光伏畢業(yè)論文doc

1、 學(xué)生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）題目硅太陽(yáng)電池?cái)U(kuò)散工藝研究 學(xué) 院 江西渝州科技職業(yè)學(xué)院 專(zhuān)業(yè) 光伏材料加工與應(yīng)用技術(shù) 班 級(jí)08光伏（1）班 姓名邢 濤 學(xué)號(hào)2085110123 指導(dǎo)教師賴國(guó)勝 曹志偉 完成日期 2010年10月20日 目錄摘 要 11引言21.1 21.2 2 1.3.22 原理及方法32.1擴(kuò)散均勻性影響因素 32.2工藝氣體流量對(duì)爐內(nèi)溫度的影響 42.3廢氣排放位置對(duì)爐口均勻性的影響 52.4排風(fēng)量大小對(duì)爐口均勻性的影響 62.5硅太陽(yáng)電池所用的源擴(kuò)散方法 63 比較研究73.1 73.2 73.3 8 3.4 83.5 84 結(jié)論95 致謝106 參考文獻(xiàn) 11硅太陽(yáng)電池?cái)U(kuò)散

2、工藝研究摘要：對(duì)已經(jīng)取得較普遍應(yīng)用的硅太陽(yáng)電池來(lái)說(shuō)，開(kāi)發(fā)新技術(shù)和優(yōu)化制造工藝以降低電池的制造成本是目前是該領(lǐng)域最總要的努力方向之一。本文所研究的主要問(wèn)題是降低成本硅太陽(yáng)電池在工業(yè)化生產(chǎn)中擴(kuò)散制作P-N結(jié)工藝。通過(guò)不同擴(kuò)散工藝條件與電池的相關(guān)性能參數(shù)的關(guān)系，得出適于高轉(zhuǎn)換率大規(guī)制作的最佳擴(kuò)散工藝條件。在擴(kuò)散這方面理論知識(shí)雖然比較成熟。但對(duì)工業(yè)化生產(chǎn)涉及的具體的工藝系統(tǒng)研究在國(guó)內(nèi)還沒(méi)相關(guān)報(bào)道。為了能夠便于了解擴(kuò)散制作P-N結(jié)理論及其工藝，本文對(duì)生產(chǎn)硅太陽(yáng)電池的基本工作原理及其主要工作流程進(jìn)行了描述。在理論方面，本文對(duì)擴(kuò)散制作P-N結(jié)、電極制作及應(yīng)用在硅太陽(yáng)電池P-N結(jié)燒結(jié)所關(guān)聯(lián)的因素進(jìn)行了分析。然

3、后，論文從工藝流程對(duì)擴(kuò)散方塊電阻的阻值控制要求出發(fā)，結(jié)合正表面電極設(shè)計(jì)角度，利用擴(kuò)散薄膜電阻對(duì)柵線間隔設(shè)計(jì)要求，分析了相關(guān)功率耗損。太陽(yáng)電池產(chǎn)業(yè)所面臨的最主要的問(wèn)題之一是在如何保證電池高轉(zhuǎn)換率前提下提高產(chǎn)量。對(duì)于擴(kuò)散工序而言，確保高效率電池高產(chǎn)能面臨的問(wèn)題在于如何保障擴(kuò)散的均勻性，優(yōu)化擴(kuò)散的均勻性主要采取溫區(qū)補(bǔ)償技術(shù)。論文針對(duì)影響擴(kuò)散的均勻性的因素多而關(guān)聯(lián)復(fù)雜等特點(diǎn)。重點(diǎn)難于控制氣氛=廠因素進(jìn)行系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)研究，在氣體流量、均流設(shè)計(jì)、爐內(nèi)壓強(qiáng)等方面提出了較好的優(yōu)化實(shí)驗(yàn)方法，通過(guò)實(shí)驗(yàn)方法應(yīng)用與工業(yè)生產(chǎn)，擴(kuò)散均勻性得到了較好的控制；并首次提出建立擴(kuò)散氣氛廠工程模型來(lái)分析擴(kuò)散均勻性問(wèn)題，同時(shí)論文給出了擴(kuò)

4、散氣氛廠工程模型的思路分析。該模型研究方法可改善電池性能并而可以對(duì)產(chǎn)業(yè)化起了主導(dǎo)作用。從擴(kuò)散均勻性對(duì)太陽(yáng)電池性能的影響角度，論文通過(guò)實(shí)驗(yàn)分析了電池表面不同擴(kuò)散濃度分析對(duì)電池少子壽命、開(kāi)路電壓，、短路電流及燒結(jié)的影響；同時(shí)，論文還分析了太陽(yáng)電池表面余誤差函數(shù)分布下不同擴(kuò)散濃度對(duì)燒結(jié)工藝要求及填充因子的影響及對(duì)電池少子壽命及開(kāi)路電壓的影響。通過(guò)生產(chǎn)線實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，獲得了一致的分析成果。經(jīng)過(guò)進(jìn)一步的工藝優(yōu)化與分析，擴(kuò)散工藝具有低成本生產(chǎn)高效硅太陽(yáng)電池的廣闊前景。關(guān)鍵詞：硅太陽(yáng)電池，擴(kuò)散，均勻性。轉(zhuǎn)換效率，產(chǎn)量1引言 1.1 晶體硅太陽(yáng)電池能夠取得高效轉(zhuǎn)換效率的原因主要是基于表面鈍化、濕氧氧化等技術(shù)的應(yīng)用

5、。新技術(shù)的開(kāi)發(fā)與運(yùn)用同時(shí)也極大地促進(jìn)了太陽(yáng)電池的商業(yè)化發(fā)展。在過(guò)去的10年，全球太陽(yáng)電池的生產(chǎn)以年平均30的速度快速增長(zhǎng)，單晶硅和多晶硅太陽(yáng)電池的增長(zhǎng)所占比重最大，超過(guò)整個(gè)太陽(yáng)電池增長(zhǎng)的80。1.2 除產(chǎn)業(yè)化運(yùn)用新技術(shù)外，太陽(yáng)電池制作中工藝優(yōu)化也非常重要的。太陽(yáng)電池產(chǎn)業(yè)化所面臨的主要問(wèn)題之一是如何在保證電池高轉(zhuǎn)換效率前提下提高產(chǎn)能。擴(kuò)散制作P N結(jié)是晶體硅太陽(yáng)電池的核心，也是電池質(zhì)量好壞的關(guān)鍵之一。對(duì)于擴(kuò)散工序，最大問(wèn)題在于如何保障擴(kuò)散的均勻性。擴(kuò)散均勻性好的電池。其后續(xù)工藝參數(shù)可控性高?？梢暂^好地保證電池電性能和參數(shù)的穩(wěn)定性。擴(kuò)散均勻性在高效率低成本電池產(chǎn)業(yè)推廣方面主要有兩個(gè)方向：一個(gè)是太陽(yáng)

6、電池P-N結(jié)新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的應(yīng)用，比如N型電池、SE(selective emitter)電池等；另一個(gè)是由于其他工序或材料新技術(shù)的應(yīng)用需要尋求相應(yīng)的擴(kuò)散工藝路線，比如冶金硅用于太陽(yáng)電池、Sunpower公司的Low- cost rear-contact solar cells和夏普公司的back-contact solarcells等。這些都是擴(kuò)散對(duì)均勻性要求新的研究方向。晶體硅產(chǎn)業(yè)化擴(kuò)散制作P-N結(jié)所采用的擴(kuò)散爐主要為管式電阻加熱方式(普遍選用 Kanthal加熱爐絲)，裝載系統(tǒng)主要有懸臂式(loadingunloading)和軟著陸(soft contact load-ing，簡(jiǎn)稱SCL)兩

7、種，國(guó)內(nèi)擴(kuò)散爐以懸臂式為主，國(guó)外以SCL為主。相對(duì)于配置懸臂裝載機(jī)構(gòu)的擴(kuò)散爐，SCL式擴(kuò)散爐因其爐口密封性更易保障，并不采用石英保溫檔圈來(lái)保證爐門(mén)低溫狀態(tài)。工藝反應(yīng)過(guò)程中SiC槳退出反應(yīng)石英管外，這些設(shè)計(jì)上的優(yōu)點(diǎn)減少擴(kuò)散均勻性的影響因素，在工藝生產(chǎn)中能更好地保證擴(kuò)散的均勻性；同時(shí)也極大地降低工藝粘污風(fēng)險(xiǎn)，為高效太陽(yáng)電池產(chǎn)業(yè)應(yīng)用提供硬件保障。這也是SCL式擴(kuò)散爐逐步取代懸臂裝載式擴(kuò)散爐的原因所在。早期的工藝路線主要包括開(kāi)管擴(kuò)散與閉管擴(kuò)散，鑒于對(duì)擴(kuò)散均勻性要求的不斷提高和對(duì)高轉(zhuǎn)換效率電池大規(guī)模生產(chǎn)成本降低的要求，現(xiàn)基本采用閉管工藝路線。對(duì)懸臂管式擴(kuò)散爐中影響擴(kuò)散均勻性的氣氛?qǐng)鲆蛩剡M(jìn)行相關(guān)的研究，以

8、達(dá)到優(yōu)化工藝參數(shù)、降低生產(chǎn)成本的目的。1.3 擴(kuò)散是以種由熱運(yùn)動(dòng)所引起的雜質(zhì)原子和基本原子的輸運(yùn)過(guò)程，由于熱運(yùn)動(dòng)把原子從一個(gè)位置輸運(yùn)到另一個(gè)位置，使基本原子與雜質(zhì)原子不斷的相互混合。2 原理及方法2.1擴(kuò)散均勻性影響因素2.1.1針對(duì)管式擴(kuò)散爐的特點(diǎn)，優(yōu)化擴(kuò)散的均勻性主要采取溫區(qū)補(bǔ)償技術(shù)。在大規(guī)模生產(chǎn)中，補(bǔ)償方法主要通過(guò)調(diào)整工藝反應(yīng)時(shí)間、氣體流量和反應(yīng)溫度三者實(shí)現(xiàn)。配備懸臂裝載機(jī)構(gòu)擴(kuò)散爐本身的特點(diǎn)及恒溫區(qū)位置的固定，確保了SiC槳、石英保溫檔圈、均流板和石英舟是固定位置使用。影響擴(kuò)散均勻性因素除相關(guān)物件固定放置位置外，工藝氣體總流量、廢氣排放流量與爐內(nèi)壓強(qiáng)的平衡設(shè)置，均流板的氣體均勻分流設(shè)計(jì)，

9、廢氣排放位置與氣流變化對(duì)溫度穩(wěn)定抗干擾的平衡設(shè)置等因素也至關(guān)重要，因這些因素相互關(guān)聯(lián)影響，使得生產(chǎn)中的工藝優(yōu)化相對(duì)困難，尤其是氣氛?qǐng)鲆蛩馗y控制，這也是該研究領(lǐng)域至今未建立擴(kuò)散均勻性氣氛?qǐng)龉こ棠Ｐ偷碾y點(diǎn)。根據(jù)氣氛?qǐng)鲆蛩氐奶攸c(diǎn)，作出擴(kuò)散氣氛?qǐng)鼋Y(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。圖1中，箭頭方向?yàn)闅怏w示意流向；廢氣排放管和Profile TC套管處于同一水平面上，工藝廢氣經(jīng)廢氣排放管排到液封吸收瓶(工業(yè)生產(chǎn)常用酸霧處理塔)處理，處理合格后排氣。2.1.2 工業(yè)化生產(chǎn)中擴(kuò)散爐的均勻性主要通過(guò)測(cè)試擴(kuò)散后硅片的方塊電阻來(lái)反映。工藝反應(yīng)時(shí)間、氣體流量和工藝反應(yīng)溫度的變化非常直觀地體現(xiàn)在方塊電阻值的變化上，即增加工藝反應(yīng)

10、時(shí)間和工藝反應(yīng)溫度將導(dǎo)致方塊電阻值的降低，磷源流量的減小反映在方塊電阻值的升高；反之亦然。2.2 工藝氣體流量對(duì)爐內(nèi)溫度的影響2.2.1在工藝溫度穩(wěn)定條件下，關(guān)閉小N2(磷源bubbler bottle)，通過(guò)手動(dòng)調(diào)節(jié)大N2流量，試驗(yàn)記錄擴(kuò)散爐石英反應(yīng)管內(nèi)爐口、爐中、爐尾3段Profile TC(tlaermal couple)溫度隨爐內(nèi)氣體流量(壓強(qiáng))的變化情況，以研究爐內(nèi)氣氛?qǐng)鰵怏w流量(壓強(qiáng))變化對(duì)與擴(kuò)散均勻性密切關(guān)聯(lián)的溫度影響程度和趨勢(shì)。試驗(yàn)過(guò)程包括：（1） 檢查爐門(mén)及各氣路連接處的密封性；（2） 設(shè)備溫度PID參數(shù)自整定；（3） 手動(dòng)調(diào)節(jié)大N2流量，從25 Lmin，增加到27 L/m

11、in，記錄流量調(diào)節(jié)前后穩(wěn)定溫度值和流量變化導(dǎo)致的溫度動(dòng)態(tài)偏差值，見(jiàn)表1； （4） 手動(dòng)調(diào)節(jié)大N2流量，從25Lmin，減少到23 L/min，記錄流量調(diào)節(jié)前后穩(wěn)定溫度值和流量變化導(dǎo)致的溫度動(dòng)態(tài)偏差值，見(jiàn)表2，表中Zone1為爐尾，Zone2是爐中尾，Zone3為爐中，Zone4是爐中口，Zone5為爐口。2.2.2 從表1和表2的數(shù)據(jù)可看出，氣流量由25 Lmin向27 Lmin變化，爐尾溫度降低1，爐口溫度無(wú)變化，氣流量由25 Lmin減少到23 Lmin，爐尾溫度升高1，爐口溫度降低1。2.3 廢氣排放位置對(duì)爐口均勻性的影響2.3.1擴(kuò)散爐恒溫區(qū)的有限性與生產(chǎn)產(chǎn)量的最大化是矛盾關(guān)聯(lián)的。在生

12、產(chǎn)中，需要在恒溫區(qū)最大限度地放置擴(kuò)散硅片，保證恒溫區(qū)溫度的精度和穩(wěn)定性。因配置懸臂式裝載系統(tǒng)的擴(kuò)散爐爐口對(duì)溫度的干擾最大，可將廢氣管口盡可能地靠近爐門(mén)，同時(shí)也能改善靠近爐口方向硅片反應(yīng)區(qū)域氣氛?qǐng)龅木鶆蛐?。因此，分別調(diào)整廢氣排放位置并進(jìn)行試驗(yàn)對(duì)比。 2.3.2從表4可看出，廢氣排放口離恒溫區(qū)越遠(yuǎn)，即離爐口越近，爐口的方阻片內(nèi)片間均勻性改善越好，但廢氣排放的同時(shí)也有大量熱能的排放，在排放口區(qū)域的熱能較多，因考慮到爐門(mén)的低溫(一般為小于200)要求，在一定程度上又限制了排放口到爐門(mén)的距離不能太近。所以，生產(chǎn)中廢氣排放口的較佳位置是在一個(gè)兩向平衡距離范圍內(nèi)。2.4 排風(fēng)量大小對(duì)爐口均勻性的影響2.4.

13、1當(dāng)進(jìn)入擴(kuò)散爐石英管內(nèi)的工藝氣體總流量一定時(shí)，排風(fēng)量大小的設(shè)定直接影響擴(kuò)散爐內(nèi)的氣氛?qǐng)鰤簭?qiáng)變化，而氣氛?qǐng)鰤簭?qiáng)又與爐內(nèi)工藝氣體的濃度相關(guān)聯(lián)從而影響擴(kuò)散的均勻性，尤其是爐口的均勻性。2.4.2 通過(guò)表5分析爐口片內(nèi)極差大的具體原因，得到極差大主要是由硅片下半部分方塊電阻大造成的，而這下半部分又與排氣口最近，故采取調(diào)小排氣閥開(kāi)度，增加爐內(nèi)壓強(qiáng)，間接地增加工藝氣體反應(yīng)時(shí)間，從而改善爐口片內(nèi)均勻性和片間均勻性。對(duì)于穩(wěn)定生產(chǎn)而言，爐內(nèi)壓強(qiáng)的最佳值是在一定范圍內(nèi)的，這就要求工藝反應(yīng)氣體流量與廢氣排放量需保持一個(gè)整體平衡。2.5 硅太陽(yáng)電池所用的源擴(kuò)散方法2.5.1 涂布源擴(kuò)散涂布源擴(kuò)散有可分為簡(jiǎn)單涂布源擴(kuò)散

14、和二氧化硅乳膠源擴(kuò)散兩種。（1） 簡(jiǎn)單涂布源擴(kuò)散：是用1-2滴五氧化二磷或二氧化硼在水（或乙醇）中制成稀溶液，預(yù)先滴涂于P型或N型硅表面做雜質(zhì)源，與硅產(chǎn)生反應(yīng)，生成磷或硅玻璃。沉淀在硅表面的雜質(zhì)元素在擴(kuò)散溫度下向硅內(nèi)部擴(kuò)散，從而形成P-N結(jié)或N-P結(jié)。（2） 二氧化硅乳膠是一種有機(jī)硅氧烷的水解聚合物，它能溶解于乙醇等有機(jī)溶劑中成為有一定粘度的溶液，在100-400烘烤后，可形成無(wú)定形的二氧化硅。二氧化硅乳通過(guò)在硅酸乙酯中加入乙醇，經(jīng)過(guò)水解的方法獲得，也可以通過(guò)將四氯化硅通入醋酸后加入乙醇制得。在乳膠中適量溶解五氧化二磷或三氧化二硼等雜質(zhì)，并經(jīng)乙醇稀釋?zhuān)涂梢缘玫剿璧亩趸兹槟z源。2.5.2

15、 液態(tài)源擴(kuò)散液態(tài)源擴(kuò)散有三氯氧磷液態(tài)擴(kuò)散和硼液態(tài)源擴(kuò)散等方式，它是通過(guò)氣體攜帶的方法將雜質(zhì)帶入擴(kuò)散爐內(nèi)實(shí)現(xiàn)擴(kuò)散的。其生產(chǎn)過(guò)程如下：（1） 將擴(kuò)散爐預(yù)先升溫至擴(kuò)散溫度（800-950），通入大量的氮?dú)猓?00-30000ml/min）_，驅(qū)除管道內(nèi)的氣體。如果新處理的石英管還要接著通入含有三氯氧磷的氮?dú)猓?00-5000ml/min）和氧氣（500-5000mi/min），使石英管壁吸收致飽和狀態(tài)。（2） 取出經(jīng)過(guò)表面準(zhǔn)備的硅片，裝入石英管舟，推入恒溫區(qū)，在大流量的氮?dú)猓?00-30000ml/min）保護(hù)下預(yù)熱若干分鐘。（3） 通入含有三氯氧磷的氮?dú)獾牧髁繛?00-3000ml/min，氧氣流

16、量為500-3000mil/min通源時(shí)間為15-60分鐘。（4） 是源（既停止通含有哦的三氯氧磷的氮?dú)夂脱鯕猓缓笸ù罅髁柯葰馊舾煞昼姡则?qū)走殘余在管道內(nèi)的源蒸氣。（5） 把石英舟拉至擴(kuò)散爐口，將溫如干分鐘后，即可取出擴(kuò)散好的硅片。2.5.3 固態(tài)氮化硼源擴(kuò)散 固態(tài)氮化硼源通常采用片狀氮化硼作源 ，在氮?dú)獗Ｗo(hù)下進(jìn)行擴(kuò)散。片狀氮化硼的制作方法有兩種：可用高純氮化硼棒切割成和硅片一樣大小的薄片，也可以用粉狀氮化硼沖壓成片。擴(kuò)散前，氮化硼片預(yù)先在擴(kuò)散溫度下通氧氣30分鐘，使氮化硼表面的三氧化二硼和硅發(fā)生反應(yīng)，形成硼硅玻璃沉積在硅表面，硼向硅內(nèi)部擴(kuò)散，擴(kuò)散爐內(nèi)的氮?dú)饬髁枯^低時(shí)，可以使擴(kuò)散更加均勻3

17、比較研究 常用擴(kuò)散方法的比較擴(kuò)散方法特點(diǎn)簡(jiǎn)單涂布源擴(kuò)散 設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便；工藝要求較低，技術(shù)成熟；擴(kuò)散硅表面狀態(tài)欠佳，P-N結(jié)面不平整；對(duì)于大面積硅片薄膜層電阻值相差較大。二氧化硅乳膠源涂布擴(kuò)散設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便；擴(kuò)散硅表面狀態(tài)良好；P-N結(jié)面平整，重復(fù)性較好；改進(jìn)涂布設(shè)備可適用于自動(dòng)化流水線生產(chǎn)液態(tài)源擴(kuò)散 設(shè)備和操作比較復(fù)雜；擴(kuò)散硅表面狀態(tài)良好；P-N結(jié)面平整，重復(fù)性較好；工藝成熟固態(tài)氮化硼源擴(kuò)散設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便；擴(kuò)散硅表面狀態(tài)良好；P-N結(jié)面平整，重復(fù)性較液態(tài)源擴(kuò)散好；適合大批量生產(chǎn)3.1 在不影響P-N結(jié)的特性的前提下，擴(kuò)散溫度選擇高一些可以縮短擴(kuò)散時(shí)間，有利于生產(chǎn)3.2 對(duì)于擴(kuò)散的

18、情況，溫度選擇主要適當(dāng)，既不能使溫度過(guò)高，是2擴(kuò)散時(shí)間過(guò)短，以致難于控制工藝；又不使溫度過(guò)低，而使擴(kuò)散時(shí)間延長(zhǎng)到不適當(dāng)?shù)夭健?.3 在恒定的表面濃度擴(kuò)散時(shí)間增加t擴(kuò)散進(jìn)入硅中的雜質(zhì)總量Q相應(yīng)的增加，結(jié)深增加了x（一定的深度）.在恒量表面雜質(zhì)源擴(kuò)散時(shí)，擴(kuò)散進(jìn)入硅中的雜質(zhì)總量Q不變，擴(kuò)散時(shí)間增加表面濃度N下降，結(jié)深增加。3.4 在生產(chǎn)上，與時(shí)間的控制比較，溫度的控制更難控制一些。計(jì)算指出，在1180擴(kuò)散時(shí)，若時(shí)間誤差±10，結(jié)深誤差±5；而溫度誤差±1結(jié)深誤差也是±5。時(shí)間控制1分鐘誤差也是容易事，但溫度精確到±1是件很困難的事。3.5 使用三氯氧

19、化磷擴(kuò)散模式裝置更有利于經(jīng)濟(jì)生產(chǎn)，它的優(yōu)點(diǎn)有：（1） 封閉的，管式爐的工藝過(guò)程容易保持潔凈。（2） 雙面擴(kuò)散有很好的吸雜效應(yīng)。（3） 摻雜源中的氯在工藝過(guò)程中有清潔作用。（4） 摻雜的沉積非常均勻。4 結(jié)論晶體硅太陽(yáng)電池的主要工藝制作過(guò)程包括制絨、擴(kuò)散、刻蝕、鍍膜、印刷、燒結(jié)等，每道工序的相關(guān)控制參數(shù)都直接或間接地與電池電性能參數(shù)相關(guān)聯(lián)。對(duì)于擴(kuò)散工序而言，擴(kuò)散的均勻性直接體現(xiàn)在硅片形成的P-N結(jié)結(jié)深差異性上，均勻性好反映出結(jié)深差異性小，反之亦然。而不同的P-N結(jié)結(jié)深其燒結(jié)條件不一樣。從另一方面，同樣的燒結(jié)條件生產(chǎn)應(yīng)用于擴(kuò)散均勻性好的在制電池片，其歐姆接觸性能、填充因子等電性能參數(shù)一致性好，最終

20、體現(xiàn)在太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率一致性的可控性。用實(shí)驗(yàn)方法分析影響晶體硅太陽(yáng)電池?cái)U(kuò)散均勻性的氣氛?qǐng)鲆蛩丶捌涔に囌{(diào)節(jié)優(yōu)化改善方法，在工藝調(diào)試過(guò)程中需要注意這些氣氛?qǐng)鲆蛩厥窍嗷リP(guān)聯(lián)影響的，一般先優(yōu)化改善均流板的均勻分流設(shè)計(jì)和廢氣排放位置因素，再綜合工藝氣體流量、排氣量等其他相關(guān)因素系統(tǒng)調(diào)整爐內(nèi)壓強(qiáng)平衡。通過(guò)擴(kuò)散均勻性的優(yōu)化調(diào)節(jié)?？梢院芎玫馗纳铺?yáng)電池的填充因子FF、并聯(lián)電阻Rsh、串聯(lián)電阻Rs和開(kāi)路電壓Ucc等電性能，從而降低電池的制造成本。擴(kuò)散的要求是獲得適合于太陽(yáng)電池P-N結(jié)所需的姐深和擴(kuò)散層方塊電阻。線結(jié)的表面濃度低，電池短波響應(yīng)好，但會(huì)引起串聯(lián)電阻增加，只有提高電極柵線的密度，才能有效的提高電池的填充因子，這樣就增加了工藝難度；如果表面濃度太大，會(huì)引起重?fù)诫s效應(yīng)，使得電池的開(kāi)路電壓、短路電流下降