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1、兩段直線的電勢(shì)為24In 21、均勻帶電細(xì)線ABCD彎成如圖所示的形狀, 其線電荷密度為 入試求圓心0處的電勢(shì)。 解:3、一錐頂角為B的圓臺(tái),上下底面半徑分別為 Ri和R2,在 它的側(cè)面上均勻帶電,電荷面密度為 $求頂點(diǎn)0的電勢(shì)。(以無(wú)窮遠(yuǎn)處為電勢(shì)零點(diǎn))解:以頂點(diǎn)O作坐標(biāo)原點(diǎn),圓錐軸線為X軸向下為正. 在任意位置x處取高度為d x的小圓環(huán),其面積為dSdxcostanxdxcos半圓的電勢(shì)為 V20點(diǎn)電勢(shì)V廠(2In22、有一半徑為a的半圓環(huán),左半截均勻帶有負(fù)電 荷,電荷線密度為-入右半截均勻帶有正電荷,電 線密度為入,如圖。試求:環(huán)心處 0點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng) 度。解:如圖,在半圓周上取電荷元 dqd
2、q dl addE理由對(duì)稱性40 a2E ExdExdEcos12 2cos d0 2 o a2 oa其上電量為dq dS 2tgcosxdx它在0點(diǎn)產(chǎn)生的電勢(shì)為dUdq40 . r2 x2tanxdxcostan dx總電勢(shì)4tan2x2U dU 一tanx2dxX1(R2 R1)4、已知一帶電細(xì)桿,桿長(zhǎng)為I ,其線電荷密度 為入=CX,其中c為常數(shù)。試求距桿右端距離 為a的P點(diǎn)電勢(shì)。解:考慮桿上坐標(biāo)為x的一小塊dxc xdx40 I a xdx在P點(diǎn)產(chǎn)生的電勢(shì)為dU二 毗40 I a x求上式的積分,得P點(diǎn)上的電勢(shì)為I'xdx cI ao(I a)I n(01 a x 4 o5、有
3、一半徑為a的非均勻帶電的半球面, C&為恒量。試求:球心處 0點(diǎn)的電勢(shì)。解:電荷面密度為(T=上取一圓環(huán),ds2Rsi n Rddq ds2 Rsi nRd圓環(huán)的電勢(shì)dUdq40RUdU2 2Rsin Rd040R00Rcos sin d26、有一半徑為a的非均勻帶電的半圓環(huán),電荷線密度為入=i cos 9, i為恒量。試求:圓心處 0點(diǎn)的電勢(shì)。解:在半圓上取電荷元dq,dU也,40adq dl addU 2壬刮 J?40207、有寬度為a的直長(zhǎng)均勻帶電薄板,沿長(zhǎng)度方向單位長(zhǎng)度的 帶電量為入,試求:與板的邊緣距離為b的一點(diǎn)P處的電場(chǎng) 強(qiáng)度(已知電荷線密度為入的無(wú)限長(zhǎng)直線的電場(chǎng)強(qiáng)度為E)
4、。2 or解:如圖,取寬為dx的窄條為研究對(duì)象,視為無(wú)限長(zhǎng)帶電直線,電荷線密度為- dxa由無(wú)限長(zhǎng)帶電直線電場(chǎng)公式,dxdE2 o(a b x)整個(gè)帶電薄板的電場(chǎng)強(qiáng)dxE dE0 2 o(a b x)2 oa b8、有一瓦楞狀直長(zhǎng)均勻帶電薄板,面電荷密度為 半徑為a,試求:軸線中部一點(diǎn)P處的電場(chǎng)強(qiáng)度Q瓦楞的(已知電線密度為入的無(wú)限長(zhǎng)直線的電場(chǎng)強(qiáng)度為E)2 or解:如圖,頂視圖,取寬為 dl的窄條為對(duì)象,視為無(wú)帶電直線,電荷線密度 為 dl add2 odEExdEx dE cosdxp dEX限長(zhǎng)=0Ey電荷以相同的面密度(7d cos o 22 0dEy dE sin d .sin0 22
5、0分布在半徑分別為Ri =10 cm和R2=20 cm兩個(gè)同心球面上。設(shè)無(wú)限遠(yuǎn)處電勢(shì)為零, 球心處的電勢(shì)為 Vo = 300 V。(1)求電荷面密度7 (2)若要使球心處的電勢(shì)也為零,外球面上的電荷面密度 7 應(yīng)為多少? ( q= 8.85X10-12 C2N-1m-2)解:(1)U1054R,U 20q24 r2U10U 204 R1q24 r2R2)(R25 Ba 10 "(2) 010、如圖,長(zhǎng)直圓柱面半徑 為R,單位長(zhǎng)度帶電為 計(jì)算圓柱面內(nèi)外的電場(chǎng)強(qiáng)度。試用高斯定理解:-E ds-0E0(0rR)E(Rr)2 r11、電荷Q均勻分布在長(zhǎng)為I的細(xì)桿AB 上, P點(diǎn)位 于AB的延
6、長(zhǎng)線上,且與B相距為d,求P點(diǎn)的電場(chǎng)ABP強(qiáng)度。解:dE1 dx12、電荷Q均勻分布在長(zhǎng)為I的細(xì)桿AB 上, P點(diǎn) 位于AB的延長(zhǎng)線上,且與B相距為d,求P點(diǎn)的電勢(shì)。解:dq Qdxld1 11 1BdUdq4 oxU 。亠亠n d 40x 40I d13、電荷Q均勻分布在半徑為R的半圓周上,求曲率中心O處 Q 的電場(chǎng)強(qiáng)度。RO解:如圖,在圓周上取電荷元dqdqdl RdQddEdq4 o R2由對(duì)稱性,EyExdExdEcos卑cos4 o R224 o R2cos d0R214、用細(xì)的絕緣棒彎成半徑為 R的圓弧,該圓弧對(duì)圓心所張的 角為2a,總電荷q沿棒均勻分布,求圓心處的電場(chǎng)強(qiáng)度。解:如
7、圖,在圓弧上取電荷元dqdq dl RTRd 嚴(yán)dE1 dq4 o R2由對(duì)稱性,EyE ExdExdE cos1 dq2 cos4 o Rcos d sin4 o 2R4 oR15、求均勻帶電圓環(huán)軸線上任一點(diǎn) P處的電場(chǎng)強(qiáng)度(圓環(huán)半徑為 帶電量為Q)解:在圓環(huán)上任取電荷兀 dq,則dE1 dq2 2 ?4 o R x由對(duì)稱性知,dE oE ExdEx1 dqx廠o rLx2r2x21 Qxo (R22、3/2x )1、一平板電容器的電容為1 x 10-11F,充電到帶電荷為1.0X 10-8C后,斷開電源,求 極板間的電壓及電場(chǎng)能量。解:U=Q/C=1000VW=Q2/2C= 5.0X 10
8、-6J2、點(diǎn)電荷帶電q,位于一個(gè)內(nèi)外半徑分別為 Ri、R2的金屬球殼的球心, 如圖,P為金屬球殼內(nèi)的一點(diǎn),求:(1)金屬球殼內(nèi)表面和外表面 的感應(yīng)電荷;(2) P點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小和P點(diǎn)的電勢(shì)。解:(1)內(nèi)表面感應(yīng)電荷-q,外表面感應(yīng)電荷q(2) E=0V4 o R2長(zhǎng)度為 L,半徑分別為 R1和R2,二柱面間充滿相對(duì)介電常數(shù)設(shè)電容器充電后,兩極板單位長(zhǎng)度上帶電量分別為+入和-人求:3、圓柱形電容器,為卡的均勻介質(zhì)。兩極板間的電場(chǎng)強(qiáng)度; 圓柱形電容器的電容; 它儲(chǔ)有的電能。(1)(2)(3) 解:(1由高斯定理,柱形電容器極板間電場(chǎng)強(qiáng)度為E-2 r o r(2)極板間電勢(shì)差 VEdrIn 昱,2
9、 r 0 R(3)We Qc2 r丄.R2In 2R2Lln 理R4、如圖,半徑為Ro的金屬球,同心球殼,其內(nèi)外半徑分別為 Ri和R2,相對(duì)介電常數(shù)為 介質(zhì)中的一點(diǎn),離球心為r(1)(2)帶電Q,球外有一層均勻電介質(zhì)的,P為o試用高斯定理求P點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度 E ; 由E求P點(diǎn)的電勢(shì)V解:(1)由高斯定理,作半徑為2D 4 r2Qr的球形高斯面Q4RoRP點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小2 rr方向徑向向外(2)由以上結(jié)論介質(zhì)中Q 2rr真空中P點(diǎn)的電勢(shì)R2U EdrrR2Edr=嚴(yán) (1 右)4 o r r R2R2r 4Q2 dr o rr2 dr or£ XQ4 04 o R2R2P5、金屬球半徑
10、為Ri,帶電qi ,外有一同心金屬球殼,半徑分別為 R3 ,金屬球殼帶電q2,求金屬球和球殼之間一點(diǎn) P的電勢(shì)。解:由靜電感應(yīng),球殼內(nèi)表 面帶電qi,外表面帶電qi q2 利用迭加原理,P點(diǎn)的電勢(shì)丑 qR2R3R3U丄C4 0 r6、如圖所示,平板電容器(極板面積為 S,間距為d) 兩層厚度各為 算其電容解:di和d2、電 容率各為a和於的電解質(zhì),中間有試計(jì)刁弦VaEiVb= diisD dS D dS D dS= DS S上下側(cè)dird2| r-,E2=,i2d22i 2SVaVbdi 2 d2 i7、如圖球形電容器,內(nèi)外半徑分別為Ri和R2,二球面間充滿相 對(duì)介電常 數(shù)為a的均勻介質(zhì),當(dāng)該
11、電容器充電量為 Q時(shí),求:(i)介質(zhì)內(nèi)D, E的大小;(2)內(nèi) 外球殼之間的電勢(shì)差 AU ; (3) |':? 球形電容器的電容C; (4)它儲(chǔ)有的電能We。'解:D 4 r2QD JEDQ4 0 rrR2R2QQ11(2) UEdrR2 dr()R1Ri 4 0 rr40 rRR2Q40 r Ri R2(3)C-UR2R-iQ2Q2(R2 R)(4)We2C80 r R R2(1)由高斯定理,作半徑為r的球形高斯面解:由高斯定理,柱形電容 器極板間電場(chǎng)強(qiáng)度為1 Q2 r 0 rL極板間電勢(shì)差 UJ-(2)We2 r °LRiA Q2lnR12C 4 r oL出通過閉
12、合曲面s的電位移矢量D通量的高斯定理。(2)如圖二,試寫出磁場(chǎng)強(qiáng)度矢量 H沿閉合曲線L的環(huán)流的安培環(huán)路定理(1) 圖 試寫解:(1)-q224D dS qSriv vlH dl (I1I2I3)8、圓柱形電容器,長(zhǎng)度為L(zhǎng),半徑分別為R1和二柱面間充滿相對(duì)介 電常數(shù)為°的均勻介質(zhì),當(dāng)該電容器充電量為 Q時(shí),求:(1) 圓柱形電容器的電容;(2) 它儲(chǔ)有的電能。2、如圖所示,一根長(zhǎng)為 L,均勻帶電量為 Q的細(xì)棒,以速 度V沿X軸正向運(yùn)動(dòng),當(dāng)細(xì)棒運(yùn)動(dòng)至與Y軸重合的位置時(shí),細(xì)棒下端到坐標(biāo)原點(diǎn) 0的距離為a,求此時(shí)細(xì)棒在 O點(diǎn)產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度 B。解:在細(xì)棒上距0點(diǎn)y取電荷元dq= ?dy,由
13、運(yùn)動(dòng)電荷的磁場(chǎng) 公式0 dqV0 VQ ,、宀豐士宀屮dB-202 dy方向垂直向里4 y24 Ly2<gYdylVQLa 4 Ly 4 L a(a L)3、在半徑為a和b的兩圓周之間,有一總匝數(shù)為N的均勻密繞平面螺線圈(即單位長(zhǎng)度半徑上的匝數(shù)為),通以電流I,如圖所示。求線圈中心0點(diǎn)處的磁感應(yīng)強(qiáng)度。解:取半徑為r寬為dr的圓環(huán),dlNl dr b aodl0NldrdB2r2r(b a)R oNldr0Nl ,bBdBInr 2r(b a) 2(ba)a4、一半徑R的圓盤,其上均勻帶有面密度為 c的電荷,圓盤以角 速度3繞通過盤心垂直于盤面的軸轉(zhuǎn)動(dòng),試證其磁矩的大小為1 4Pm 3cR
14、。4解:取半徑為r寬為dr的圓環(huán)dPm dl r22rd牙 r2r3drpmr 3drR4IfI133 I fI213 IBB1,B22R2R432R2R432RBB1B2 0BL10, BL2-(sin2sin 1 )I4R4 R解:liil,l2bR0 ab5、用兩根彼此平行的半無(wú)限長(zhǎng)直導(dǎo)線 Li、L2把半徑為R的均勻?qū)?體圓環(huán)聯(lián)到電源上,如圖所示。已知直導(dǎo)線上的電流為I。求圓環(huán) 中心0處的磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小。6、內(nèi)外半徑分別為a、b的圓環(huán),其上均勻帶有面密度為 c的 電荷,圓環(huán)以角速度3繞通過圓環(huán)中心垂直于環(huán)面的軸轉(zhuǎn)動(dòng), 求:圓環(huán)中心處的磁感強(qiáng)度大小。解:2Rdindq2 rdrdBdi2
15、rdBFdr亍(b a)baBBaBb解:2R2a 2BBaBb丄(1丄)4 ba8、將通有電流I的導(dǎo)線彎成如圖所示的形狀B的大小和方向。I2b 2求0點(diǎn)處的磁感強(qiáng)度矢量解:由圓電流公式o I2R4aoBaBb丄4bBaBb7、如圖,兩段共心圓弧與半徑構(gòu)成一閉合載流回路, 對(duì)應(yīng)的圓 心角為6( rad),電流強(qiáng)度為I。求圓心0處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大 小和方向。解:dqQdxdIndqqh dxb2ba bodIa b0Q0 Q a bBdx -Ina2xa 2x2b4 bb10、將通有電流I的導(dǎo)線彎成如圖所示的形狀,求O點(diǎn)處的磁感強(qiáng)度B解:dB0R20 4R?dloj9、如圖所示,電荷Q均勻分布
16、在長(zhǎng)為b的細(xì)桿上,桿 以角速度3繞垂直于紙面過 O點(diǎn)的軸轉(zhuǎn)動(dòng)。O點(diǎn)在 桿的延長(zhǎng)線上,與桿的一端距離為 a,求0點(diǎn)處的磁感 應(yīng)強(qiáng)度B的大小。Ooa a:B? dlBi 2 r' 2 0 a2半徑為a的小圓柱體在p點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B2 2 a 01 0B2B2為:0 a2空心圓柱體p點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B為:0 a211、在半徑為2a的無(wú)限長(zhǎng)金屬圓柱體內(nèi)挖去一半徑為 a無(wú) 限長(zhǎng)圓柱體,兩圓柱體的軸線平行,相距為 a,如圖所示。 今有電流沿空心柱體的的軸線方向流動(dòng), 電流均勻分布在空 心柱體的橫截面上,設(shè)電流密度為S。求P點(diǎn)及0點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度。解:半徑為2a的圓柱體在p點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B為: 半徑為2
17、a的圓柱體在o點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度Bi2 a 010 aBi半徑為a的小圓柱體在o點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度0 a2B2空心圓柱體0點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度:B=Bi12、將通有電流I的導(dǎo)線彎成如圖所示的形狀, 度B 解:02求0點(diǎn)處的磁感強(qiáng)B2dB 4Idl4b2BADBBC1 a20BCD0I04 b2BBABBCD0dl2 r8a°I(3a b)8abBAB0丨4 b2oID(方向向內(nèi))解So解B2Bxl=1mUo求:軸線上RIPoaB dSq/2 RoNIR2dRi|BdlCOS0oNI16角速度 強(qiáng)度。半徑3hdr2 r17、半徑R的一個(gè)載流圓線圈,通有電流I 與圓心的距離為a的P點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度。B
18、dlB dllR的圓盤,其上均勻帶有面密度為 c的電荷,圓盤以 繞通過盤心垂直于盤面的軸轉(zhuǎn)動(dòng),求:圓盤中心處的磁感°n drS的磁通量0ll_2Rxdx2 R2 0一根很長(zhǎng)的銅導(dǎo)線載由電流10A,在導(dǎo)線內(nèi)部作一 的一段,試(j0 o2 r 0NI嚴(yán) 101060 lx2R2RBldx0現(xiàn)沿導(dǎo)線長(zhǎng)度方向取長(zhǎng)為l 銅的磁導(dǎo)率嚴(yán)-J I解:dq 2 rdr,dI n 2 rdr, dB0, B2r0Ix2B2 r15平面S,如圖 計(jì)算通過平面如圖所示,求螺繞環(huán)Bdo13、如圖,有一邊長(zhǎng)為a的正方形導(dǎo)線回路,載有電流I,求 正方形中心處的磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小和方向。解:14、螺繞環(huán)通有電流I,總
19、匝數(shù)為No 內(nèi)的磁感強(qiáng)度0NIhR2ln2R,解:dB 七穽 嚴(yán),a 9O0,BdBxdBsi n°IR23(a2 R2)?18、如圖,一無(wú)限長(zhǎng)薄平板導(dǎo)體,寬為 a,通有電流I,求和導(dǎo)體共面的距導(dǎo)體一 邊距離為d的P點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度。da解:如圖,在薄板上取窄條,視為無(wú)限長(zhǎng)直線電流,dldBdx a0dIoldx2 a(a oldx2 (a d x)adB0 2 a(a d x)d x)oL a dIn2 a d方向垂直紙面向里半徑為R的均勻帶電圓盤,電荷面密度為 繞其軸線以角速度 轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí),磁矩為多少?若圓盤置于 均勻磁場(chǎng)B中,B的方向平行盤面,如圖所示,圓盤所 受磁力矩大小為多少?解
20、:取半徑為dPmS1、r,寬為dr的圓環(huán)為研究對(duì)象Sdl r2dq TdPmPmB sin2 rdr23drR44R4B2、正方形線圈可繞丫軸轉(zhuǎn)動(dòng),邊長(zhǎng)為I,通有電流 I。今將線圈放置在方向平行于 X軸的均勻磁場(chǎng)B 中,如圖所示。求:(1)線圈各邊所受的作用力;(2)要維持線圈在圖示位置所需的外力矩。解: df Idl Bfif3 IBI f2 f4 IBI sin 30°MPmBM ISBsin1200 IBI 2 sin 120°3、如圖所示,在XOY平面內(nèi)有四分之一圓弧形狀的導(dǎo)線, 半徑為R,通以電流I,處于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的均勻磁場(chǎng)中, 磁場(chǎng)方向垂直向里。求圓弧狀導(dǎo)線
21、所受的安培力。解:df Idl B df IBdlfx 糾Bcos Rd IBR0同理 fy IBRf/fxfy2IBR 方向:與x軸正向成45度XXXXXXXYXX0O半徑為R,通以電流I,處于磁感應(yīng)強(qiáng)度為Bak的均勻IBs in dl磁場(chǎng)中,a為正常數(shù),求圓弧狀導(dǎo)線所受的安培力。dFx IB cos dldFy解:IBdldF IdlB2FxIB cosdl IBR0Fy IBRFFy22IBR4、如圖所示,在XOY平面內(nèi)有四分之一圓弧形狀的導(dǎo)線.XlX5、如圖所示,在XOY平面內(nèi)有四分之一圓弧形狀的導(dǎo)線, 半徑為R,通以電流I,處于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B a i bj的 均 勻磁場(chǎng)中,a、b均為
22、正常數(shù),求圓弧狀導(dǎo)線所受的安培 力。解:dFIdl B I (dxi dyj ) (aibj ) I (bdx ady) kRF dF I o (bdx ady) k IR(b a) k6、半徑為R的平面圓形線圈中載有電流|2 ,另一無(wú)限長(zhǎng)直導(dǎo)線 AB中載有電流Ii,設(shè)AB通過圓心,并和圓形線圈在同一平面內(nèi)(如圖),求圓形線圈所受的磁力。解:dFBJ2dlBioIdF -°dldl Rd2 rdFx dF cosRcos d2 rdFx0 丨1 I 22r Rcos解:F ABB1IBioI2 RdFF ABoI 2(方向向左)dFB1IdF cos-dl roI22-cos rdlRdIdR(方向向右)7、如圖所示,一平面半圓形線圈放在一無(wú)限長(zhǎng)直導(dǎo)線 旁,且兩者共面。長(zhǎng)直導(dǎo)線中通有電流I,半圓形線圈I中也通有電流I,半圓
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