光纖通信用半導體激光器

1、實用標準文案光纖通信用半導體激光器Semiconductor Lasers for Optical Fiber Communications2003-11-26作者：羅毅 / 王健 / 蔡鵬飛 / 孫長征 Luo Yi / WangJian / Cai Pengfei / Sun Changzheng摘要：半導體激光器是光纖通信用的主要光源，由于光纖通信系統(tǒng)具有不同的應用層次和結構，因而需要不同類型的半導體激光器。文章根據(jù)目前光纖通信系統(tǒng)的發(fā)展趨勢，介紹幾種典型的光纖通信用半導體激光 器件？ ？法布里-珀羅激光器、分布反饋半導體激光器、電吸收型調(diào)制器集成光源、波長可選擇光源、垂直 腔面發(fā)射激光

2、器的特點和發(fā)展方向。關鍵字：半導體激光器；分布反饋；分布布拉格反射器；電吸收型調(diào)制器；垂直腔面發(fā)射器英文摘要：The semiconductor Laser is a prime light source of fiber communication. A variety of semiconductor lasers are used to meet the requirements of different fiber communication systems that have various application layers and architectures. In this

3、paper, the development trends of optical fiber communications are outlined, and the characteristics and development of several typical light sources, such as FP-LD, DFB-LD, DFB-LD/EAmodulator integrated light source, DBR-LD and VCSEL, are discussed.英文關鍵字:Semiconductor Laser; Distributed feedback; Di

4、stributed Bragg reflector; Electro-absorption modulator; VCSEL1光纖通信的發(fā)展趨勢光纖通信系統(tǒng)作為信息傳送的基礎正向著高速化和網(wǎng)絡化方向發(fā)展。Internet經(jīng)過前幾年的爆炸性擴張以后，正進入一個穩(wěn)定發(fā)展的時期?；ヂ?lián)網(wǎng)的速率與容量保持穩(wěn)定增長，并且逐漸融合傳統(tǒng)的電話網(wǎng)和 有線電視網(wǎng)而成為一個統(tǒng)一的信息網(wǎng)絡。而能承擔這個信息網(wǎng)絡的物理基礎，非光纖通信莫屬。光纖通信系統(tǒng)必須滿足各個層次的信息傳輸要求。首先，對于干線通信系統(tǒng)來說，必須滿足長距離、 高速率、大容量的傳輸要求；其次，對于服務于千家萬戶的接入網(wǎng)絡，在成本盡可能低的情況下，需要足

5、 夠的接入帶寬；再次，對于中心城市，信息產(chǎn)生和傳輸最密集，但是對傳輸距離的要求不高；另外，目前 的光通信大多還是點對點的傳輸，要進一步提高信息傳輸容量，需要基于各種光電子器件的全光通信網(wǎng)絡。 因此，面對光纖通信系統(tǒng)各個層次的不同發(fā)展方向，勢必需要不同類型的光源器件來滿足其不同要求。對于光纖接入網(wǎng)、本地網(wǎng)（一般信息傳輸速率在 2.5 Gbit/s以下），需要量大面廣、物美價廉的簡單結 構的半導體激光器，如法布里-珀羅（FP）激光器。在中心城市的市區(qū)建設城域網(wǎng)，其傳輸距離短、信息量大，要求光源速率達2.5 Gbit/s 乃至10 Gbit/s ,需要直接調(diào)制的分布反饋（DFB）半導體激光器。在干線

6、傳輸網(wǎng)絡中，對光源的調(diào)制速率和光信號的傳輸距離都有較高的要求。目前基于 10 Gbit/s 甚至更高速率的骨 干網(wǎng)已經(jīng)得到迅速發(fā)展，要求光源頻率喟啾必須控制在很小甚至為負的范圍內(nèi)，直接調(diào)制激光器不能滿足，必須采用外調(diào)制器，目前普遍采用分布反饋半導體激光器（DFB-LD）/電吸收型（EA）調(diào)制器的集成光源。此外，由于垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）具有適于大批量、低成本生產(chǎn)，以及二維集成的優(yōu)點。在光的高速數(shù)據(jù)傳 輸和接入網(wǎng)等領域有著誘人的應用前景，備受學術界和產(chǎn)業(yè)界的關注。2法布里-珀羅激光器精彩文檔實用標準文案法布里-珀羅激光器（FP-LD）是最常見、最普通的半導體激光器，它最大的特點是激光器

7、的諧振腔由半 導體材料的兩個解理面構成。目前光纖通信上采用的FP-LD的制作技術已經(jīng)相當成熟，普遍采用雙異質(zhì)結多量子阱有源層、載流子與光分別限制的結構。半導體激光器由于邊界條件的不同，存在三個方向的模式問題。沿激光器輸出方向形成的駐波模式稱 為縱模，垂直于有源層方向的模式稱為垂直橫模，平行于有源層并和輸出方向垂直的模式稱為水平橫模。 在光通信領域中，至少要求激光器工作在基橫模狀態(tài)。對于 FP-LD來說，基橫模實現(xiàn)比較容易，主要通過 控制激光器有源層的厚度和條寬來實現(xiàn)，常用的結構有掩埋異質(zhì)結、脊波導等。而縱?？刂凭陀幸欢ǖ睦?難，F(xiàn)P-LD利用一對相互平行的反射鏡進行縱模選擇，通常激光器的長度在

8、數(shù)百微米的量級，對應的模式 間距為1 nm的量級，而激光器的增益譜寬度達100 nm的量級，多縱模激射的可能性相當大。對于一般的FP-LD,當注入電流在閾值電流附近時，可以觀察到多個縱模；進一步加大注入電流，譜峰處的某個波長首 先激射，消耗了大部分載流子，壓制其它模式的激射，有可能形成單縱模工作；當對FP-LD進行高速調(diào)制時，原有的激射模式就會發(fā)生變化，出現(xiàn)多模工作。這就決定了FP-LD不能應用于高速光纖通信系統(tǒng)。但是相對其它結構的激光器來說，F(xiàn)P-LD的結構和制作工藝最簡單，成本最低，適用于調(diào)制速率小于 622 Mbit/s 的光纖通信系統(tǒng)。目前商用的1.3 ?滋m FP-LD閾值電流在10

9、 mA以下，輸出功率在10 mW/左右（注入電流為23 Ith , Ith為閾值電流）因此在光纖接入網(wǎng)中獲得廣泛應用。目前FP-LD的主要發(fā)展趨勢在于研發(fā)無制冷器件和進一步降低制作成本。傳統(tǒng)的FP-LD的諧振腔通過解理實現(xiàn)，在性能測試的時候需要對解理過的單個尺寸為數(shù)百微米量級的激光器進行操作，生產(chǎn)效率較低。如果能用其他方法形成反射鏡面，然后在整個襯底上對單個激光器進行測試，則大大提高生產(chǎn)效率并降低 成本。采用等離子體刻蝕的方法可以獲得垂直光滑的反射鏡面，使得這種激光器和傳統(tǒng)的端面解理的FP-LD具有相同的性能1,并且可以在同一襯底上將激光器和光探測器集成，從而形成了基于整個襯底的激光器 加工工

10、藝路線，有可能大大降低成本。3分布反饋半導體激光器普通結構的分布反饋半導體激光器 （DFB-LD）,在高速調(diào)制狀態(tài)下會發(fā)生多模工作現(xiàn)象，從而限制了傳 輸速率。因此，設計和制作在高速調(diào)制下仍能保持單縱模工作的激光器是十分重要的，這類激光器統(tǒng)稱為 動態(tài)單模（DSM泮導體激光器。實現(xiàn)動態(tài)單縱模工作的最有效的方法之一，就是在半導體激光器內(nèi)部建立一個布拉格光柵，依靠光柵的選頻原理來實現(xiàn)縱模選擇。分布反饋半導體激光器的特點在于光柵分布在整個 諧振腔中，光波在反饋的同時獲得增益。因為DFB-LD的諧振腔具有明顯的波長選擇性，從而決定了它們的單色性優(yōu)于一般的 FP-LDo在DFB-LD中存在兩種基本的反饋方式

11、，一種是折射率周期性變化引起的布拉格反射，即折射率耦合 （Index-Coupling）,另一種為增益周期性變化引起的分布反饋，即增益耦合 （Gain-Coupling）。與依靠兩個 反射端面來形成諧振腔的 FP-LD相比，DFB-LD可能激射的波長所對應的諧振腔損耗是不同的，也就是說 DFB-LD的諧振腔本身具有選擇模式的能力。在端面反射為零的理想情況下，理論分析指出2:折射率耦合DFB-LD在與布拉格波長相對稱的位置上存在兩個諧振腔損耗相同且最低的模式，而增益耦合DFB-LD恰好在布拉格波長上存在著一個諧振腔損耗最低的模式。也就是說，折射率耦合DFB-LD原理上是雙模激射的，而增益耦合DF

12、B-LD是單模激射的。利用內(nèi)藏布拉格光柵選擇工作波長的概念，早在 20世紀70年代初就被提出來了，并得到廣泛重視。 但由于技術原因，有關DFB-LD的研究曾一度進展緩慢。在制作技術的發(fā)展過程中，人們發(fā)現(xiàn)直接在有源層 刻蝕光柵會引入污染和損傷。為此，人們提出了如圖1所示的分別限制結構，將光柵刻制在有源層附近的透明波導層上，這樣能有效地降低 DFB-LD的閾值電流，這種結構在后來被廣泛應用。但是這種結構是典型 的折射率耦合結構，如何實現(xiàn)這類器件的單模工作就成為DFB-LD的重要研究課題。精彩文檔實用標準文案歐姆接觸層上限制層rvwwvwwwvwA、|、B2韭光柵'、有深層下限制層圖1分別限

13、制DFB-LD結構示意圖對于實際的DFB-LD來說，光柵兩端的端面是存在反射的，不僅反射率的強度不為零，而且兩個端面的反射相位也不確定。這是由于實際器件制作中，端面位于光柵一個周期中的哪個位置是不可控制的。對于 純折射率耦合DFB-LD來說，在相當一部分相位下，模式簡并可以被消除，器件可以實現(xiàn)單模工作。最早的折射率耦合DFB-LD就是通過這種方法實現(xiàn)單模激射的。但是由于反射相位具有隨機性，這就導致了單模成品率問題。對于激光器端面無鍍膜的情況，這一概率為20% 50%另外，激光器端面鍍膜對 DFB-LD的單模成品率有較大的影響，在DFB-LD一個端面鍍低反射膜，另一個端面鍍高反射膜時，單模成品率

14、可達50% 運用這種方法制作的 DFB-LD,在靜態(tài)工作時，其邊模抑制比（SMSR）可大于40 dB,而在高速調(diào)制時，其SMSR 小于20 dB,不能完全滿足高速光通信的需要。在光柵的中心引入一個四分之一波長相移區(qū)3 ,是消除雙模簡并，實現(xiàn)單模工作的有效方法。這種方法的最大優(yōu)點在于它的模式的閾值增益差大，可以實現(xiàn)真正的動 態(tài)單模工作。但是，它的制作工藝十分復雜且需要在兩個端面蒸鍍抗反射膜。對于增益耦合DFB-LD而言，是不存在模式簡并問題的。1988年，本文作者羅毅與東京大學的多田邦雄教授等一起率先開始了增益耦合DFB-LD的實驗研究，采用金屬有機化合物化學氣相沉積（MOCV愧術制作了內(nèi)含增益

15、光柵的 DFB-LD,并引入了抑制折射率耦合的結構，從而有可能實現(xiàn)純粹的增益耦合 4,5。止匕外，采用傳統(tǒng)的分別限制異質(zhì)結結構 （SCH）將以往的透明光柵改為吸收損耗光柵的方法也成功地制作了增益耦 合DFB-LD通過研究發(fā)現(xiàn)，增益耦合DFB-LD與折射率耦合 DFB-LD相比具有一系列優(yōu)點：制作工藝簡單，不需要鍍端面抗反射膜；單模選擇特性不易受端面反射率的影響，成品率可高達95%外部反射光引起的噪聲低；高速調(diào)制下頻率展寬 （喟啾）小。直接調(diào)制DFB-LD的最大優(yōu)點是在高速調(diào)制（2.5 Gbit/s 10 Gbit/s）的情況下仍能保持動態(tài)單模，非 常適合高速短距離的光纖通信系統(tǒng)，如城域網(wǎng)。目前

16、商業(yè)應用的直接調(diào)制DFB-LD能夠達到閾值電流5 mA左右，在2.5 Gbit/s 調(diào)制速率下能傳輸上百公里。調(diào)制速率為10 Gbit/s的直接調(diào)制DFB-LD正成為新的研發(fā)熱點。例如日本三菱公司 2000年報道的應用于10 Gbit/s局域網(wǎng)傳輸?shù)闹苯诱{(diào)制 DFB-LD6 ,工作波長 為1.3 ?滋m,在P型襯底上采用掩埋結構，光柵為 ？姿/4相移結構。通過降低電極面積和激光器腔長（腔長為200 ?滋m）,來提高調(diào)制帶寬。并且通過提高耦合系數(shù)來保證器件的高溫特性。在25c70c的范圍內(nèi)，調(diào)制帶寬都在10 GHz以上，在標準單模光纖中傳輸距離超過20 km。4 DFB-LD/電吸收型調(diào)制器集成

17、光源干線傳輸容量隨著光纖通信的發(fā)展不斷提高。要提高通信容量，就需要窄線寬、低喟啾的光源，DFB-LD因此成為高速光纖通信系統(tǒng)的首選。然而，受注入載流子與光子共振相互作用的限制，直接調(diào)制的半導體 激光器工作速率難以進一步提高；更重要的是，直接調(diào)制的半導體激光器會產(chǎn)生明顯的頻率喟啾，不能滿 足高速長距離傳輸?shù)男枰?。為此，人們將DFB激光器和外調(diào)制器組合成光纖通信發(fā)射端的光源，其中激光精彩文檔實用標準文案器工作在直流狀態(tài)，高頻調(diào)制信號加載在外調(diào)制器上，這樣就有可能使光信號兼有單模、窄線寬、低喟啾的優(yōu)點。由于分立的激光器和調(diào)制器存在光耦合次數(shù)多、穩(wěn)定性差、成本高等缺點，人們開始研究DFB-LD和外調(diào)制

18、器的集成器件。用于進行集成光源制作的外調(diào)制器結構主要分為兩類：干涉型和電吸收型，分別以基于多量子阱材料 電光效應的Mach-Zehdner調(diào)制器和利用量子限制 Stark效應的電吸收（EA）型調(diào)制器為代表。干涉型調(diào)制器 雖然具有對工作波長不敏感、喟啾可調(diào)的特性，但由于存在制作困難、器件尺寸較大等缺點，目前還難以 推廣使用。而電吸收型調(diào)制器因為具有驅(qū)動電壓低、器件尺寸小、喟啾可控、制作工藝簡單等優(yōu)點，被廣 泛地應用于單片集成光源的制作?，F(xiàn)在，DFB-LD/EA調(diào)制器集成光源已經(jīng)成為干線光纖通信的首選光源。不少國際知名的光電子公司都推出了2.5 Gbit/s 、10 Gbit/s 干線光纖通信用

19、DFB-LD/EA調(diào)制器的集成光源。需要指出的是，這些集成光源大部分采用折射率耦合DFB-LD/EA調(diào)制器集成的方式。作者所在的研究小組在國家“ 863”計劃的資助下，采用部分增益耦合DFB-LD/EA調(diào)制器直接集成的技術路線，在國內(nèi)最早實現(xiàn)了 2.5 Gbit/s 1.55 ? 滋m DFB-LD/EA調(diào)制器單片集成光源7。該產(chǎn)品通過了實際傳輸實驗，傳輸 距離可以達到240 kmx器件總體性能和國際產(chǎn)品相當。進一步優(yōu)化器件結構，還研制出調(diào)制J帶寬達到12 GHz的DFB-LD/EA調(diào)制器的集成光源，能滿足 10 Gbit/s 干線光纖傳輸?shù)男枰Ｓ捎诟删€光纖通信繼續(xù)向高速、大容量的方向發(fā)展，

20、40 Gbit/s 或更高速率的DFB-LD/EA調(diào)制器集成光源就成為目前的研究熱點。圖2所示為日本NTT公司報道的調(diào)制速率達到 40 Gbit/s 的集成光源結構示意圖8。該集成光源采用分別外延工藝進行制作，其中激光器部分采用六周期壓應變InGaAsP量子阱材料作為有源層，而調(diào)制器部分則采用十四周期InGaAsP應變補償量子阱作為的吸收層。為了減小器件的電容，DF0 LaserLsolaiion GrooveModulator該器件采用了半絕緣InP材料對脊波導結構進行掩埋，并利用聚酰亞胺材料作為調(diào)制器電極的填充材料， 從而實現(xiàn)40 Gbit/s 的高速調(diào)制。SHnpMQW Active L

21、ayerMOW Absorption Layer n - InPButt - joint圖2采用分別外延工藝制作的 40Gbit/s集成光源結構示意圖5波長可選擇光源由于密集波分復用（DWDM術的迅猛發(fā)展，對集成光源提出了新的要求，具有波長可調(diào)諧或者波長可 選擇特性的集成光源成為新的研究熱點。波長可調(diào)諧是指激光器波長在一定范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。目前波長調(diào)諧主要基于布拉格反射光柵，通常通過改變溫度、注入電流等方法，改變光柵的有效折射率，從而改變光柵的布拉格波長。DFB-LD雖然單模特性穩(wěn)定，但是波長調(diào)諧的范圍較小，一般在2 nm左右。目前技術比較成熟的波長可調(diào)諧激光器主要基于分布布拉格反射器半導體激光

22、器 （DBR-LD）。和DFB-LD相似，DBR-LD也是通過內(nèi)含布拉格光柵來實現(xiàn)光的反 饋的。不過在DBR-LD中，光柵區(qū)僅在激光器諧振腔的兩側或一側，增益區(qū)沒有光柵，光柵只相當于一個反 射率隨波長變化的反射鏡。其中，三電極DBR-LD是最典型的基于DBR-LD的單模波長可調(diào)諧半導體激光器， 其原理性結構如圖3。3個電極分別對DBR-LD的增益區(qū)、相移區(qū)和選模光柵注入電流，其中增益區(qū)提供增 益，光柵區(qū)選擇縱模，而相移區(qū)用來調(diào)節(jié)相位，使得激光器的諧振波長和光柵的布拉格波長一致。通過調(diào)精彩文檔實用標準文案另外采用特殊的光柵結構，如超結構光柵（SSG）,節(jié)3個電極的注入電流，其調(diào)諧范圍可以達到10

23、 nm左右。DBR-LD的波長調(diào)諧范圍可以達到103 nm。增益區(qū)相位控制區(qū)選模光柵區(qū)圖3三電極DBR-LD結構示意圖和DFB-LD一樣，DBR-LD&需要使用外調(diào)制器才能滿足長距離傳輸?shù)男枰?999年，法國France Telecom公司報道了他們制作的 DBR-LD/EA調(diào)制器集成光源9。它由一個兩段 DBR-LD與一個EA調(diào)制器構成，并采 用相同的應變補償InGaAsP多量子阱層作為DBR-LD的有源區(qū)和Bragg光柵區(qū)以及EA調(diào)制器的吸收層。通 過改變Bragg光柵區(qū)的注入電流，其輸出波長可以覆蓋12個信道，共5.2 nm的波長調(diào)諧范圍。同時，該集成器件的調(diào)制帶寬達到 15

24、GHz,可以應用于10 Gbit/s 通信系統(tǒng)。由于DBR-LD是通過改變光柵區(qū)的注入電流實現(xiàn)調(diào)諧的，這導致了較大的譜線展寬。另外DBR-LD需要調(diào)節(jié)至少兩個以上電極的電流，才能將激射波長固定下來，不利于實際應用，而且DBR-LD縱模的模式穩(wěn)定性相對較差，極易出現(xiàn)跳?，F(xiàn)象，所以近年來有關波長可調(diào)諧DBR-LD的研究活動有所減弱。而由于DFB-LD的激射波長相對穩(wěn)定，人們就將多個波長不同的DFB-LD集成起來，組成波長可選擇光源。2000年，日本NE隹司報道了他們制作的波長可選擇集成光源10 o光源含有8個具有不同輸出波長的 DFB-LD,并采用一個EA調(diào)制器對輸出光信號進行調(diào)制。光源中還集成有

25、一個多模干涉型（MMI）耦合器與一個半導體光放大器（SOA）,用來對8個激光器的輸出光進行耦合并對損耗進行補償。該器件采用介質(zhì)膜選擇性區(qū)域外延進行制作，可以作為2.5 Gbit/s DWDM光纖網(wǎng)絡的光源，能夠有效地提高系統(tǒng)的靈活性與可靠性。但是這種光源 需要在同一襯底上制作不同激射波長的DFB-LD,其無論對材料的外延生長工藝還是對器件的后加工工藝，都有非常高的要求。6垂直腔面發(fā)射激光器以上所說的各種激光器都是邊發(fā)射激光器，激光從激光器的側面輸出，只能進行一維集成，很難制作 二維集成器件。但是，光數(shù)據(jù)傳輸?shù)陌l(fā)展需要能夠二維集成的器件，而垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）是一個很好的選擇。與邊發(fā)

26、射激光器最大的不同點是，它的出射光垂直于器件的外延表面，即平行于外延生長的 方向。圖4為其典型結構圖。其上下分別為分布布拉格反射（DBR）介質(zhì)反射鏡，中間為量子阱有源區(qū)，氧化層有助于形成良好的電流及光場限制結構，電流由 P、N電極注入，光由箭頭方向發(fā)出。精彩文檔實用標準文案圖4 VCSEL勺典型示意圖與側面發(fā)光激光器相比，VCSE虎原理上有如下優(yōu)點：由于其有源區(qū)體積極小從而具有極低閾值電流； 采用DBR吉構，從而能動態(tài)單模工作；由于有源區(qū)內(nèi)置而導致很長壽命(如107 h);光束質(zhì)量高，容易與光纖耦合；可在片測試，極大降低成本；可形成高密度二維陣列；與 LSI集成兼容。在這些優(yōu)點當中，最 吸引人

27、的是它的制造工藝和發(fā)光二極管(LED)兼容，大規(guī)模的制造成本很低，且容易二維集成，并能在片測試。人們預言，VCSEL#主要在以下幾方面獲得廣泛應用。(1)光互連如果在印刷電路板上使用金屬連接電路，則在將來很難滿足中等距離(60 cm)、大吞吐量(1 Gbit/s)的點對點的互連。如果使用光互連器件，則可在各個方面滿足要求。目前已發(fā)表了很多此方面的研究成果。 例如，David V.Plant 等報道了將 VCSELf 0.35 ?滋m CMOSW動電路集成在同一襯底上，并實現(xiàn)了256路光雙向互連11 o目前上百吉比特每秒的并行光互連產(chǎn)品已經(jīng)商業(yè)化，主要用于計算機及通信系統(tǒng)芯片級、板級、設備級的高

28、速并行連接。(2)吉比特局域網(wǎng)吉比特局域網(wǎng)將是未來 VCSELI勺一個前途廣闊的應用領域。VCSE在其中凸現(xiàn)其光束特性好、易耦合、 調(diào)制速率高、價格低廉的優(yōu)勢，很多人認為VCSE必將取代LED FP-LD在局域網(wǎng)中的地位。Kenichi Nishi 等報道了用于10 Gbit/s 以太網(wǎng)的VCSEL其材料為GaAsSb/GaAS2 ,這是一種能工作在 1 300 nm附近的 新型材料。在光纖吉比特以太網(wǎng)中，VCSEL(850 nm莊要用于工作在250 m距離范圍內(nèi)的多模光纖的光源。如IEEE 802.3千兆以太網(wǎng)1000BASE-SX系列標準中采用低成本 VCSEL乍為光源。最近Petar P

29、epeljugoski 等報道了成功地采用下一代多模光纖進行15.6 Gbit/s , 1 km和20 Gbit/s , 200 m的傳輸試驗13,試驗系統(tǒng)性能指標符合粗波分復用 (CWDM) 2X 20 Gbit/s 以太網(wǎng)標準。此外，隨著 VCSE在短波及長波方面的 進展，它還可用于高密度光存儲、平面顯示、照明、二維光信息處理等應用領域。雖然VCSELB上述領域中得到了很好的應用，但由于器件結構及生長材料的原因，其依然存在著基橫 模輸出功率不高、散熱困難、極化控制困難及在長波長方面表現(xiàn)不理想等問題，這限制了它在長途干線通 信等領域中的應用。VCSE好需要在克服上述困難方面作進一步努力。7小

30、結以上介紹了目前光纖通信系統(tǒng)具有代表性的幾種光源。我們可以看出，對于光通信來說，這些光源都 具有各自的特點，適用于光纖通信的不同領域，可以說是光纖通信的基礎器件，是推動光纖通信發(fā)展的基 本要素。全球光通信發(fā)展要求開發(fā)大量的、各個層次要求的光電子基礎器件，未來的市場前景非常廣闊。中國對光電子技術和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展非常重視，經(jīng)過十幾年的發(fā)展，光電子產(chǎn)業(yè)已有一定的規(guī)模。但是對 基礎器件的研究開發(fā)力度還不夠，核心技術大部分還依賴國外廠商，現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)多在下游產(chǎn)品發(fā)展，利潤小、受制于人且發(fā)展空間受限。進一步深入研究和開發(fā)光電子基礎器件，發(fā)展具有自主知識產(chǎn)權的核心光電子 器件產(chǎn)業(yè)，是中國光通信產(chǎn)業(yè)和學科未來發(fā)展的必

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