MOS管驅(qū)動(dòng)電路

1、MOS管寄生參數(shù)的影響和其驅(qū)動(dòng)電路要點(diǎn)我們在應(yīng)用 MOS管和設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)的時(shí)候，有很多寄生參數(shù)， 其中最影響 MOS管開關(guān) 性能的是源邊感抗。寄生的源邊感抗主要有兩種來源，第一個(gè)就是晶圓DIE和封裝之間的 Bonding線的感抗，另外一個(gè)就是源邊引腳到地的PCB走線的感抗（地是作為驅(qū)動(dòng)電路的旁路電容和電源網(wǎng)絡(luò)濾波網(wǎng)的返回路徑）。在某些情況下，加入測量電流的小電阻也可能產(chǎn)生額外的感抗。我們分析一下源邊感抗帶來的影響： 1.使得MOS管的開啟延遲和關(guān)斷延遲增加由于存在源邊電感，在開啟和關(guān)段初期，電流的變化被拽了，使得充電和放電的時(shí)間變長了。同時(shí)源感抗和等效輸入電容之間會(huì)發(fā)生諧振（這個(gè)諧振是由于

2、驅(qū)動(dòng)電壓的快速變壓形成的，也是我們在G端看到震蕩尖峰的原因），我們加入的門電阻Rg和內(nèi)部的柵極電阻 Rm都會(huì)抑制這個(gè)震蕩（震蕩的Q值非常高）。門電阻輸入電容我們需要加入的優(yōu)化電阻的值可以通過上述的公式選取，如果電阻過大則會(huì)引起 G端電壓的過沖（優(yōu)點(diǎn)是加快了開啟的過程），電阻過小則會(huì)使得開啟過程變得 很慢，加大了開啟的時(shí)間（雖然 G端電壓會(huì)被抑制）。園感抗另外一個(gè)影響是阻礙Id的變化，當(dāng)開啟的時(shí)候，初始時(shí)di/dt偏大，因此 在原感抗上產(chǎn)生了較大壓降，從而使得源點(diǎn)點(diǎn)位抬高，使得Vg電壓大部分加在電感上面，因此使得G點(diǎn)的電壓變化減小，進(jìn)而形成了一種平衡（負(fù)反饋系統(tǒng)） 另外一個(gè)重要的寄生參數(shù)是漏極的

3、感抗， 主要是有內(nèi)部的封裝電感以及連接的電 感所組成。在開啟狀態(tài)的時(shí)候Ld起到了很好的作用（Subber吸收的作用），開啟的時(shí)候由 于Ld的作用，有效的限制了 di/dt/ （同時(shí)減少了開啟的功耗）。在關(guān)斷的時(shí)候， 由于Ld的作用，Vds電壓形成明顯的下沖（負(fù)壓）并顯著的增加了關(guān)斷時(shí)候的 功耗。下面談一下驅(qū)動(dòng)（直連或耦合的）的一些重要特性和典型環(huán)節(jié)：直連電路最大挑戰(zhàn)是優(yōu)化布局實(shí)際上驅(qū)動(dòng)器和MOS管一般離開很遠(yuǎn)，因此在源級(jí)到返回路徑的環(huán)路上存在很 大的感抗，即使我們考慮使用地平面，那么我們?nèi)耘f需要一段很粗的PCB線連接源級(jí)和地平面。另外一個(gè)問題是大部分的集成芯片的輸出電流都比較小，因?yàn)橛捎诳刂祁l

4、率較 高，晶圓大小受到限制。同時(shí)內(nèi)部功耗很高也導(dǎo)致了IC的成本較高，因此我們需要一些擴(kuò)展分立的電路。旁路電容的大小由于開啟的瞬間，MOS管需要吸取大量的電流，因此旁路電容需要盡可能的貼 近驅(qū)動(dòng)器電源端。有兩個(gè)電流需要我們?nèi)タ紤]：第一個(gè)是驅(qū)動(dòng)器靜態(tài)電流，它收到輸入狀態(tài)的影響。 他可以產(chǎn)生一個(gè)和占空比相關(guān)的紋波。另外一個(gè)是G極電流，MOS管開通的時(shí)候，充電電流時(shí)將旁路電流的能量傳輸 至MOS管輸入電容上。其紋波大小可用公式來表明，最后兩個(gè)可合在一起。驅(qū)動(dòng)器保護(hù)如果驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)為晶體管，那么我們還需要適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)來防止反向電流。 一般 為了成本考慮，我們采用NPN的輸出級(jí)電路。NPN管子只能承受單向電

5、流，高 邊的管子輸出電流，低邊的管子吸收電流。在開啟和關(guān)閉的時(shí)候，無可避免的源 感抗和輸入電容之間的振蕩使得電流需要上下兩個(gè)方向都有通路，為了提供一條方向通路，低電壓的肖特基二極管可以用來保護(hù)驅(qū)動(dòng)器的輸出級(jí)，這里注意這兩 個(gè)管子并不能保護(hù)MOS管的輸入級(jí)（離MOS管較遠(yuǎn)），因此二極管需要離驅(qū) 動(dòng)器引腳非常近。晶體管的圖騰柱結(jié)構(gòu)這是最便宜和有效地驅(qū)動(dòng)方式，此電路需要盡量考慮 MOS管，這樣可以使得開 啟時(shí)大電流環(huán)路盡可能小，并且此電路需要專門的旁路電容。 Rgate是可選的, Rb可以根據(jù)晶體管的放大倍數(shù)來選擇。兩個(gè) BE之間的PN結(jié)有效的實(shí)現(xiàn)了反 壓時(shí)候的相互保護(hù)，并能有效的把電壓嵌位在 VC

6、C+Vbe，GND-Vbe之間。加速器件MOS管開通的時(shí)候，開啟的速度主要取決于二極管的反向特性。因此MOS管關(guān)斷的時(shí)間需要我們?nèi)?yōu)化，放電曲線取決于Rgate，Rgate越小則關(guān)斷越快。下面有好幾個(gè)方案：1二極管關(guān)斷電路丄朝甲V2.PNP關(guān)斷電路這是最流行和通用的電路，利用 PNP的管子，在關(guān)斷期間，源極和柵極被短路 了。二極管提供了開啟時(shí)候的電流通路（并且有保護(hù) PNP管子eb免受反向電 壓的影響），Rgate限制了開啟的速度。電路的最大的好處是放電電流的尖峰被限制在最小的環(huán)路中， 電流并不返回至驅(qū) 動(dòng)器，因此也不會(huì)造成地彈的現(xiàn)象，驅(qū)動(dòng)器的功率也小了一半，三極管的存在減 小了回路電感。仔細(xì)看這個(gè)電路其實(shí)是圖騰柱結(jié)構(gòu)的簡化，電路的唯一的缺點(diǎn)是柵極電壓并不釋 放到0V，而是存在EC極的壓差。3.NPN關(guān)斷電路優(yōu)點(diǎn)和上面的PNP管子相同，缺點(diǎn)是加入了一個(gè)反向器，加入反向器勢必會(huì)造 成延遲。4.NM0S關(guān)斷電路9nn.