元器件二次篩選試驗指南

1、附錄D元器件二次篩選試驗指南D1篩選與二次篩選試驗的基本概念D1.1篩選試驗的定義與目的篩選試驗是指為選擇具有一定特性的產(chǎn)胡或剔除早期失效的產(chǎn)胡而進(jìn)行的試驗。木指 南提出的篩選試驗主耍是指剔除早期失效的產(chǎn)品而進(jìn)行的試驗。它是一種對產(chǎn)品進(jìn)行全數(shù) 檢驗的非破壞性試驗，通過按照一定的程序施加環(huán)境應(yīng)力，激發(fā)出產(chǎn)品潛在的設(shè)計和制造缺 陷，以便剔除早期失效產(chǎn)品，降低失效率。元益件的篩選一般應(yīng)由元器件生產(chǎn)方按腮軍用電 子元器件規(guī)范或供盂雙方簽定的介同進(jìn)行。般將尤器件生產(chǎn)方進(jìn)行的篩選稱為“ -次篩選”, 如果當(dāng)“一次篩選”的技術(shù)條件不能完全滿足使用方対元器件的質(zhì)彊耍求時，使用方或具委 托單位可以進(jìn)行再篩選以補

2、允生產(chǎn)方篩選的不足。一般將使用方或委托單位進(jìn)彳J：的篩選稱為 “二次篩選”或稱“補充篩選”。即二次篩選是指己采購的尤器件在“一次篩選”試驗沒有滿 足使用方規(guī)定的項H耍求的技術(shù)條件時，由使用方進(jìn)行的篩選。尤器件的''一次篩選”和“二 次篩選”的冃的與試驗方法基本相同，但應(yīng)強調(diào)“二次篩選”應(yīng)是在“一次篩選”的基礎(chǔ)匕 眄裁而成的。篩選試驗一般是對元器件成品而進(jìn)行的，但也町以在生產(chǎn)過程中對元器件的半成胡進(jìn)行, 例如，質(zhì)錄保證等級較高的半導(dǎo)體器件封帽前的非破壞性鍵介拉力試驗、內(nèi)部H檢等篩選都 屈r半成品篩選。在一定條件雖然二次篩選是提高元器件批質(zhì)吊的仃效描施之.一，但它也仃其局限性 和風(fēng)

3、險性，并不足所仃的尤器件都耍進(jìn)行二次篩選，也不能把二次篩選看作足任何情況卜都 是必須的，根據(jù)國外的經(jīng)驗只仃少數(shù)采購不到高質(zhì)彊尊級的元器件才石要進(jìn)彳亍二次篩選。W 為篩選只能提高批產(chǎn)品的使用可靠性,不能提高產(chǎn)品的固有可靠性。也就是說,產(chǎn)品的固有 可靠性是設(shè)計進(jìn)去的，制造出來的,而不是篩選出來的。因此,在選擇元器件時，應(yīng)根據(jù)整 機、設(shè)備的質(zhì)最與可靠性耍求，選擇相應(yīng)的高質(zhì)彊等級的尤器件。特別是電子整機、設(shè)備的 關(guān)鍵件、車要件，一定耍選擇最高質(zhì)最等級的尤器件。為有效剔除月缺陷的尤器件，減少系統(tǒng)或設(shè)備的早期失效，本指南主耍提出了對軍 用電子元器件成品進(jìn)行二次篩選試驗的某本原則、耍求、項II和方法供參考。

4、D1.2二次篩選的適應(yīng)范圍二次篩選（或補允篩選）主耍適用r卜列四種情況的尤器件：a. 尤器件生產(chǎn)方未進(jìn)行“一次篩選”，或使用方対“一次篩選”的項冃和應(yīng)力不貝體了 解的；b. 元器件生產(chǎn)方己進(jìn)行了 “一次篩選”，但“一次篩選”的項目或應(yīng)力還不能滿足使用 方對元器件質(zhì)量要求的;C.在元器件的產(chǎn)品規(guī)范屮未作八體規(guī)定、尤器件生產(chǎn)方也不幾備篩選條件的特殊篩選項 目：d.對尤器件生產(chǎn)方是否已按介同或規(guī)范的要求進(jìn)行了 “一次篩選”或?qū)Τ兄品健耙淮魏Y 選”的有效性有疑問需要進(jìn)行驗證的尤器件。以上a、b、C三種情況尤器件的二次篩選（補充篩選）是很難用其它措施替代的。對丁情 況d則除了進(jìn)行二次篩選（補充篩選）外，

5、述町采取対尤器件生產(chǎn)方“一次篩選”進(jìn)行監(jiān)督等 措施來替代二次篩選（補充篩選）。D2篩選試驗方法及篩選項目的確定D2.1篩選試驗方法篩選試驗可分為常規(guī)篩選（如密対性篩選）和特殊環(huán)境篩選（如抗輻射、鹽霧等）。本指南 主要介紹常規(guī)篩選方法。常規(guī)篩選方法主耍有如卜幾種：a. 檢查篩選檢查篩選可采取鏡檢、紅外線篩選、X射線篩選。紅外線篩選可以剔除體內(nèi)或農(nóng)面熱缺陷 嚴(yán)重的器件，X射線篩選主耍用檢査管殼內(nèi)有無外來物和裝片、鍵介或封裝工序的缺陷以及 芯片裂紋。b. 密対性篩選（如氣泡法、氫質(zhì)譜儀法、放射性氣體、示蹤檢漏法），用剔除管殼及密 封工藝中所在的缺陷（如裂紋、微小漏孔、氣孔以及対裝對位欠佳）。c. 環(huán)

6、境應(yīng)力篩選（如振動加速度、沖擊加速度、離心加速度、溫度循環(huán)和熱沖擊等）；d. 壽命篩選（高溫貯存、低溫貯存、老練篩選、精密篩選、線性判別）；e. 電測試篩選（對晶體管的補充手段）。在實際中也常采用物理篩選（卄破壞件的）和老練篩選（破壞性的）相結(jié)介的方式進(jìn)行。老練 篩選效果好但成本高，物理篩選雖成本低，但效果差。D2. 2篩選的有效性與篩選項目及條件D2.2.1篩選的有效性根據(jù)以往產(chǎn)品篩選的試驗數(shù)據(jù)積累，確定對剔除早期欠效品篩選冇效（在II：破壞性應(yīng)力 作用卜，淘汰率較高的）的試驗項I。對篩選淘汰率極低或根本不能把仃缺陷產(chǎn)品篩選出來 的試驗項目應(yīng)不列入篩選試臉中。評價一個篩選方案是否仃效，可以用

7、篩選效果和篩選詢汰 率等指標(biāo)來衡彊，而篩選的何效性又主要取決J：篩選項口和應(yīng)力的選取是否合理，耍獲得完 全理想的篩選效果絕菲易事。同樣耍獲得篩選效果的數(shù)據(jù)也需耍做人吊的攤底試驗，人們經(jīng) 過人駁的實驗枳累了豐富的經(jīng)驗，現(xiàn)C對這些實踐經(jīng)驗進(jìn)行了總結(jié)，形成了標(biāo)準(zhǔn)。因此一般 產(chǎn)陽均根據(jù)其質(zhì)彊與可靠性保證等級所規(guī)定的篩選耍求進(jìn)行篩選，但當(dāng)某種產(chǎn)品經(jīng)篩選后經(jīng) 常出現(xiàn)質(zhì)最一致性檢驗不合格時，則應(yīng)考世采用的篩選方案是否合適。D2. 2.2篩選試驗的應(yīng)力的確定原則篩選試驗的應(yīng)力條件忡耍是非破壞性的，即通過篩選不能對產(chǎn)胡的質(zhì)駁與可靠性產(chǎn)生影 響，但試驗應(yīng)力也不能偏低，低了起不到篩選作用。原則上，確定篩選項日和應(yīng)力

8、條件應(yīng)依 據(jù)相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)。對J噺研制的元器件產(chǎn)品，篩選試驗應(yīng)力的人小可通過箱底試驗或類似產(chǎn)胡 的現(xiàn)場使用信息來確定。選擇篩選應(yīng)力的主耍原則是：a. 篩選咸力類糧應(yīng)選擇能激發(fā)早期失效的應(yīng)力，根據(jù)不同產(chǎn)品所學(xué)握的信息及失效機理來 確定：b. 篩選應(yīng)力應(yīng)以能激發(fā)出早期失效為宗旨，使產(chǎn)品務(wù)種隱患和缺陷盡快暴露出來；c. 篩選應(yīng)力不應(yīng)使正常產(chǎn)品失效：d. 篩選應(yīng)力去掉后，不應(yīng)使產(chǎn)品留卜殘余應(yīng)力或影響產(chǎn)品的使用壽命：c. 應(yīng)力篩選試臉持續(xù)時間應(yīng)以能允分暴露早期失效為原則。表D2-1是集成電路常見的缺陷與主要篩選試驗項LI的相關(guān)性分析。表D21主要篩選項目與缺陷關(guān)系試驗項目常見缺陷鏡檢非破壞性鍵合檢恒 定 加

9、 速 度進(jìn) 行 沖 擊變 頻 振 動振 動 疲 勞:B/ATI度環(huán)濕 熱 試 驗X 射 線 檢9溫 貯 存高ce/m老 練可動電荷反塑層溝道導(dǎo)通鍵存松動或謹(jǐn)介斷開鍵合強度不能達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)耍求鍵合位置不當(dāng)芯片與管座連接個好布線缺陷金屬化缺陷氧化層缺陷芯片裂紋裝配缺陷內(nèi)部殘存可動多余物符売缺陷D3基本要求D3.1標(biāo)準(zhǔn)適用于元器件的要求対產(chǎn)品進(jìn)行篩選試驗時，應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品的總規(guī)范中的耍求來選擇試驗項冃。以卜是兒種主 要的試驗方法及尤器件的適用范由。GJB360A-96（電子及電氣元件試驗方法）適用J：電阻器、 電容器、電感器、連接器、開關(guān)、繼電器、變壓器、等電了及電氣元件。如無特殊規(guī)定,GJB 360A-9

10、6只適用J運磧小J; 136kg或試驗電壓低J* 50000V（仃效值）的電子及電氣元件。GJB12&97（半導(dǎo)體分立器件試驗方法）適用J：各種軍用半導(dǎo)體分立器件。GJB548A-96（微電子器件試驗方法和程序）適應(yīng)于微電子器件。篩選試驗標(biāo)準(zhǔn)在執(zhí)行過程中不能隨意改動。如盂改動，W經(jīng)型號總師批準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)歸II部 門簽發(fā)臨時更改單。対靜電敏感器件，在篩選、測試時應(yīng)按仃關(guān)規(guī)定進(jìn)行防靜電處理。D3.2篩選環(huán)境要求D3.2.1 一般環(huán)境條件若無比它規(guī)定，篩選在卜列環(huán)境條件卜進(jìn)行：溫度1535°C：相對濕度20%80%；氣壓篩選所在場所的氣壓。D3.2.2仲裁環(huán)境條件當(dāng)篩選結(jié)果仃爭議時，應(yīng)

11、在卜列環(huán)境條件下進(jìn)彳J：仲裁試驗或檢驗：溫度 25±1*C；相對濕度48%52%：氣斥86106kPa。D3.3 操作人員與設(shè)備要求D3.3.1操作人員的基本要求a. 按規(guī)定參加培訓(xùn)，通過考核取得合格資格；b. 了解和學(xué)握冇關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范和試驗或檢驗的棊本原理；c. 能夠熟練使用冇關(guān)儀器設(shè)備，并具備呈本的維護(hù)、保養(yǎng)知識；d. 能對試驗結(jié)果作出正確的分析和評價。D3.3.2儀器設(shè)備的管理和使用儀器設(shè)備的借理和使用應(yīng)符介以I、耍求：a. 儀器設(shè)備何專人管理，關(guān)鍵儀器設(shè)備由專人操作和檢査；b. 儀器設(shè)備應(yīng)按規(guī)泄泄期檢定合格，并在有效的計彊檢定周期內(nèi)使用：c. 儀器設(shè)備的楕度應(yīng)滿足試驗或檢驗的

12、耍求；d. 使用儀器設(shè)備應(yīng)按觀定做好記錄。D3.4篩選記錄要求篩選記錄應(yīng)符合以卜耍求：a. 負(fù)貴篩選的單位應(yīng)制定包括：篩選項冃名稱、篩選條件、篩選合格判據(jù)、篩選結(jié)果等 內(nèi)容的丁序表或流程表以及仃關(guān)檢測參數(shù)的數(shù)據(jù)記求茨格；并按附表1（電子冗器件次篩選 信息收集）的要求進(jìn)行信息收集：b. 操作人員應(yīng)在數(shù)據(jù)記錄衣上如實記錄仃關(guān)數(shù)據(jù)、在工序衣的仃關(guān)工用上填寫明確的結(jié) 論，并簽名對數(shù)據(jù)及結(jié)論的準(zhǔn)確性負(fù)貴：c. 根據(jù)篩選的工序衣及有關(guān)數(shù)據(jù)，按規(guī)定的格式填寫篩選試驗報告，提交給有關(guān)單位；d. 負(fù)貴篩選的單位在觀定的期限內(nèi)，應(yīng)妥善保存篩選報告及有關(guān)記錄。D3. 5篩選試驗中質(zhì)量問題的處理要求a. 篩選屮尤器件

13、出現(xiàn)個別嚴(yán)車火效或篩選淘汰率超過PDA規(guī)范值，經(jīng)分析不屬J：批次 性質(zhì)宣問題的，可靠性主管部門與委托單位主管部門協(xié)商后由參托單位型號總師確定能否使 用；b. 篩選后出現(xiàn)嚴(yán)幣:失效或篩選淘汰率超過PDA規(guī)范值，經(jīng)分析鳩批次性質(zhì)帚問題， 血整批淘汰：同時附有分析報告，報告一式兩份，一份隨尤器件交委托單位，另一份留分析 中心存檔;c. 失效元器件的失效分析按有關(guān)規(guī)定執(zhí)行；d. 対篩選屮出現(xiàn)的不介格品應(yīng)按GJB571-88（不介格品管理）中的耍求進(jìn)行處理。D4元器件二次篩選的基本程序D4.1確定補充篩選二次篩選（補充篩選）程序的原則対各類尤器件“一次篩選”的項口應(yīng)根據(jù)JU本情況進(jìn)行適當(dāng)?shù)丶舨?，并按先?/p>

14、順序仃機 地組介在一起，即組成了二次篩選（補充篩選）程用。需要說明的是：器件的“一次篩選”項 目包括部分半成品篩選，而器件的二次篩選（補充篩選）則都是成品篩選，所以二次篩選（補 充篩選）的程序中必須刪除“一次篩選”屮對半成品的篩選項日；應(yīng)根據(jù)二次篩選（補充篩選） 適用尤器件的四種情況，將二次篩選（補充篩選）程序分為A、B、C、D四類，以卜分別說明 其確定的原則。D4.1.1確定A類二次篩選（補充篩選）程序的原則對未進(jìn)行“一次篩選”或?qū)Α耙淮魏Y選”的應(yīng)力或項H不貝體了解的尤器件應(yīng)進(jìn)行A 類二次篩選（補充篩選）。對這類尤器件二次篩選（補充篩選）的程序，原則上應(yīng)與產(chǎn)品觀范 觀定的“一次篩選”的程序相

15、同。對產(chǎn)品規(guī)范未確定篩選程序的尤件可參考本指南的相應(yīng)示例，進(jìn)行二次篩選 （補充篩選）。D4. 1.2確定B類二次篩選（補充篩選）程序的原則対“一次篩選”的血力或項目還不能滿足整機質(zhì)磺耍求的元器件，應(yīng)進(jìn)行B類二次篩 選（補允篩選）。對這類尤器件應(yīng)根據(jù)整機對尤器件的質(zhì)彊耍求確定二次篩選（補允篩選）程洋。 例如：在整機匕衛(wèi)采用質(zhì)駅等為B級的集成電路的部位，而實際上僅何“七專”集成電路可 用，則原則上應(yīng)按B質(zhì)杲等級集成電路的篩選項H和應(yīng)力（時間），除去“七專”集成電路篩選 已作的項H和應(yīng)力（時間），并對老練的時間増加必要的余帚進(jìn)行二次篩選（補充篩選）。對J產(chǎn)品規(guī)范未確定篩選程序的尤件可參照本指南的相應(yīng)

16、示例進(jìn)行二次篩選（補充篩選）。 對j:“ 次篩選”屮己做了 “高溫貯存”篩選的器件，則二次篩選（補充篩選）就不必再做。 實踐表明在“一次篩選”屮，“高溫貯存”對器件的篩選效果不顯著,如果二次篩選（補允篩 選）再次進(jìn)彳廠高溫貯存”，有可能造成元器件標(biāo)，忐模糊、引出端町焊性差以及內(nèi)引線強度（包 括鍵合強度）降低等不利因素。D4.1.3確定C類二次篩選（單項補充篩選）程序的原則單項二次篩選（補允篩選）是指對尤器件某一種或兒種常見的失效模式或整機特殊耍求而 進(jìn)行的針對性篩選.針對性二次篩選（補充篩選）往往是單項的而非全而的篩選。例如：某些集成電路在一定的溫度范用內(nèi)容易門激振蕩，則應(yīng)在此溫度范川內(nèi)進(jìn)行加

17、電 應(yīng)力后進(jìn)行測試篩選：某些密封繼電器內(nèi)部經(jīng)常殘留可動多余物，則應(yīng)進(jìn)行微粒碰撞噪聲檢 測（PIND）：某些元器件根據(jù)整機設(shè)計耍求在一定溫度范川內(nèi)其參數(shù)變化應(yīng)不超過規(guī)疋值，則 應(yīng)在-定溫度范國內(nèi)進(jìn)彳亍電參數(shù)測試。這些例子說明必須通過調(diào)查研究，枳累數(shù)據(jù)，以確定 某些元器件常見的失效模式，進(jìn)行試驗分析，才能確定彳仃效的單項（針對性）二次篩選（補 充篩選）的程序。D4.1.4確定D類二次篩選（補充篩選）程序的原則D類一.次篩選（補允篩選）主耍是指“驗證性”的：次篩選（補充篩選）?！膀炞C性”勺兩 方面的意義：一方面是“驗證”生產(chǎn)方是否已按規(guī)定作了 “一次篩選”，另一方面是驗證生 產(chǎn)方所作“一次篩選”項H

18、的有效性?！膀炞C性”二次篩選（補充篩選）是指為進(jìn)行驗證而進(jìn)行 的二次篩選（補充篩選）?！膀炞C性”二次篩選（補充篩選）的程序可與“一次篩選”的程序相同，也可抽査其中的擰 項，對某些篩選項口可抽樣進(jìn)行測試，不通過時再全部進(jìn)彳亍測試。D4. 2元器件二次篩選（補充篩選）程序示例根押;以上確疋兀益件次篩選（補允篩選）程庁的原則，確定了經(jīng)制使用的備種尤器件B類 二次篩選（補允篩選）的程序作為示例。所舉示例都是在相應(yīng)元器件“ -次篩選”的廉礎(chǔ)上剪裁 而成。主耍適用J淚前軍用裝備關(guān)鍵部位人磺使用的“七專”元器件的二次篩選（補充篩選）。 篩選條件：分為I、1【、【I級以供選擇，除非另佝規(guī)定篩選應(yīng)100%進(jìn)彳J

19、：。已做過“一次篩選” 的尤器件，二次篩選（補充篩選）允許不合格胡率（PDA）應(yīng)小J；“一次篩選”PDA的50%或1只， 取人值。對沒有做過“一次篩選”的元器件或篩選情況不明的尤器件町按元器件產(chǎn)品規(guī)范 或參考本指南的示例確定尤器件二次篩選（補充篩選）的PDA。D4.2.1半導(dǎo)體分立器件半導(dǎo)體分立器件二次篩選（補允篩選）程序分為二極管、晶體管兩人類，示例分別見表D4-I 和表D4-2o表D4-1二極管二次篩選（補充篩選）程序序 號篩選項目方法GJB128A篩選條件或測呈參數(shù)說明1IIIII1編序列號"2電參數(shù)測試（室溫） 甑、快整流極骨 HiH凋楓電壓基準(zhǔn)二極符J、匕或IrVf、I&q

20、uot; Ir測厳參數(shù)及合格標(biāo)準(zhǔn)按詳細(xì)規(guī)范 或產(chǎn)品于冊規(guī)定3溫度循環(huán)1051條件：B：循環(huán)5次玻対器件轉(zhuǎn)換時間為不大 5m n4恒定加速度2006Y1 方向、196000(0* s?：/f10A 的器件98000nfs2無空腔的器件不耍求 LTPD=5；不通過時全檢5外觀及機械檢査2071用10倍放大鏡或顯微鏡可在篩選開始時増加一次6粒子碰撞噪聲檢測（PI ND）2052試驗條件：ALTPD S10：不通過時全檢7高溫反ftt（ HTRB） 僅適用丁開關(guān)二極管1038反偏溫度：125±2t反偏電壓：0.75厶I溫反偏時間為農(nóng)列時何減丿、1 產(chǎn)方己進(jìn)行的高溫反僞時間.但 不得少T24h

21、96h72h48h8老練詢電參數(shù)測試（室溫）同序號29老練（室溫）211038試驗條件：B老練時間為表列時間減去生產(chǎn)方（2進(jìn)行的老練時問.但不得少丁 48h240h160h96h10£練后電參數(shù)測試（宇溫）同序號2,對合同或詳細(xì)規(guī)范要求的參 數(shù)計算其A值計算不合格品札I級PDAM5%或1只取大值II 級PDAW10諛或1只収大值）：III 級PDAW15%或1只取人值）。11電參數(shù)測試（高溫）同序號2：溫度按令同或詳細(xì)規(guī)范規(guī)定LTPD=10：不通過時全檢12電參數(shù)測試（低溫）同序號2：溫度按介同或詳細(xì)規(guī)范規(guī)定LTPD=10：不通過時全檢13密封a細(xì)檢漏b.tl檢漏1071鼠試驗條件:

22、G或Hb.試驗條件:A. C、或F無空腔的器件不要求： 內(nèi)腔體枳大丁Icnf僅要求做粗檢 漏14外觀及機械檢査2071川10倍放人鏡或詁微鏡注：1）當(dāng)要求計數(shù)器件電參數(shù)的值時應(yīng)編號。2） /r >1A的器件可按規(guī)定加散熱器老練.也可不加散熱器按峰值結(jié)溫老練。表D42晶體管二次篩選（補充篩選）程序序號篩選項目方法GJB128A篩選條件或測雖參數(shù)說明IIIIII1編序列號"2電參數(shù)測試（宅溫） 女極型放大晶體悖雙極盤開關(guān)晶體管場效應(yīng)胡體管h/E、*BR、CBO、CBO 'V1r iBRyCBO、1 CBOIl V1Vg/H、Vcs（off）'1DSSMt步效及合格標(biāo)

23、準(zhǔn)按合同.詳細(xì) 規(guī)范或產(chǎn)品于冊規(guī)定3溫度循環(huán)1051條件：B：循環(huán)5次玻封器件轉(zhuǎn)換時間為不大J; 5m n4恒定加速度2006Y1 方向、196000m/sS 額定功率不小MOW的器件 98000m/s2無空腔的器件不要求 LTPD=5；不通過時全檢5外觀及機械檢査2071用10倍放犬鏡或顯微鏡可在篩選開始時增加一次6粒子碰撞噪聲檢測（PI ND）2052試驗條件：ALTPD=10；不通過時全檢7高溫反偏（HTRB）開關(guān)晶體竹PNP晶體管場效應(yīng)晶體管1038反偏溫度：125±2'C反偏電壓：0.75匕U它胡體伶不耍求做高溫反偏篩 選. 反偏時間為表列時間減* 生產(chǎn)方L1進(jìn)行的

24、高溫反偏。96h72h48h240h160h96h8老練詢電參數(shù)測試（室溫）同序號29老練（宅溫）1038試驗條件：B老練時間為表列時間減去t產(chǎn)方已 進(jìn)行的老練時間,但不得少J：48h240h160h96h10&練后電參數(shù)測試（宅溫）同序號2,對合同或詳細(xì)規(guī)范芟求的參魏 計算英A值計算不合格品率I級PDAW5%或1只取大值）：11 級PDAW10爼或1只取大值）：III級 PDAW15M或1只取大值）.11H1參數(shù)測試（高隘）同序號厶激度按合同或詳細(xì)規(guī)范規(guī)定LTPD=10：個迪過時全檢12電參數(shù)測試（低溫）雙極芒放大晶休管 戲極型開關(guān)晶體骨場效應(yīng)用體借溫度按介同或詳細(xì)規(guī)范規(guī)宦.劇t鑫數(shù)

25、： h$E % V“rCBO ' 】CBO、Vm/OCBO % 】CEO 入、£、1CBOSm ' 1DSSLTPD=10；不通過時全檢13密対* a.細(xì)檢洶b.粗檢漏1071a. 試驗條件：G或Hb. 試驗條件：A、C、或F無空腔的器件不要求： 內(nèi)腔體積人J lcnf僅要求傲粗檢ii14外觀及機械檢査2071用10倍放大鏡或顯微鏡注：1）為要求計H器件電參數(shù)的值時應(yīng)編序列號.2）額定功率XJHW的器件可按規(guī)定加散熱器老練.也可不加散熱器按峰值結(jié)溫老練。D4.2.2微電路篩選程序徽電路補允篩選（二次篩選）程序分為單片集成電路、混合集成電路兩人類，示例分別見表*3和D4

26、-4o表D43單片集成電路補充篩選（二次篩選）程序序 號篩選項口方法GJB548A篩選條件或測雖參數(shù)說明1IIIII1塢序列號2電參數(shù)測試按合同、詳細(xì)規(guī)范或產(chǎn)品F冊3鎰度循環(huán)1001A條件：C：循環(huán)10次4恒定加速度2001AY1方向：條件：E或D5外部目檢"用10倍放大鏡或顯微鏡剔除突然失效的器件2）6粒子碰撞噪聲檢測（PIN0）2020A試驗條件；A一LTPD=10：不通過時全檢7E練詢電參數(shù)測試（室迪按介同、詳細(xì)規(guī)范或產(chǎn)品FJW8匕練1015A老練溫度*至少125X?優(yōu)先采用動態(tài)老練:功耶器件可 在室溫下老練240h160h96h9老練后電參數(shù)測試（宅溫）同序號2對合同或詳細(xì)規(guī)

27、范耍求的參數(shù)計算英 值計算不介格品率I級PDAW5諛或1只取大值n II級PDAW10諛或1只取大值）： III級PDAW15諛或1只取大值）10電參數(shù)測試（高溫）耍求見說明-LTPD=10：不通過時全檢11電參數(shù)測試（低溫）見說明見說明-LTPD=10：不通過時全檢12密封：a細(xì)檢漏b.粗檢漏1014A1.試驗條件：A1或A2 人試驗條件：C1或C213外部目檢2009A用10倍放大鏡或顯微鏡可在瀟選開始時增加一次注 1）宙生產(chǎn)方和使用方商定是否進(jìn)行該項檢驗.2）外引線斷落.封殼破裂或蓋帽脫落的器件為突然失效的器件.表D44混介集成電路二次篩選（補充篩選）程序序號篩選項目方法GJB548A篩

28、選條件或測筮參數(shù)說明IIIIII1編序列號2電參數(shù)測試按合同、詳細(xì)規(guī)范或產(chǎn)品F冊3溫度循環(huán)或熱沖擊1001A條件：C條件：c條件：B1級必須作溫度循壞：II、III選作其中之一1011A條件:A條件：A4機械沖擊或恒定加速度2002AY1方向：條件：B選作一種2001AY1方向：條件：A5粒子碰撞噪聲檢測（PI ND）2020A試驗條件：A或B6老練詢電參數(shù)測試（宅溫）按合同.訂二；、或產(chǎn)品FW7老練1015A老練溫度：至少125°C優(yōu)先采用動態(tài)老練：功率器件 可在室溫下老練240h160h96h8老練后電參數(shù)測試（室溫）同序號2.對合同或詳細(xì)規(guī)范要求的參數(shù) 計ntu值計毎不介格品率

29、I級PDAW5爼或1只取大值八 級PDAW10筑或1只収大 值）：川級PDAW15爼或1只収 大值）9電參數(shù)測試（高溫）要求見說明LTPD=10：不通過時全檢10電參數(shù)測試（低溫）見說明見說明LTPD=1O；不通過時全檢11密封a細(xì)檢漏b.粗檢漏1014AN試驗條件：A1或A2 試驗條件：C1或C212外部目檢2009A用10倍放大僮或顯微鏡可在篩選開始時増加一次D4.2.3電阻器電阻器二次篩選（補允篩選）程序示例如表D45所示。林無直他規(guī)定二次篩選（補充篩選） 應(yīng)100%進(jìn)行。由電阻器的質(zhì)帚較其他元器件高，所以二次篩選（補充篩選）-般不做功率老 練。I級PDAW1%（或1只取大值），II、m

30、級PDAW2%（或1只取大值）。片狀電阻器應(yīng)放在充氮的密封容器內(nèi)進(jìn)行高溫貯存和溫度沖擊試臉。表D4- 5電阻器二次篩選（補充篩選）程序序號篩選項目方法GJB360A篩選條件或測雖參數(shù)說明1IIIII1直流電阻初測303一般在室溫條件下測試2高溫貯存125±20 96h3溫度沖擊試驗107試驗條件：B低溫可提高至-55 ±34外觀及機械檢査H檢本休及引出端質(zhì)戢5直流電陰終測303一般在宅溫條件下測昴：需耍時應(yīng)計舁不介格品率D4.2.4電容器電容器二次篩選（補允篩選）程序爪例如農(nóng)D4-6和D4-7所示。若無其他規(guī)泄篩選應(yīng)100 %進(jìn)行，由J：電解電容與非電解電容器補允篩選（二次

31、篩選）的程序不完全相同，所以在兩 個表屮分別列出。片狀電容器丿W放在允氮的密封容器內(nèi)進(jìn)行高溫老練。表D46電解電容補允篩選（二次篩選）的程序序 號篩選項目方法 GJB 360A篩選條件說明1IIIII1編序列號（需要時）需測參數(shù)變化雖:時應(yīng)編號2電參數(shù)初測（宅溫）測試的參數(shù)及其合格判據(jù)按合同、詳細(xì)視 范或產(chǎn)品手刪13老練85±2'C實際思練時間可從表列時間減去'次篩選”的老練時何.但不少 于24h192h144h96h4電參數(shù)測試（高溫）85±29：測試的參數(shù)及其合格判據(jù)按合 同、詳細(xì)規(guī)范或產(chǎn)品手冊5X射線檢茂209互成90°的兩個方向僅適用TbM

32、體電解電容器6頁空檢漏真空度優(yōu)T5xiO-3Pa：溫度70土29： 電容器加額定電壓時間48h僅適用于非固體電解電容器7外觀及機械檢査用10倍放犬鏡或顯微鏡檢金8電參數(shù)終測（宅溫）同序號2：計兌不合格品率（必耍時）1級PDAW5%或1只取大值）： II級PDAW10諛或1只取大值）: III級PDAW15%或1只取大值）。表D47非電解電容器二次篩選（補充篩選）fi!序序 號篩選項目方法GJB360A篩選條件說明IIIIII1外觀及機械檢査13檢2電參數(shù)初測（室溫）測試的參數(shù)及英介格判據(jù)按詳細(xì)規(guī)范或 產(chǎn)品手冊3奇溫貯存85±2O 96h4溫度沖擊試驗107試驗條件：A5外觀及機械檢査

33、用10倍放犬鏡或顯微鏡檢金6電參數(shù)終測（室溫）同序號2：計算不合格品率（必嬰時）I級PDAW50闕或1只収大值）: 1【、III級PDAW100%或1只取大 值）。D4.2.5電磁繼電器電磁繼電器補允篩選（二次篩選）程序爪例如衣D4-8所示。廿無其他規(guī)定篩選應(yīng)仃100% 進(jìn)行。由于電磁繼電器觸點易“電蝕”,可動部分易磨損,所以屬F “有限壽命”的機電元件。 因此動作次數(shù)過多的補充篩選（二次篩選）項目可不做或少做。表D48電礎(chǔ)繼電器補充篩選（二次篩選）程序序 號篩選項目方法GIB65B篩選尊級說明1IIIII1編序列號當(dāng)需要時2振動（正弦）4.8.11.1耍求當(dāng)生產(chǎn)方己做過.可不做：在扳動過程中

34、應(yīng)按GIB 360A方法 310進(jìn)行觸點抖動監(jiān)測3振動（隨機）4.& 11.2嚶求4內(nèi)部潮濕4.8.3. 1耍求要求5運行詢常溫電性能測試4. 8 8所有等級祁耍求PDAW5%或1只.取大值6運行"4.8. 3.2I、I【級全部要求，III級僅做常溫運彳亍7微粒碰撞噪市檢測（PINO）4.8.23耍求8絕緣電阻4.8.6嬰求9介質(zhì)耐壓4.8.7耍求10運疔后常溫電性能測試4.8.8耍求114.8 5耍求剔除不合格品12外觀和機械檢茂4.8. 1計算不合格品率全部PDAW5%或1只.取大值注：1）序號8、9、10項冃的順序可以變換.2）若無其它規(guī)定，高低溫運行各運行3000次，

35、生產(chǎn)方與使用方高低溫運行總次數(shù)應(yīng)接近8000次.觸點 負(fù)載電流大V 10A的應(yīng)接近900次.D4.2.6電連接器電連接器（包括低頻和同軸電連接器）二次篩選（補充篩選）程序示例如表D4-9所示。科:無 其它觀定，篩選項目中除外觀和機械檢査和電性能測試的部分參數(shù)盂100%進(jìn)行外，梵它篩選 項口均抽樣5只進(jìn)行驗證性的篩選，抽樣篩選不通過時，再進(jìn)行100%篩選。本二次篩選（補充篩選）要適用J：關(guān)鍵部位丿I的電連接器，I、II、III級的篩選程 序相同。農(nóng)D49電連接器二次篩選（補充篩選）程序序號篩選項冃試驗方法和條件說明1外觀和機械檢査用10倍放大鏡或顯微鏡檢J*f： 材料、設(shè)計結(jié)構(gòu)、標(biāo)志、加工質(zhì)雖2

36、電性能測試按適用的電連接器規(guī)范接觸電阻抽樣n/c=5/03介質(zhì)耐壓按 GJB 360A 方法 30I4絕緣電阻按 GIB 360A 方法 3025互換性檢査按GJB 1217規(guī)定的試驗方法6單孔分離力按GJB 1217規(guī)定的試驗方法7分離功能檢査按GJB 1217規(guī)定的試驗方法適用丁分離、脫落電連接閱8毛密性按GJB 1217規(guī)定的試驗方法適用于密封電連接器D5元器件篩選項目要求在美軍尤器件標(biāo)準(zhǔn)屮對半導(dǎo)體器件明確提出了篩選的婆求，但對電阻器、電容器、繼電 器等尤件則并未明確提出篩選的耍求。此外，在早期的ESA元器件規(guī)范中共至沒仃出現(xiàn)“篩 選”這一術(shù)語，直至1996年在歐洲空間介作化組織（ECS

37、S）標(biāo)準(zhǔn)ECSS-O 60A中才明確定義篩 選為“最終產(chǎn)品檢驗、老練和電測試的綜介”。我國軍用標(biāo)準(zhǔn)等效采用了美軍標(biāo)準(zhǔn)體系，所 以対半導(dǎo)體器件規(guī)定了明確的篩選程序，對部分元件沒冇明確的篩選要求，但在元件的A組 檢驗屮規(guī)定了盂耍100%做的測試項目，這些項目就被視作兀件的篩選項目。現(xiàn)按器件規(guī)范和 元件規(guī)范分別說明次篩選”的主耍篩選項口。06.1半導(dǎo)體器件的主要篩選項目D5.1.1測試性篩選主耍指對器件關(guān)鍵性能（包括電和機械等性能）的測試。包括在篩選前后對器件的性能進(jìn) 彳j測試，以判斷器件在篩選試驗詢后性能的變化，對性能或性能穩(wěn)定性不介格的器件 有篩選作用。D5.1.2檢查性篩選a.顯微鏡檢企顯微鏡

38、檢査對半導(dǎo)體器件是幣;耍的篩選措施，適用J：器件在対帽前的篩選。通常采用30 200倍的雙筒龍體顯微鏡按冇關(guān)規(guī)范規(guī)定進(jìn)行檢杳，必要時2采用扌I描電子顯微鏡進(jìn)行檢資。封帽前鏡檢屬半成品篩選，除用顯微鏡檢査外，圧可進(jìn)行鍵介拉力、芯片剪切力的無損 檢測。可剔除芯片本身仃缺陷或芯片裝配、引線鍵介仃缺陷的器件。采用3I0倍的放人鏡或顯微鏡對成品器件進(jìn)行外觀及機械檢査，對封裝外形、引出端、 識別、標(biāo)，忐存在缺陷的器件有篩選作用。b. X射線檢查器件密封后若不進(jìn)行解剖，其內(nèi)部缺陷就很難發(fā)現(xiàn)。采用X射線照相方法，可以透過外殼 觀察器件內(nèi)部是否仃多余物、引線斷裂、芯片歪斜以及其它嚴(yán)車缺陷。X射線非破壞性檢査是

39、器件封裝后替代一般鏡檢的有效手段。c. 密封性檢査器件的密対性是保證器件內(nèi)部封裝的保護(hù)氣體不致淤漏、外部有害氣氛不致侵入的咆耍 性能，這種性能對長期丁作或貯存的器件尤為豆耍。采用細(xì)檢漏和粗檢漏兩種方法可對器件 的密対性進(jìn)行檢查，檢査的程序是先做細(xì)檢后做粗檢，不能以細(xì)檢代橋粗檢。為冇規(guī)定時， 器件內(nèi)腔超過一定體積(一般為1crrf)可僅做粗檢。常用的細(xì)檢漏和粗檢漏及其可檢測的漏率范閘如卜：氮質(zhì)譜儀細(xì)檢漏這是常用的細(xì)檢漏方法，可檢測的漏率范用為：10 °10natmcnB/So浸液法粗檢漏這是常用的粗檢漏方法,可檢測的漏率不低j-10Jatmcrrf/So以上兩種檢漏方法用得較多，此外還

40、何其它的檢漏方法，各有優(yōu)缺點，其體的檢驗方法 詳見GJBI28A方法 1071、GJB360A方法 112、GJB548A方法 1014Aod. 粒子碰撞噪聲檢測(PI ND)半仃空腔器件的內(nèi)部冇可動多余物時，有可能造成內(nèi)部引線的短路。宇航用器件在失匝 的空間運行，可動多余物可能造成的危害就更人。所以國軍標(biāo)對宇航級器件規(guī)定了耍作粒子 碰撞噪聲檢測(PI ND)篩選，以剔除內(nèi)部有可動篡余物的器件，對JTF宇航用的尤器件，則根 據(jù)H體使用情況，將PI ND作為選作的篩選項目。PI ND篩選時應(yīng)根據(jù)半導(dǎo)體器件腔體的高度按規(guī)定施加適當(dāng)?shù)臋C械應(yīng)力，使附著在器件內(nèi) 部的可動多余物脫落。JI體的試驗方法和介

41、格判據(jù)分別見GJBI 28A方法2052、QJB548A方広 2020A 和 QJB360A 方法217 °D5.1.3環(huán)境應(yīng)力篩選a. 怛定加速度篩選恒定加速度篩選也町稱為離心加速度篩選，器件在高速旋轉(zhuǎn)時將承受離心力作用，離心 力人到一定程度將対引線鍵合、芯片粘接有缺陷的器件起篩選作用。恒定加速度作為篩選項 忖，僅嬰求作Y1方向(芯片脫離方向)的試驗。但在作恒定加速度試驗時必須注意采用介適的 夾具，否則很可能造成被試器件結(jié)構(gòu)的損壞。恒定加速度篩選時應(yīng)根據(jù)器件的車屆或額定功率加相應(yīng)的離心加速度。半導(dǎo)體分立器件、 集成電路的恒定加速度試驗方法和介格判據(jù)分別見GJEI28A方法2006和

42、GIB548A方法2001A。b. 溫度循環(huán)篩選被試的器件不加電應(yīng)力，濫度按一農(nóng)規(guī)律，山低溫突變?yōu)楦邷兀S頂又曲高溫突變?yōu)榈?溫。這種篩選通常稱為溫度循環(huán)或溫度交變。這項試臉對材料溫度系數(shù)不匹配形成的缺陷或 芯片有裂紋的器件有篩選作用。所加應(yīng)力根據(jù)器件的材料和制造工藝而定。半導(dǎo)體分立器件和集成電路溫度循壞的試驗方法和合格判據(jù)分別見GJBI28A方法1051和 GJB548A 方法 1010A。D5.1.4壽命篩選a. 高溫貯存篩選這是一種加速的貯存試驗，被篩選的器件不加電應(yīng)力，在高溫試驗箱中存放一定時間。這項試驗由J：簡單易行，所以被廣泛應(yīng)用J：半導(dǎo)體器件的篩選。據(jù)說對芯片表面沾污的器件 仃篩

43、選作用。但實踐表明篩選的效果并不顯著，所以在ML-STD- 883D方法5004. 9篩選程序中 對成品的器件已不耍求作高溫貯存（穩(wěn)定性烘焙）篩選，但對鋼金多層導(dǎo)體時器件在I檢前耍 進(jìn)行24h的穩(wěn)定性烘焙。半導(dǎo)體分立器件和集成電路高溫貯存的試臉方法和介格判據(jù)分別見QBI28A方法1032和 GJB548A 方法 1008A。b. 功率老練篩選被篩選的器件一般加額定功率，溫度基本恒定。一般分工器件在常溫卜老練：集成電路 的25±2*C H老練，在高溫卜加功率的老練通常稱為高淋電老練。這項試驗是只令加速性的 篩選，它能提前暴鋸器件潛在缺陷，從而把早期失效的器件剔除。篩選達(dá)到規(guī)定的時間厲，應(yīng)在規(guī)定時間內(nèi)進(jìn)行電性能測試，以判斷被試尤器件是否失效。 功率老練是元器件最冇效的篩選項H，對不同的尤器件冇不同的試驗方法，所加應(yīng)力包 括：電應(yīng)力（電壓、電流、功率等）、環(huán)境應(yīng)力（溫度籌）。不同尤器件的老練方法見表D5-1o表D5-1元