第一章 集成電路概論_第1頁
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文檔簡介

1、封裝好的集成電路封裝好的集成電路AMD Athlon64VddABOut集成電路的內(nèi)部電路集成電路的內(nèi)部電路100m頭發(fā)絲粗細(xì)30m50m1 m 1 m（晶體管的大小）（晶體管的大?。ㄆつw細(xì)胞大小）（皮膚細(xì)胞大?。╊^發(fā)與晶體管的對(duì)比弗來明弗來明德德福雷斯特福雷斯特肖克利肖克利戈登戈登摩爾摩爾 SDRAM ROM Up core data cache Serial interface MPEG core Propritary logic多媒體工作站系統(tǒng)集成芯片MOS型PMOSNMOSCMOS雙極型飽和型非飽和型TTLI2LECL/CMLBiCMOS半滿帶半滿帶禁帶價(jià)帶價(jià)帶價(jià)帶價(jià)帶禁帶導(dǎo)帶導(dǎo)帶導(dǎo)

2、帶導(dǎo)帶禁帶價(jià)帶價(jià)帶絕緣體絕緣體半導(dǎo)體半導(dǎo)體導(dǎo)體導(dǎo)體絕對(duì)零度時(shí)，導(dǎo)帶中不存在電子；當(dāng)外界條件改變時(shí)，價(jià)帶中電子將躍遷到導(dǎo)帶中，絕對(duì)零度時(shí)，導(dǎo)帶中不存在電子；當(dāng)外界條件改變時(shí)，價(jià)帶中電子將躍遷到導(dǎo)帶中，導(dǎo)帶中的電子在外電場作用下參與導(dǎo)電，對(duì)于半導(dǎo)體，價(jià)帶中的空穴也參與導(dǎo)電；導(dǎo)帶中的電子在外電場作用下參與導(dǎo)電，對(duì)于半導(dǎo)體，價(jià)帶中的空穴也參與導(dǎo)電；金屬中，由于組成金屬的原子中的價(jià)電子占據(jù)的能帶是部分占滿的，所以金屬是良金屬中，由于組成金屬的原子中的價(jià)電子占據(jù)的能帶是部分占滿的，所以金屬是良導(dǎo)體。導(dǎo)體。絕緣體與半導(dǎo)體的區(qū)別？絕緣體與半導(dǎo)體的區(qū)別？集成電路工藝中的PN結(jié)典型的分立器件PN結(jié)注：本課程中PN結(jié)指同質(zhì)結(jié) 空穴擴(kuò)散空穴擴(kuò)散電子擴(kuò)散電子擴(kuò)散電荷密度電荷密度電場電場靜電勢耗盡區(qū)耗盡區(qū)0ln()ADikTN Nqn其中：0是

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