(整理)DRAM,SRAM,SDRAM的關(guān)系與區(qū)別.

1、精品文檔存儲(chǔ)器類型分析本文為設(shè)計(jì)類容為存儲(chǔ)器類型分析，大部分資料來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，經(jīng)過(guò)個(gè)人整理 形成本文檔，希望對(duì)大家有所幫助。-flyownway存儲(chǔ)器介紹存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì) 算機(jī)中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn) 行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。有了存 儲(chǔ)器，計(jì)算機(jī)才有記憶功能，才能保證正常工作。按用途存儲(chǔ)器可分為 主存儲(chǔ)器（內(nèi)存）和輔助存儲(chǔ)器（外存），也有分為外 部存儲(chǔ)器和內(nèi)部存儲(chǔ)器的分類方法。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤等，能長(zhǎng)期保存信息。內(nèi)存指主板上的存儲(chǔ)部件，用來(lái)存放當(dāng)前正在執(zhí)行的

2、數(shù)據(jù)和程序，但僅用于暫時(shí)存放程序和數(shù)據(jù)，關(guān) 閉電源或斷電，數(shù)據(jù)會(huì)丟失。構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最 小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè) CMOS晶體管或磁性材料的存 儲(chǔ)元，它可存儲(chǔ)一個(gè)二進(jìn)制代碼。由若干個(gè)存儲(chǔ)元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元，然后再 由許多存儲(chǔ)單元組成一個(gè)存儲(chǔ)器。一個(gè)存儲(chǔ)器包含許多存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元可存放一個(gè)字節(jié)（按字節(jié)編址）。每個(gè)存儲(chǔ)單元的位置都有一個(gè)編號(hào)，即地 址，一般用十六進(jìn)制表示。一個(gè)存儲(chǔ)器中所有存儲(chǔ)單元可存放數(shù)據(jù)的總和稱為 它的存儲(chǔ)容量。假設(shè)一個(gè)存儲(chǔ)器的地址碼由 20位二進(jìn)制數(shù)（即5位十六進(jìn)制數(shù)） 組成，則可表示2的20次方，即

3、1M個(gè)存儲(chǔ)單元地址。每個(gè)存儲(chǔ)單元存放一個(gè) 字節(jié)，則該存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量為1MB。分類按存儲(chǔ)介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器：用半導(dǎo)體器件組成的存儲(chǔ)器 磁表面存儲(chǔ)器：用磁性材料做成的存儲(chǔ)器。精品文檔精品文檔按存儲(chǔ)方式分隨機(jī)存儲(chǔ)器：任何存儲(chǔ)單元的內(nèi)容都能被隨機(jī)存取， 且存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元 的物理位置無(wú)關(guān)。順序存儲(chǔ)器：只能按某種順序來(lái)存取，存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元的物理位置有關(guān)。按存儲(chǔ)器的讀寫功能分只讀存儲(chǔ)器(ROM):存儲(chǔ)的內(nèi)容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導(dǎo) 體存儲(chǔ)器。隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。按信息的可保存性分非永久記憶的存儲(chǔ)器：斷電后信息即消失的存儲(chǔ)器。永久記憶性存儲(chǔ)器：斷電

4、后仍能保存信息的存儲(chǔ)器。按存儲(chǔ)器用途分根據(jù)存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中所起的作用，可分為主存儲(chǔ)器、輔助存儲(chǔ)器、高 速緩沖存儲(chǔ)器、控制存儲(chǔ)器等。為了解決對(duì)存儲(chǔ)器要求容量大，速度快，成本低三者之間的矛盾，目前通常 采用多級(jí)存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)，即使用高速緩沖存儲(chǔ)器、主存儲(chǔ)器和外存儲(chǔ)器。名稱用途特點(diǎn)高速緩沖存儲(chǔ) 器Cache高速存取指令和數(shù)據(jù)存取速度快，但存儲(chǔ)容量小主存佃命內(nèi)存存放計(jì)算機(jī)運(yùn)行期間的大量程序和數(shù)據(jù)存取速度較快，存儲(chǔ)容量外存儲(chǔ)器外存存放系統(tǒng)程序和大型數(shù)據(jù)文件及數(shù)據(jù)庫(kù)存儲(chǔ)容量大，位成本低功能存儲(chǔ)器功能尋址方式掉電后說(shuō)明隨機(jī)存取 存儲(chǔ)器(RAM)讀、寫隨機(jī)尋址數(shù)據(jù)丟失只讀存儲(chǔ)器(ROM)讀隨機(jī)尋址數(shù)據(jù)小工

5、 失工作前寫入數(shù)據(jù)閃存(Flash讀、寫隨機(jī)尋址數(shù)據(jù)小工 失Memory )先進(jìn)先出 存儲(chǔ)器(FIF。讀、寫順序?qū)ぶ窋?shù)據(jù)丟失先進(jìn)后出 存儲(chǔ)器(FILO)讀、寫順序?qū)ぶ窋?shù)據(jù)丟失各類存儲(chǔ)器RAMRAM (random access memory ,隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需 隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器 在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。按照存儲(chǔ)信息的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Static RAM , SRAM)和動(dòng)態(tài)隨 機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM , DRAM)。SRAMSRAM (Static RAM

6、 ,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)，不需要刷新電路，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失， 而且，一般不是行列地址復(fù)用的。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi) 存，一般是用在處理器的緩存里面。像 S3c2440的ARM9處理器里面就有4K 的SRAM用來(lái)做CPU啟動(dòng)時(shí)用的。SRAM其實(shí)是一種非常重要的存儲(chǔ)器，它的用途廣泛。SRAM的速度非?？?，在快速讀取和刷新時(shí)能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性。SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。所以SRAM的電路結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜。制造相同容量的 SRAM比DRAM的成本高的多。正因?yàn)槿绱耍攀蛊浒l(fā)展受到了限制。因此目 前SRAM基本上只用于CPU內(nèi)部的一級(jí)緩存以及內(nèi)置的二級(jí)緩存。僅有少量的 網(wǎng)絡(luò)服務(wù)

7、器以及路由器上能夠使用 SRAM 。DRAMDynamic RAM ,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，每隔一段時(shí)間就要刷新一次數(shù)據(jù)， 才能保存數(shù)據(jù)。而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁(yè)模式。SDRAM是其中的一種。SDRAMSDRAM （Synchronous DRAM ,同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器），即數(shù)據(jù)的讀寫需 要時(shí)鐘來(lái)同步。其存儲(chǔ)單元不是按線性排列的，是分頁(yè)的。DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問(wèn)題，容量較 SRAM大。但是讀寫速度不 如 SRAM。一般的嵌入式產(chǎn)品里面的 內(nèi)存都是用的SDRAM。電腦的內(nèi)存也是用的這種 RAM,叫DDR SDRAM ,其集成度非常高，因?yàn)槭莿?dòng)態(tài)的，所以必須有刷新電 路，每隔一段

8、時(shí)間必須得刷新數(shù)據(jù)。ROMRead-Only Memory ,只讀存儲(chǔ)器的總稱。在微機(jī)的發(fā)展初期，BIOS都存放在ROM （Read Only Memory ,只讀存儲(chǔ) 器）中。ROM內(nèi)部的資料是在ROM的制造工序中，在工廠里用特殊的方法被 燒錄進(jìn)去的，其中的內(nèi)容只能讀不能改，一旦燒錄進(jìn)去，用戶只能驗(yàn)證寫入的 資料是否正確，不能再作任何修改。如果發(fā)現(xiàn)資料有任何錯(cuò)誤，則只有舍棄不 用，重新訂做一份。ROM是在生產(chǎn)線上生產(chǎn)的，由于成本高，一般只用在大 批量應(yīng)用的場(chǎng)合。PROM可編程只讀存儲(chǔ)器，只能寫一次，寫錯(cuò)了就得報(bào)廢，現(xiàn)在用得很少了，好像 那些成本比較低的OPT單片機(jī)里面用的就是這種存儲(chǔ)器吧。E

9、PROMEPROM （Erasable Programmable ROM ,可擦除可編程 ROM）芯片可重 復(fù)擦除和寫入，解決了 PROM芯片只能寫入一次的弊端。EPROM芯片有一個(gè)很明顯的特征，在其正面的陶瓷封裝上，開有一個(gè)玻璃 窗口，透過(guò)該窗口，可以看到其內(nèi)部的集成電路，紫外線透過(guò)該孔照射內(nèi)部芯 片就可以擦除其內(nèi)的數(shù)據(jù)，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM內(nèi)資料的寫入要用專用的編程器，并且往芯片中寫內(nèi)容時(shí)必須要加 一定的編程電壓（VPP=1224V,隨不同的芯片型號(hào)而定）。EPROM的型號(hào) 是以27開頭的，如27C020（8*256K）是一片2M Bits容量的EPROM芯

10、片。EPROM芯片在寫入資料后，還要以不透光的貼紙或膠布把窗口封住，以免受 到周圍的紫外線照射而使資料受損。EPROM芯片在空白狀態(tài)時(shí)（用紫外光線擦除后），內(nèi)部的每一個(gè)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)都為 1 （高電平）。EEPROMEEPROM （Electrically Erasable Programmable ROM ,電可擦可編程只 讀存儲(chǔ)器），一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。EEPROM是可用戶更改的只讀存儲(chǔ)器，其可通過(guò)高于普通電壓的作用來(lái)擦除和重編程（重寫），即可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息并重新編程。不像EPROM芯片，EEPROM不需從計(jì)算機(jī)中取出即可修改，是現(xiàn)在用得比較多的存儲(chǔ)器，比如

11、24CXX系列的EEPROM。在一個(gè)EEPROM中，當(dāng)計(jì)算機(jī)在使用的時(shí)候是可頻繁地重編程的， EEPROM的壽命是一個(gè)很重要的設(shè)計(jì)考慮參數(shù)。EEPROM的一種特殊形式是 閃存，其應(yīng)用通常是個(gè)人電腦中的電壓來(lái)擦寫 和重編程。EEPROM 一般用于即插即用（Plug & Play ）,常用在接口卡中，用來(lái)存放 硬件設(shè)置數(shù)據(jù)，也常用在防止軟件非法拷貝的 “硬件鎖"上面。閃存(Flash )閃存（FLASH）是一種非易失性存儲(chǔ)器，即斷電數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。因?yàn)殚W存不 像RAM （隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）一樣以字節(jié)為單位改寫數(shù)據(jù)，因此不能取代 RAM。閃存卡（Flash Card ）是利用閃存（F

12、lash Memory ）技術(shù)達(dá)到存儲(chǔ)電子信 息的存儲(chǔ)器，一般應(yīng)用在數(shù)碼相機(jī)，掌上電腦， MP3等小型數(shù)碼產(chǎn)品中作為存 儲(chǔ)介質(zhì)，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為閃存卡。根據(jù)不同的生產(chǎn)廠 商和不同的應(yīng)用，閃存卡大概有 U盤、SmartMedia （SM卡）、Compact Flash （CF 卡）、MultiMediaCard （MMC 卡）、Secure Digital （SD 卡）、Memory Stick （記憶棒）、XD-Picture Card （XD 卡）和微硬盤（MICRODRIVE ）。這 些閃存卡雖然外觀、規(guī)格不同，但是技術(shù)原理都是相同的。NAND FLASH和NOR F

13、LASH都是現(xiàn)在用得比較多的非易失性閃存。設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)采用的并行接口，有獨(dú)立的地址線和數(shù)據(jù)線，性能特點(diǎn)更像內(nèi)存，是芯片內(nèi) 執(zhí)行(XIP, eXecute In Place),這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不 必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NAND采用的是串行的接口 ,地址線和數(shù)據(jù)線是共用的I/O線，類似電腦硬 盤。CPU從里面讀取數(shù)據(jù)的速度很慢，所以一般用 NAND做閃存的話就必須把 NAND里面的數(shù)據(jù)先讀到內(nèi)存里面，然后 CPU才能夠執(zhí)行。但是它的集成度很 高，成本很低。還有就是它的擦除速度也的 NOR要快。其實(shí)NAND型閃存在設(shè) 計(jì)之初確實(shí)考慮了與硬盤的兼容性，小數(shù)據(jù)塊操作速度很慢

14、，而大數(shù)據(jù)塊速度就 很快，這種差異遠(yuǎn)比其他存儲(chǔ)介質(zhì)大的多。這種性能特點(diǎn)非常值得我們留意性能對(duì)比f(wàn)lash閃存是非易失存儲(chǔ)器，可以對(duì)稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫和再編 程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情 況下，在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡(jiǎn) 單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為00由于擦除NOR器件時(shí)是以64128KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行一個(gè)寫入/擦除操 作的時(shí)間為5s,與此相反，擦除NAND器件是以832KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行 相同的操作最多只需要4ms 0執(zhí)行擦除時(shí)塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了 NOR和

15、NADN之間的性能差距，統(tǒng) 計(jì)表明，對(duì)于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時(shí)更多的擦除操作必須在 基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣，當(dāng)選擇存儲(chǔ)解決方案時(shí)，設(shè)計(jì)師必須權(quán)衡以下 的各項(xiàng)因素。 NOR的讀速度比NAND稍快一些 NAND的寫入速度比NOR快很多 NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快。 大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作。 NAND的擦除單元更小，相應(yīng)的擦除電路更少,接口差別NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來(lái)尋址，可以很容易地存 取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。NAND器件使用復(fù)雜的I/O 口來(lái)串行地存取數(shù)據(jù)，各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可 能各不相同。8個(gè)引腳用來(lái)傳送控制、地址和

16、數(shù)據(jù)信息。NAND讀和寫操作采用512字節(jié)的塊，這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤管理此類操作， 很自然地，基于NAND的存儲(chǔ)器就可以取代硬盤或其他塊設(shè)備。容量和成本NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單， NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。NOR flash占據(jù)了容量為116MB閃存市場(chǎng)的大部分，而 NAND flash只 是用在8128MB的產(chǎn)品當(dāng)中，這也說(shuō)明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中， NAND 適合于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，NAND 在 CompactFlash、Secure Digital、PC Cards 和MMC存儲(chǔ)卡市場(chǎng)上所占份額最

17、大?？煽啃院湍陀眯圆捎胒lahs介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的問(wèn)題是 可靠性。對(duì)于需要擴(kuò)展MTBF 的系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，F(xiàn)lash是非常合適的存儲(chǔ)方案?？梢詮膲勖陀眯裕⑽唤粨Q和壞 塊處理三個(gè)方面來(lái)比較 NOR和NAND的可靠性。壽命（耐用性）在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬(wàn)次， 而NOR的擦寫次數(shù)是 十萬(wàn)次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢(shì)，典型的NAND塊尺 寸要比NOR器件小8倍，每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要 少一些。位交換所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些卜#況下（很少見，NAND發(fā)生 的次數(shù)要比NOR多），一個(gè)比特位會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報(bào)告反轉(zhuǎn)

18、了。一位的變化可能不很明顯，但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上， 這個(gè)小小的故 障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是報(bào)告有問(wèn)題，多讀幾次就可能解決了。當(dāng)然,如果這個(gè)位真的改變了，就必須采用錯(cuò)誤探測(cè) /錯(cuò)誤更正（EDC/ECC） 算法。位反轉(zhuǎn)的問(wèn)題更多見于 NAND閃存，NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃 存的時(shí)候，同時(shí)使用EDC/ECC算法。這個(gè)問(wèn)題對(duì)于用NAND存儲(chǔ)多媒體信息時(shí)倒不是致命的。當(dāng)然，如果用本 地存儲(chǔ)設(shè)備來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時(shí)，必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確?？煽啃?。壞塊處理NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的。以前也曾有過(guò)消除壞塊的努力，但發(fā)現(xiàn) 成品率太低，代價(jià)太高，根本不劃算

19、。NAND器件需要對(duì)介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標(biāo)記為不可 用。在已制成的器件中，如果通過(guò)可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理，將導(dǎo)致高故障 率。易于使用可以非常直接地使用基于 NOR的閃存，可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接，并可 以在上面直接運(yùn)行代碼。由于需要I/O接口，NAND要復(fù)雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠 家而異。在使用NAND器件時(shí)，必須先寫入驅(qū)動(dòng)程序，才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向 NAND器件寫入信息需要相當(dāng)?shù)募记?，因?yàn)樵O(shè)計(jì)師絕不能向壞塊寫入，這就意味 著在NAND器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映射。軟件支持當(dāng)討論軟件支持的時(shí)候，應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫/擦操作和高一級(jí)的用于磁盤 仿真和閃

20、存管理算法的軟件，包括性能優(yōu)化。在NOR器件上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持，在NAND器件上進(jìn)行同樣 操作時(shí)，通常需要驅(qū)動(dòng)程序，也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序 （MTD）, NAND和NOR 器件在進(jìn)行寫入和擦除操作時(shí)都需要 MTD。使用NOR器件時(shí)所需要的MTD要相對(duì)少一些，許多廠商都提供用于NOR 器件的更高級(jí)軟件，這其中包括 M-System的TrueFFS驅(qū)動(dòng)，該驅(qū)動(dòng)被 Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian 和 Intel 等廠商所驅(qū)動(dòng)還用于對(duì)DiskOnChip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和NAND閃存的管理，包括糾錯(cuò)、 壞塊處理和損

21、耗平衡。應(yīng)用環(huán)境NOR型閃存現(xiàn)在的容量一般在2M左右，比較適合頻繁隨機(jī)讀寫的場(chǎng)合， 通常用于存儲(chǔ)程序代碼并直接在閃存內(nèi)運(yùn)行， 手機(jī)就是使用NOR型閃存的大戶， 所以手機(jī)的“內(nèi)存”容量通常不大。另外用在代碼量小的嵌入式產(chǎn)品方面，可以 把LINUX操作系統(tǒng)剪裁到2M以內(nèi)在其上面直接運(yùn)行。NAND型閃存主要用來(lái)存儲(chǔ)資料，我們常用的閃存產(chǎn)品，如閃存盤、數(shù)碼存 儲(chǔ)卡、U盤、MP3等。另外用在那些要跑大型的操作系統(tǒng)的嵌入式產(chǎn)品上面， 比如LINUX啊，WINCE啊。當(dāng)然也可以把LINUX操作系統(tǒng)剪裁到2M以內(nèi)在 NOR Flash上運(yùn)行。但是很多時(shí)候，一個(gè)嵌入式產(chǎn)品里面，操作系統(tǒng)占的存儲(chǔ) 空間只是一小部分

22、，大部分都是給用戶跑應(yīng)用程序的。就像電腦，硬盤都是幾百 G,可是 WINDOWNS操作系統(tǒng)所占的空間也不過(guò)幾 G而已。總結(jié):簡(jiǎn)單地說(shuō)，在計(jì)算機(jī)中，RAM、ROM都是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。RAM是隨機(jī)存取 存儲(chǔ)器，它的特點(diǎn)是易揮發(fā)性，即掉電失憶。 ROM通常指固化存儲(chǔ)器（一次寫 入，反復(fù)讀?。?，它的特點(diǎn)與RAM相反。ROM又分一次性固化（PROM）、光擦除（EPROM ）和電擦除（EEPROM ） 重寫幾種類型。舉個(gè)例子來(lái)說(shuō)也就是，如果突然停電或者沒(méi)有保存就關(guān)閉了文 件，那么ROM可以隨機(jī)保存之前沒(méi)有儲(chǔ)存的文件但是 RAM會(huì)使之前沒(méi)有保存 的文件消失。RAM又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM ）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)

23、器（DRAM）。問(wèn)與答問(wèn)題 1:什么是 DRAM、SRAM、SDRAM?答：名詞解釋如下DRAM動(dòng)態(tài)隨即存取器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)，而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁(yè)模式SRAM靜態(tài)的隨機(jī)存儲(chǔ)器，加電情況下，不需要刷新，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，而且一般不是行列地址復(fù)用的SDRAM同步的DRAM,即數(shù)據(jù)的讀寫需要時(shí)鐘來(lái)同步問(wèn)題2:為什么DRAM要刷新，SRAM則不需要？答：這是由RAM的設(shè)計(jì)類型決定的，DRAM用了一個(gè)T和一個(gè)RC電路，導(dǎo)致電容會(huì)漏電和緩慢放電，所以需要經(jīng)常刷新來(lái)保存數(shù)據(jù)問(wèn)題3:我們通常所說(shuō)的內(nèi)存用的是什么呢？這三個(gè)產(chǎn)品跟我們實(shí)際使用有什么關(guān)系？答：內(nèi)存（即隨機(jī)存貯器RAM）可分為

24、靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM,和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 DRAM兩種我們經(jīng)常說(shuō)的 內(nèi)存”是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。問(wèn)題4:為什么使用 DRAM比較多、而使用 SRAM去K艮少？答：1）因?yàn)橹圃煜嗤萘康?SRAM比DRAM的成本高的多，正因?yàn)槿绱耍攀蛊浒l(fā)展受到了限制。因此目前 SRAM基本上只用于 CPU內(nèi)部的一級(jí)緩存以及內(nèi)置的二級(jí)緩存。僅有少量的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器以及路由器上能夠使用SRAMo2）存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)不同導(dǎo)致了容量的不同：一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元大約需要一個(gè)晶體管和一個(gè)電容（不包括行讀出放大器等），而一個(gè)SRAM存儲(chǔ)單元大約需要六個(gè)晶體管。DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問(wèn)題，容量較SRAM

25、大，但是讀寫速度不如SRAMo問(wèn)題5:用得最多的 DRAM有什么特點(diǎn)呢？它的工藝是什么情況？（通常所說(shuō)的內(nèi)存就是 DRAM）答：1） DRAM需要進(jìn)行周期性的刷新操作，我們不應(yīng)將SRAM與只讀存儲(chǔ)器（ROM）和Flash精品文檔精品文檔Memory相混淆，因?yàn)镾RAM是一種易失性存儲(chǔ)器，它只有在電源保持連續(xù)供應(yīng)的情況下才能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)。“隨機(jī)訪問(wèn)”是指存儲(chǔ)器的內(nèi)容可以以任何順序訪問(wèn)，而不管前一次訪問(wèn)的是哪一個(gè)位置。2)DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問(wèn)題，容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM,但是現(xiàn)在，SDRAM 的速度也已經(jīng)很快了，時(shí)鐘好像已經(jīng)有150 兆的了。那么就是讀寫周期小于10ns 了。3)SDRAM雖然工作頻率高，但是實(shí)際吞吐率要打折扣。以