模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)拉扎維帶隙基準(zhǔn)PPT課件_第1頁
模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)拉扎維帶隙基準(zhǔn)PPT課件_第2頁
模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)拉扎維帶隙基準(zhǔn)PPT課件_第3頁
模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)拉扎維帶隙基準(zhǔn)PPT課件_第4頁
模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)拉扎維帶隙基準(zhǔn)PPT課件_第5頁
已閱讀5頁，還剩24頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 1本講內(nèi)容本講內(nèi)容 概述 與電源無關(guān)的偏置 與溫度無關(guān)的基準(zhǔn) PTAT電流的產(chǎn)生 恒定Gm偏置 實(shí)例分析第1頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 2概述概述基準(zhǔn)是直流量，與電源和工藝參數(shù)的關(guān)系小，與溫度的關(guān)系是確定的。目的：建立與電源和工藝無關(guān)，具有確定溫度特性的直流電壓和電流。形式：與絕對(duì)溫度成正比（PTAT） 常數(shù)Gm特性 與溫度無關(guān)第2頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 3概述概述第3頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Ba

2、ndgap RefCh. 11 # 4本講內(nèi)容本講內(nèi)容 概述 與電源無關(guān)的偏置 與溫度無關(guān)的基準(zhǔn) PTAT電流的產(chǎn)生 恒定Gm偏置 實(shí)例分析第4頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 5與電源無關(guān)的偏置與電源無關(guān)的偏置21111LWLWgRVImDDout如何產(chǎn)生IREF？第5頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 6與電源無關(guān)的偏置與電源無關(guān)的偏置22111/2kRLWCISNoxnoutSoutTHNOXnoutTHNOXnoutRIVLWKCIVLWCI2122SoutNOXnoutRIKLWCI112第

3、6頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 7與電源無關(guān)的偏置與電源無關(guān)的偏置DDTHTHTHVVVV351DDGSTHGSVVVV351第7頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 8本講內(nèi)容本講內(nèi)容 概述 與電源無關(guān)的偏置 與溫度無關(guān)的基準(zhǔn) PTAT電流的產(chǎn)生 恒定Gm偏置 實(shí)例分析第8頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 9與溫度無關(guān)的偏置與溫度無關(guān)的偏置TqEVmVVkTETVmIITVTVgTBETgTSCTBE44ln2負(fù)溫度系數(shù)電壓當(dāng)VBE750mV，T30

4、0K，為1.5mV/K第9頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 10與溫度無關(guān)的偏置與溫度無關(guān)的偏置nVIIVInIVVVVTSTSTBEBEBElnlnln201021正溫度系數(shù)電壓nqkTVBEln第10頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 11與溫度無關(guān)的偏置與溫度無關(guān)的偏置VREF=1VBE+2(VTln n)1=1 根據(jù)室溫時(shí)溫度系數(shù)之和為根據(jù)室溫時(shí)溫度系數(shù)之和為零，零，得到：得到：2 ln n17.2 VREFVBE+17.2VT=1.25第11頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Band

5、gap RefCh. 11 # 12與溫度無關(guān)的偏置與溫度無關(guān)的偏置3221lnRRnVVVTBEout第12頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 13與溫度無關(guān)的偏置與溫度無關(guān)的偏置第13頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 14與溫度無關(guān)的偏置與溫度無關(guān)的偏置OSTBEoutVnVRRVVln1322第14頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 15與溫度無關(guān)的偏置與溫度無關(guān)的偏置OSTBEoutVmnVRRVV)ln(212322第15頁/共29頁西電微電子：

6、模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 16與溫度無關(guān)的偏置與溫度無關(guān)的偏置第16頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 17與溫度無關(guān)的偏置與溫度無關(guān)的偏置第17頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 18本講內(nèi)容本講內(nèi)容 概述 與電源無關(guān)的偏置 與溫度無關(guān)的基準(zhǔn) PTAT電流的產(chǎn)生 恒定Gm偏置 實(shí)例分析第18頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 19PTAT電流的產(chǎn)生電流的產(chǎn)生第19頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap Re

7、fCh. 11 # 20PTAT電流的產(chǎn)生電流的產(chǎn)生nVRRVVTBEREFln123第20頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 21本講內(nèi)容本講內(nèi)容 概述 與電源無關(guān)的偏置 與溫度無關(guān)的基準(zhǔn) PTAT電流的產(chǎn)生 恒定Gm偏置 實(shí)例分析第21頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 22恒定恒定Gm偏置偏置第22頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 23本講內(nèi)容本講內(nèi)容 概述 與電源無關(guān)的偏置 與溫度無關(guān)的基準(zhǔn) PTAT電流的產(chǎn)生 恒定Gm偏置 實(shí)例分析第23頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 24實(shí)例分析實(shí)例分析PMOS PMOS 電流鏡保證電流鏡保證Q1Q1Q4Q4的集電極電流相等的集電極電流相等第24頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 25實(shí)例分析實(shí)例分析第25頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 26實(shí)例分析實(shí)例分析第26頁/共29頁西電微電子：模擬集成電路原理 Bandgap RefCh. 11 # 27實(shí)

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論