存儲(chǔ)器原理與接口修改

1、微機(jī)原理與接口技術(shù)第璋春備比理與按口存儲(chǔ)器分類多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)概念主存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)控制8086系統(tǒng)的存儲(chǔ)器組織現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù)5.1存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分類 多層存錯(cuò)結(jié)構(gòu) 主存赭器及存儲(chǔ)控制 8086存俸器的組織現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù)小結(jié)存儲(chǔ)器（memory）是計(jì)算機(jī)的重要組成部分，是cup最重要的系統(tǒng)資源之一。許多存儲(chǔ)單元的集合，用以存放計(jì)算機(jī)要執(zhí)行的程序和有關(guān) 數(shù)據(jù).每個(gè)存儲(chǔ)單元所存儲(chǔ)的內(nèi)容稱為一個(gè)字（word）; 一個(gè)字由若干位（3。組成，8位稱為一個(gè)字節(jié)（by®丿 每個(gè)存儲(chǔ)單元有一個(gè)固定的地址若存儲(chǔ)器地址譯碼器的輸入地址線為n,則存儲(chǔ)器的 單元數(shù)為2"。原理與接11技術(shù)第5章仔飾

2、器原理仃接11存儲(chǔ)器分類多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)主存赭及存佛控制8086存儲(chǔ)器的組織現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù)小結(jié)5J存儲(chǔ)器的分類按構(gòu)成存儲(chǔ)器的器件和存儲(chǔ)介質(zhì)分類磁芯存儲(chǔ)器.半導(dǎo)體存儲(chǔ)器.光電存儲(chǔ)器、磁膜.磁泡和 其它磁表面存儲(chǔ)器以及光盤存儲(chǔ)器等。按存儲(chǔ)器存取方式分類隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM (Random Access Memory) 只讀存儲(chǔ)器ROM (Read-Only Memory) 串行訪問存儲(chǔ)器 SAS (Serial Access Storage) 按在計(jì)算機(jī)中的作用分類主存儲(chǔ)器(內(nèi)存，Main Memory)輔助存儲(chǔ)器(外存，External Memory)高速緩沖存儲(chǔ)器(緩存，Cache Memory

3、)微機(jī)總理-J接I I技術(shù)一第5章存儲(chǔ)器原理9接11存儲(chǔ)益分類多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)主存赭8及存佛控制8086存俸器的組織5.1存儲(chǔ)器的分類A按存儲(chǔ)器存取方式分類:現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù)小結(jié)r隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM常傷胖豐(Random Access Memory)丨 動(dòng)態(tài)RAM又稱讀寫存儲(chǔ)器.指能夠通過指令隨機(jī)地、個(gè)別地対其中各個(gè)單元 J進(jìn)行讀/寫操作的一類存儲(chǔ)器。只讀存儲(chǔ)器ROM(Read-Only Memory)按匸藝不同掩膜ROM (MROM)可編程ROM (PROM)可擦除編程ROM (EPROM)在微機(jī)系統(tǒng)的在線運(yùn)行過程中,只能対其進(jìn)行讀操作、而不能進(jìn)行 寫操作的一類存儲(chǔ)器。5存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分類

4、多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)主存赭器及存佛控制8086存儲(chǔ)器的組織現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù)存儲(chǔ)器分類（Page 120圖5.1）L雙極型速度快功"人，集成度小用丁容;it較小的爲(wèi)速緩沖存儲(chǔ)器r掩«ROM一由廠麗按用戶嚶求掩膜制成.時(shí)裝后不能改歸PROM （可編程ROO 可山用戶一次性編程寫入，寫入肩不能改寫EPROU（紫外線可ffiPROM）用戶可多次改寫內(nèi)容，改寫的用紫外線擦除（照射 約半小時(shí)，所有存儲(chǔ)位奴麻到“廠）再編程寫入.有任一位錨需全片擦除EEPROU （電可擦PROM）可按字節(jié)為單位姿次用電擦除改IL可“接在線進(jìn) 行無需專門設(shè)錚lROMMOS 型一SRAU （靜態(tài)RAM）存儲(chǔ)甲尤電路以

5、女穩(wěn)為肚礎(chǔ).故狀念穩(wěn)遲.只咚不抻電.倍息不會(huì)云失（易失型RAM） DRAU （動(dòng)態(tài)RAM）沖尤電路以電容為基礎(chǔ).故電路簡單，集成度島.功lram 牝小.但即使不掉電也會(huì)因電容放電而丟失信息,隨盤需耍逹時(shí)刷新（故易失 型 RAM） IRAU （組合RAM） 附有片上刷飾邏他的DRAM兼具SRAM、DRAM的優(yōu)點(diǎn)（易失吃RAM） FLASH （非易失型RAM） 實(shí)杯是由SRAM和EEPROM人同構(gòu)成的.ill常時(shí)為 SRAM：抻電或電源故障時(shí)芷即將SRAM«H的信息保力雄EEPROM".不去失 信息：多用于系統(tǒng)中的飯契缶息保存和掉電保護(hù)1 SAM（先進(jìn)先出存儲(chǔ)器上咚用做并種隊(duì)列

6、電路和參級(jí)緩沖器（電荷輜合器件）小行“儲(chǔ)器.取時(shí)間與位北右關(guān)微機(jī)原理與接門技術(shù)弟5糸心儲(chǔ)器原理與接15.2多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)概念微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系的分層結(jié)構(gòu)金字塔結(jié)構(gòu)的多層存儲(chǔ)體系充分體現(xiàn)出容量和速度關(guān)系。 核心是解決容量、速度、價(jià)格、可的矛盾。微機(jī)原理9接11技術(shù)一第5F仔儲(chǔ)28原理打接11半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般由以下部分組成:5.3主存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)控制存儲(chǔ)Si分類主存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo)：多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)主存儲(chǔ)器及控制I存儲(chǔ)容量.存儲(chǔ)速度.可靠性X0"存俸器的組織存儲(chǔ)容量：反映存儲(chǔ)器可存儲(chǔ)信息量的指標(biāo)?，F(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù)小結(jié)以字?jǐn)?shù)X毎個(gè)字的字長表示。 如某存儲(chǔ)器存儲(chǔ)容星為64KX8位，即64K字節(jié)。存

7、儲(chǔ)速度：完成-次訪問(讀/寫)存儲(chǔ)器的時(shí)間。心収時(shí)間Ta (AccessTime)衣示啟動(dòng)次存儲(chǔ)操作到完成該操作所經(jīng)歷時(shí)間； 存儲(chǔ)周期Tg (Memory Cycle)兩次獨(dú)立的存儲(chǔ)操作2間所需的放小時(shí)間間隔?？煽啃裕河闷骄收螴W隔時(shí)閭來衡量(MTBF, Mean Time Between Failures)功耗:通曲足指每個(gè)存儲(chǔ)元消耗功率的微機(jī)原理與接1技術(shù)第5章frttSKl理與接門7抑$153主存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)控制存儲(chǔ)容廿類多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)體.地址選擇電路.輸入輸出電路、控制電路微機(jī)原理與接【1技術(shù)第5皋存儲(chǔ)器原理與接11存儲(chǔ)器分類5.3主存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)控制典型的RAM內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖多層存儲(chǔ)

8、結(jié)構(gòu)地址譯碼方式:"單譯碼方式/雙譯碼方式存儲(chǔ)卷分類多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)主存儲(chǔ)器及控制隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM8086存俸器的組織現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù)小結(jié)微機(jī)原坷| j披丨丨技人第5章存儲(chǔ)器原理仃找I IRAM (Random Access Memory)意指隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。 其匸作特點(diǎn)是：在微機(jī)系統(tǒng)的匸作過程中，町以隨機(jī)地對(duì) 其中的各個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀/寫操作。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM存儲(chǔ)器分類多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)主存儲(chǔ)器及控制典型存儲(chǔ)器靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器芯片Intel 2114(D外部結(jié)構(gòu)8086存儲(chǔ)器的組織現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù)小結(jié)引腳圖A0-A9: 10根

9、地址信號(hào)輸入引腳。«匕：讀/寫控制信號(hào)輸入引腳，當(dāng)為 A 低電平時(shí)，使輸入三態(tài)門導(dǎo)通，信息由 A) 數(shù)據(jù)總線通過輸入數(shù)據(jù)控制電路寫入被 1/°| 選中的存儲(chǔ)單元；反之從所選中的存儲(chǔ) :筈 單元讀出信息送到數(shù)據(jù)總線。蟲 *1/01-1/04 : 4根數(shù)據(jù)輸入/出信號(hào)引腳 WE 西：片選信號(hào)輸入引腳，低電平有效, 通常接地址譯碼器的輸出端。+5V:電源。GND:地。微機(jī)順理與接I I技術(shù)第5論心儲(chǔ)器原理9接I I靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM存儲(chǔ)器分類多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)典型存儲(chǔ)器靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器芯片Intel 2114(2)內(nèi)部結(jié)構(gòu)主存儲(chǔ)器及控制8086存俸器的組織現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù)小結(jié)I

10、/OI1/021/031/04AXAXA5A6禺A«微機(jī)原理與接【1技術(shù)B5章存儲(chǔ)JB原理9接I存銘器分類動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM刷新操作電容上所保存的電荷時(shí)間長了就會(huì)泄漏，造成了信息的丟失。因此， 在動(dòng)態(tài)RAM的使用過程中，必須及時(shí)地向保存“1”的那些存儲(chǔ)單元補(bǔ) 充電荷，以維持信息的存在?；敬鎯?chǔ)單元多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)主存儲(chǔ)器及控制|字嗨8086存儲(chǔ)器的組織現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù)小結(jié)1 1數(shù)據(jù)線丄丁Cd_L D Eg單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單尤基本工作原理:依靠,管柵極電容的充放 電原理來保存信息。當(dāng)柵極電容上充有電荷時(shí)，表示該單元保存 信息“1” O當(dāng)柵極電容上沒有電荷時(shí)，表 示該單元保存信息“0”。

11、寫入操作字選擇線為高電平，管導(dǎo)通，寫信號(hào)通 過位線存入電容C中；讀操作字選擇線仍為高電平，存儲(chǔ)在電容C上的 電荷，通過輸出到數(shù)據(jù)線上，通過讀出 放大器，即可得到所保存的信息。微機(jī)原理與接口技術(shù)辭 存儲(chǔ)習(xí)原理與接11微機(jī)原理與接口技術(shù)辭 存儲(chǔ)習(xí)原理與接1113存儲(chǔ)容分類動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM典型存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)RAM存儲(chǔ)器芯片Intel 2164A鞘°1"16VssDin215CASWE314OUTRAS413一珞A)512a3A.611A10民Vdd9多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu) 主存儲(chǔ)器及控制 8086存俸器的組織 現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù) 小結(jié)Dm數(shù)據(jù)輸入引腳； dout：數(shù)據(jù)輸出引腳;Vdd：

12、十5V電源引腳； Vss:地；N/C:未用引腳。(1)外部結(jié)構(gòu)A0A7:地址信號(hào)的輸入引腳，用來分 時(shí)接收CPU送來的8位行、列地址； R忑：行地址選通信號(hào)輸入引腳，低電 平有效，兼作芯片選擇信號(hào)。當(dāng)為低電平 時(shí)，表明芯片當(dāng)前接收的是行地址； 靈：列地址選通信號(hào)輸入引腳，低電 平有效，表明當(dāng)前正在接收的是列地址 (此時(shí)應(yīng)保持為低電平)；就：寫允許控制信號(hào)輸入引腳，當(dāng)其 為低電平時(shí)，執(zhí)行寫操作；否則，執(zhí)行讀 操作。存儲(chǔ)器分類多層存錯(cuò)結(jié)構(gòu)主存儲(chǔ)器及控制動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM門典型存儲(chǔ)器一一動(dòng)態(tài)RAM存儲(chǔ)器芯片Intel(2)內(nèi)部結(jié)構(gòu)2164 A8086存儲(chǔ)器的組織現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù)小結(jié)128X1

13、28儲(chǔ)矩陣1/128行 譯碼器128X128 仆儲(chǔ)知陣128讀出放大器128灰岀放人器1/2(1/128 列譯碼器)1/2(1/128 列譯碼器)128迸出放人器U128讀放大;S128X128 存儲(chǔ)妙陣1/128行 譯碼器128X128 存儲(chǔ)矩陣8位 地1止 鎖存器%微機(jī)原理與接【I技術(shù)滋«儲(chǔ)器原理與接111815微機(jī)總理與接11技術(shù)第5準(zhǔn)存儲(chǔ)2S原理打接11只讀存儲(chǔ)器ROM存翔分類HOM (Read Only Memory)意指只讀存儲(chǔ)器。多層存錯(cuò)結(jié)構(gòu)其工作特點(diǎn)是：在微機(jī)系統(tǒng)的在線運(yùn)行過程中，只能對(duì)其進(jìn)主存儲(chǔ)器及控制 行讀操作，而不能進(jìn)行寫操作。電源關(guān)斷，信息不會(huì)丟失，屬于非易失

14、性存儲(chǔ)器件；常用來存放不需要改變的信息。8086存俸器的組織現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù)小結(jié)掩模式ROM - MROM (Mask ROM)可編程ROM - PROM (Programmable ROM)可擦除可編程ROM - EPROM(Erasable Programmable ROM)電可擦除可編程ROM - EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)ROM存儲(chǔ)信息的原理和組成多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)小結(jié) ROM的組成 ROM存儲(chǔ)位8086存儲(chǔ)器的組織現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù)主存儲(chǔ)器及控制X選擇線端加上選中們號(hào)+S 斷開D=信息V16X1位ROM結(jié)構(gòu)和電子開關(guān)S構(gòu)成一個(gè)

15、存儲(chǔ)位。存58器分類練習(xí)多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu) 主存儲(chǔ)器及存佛控制 8086存俸器的組織 現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù) 小結(jié)X選擇線端加上選小信號(hào)+S 閉合tD= “(T微機(jī)原理與接【I技術(shù)滋«儲(chǔ)器原理與接【I某SRAM芯片，其存儲(chǔ)容量為32KX8位，該芯片 的地址線和數(shù)據(jù)線的數(shù)目為oA.64和 16B.32 和 8C.15和 8D.16和 16存銘容分類多層存錯(cuò)結(jié)構(gòu)5.4 8086系統(tǒng)的存儲(chǔ)器組織 5.4.1 8086系統(tǒng)的存儲(chǔ)器接口主存赭及存佛控制小結(jié)存儲(chǔ)卷的組織現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù)微機(jī)像理與接【1技術(shù)”心儲(chǔ)盟原理與接11存儲(chǔ)容分類多層存錯(cuò)結(jié)構(gòu)5.4 8086系統(tǒng)的存儲(chǔ)器組織主存赭8及存佛控制存儲(chǔ)為的組織

16、CPU對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫操作過程：首先，要由地址總線給出地址信號(hào)，選擇要進(jìn)行讀/寫操作的存儲(chǔ)單元; 然后，通過控制總線發(fā)出相應(yīng)的讀/寫控制信號(hào)；最后，才能在數(shù)據(jù)總線上進(jìn)行數(shù)據(jù)交扌奐。現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù)小結(jié)存儲(chǔ)器芯片與CPU之間的連接，實(shí)質(zhì)上就是其與系統(tǒng)總線的連接。 包括：地址線的連接；數(shù)據(jù)線的連接；控制線的連接。在連接中要考慮以下問題: CPU總線的負(fù)載能力；CPU的時(shí)序與存儲(chǔ)器工作速度的匹配;存儲(chǔ)器的地址分配和片選問題。8086 CPU的存儲(chǔ)器接口（最小模式下）5.4 8086系統(tǒng)的存儲(chǔ)器組織存儲(chǔ)歿分類多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu) 主存赭器及存佛控制 存儲(chǔ)黑的組織 現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù) 小結(jié)如何用容量較小、字長較短

17、的芯片組成微機(jī)系統(tǒng)所需容量 和字長的存儲(chǔ)器？| 2114 |40 片1KX4611610片微機(jī)販理與接【1技術(shù)E5章存儲(chǔ)器原理打接11212KX8微機(jī)販理與接【1技術(shù)E5章存儲(chǔ)器原理打接11225.4 8086系統(tǒng)的存儲(chǔ)器組織存儲(chǔ)器的容量=字?jǐn)?shù)X字長存儲(chǔ)容廿類多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu) 主存赭器及存佛控制 存儲(chǔ)養(yǎng)的組織 現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù) 小結(jié)存儲(chǔ)器芯片與CFU的連接存儲(chǔ)單元地址的確定微機(jī)原理與接【1技術(shù)B5章«儲(chǔ)器原理9接【124542存儲(chǔ)器接口舉例存儲(chǔ)器分類 1.RO M擴(kuò)展電路多層存錯(cuò)結(jié)構(gòu)主存儲(chǔ)18及存佛控制存儲(chǔ)黑的組織現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù)小結(jié) ROM在微機(jī)中的功能主要是存儲(chǔ)程序、常數(shù)和系 統(tǒng)參數(shù)

18、。主要以EPROM作為學(xué)習(xí)對(duì)象。常用的EPROM芯片有一個(gè)系列，型號(hào)為2716、 2732. 27256等等。其中，“27”后面的數(shù)字除以8 就是容量，單位是KB。 2.RAM擴(kuò)展電路 RAM在微機(jī)中的功能主要是存儲(chǔ)程序、常數(shù)和系 統(tǒng)參數(shù)。主要以SRAM作為學(xué)習(xí)對(duì)象。常用的SRAM芯片有一個(gè)系列，型號(hào)為6116. 6264、 62256等等。其中，“61”后面的數(shù)字除以8就是容 量，單位是KB。微機(jī)原理與接【1技術(shù)章«儲(chǔ)器原理9接【123存儲(chǔ)器芯片的擴(kuò)展一位擴(kuò)展存儲(chǔ)容分類【例51】設(shè)計(jì)一個(gè)ROM擴(kuò)展電路，容量為32K字，地址從00000H開始。多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu) 主存儲(chǔ)器及存佛控制越二埜確

19、定芯片及數(shù)雖 匚二第二步與CPU相連I第三步確定尋址范圍存儲(chǔ)養(yǎng)的組織現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù)小結(jié)A15A14A13AI2AllAIOA9-A08086遜翌直：關(guān)鍵是處理好地址線、數(shù)據(jù)線、片洗信號(hào)線、 讀寫信號(hào)線的連接。D3-D0D7-D4M/Toiw匚UDU匚匚匚匚匚匚LdUUrT2 3 41112«27"X;24SJI2VI9W"161SnnnngnnnnurlnnnU匚口 UUULJU匚匚匚 ULHJA.、"人坷兒入-?0 0 632tM”2$242)“-2l2019nl?l6l$nnDrmnnnnLJnDrm27256芯片27256芯片微機(jī)原理與接【1技術(shù)

20、你 存儲(chǔ)器甌理與接1126存儲(chǔ)器芯片的擴(kuò)展一位擴(kuò)展存儲(chǔ)器分類多層存錯(cuò)結(jié)構(gòu) 主存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)控制 存儲(chǔ)默的織織 現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù) 小結(jié)【例51】設(shè)計(jì)一個(gè)ROM擴(kuò)展電路，容量為32K字，地址從00000H開始。越二埜確定芯片及數(shù)雖 匚二第二步與CPU相連三步確定尋址范圍設(shè)計(jì)要點(diǎn):關(guān)維是處理好地址線、數(shù)據(jù)線、片選信號(hào)線、讀寫信號(hào)線的連接。RUAh Aq D?IXj 27256EPROM cs oeAu Ao D? Do 27256EPROM CS OETTr "T"微機(jī)原理與接門技術(shù)5章”儲(chǔ)器原理與接125存儲(chǔ)器芯片的擴(kuò)展一位擴(kuò)展存儲(chǔ)器分類多層存錯(cuò)結(jié)構(gòu)主存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)控制 存儲(chǔ)器繆組

21、織現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù)小結(jié)【例52】設(shè)計(jì)一個(gè)RAM擴(kuò)展電路，容量為32K字，地址從10000H開始。Q雌芯片及數(shù)顯= 第立與CPU和連=塞三筮確定尋址范圍.設(shè)計(jì)要點(diǎn):關(guān)銀是處理好地址線、數(shù)據(jù)線、片選信號(hào)線.讀寫信號(hào)線的連接。A "匚A.C、匚 A<CA，C A?C A CAct 叫匚 3匚 iv：C v-C Aj A.ZJ An cs LORd t<h62256芯片存銘容分類存儲(chǔ)器芯片的擴(kuò)展一字?jǐn)U展【例53】用2KX8的6116芯片組成4KX8的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu) 主存赭器及存佛控制第一步確定芯片及數(shù)屋 =>第二步與CPU相連存儲(chǔ)務(wù)的組織現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù)小結(jié)微機(jī)原

22、理與按11技術(shù)” «儲(chǔ)器脈理與接1127笫三步確定J址范Ml設(shè)計(jì)要點(diǎn):關(guān)銀是處理好地址線、數(shù)據(jù)線、片選信號(hào)線、讀寫信號(hào)線的連接。微機(jī)原理與接【1技術(shù)1!5環(huán)“儲(chǔ)習(xí)甌理與按I30澤碼幣存儲(chǔ)容分類多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)8086存儲(chǔ)器的組現(xiàn)代內(nèi)存芯Y0A10-A0主存赭器及存佛護(hù)8086AI5 A14AI3 AI? AllAIO-AO CSI/O8-1/O1GIG2AG2BF7AI0-A0 CSRAMI _ 6116 IVERAM261 16小結(jié)D7-D0芯片A15-A11A10-A0尋址范囹RAM10011 0000 0000 0000-111 1111 11113000H-37FFHRAM20011 1000 0000 0000-111 1111 11113800H-3FFFHMHOWR< & >對(duì)比:存儲(chǔ)歿分類多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)主存儲(chǔ)88及存佛控制存儲(chǔ)縣的組織現(xiàn)代內(nèi)存芯片技術(shù) 小結(jié)字長擴(kuò)展(1) 地址線共用