


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1、太陽(yáng)能文獻(xiàn)積累1多晶硅太陽(yáng)電池由雜質(zhì)分凝理論可知,晶體中的雜質(zhì)含量與固液界面的液相中雜質(zhì)濃度成正比,而固液界面處 的液相雜質(zhì)濃度又和晶體生長(zhǎng)速度呈指數(shù)關(guān)系,即 c5 = K0Cl(0), CL(0) = C,. + (CL-C5)exp( J) o 其中Cs為固體中的雜質(zhì)濃度,5(0)為固液界面處液 相中的雜質(zhì)濃度,V為晶體生長(zhǎng)速度。因而, 盡管徑向溫度梯度很小,也還要適當(dāng)?shù)乜刂凭?體的生長(zhǎng)速率,使富集在固液界面附近被相中 的高濃度雜質(zhì)Si3N4, SiC等能及時(shí)地向液相中擴(kuò)散,使其絕大部分能分凝到晶錠的頂部, 以降低晶體內(nèi)的雜質(zhì)濃度,同時(shí)也減少了位錯(cuò) 對(duì)這些雜質(zhì)的吸附。2.硅工藝總結(jié)硅片與半
2、導(dǎo)體用器皿的清洗:有機(jī)物(油、蠟、指紋等):有機(jī)溶劑處理, 活性劑處理(H2O2),刷洗,酸處理,堿處理氧化物:HF處理 離子性雜質(zhì):酸處理 不溶性雜質(zhì):超聲波洗、刷洗 水洗、干燥 硅片的清洗: 在 70 到 90°C, NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5 到 1:2:7清洗,除去有機(jī)污染物和氧化物粒子 在 70 到 90°C, HC1:H2O2:H2O=1:1:6 到 1:2:8 清洗,通過形成可溶絡(luò)合物除去金屬雜質(zhì)除去活性氧化物:活性氧化物會(huì)作為金屬雜質(zhì)的源擴(kuò)散進(jìn)硅片,或是在SiO2.Si界面沉淀,導(dǎo)致缺陷的產(chǎn)生?;钚匝趸锶コ谋砻媸谦@得 高性能的關(guān)鍵(在HF浸
3、入后,H鈍化表面)。濕法清洗技術(shù): H2SO4:H2O (2:1 到 4: 1, 125°C左右):去除殘留的油性污染在 70 到 80°C, NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5 清洗lOmin,除去有機(jī)污染物,解吸附金屬雜質(zhì)1%的HFH201020秒,去除氧化物及金屬氧化物在 70 到 80°C, HC1:H2O2:H2O=1:1:6 清洗 10mm,溶解堿性離子和AI,Fe,Mg的氫氧化 物,通過形成可溶絡(luò)合物除去金屬雜質(zhì)去離子水清洗,電阻率大于17M Q - cm 存在的問題:小微粒的產(chǎn)生,烘干較困難,昂貴, 化學(xué)廢物 通常去離子水可以分為4類:A類:
4、去離子水只要求將水中離子去除一大部分,使水得以凈化,種類去離子水電導(dǎo)率通常在 200-1Ojis;B類:去離子水電導(dǎo)率通常在1-lOgs,屬于食品 級(jí)別;c類:去離子水電導(dǎo)率通常在0.1-0.9JIS,屬于精 細(xì)工業(yè)級(jí)別;D類法離子水電導(dǎo)率通常在0.07|is以上,屬于電子級(jí)別。干洗技術(shù):在低溫下需要激活能去加強(qiáng)氣相化學(xué)反應(yīng),如等離子體,粒子束,放射線,熱處臭氧清洗:有效除去碳?xì)浠衔顰r/H2等離子清洗(3)熱處理:活性氧能在800C被去除高溫(>800°C)低氧分壓下,Si+SiO2 = 2SiO,SiO在750°C以上是不穩(wěn)定的,-2Si + O2 =2SiO,
5、硅片被腐蝕低溫高氧分壓下,氧化物薄層的光滑表面;高溫低氧分壓下清洗硅片3局部旁路漏電對(duì)電池結(jié)特性的影響電池效率隨漏電部位靠近主線而減小,隨旁路電 流增大而減小。材料制作過程中的局部漏電主要來源于沉積在 PN結(jié)結(jié)區(qū)的雜質(zhì);器件過程中的局部漏電主 要是正面腐蝕過度以致部分正面電極與基區(qū) 相連,合金化時(shí)金屬原子擴(kuò)散至結(jié)區(qū)及電池邊 緣沾附可雜質(zhì)等。4SiNx燒穿工藝下硅太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)研究利用淺結(jié)可以顯著的降低太陽(yáng)電池表面的少數(shù)載流子復(fù)合速度,提高太陽(yáng)電池表面層光生載流子的收集效率,提高短波段的光譜響應(yīng)。硅體內(nèi)的光生載流子的產(chǎn)生率G隨深度的增加呈指數(shù)形式衰減。對(duì)于波長(zhǎng)為的單色光:G(x,2) = G()(
6、2)exp-a(Z)A , a(刃為波長(zhǎng)光的吸收系數(shù),G。為表面的吸收系數(shù),X為硅體內(nèi)某點(diǎn)到表面的垂直距離;可看出G的最大值出現(xiàn)在硅片表面。光生載流子的濃度為:n = | G(x. X)dxdA1=但電池上表面光生載流子的收集率比較 低,少子壽命也很短。這是因?yàn)樵谄胀ǖ奶?yáng) 電池中,表面產(chǎn)生的光生載流子在到達(dá)耗盡 區(qū)之前有很大的可能性遇到復(fù)合中心而復(fù)合, 所以在電池的設(shè)計(jì)中p-n結(jié)的位置應(yīng)盡量淺。 這可以盡量提高表層光生載流子的收集率,進(jìn)而提高太陽(yáng)電池的短路電流。5.杜邦漿料培訓(xùn)電子漿料的定義:一金屬、玻璃或/和陶瓷粉末的 混合物,分散于有機(jī)載體(聚合物溶解在一定溶劑中形成的溶液)中,應(yīng)用于不
7、導(dǎo)電或者半導(dǎo)電的基片上,形成導(dǎo)電的、阻抗的或絕緣緣的膜層。原材料化學(xué)過程中間體物理過程電子漿料溶劑金屬粉 樹脂金屬氧化物 改性劑玻璃粉無機(jī)混合物 有機(jī)載體導(dǎo)體電阻介質(zhì)漿料、印刷設(shè)備和絲網(wǎng)共同決定了印刷效果的好 壞。漿料的基本特性參數(shù) 粘度:又稱內(nèi)摩擦,是一層液體對(duì)另一層液體作相對(duì)移動(dòng)時(shí)所產(chǎn)生的阻力,表征漿料流動(dòng)的難 易程度。剪切粘度定義:ID=dv/ds;剪切應(yīng)力。= f/a; 粘度n = o/yGraph 1, Flow of liquid觸變性:指體系在開始流動(dòng)時(shí)往往需要較大的外 力,其原因是必須破壞體系中原靜止?fàn)顟B(tài)的結(jié)合力,但流動(dòng)一旦開始,外力就不需要像 啟動(dòng)時(shí)那么大,而可以降低到一個(gè)較
8、小的值。 對(duì)于高分子體系來說,這種啟動(dòng)力的增加消耗在分子鏈由卷曲逐漸展開的過程中叫觸變性。對(duì)于漿料表現(xiàn)為漿料在靜止一定時(shí)間后變稠,粘度增大,攪動(dòng)后又變稀,粘度也變小的一種現(xiàn)象。因此,在印刷之前,要充分?jǐn)嚢铦{料,使 之恢復(fù)常態(tài),然后才能進(jìn)行印刷。可塑性:指漿料受到外力作用變形之后,能完全或者部分保持其變形的性質(zhì)。固體含量:通常情況下,固體含量升高,漿料的粘度和可塑性都會(huì)升高。干燥特性:絲網(wǎng)印刷既要求漿料在網(wǎng)板上能夠較 長(zhǎng)時(shí)間保持不干燥結(jié)膜,又要求在印刷后,在基板上干燥越快越好。絲網(wǎng)目數(shù):每英寸上的網(wǎng)孔數(shù),說明絲網(wǎng)的絲與 絲之間的疏密程度。目數(shù)越高,絲網(wǎng)越密,網(wǎng) 孔越小,漿料的通過性就越低。開孔率
9、:也稱漿料的通過性,即單位面積的絲網(wǎng) 內(nèi),網(wǎng)孔面積所占的百分率。OPEN %= (1-b/a)2 * 100 % a:線間距 b: 線徑ttbk-絲網(wǎng)材料: 尼龍絲網(wǎng)油墨透過性好;可使用粘度大及顆粒大的油墨;有適當(dāng)?shù)娜彳浶?,?duì)承印物的適應(yīng)性好;拉伸強(qiáng)度及耐摩擦性好,使用壽命長(zhǎng);耐酸堿和化學(xué)溶劑。金屬絲網(wǎng)-圖形尺寸穩(wěn)定,實(shí)用于印刷高精度線 路;耐堿性及抗拉強(qiáng)度很好,耐熱性強(qiáng)。聚酯絲網(wǎng)彈性強(qiáng),耐酸性很好;吸濕性低,耐熱性較尼龍強(qiáng),尺寸穩(wěn)定性好。濕膜流平,體積不變:(a-b)2*(2b+c)=a2*Tc:乳膠厚度T:濕膜厚度T=(2b+c)*(a-b)2/a2 =(2b+c)*OPEN%/100印刷
10、設(shè)置:普遍情況:45。;控制漿料傳導(dǎo)機(jī)制;較小的接T77觸角度提供較大的印刷厚度。絲網(wǎng)與基片間的間距:該間距等于絲網(wǎng)較小尺 寸的200分之1。例如:8 inch x 10 inch 網(wǎng),間距=(1/200) x 8inch=0.04 inch=l mm刮刀印度:刮刀印度較小的膜較厚,刮刀速度: 較高的印刷速度可能導(dǎo)致印刷缺陷,例如空洞或者條紋。印刷速度會(huì)影響印刷厚度,較高的速度可以獲 得較大的厚度。缺陷可能原因注釋過薄絲網(wǎng)目數(shù)不正確:乳膠厚度太小: 刮刀壓力過大。400325 mush過厚絲網(wǎng)冃數(shù)不正確;乳膠厚度太大; 刮刀壓力過小。325400 mush厚度不均線網(wǎng)、刮刀、基板不平行:線網(wǎng)張力過小: 絲網(wǎng)和基板間距過?。蝗槟z厚度過薄針孔刮刀速度過快;絲網(wǎng)張力不足; 漿料干燥速度快,堵塞網(wǎng)孔; 絲網(wǎng)清潔不夠.殘貂干燥物堵塞網(wǎng)孔U通常由絲網(wǎng)/基板剝離不良 ,或者網(wǎng)孔堵寒造成。邊緣圓齒絲網(wǎng)制作不良選擇高分辨率的乳
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