3、式是將球?qū)?zhǔn)1，3，5 位。位。 ( 或?qū)?zhǔn)或?qū)?zhǔn) 2，4，6 位，其情形是一樣的位，其情形是一樣的 )123456AB，關(guān)鍵關(guān)鍵是第三層，對(duì)第一、二層來(lái)說，第三層可以有兩是第三層，對(duì)第一、二層來(lái)說，第三層可以有兩種最緊密的堆積方式。種最緊密的堆積方式。ABABA 第一種：第一種： 將第三層球?qū)?zhǔn)第一層的球?qū)⒌谌龑忧驅(qū)?zhǔn)第一層的球123456于是于是每?jī)蓪有纬梢粋€(gè)周期，每?jī)蓪有纬梢粋€(gè)周期，即即 AB AB 堆積方式，形成堆積方式，形成六方堆積六方堆積。 配位數(shù)配位數(shù) 12 ( 同層同層 6，上下層各上下層各 3 ).六方最密堆積 第三層的第三層的另一種另一種排列方排列方式，式，是將球?qū)?zhǔn)第一層

4、的是將球?qū)?zhǔn)第一層的 2，4，6 位位，不同于不同于 AB 兩兩層的位置層的位置，這是這是 C 層。層。123456123456123456:面心立方最密堆積面心立方最密堆積123456ABCAABC 第四層再排第四層再排 A，于是形成于是形成 ABC ABC 三層一個(gè)周期。三層一個(gè)周期。 這種堆積方式可劃分出面心這種堆積方式可劃分出面心立方晶胞。立方晶胞。 配位數(shù)配位數(shù) 12 ( 同層同層 6， 上下層各上下層各 3 ) 堆積模型堆積模型晶胞晶胞詳解詳解簡(jiǎn)單立方簡(jiǎn)單立方堆積堆積典型代表典型代表Po，配位數(shù)為，配位數(shù)為 6 6，空，空間利用率間利用率52%面心立方面心立方最密堆積最密堆積又稱為又稱為A1型或銅型，典型代表型或銅型，典型代表Cu、Ag、Au，配位數(shù)為，配位數(shù)為 1212，空間利用率空間利用率74% 體心立體心立方堆積方堆積又稱為又稱為A2型或鉀型，典型代表型或鉀型，典型代表Na、K、Fe，配位數(shù)為，配位數(shù)為 8 8，空，空間利用率間利用率68% 六方最六方