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1、桂林電子科技大學(xué)GUILIN UNIVERSITY OF ELECTRONIC TECHNOLOGY桂林電子科技大學(xué)GUILIN UNIVERSITY OF ELECTRONIC TECHNOLOGYMEMS器件懸臂結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單介紹桂林電子科技大學(xué)GUILIN UNIVERSITY OF ELECTRONIC TECHNOLOGY一MEMS簡(jiǎn)介二懸臂梁及其工藝三參考文獻(xiàn)桂林電子科技大學(xué)GUILIN UNIVERSITY OF ELECTRONIC TECHNOLOGY( )一MEMS簡(jiǎn)介 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS, Micro-Electro-Mechanical System),也叫做微電子機(jī)械系

2、統(tǒng)、微系統(tǒng)、微機(jī)械等,是在微電子技術(shù)(半導(dǎo)體制造技術(shù))基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的,融合了光刻、腐蝕、薄膜、LIGA、硅微加工、非硅微加工和精密機(jī)械加工等技術(shù)制作的高科技電子機(jī)械器件。桂林電子科技大學(xué)GUILIN UNIVERSITY OF ELECTRONIC TECHNOLOGY( )一桂林電子科技大學(xué)GUILIN UNIVERSITY OF ELECTRONIC TECHNOLOGY( )一桂林電子科技大學(xué)GUILIN UNIVERSITY OF ELECTRONIC TECHNOLOGY( )二懸臂梁作為MEMS 器件的基本結(jié)構(gòu), 可以用于RF 開(kāi)關(guān)、光開(kāi)關(guān)、諧振器、傳感器等。MEMS 中使用的懸

3、臂梁厚度一般在幾微米到幾十微米之間, 長(zhǎng)度在幾百微米以內(nèi).襯底的厚度一般不超過(guò)1mm , 長(zhǎng)度和寬度在厘米量級(jí)。懸臂梁及其工藝桂林電子科技大學(xué)GUILIN UNIVERSITY OF ELECTRONIC TECHNOLOGY( )二桂林電子科技大學(xué)GUILIN UNIVERSITY OF ELECTRONIC TECHNOLOGY( )二基于材料的器件()具有耐高溫、抗腐蝕等優(yōu)點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于制造工作在惡劣環(huán)境下的傳感器和執(zhí)行器。但是,目前為止制作的大多數(shù)器件都基于體工藝。體工藝制造工藝復(fù)雜、成本高昂,難以適用于大規(guī)模的商業(yè)化生產(chǎn),開(kāi)發(fā)表面工藝勢(shì)在必行。懸臂結(jié)構(gòu)是制作器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)之一,在加

4、速度計(jì)、陀螺儀、開(kāi)關(guān)、諧振器等器件中都大量地使用了懸臂結(jié)構(gòu),因此,開(kāi)發(fā)懸臂結(jié)構(gòu)的表面加工工藝是制作器件的必要基礎(chǔ)。由于材料具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性,大部分酸都不能腐蝕,只有熔融的(大于)堿金屬氫氧化物(如)可以腐蝕它,但是這種加工工藝不能滿足高精度結(jié)構(gòu)的制備需求,因此急需開(kāi)發(fā)干法刻蝕工藝。一般來(lái)說(shuō),懸臂結(jié)構(gòu)的制作需要犧牲層釋放工藝,但到目前為止,犧牲層(如)上外延的質(zhì)量尚不滿足要求。為了獲得高質(zhì)量懸臂結(jié)構(gòu),本文設(shè)計(jì)了在襯底上外延薄膜后通過(guò)干法刻蝕工藝制作懸臂結(jié)構(gòu)的方案懸臂梁及其工藝桂林電子科技大學(xué)GUILIN UNIVERSITY OF ELECTRONIC TECHNOLOGY( )二桂林電子科

5、技大學(xué)GUILIN UNIVERSITY OF ELECTRONIC TECHNOLOGY( )二干法刻蝕設(shè)備為刻蝕機(jī)。掩膜材料分別使用和。具體實(shí)施步驟如圖所示。()襯底準(zhǔn)備,采用晶向的高阻單拋硅片。()外延 薄膜,采用和通過(guò)法外延厚的薄膜。()制作掩膜,通過(guò)法外延厚 的掩膜或者通過(guò)蒸發(fā)的方法淀積厚的。()掩膜圖形化,采用光刻技術(shù)制備圖形化的金屬鋁或者的掩膜。()刻蝕,刻蝕氣體為和,刻蝕速率約。()釋放懸臂結(jié)構(gòu),采用氣體各向同性刻蝕工藝,掏空懸臂結(jié)構(gòu)下方的硅襯底。()去除掩膜,對(duì)于掩膜,采用干法刻蝕去除。掩膜采用濕法腐蝕方法去除。懸臂梁及其工藝桂林電子科技大學(xué)GUILIN UNIVERSITY OF ELECTRONIC TECHNOLOGY( )三參考文獻(xiàn)1焦宗磊,懸臂結(jié)構(gòu)干法刻蝕研究,南京電子器件研究所,南京.2方緒文,微加工懸臂梁在橫向沖擊下的響應(yīng)分析,東南大學(xué)MEMS 教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,

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