專升本CMOS模擬集成電路分析與設(shè)計考試答案

1、專升本CMO模擬集成電路分析 與設(shè)計考試答案作者:日期:專升本CMOS模擬集成電路分析與設(shè)計一、（共75題，共150分）1. Gordon Moore在1965年預(yù)言:每個芯片上晶體管的數(shù)目將每（）個月翻一番（2分）A.12B.18C.20D.24.標(biāo)準(zhǔn)答案：B2. MOS管的小信號輸出電阻是由MOS管的（）效應(yīng)產(chǎn)生的。 （2分）A.體B.襯偏C.溝長調(diào)制D.亞閾值導(dǎo)通.標(biāo)準(zhǔn)答案：C3.在CMOS模擬集成電路設(shè)計中，我們一般讓 MOS管工作在（）區(qū)。 （2分）A.亞閾值區(qū)B.深三極管區(qū)C.三極管區(qū)D.飽和區(qū).標(biāo)準(zhǔn)答案：D4. MOS管一旦出現(xiàn)（）現(xiàn)象，此時的 MOS管將進(jìn)入飽和區(qū)。（2分）A.

2、夾斷B.反型C.導(dǎo)電D.耗盡.標(biāo)準(zhǔn)答案：A5.（）表征了 MOS器件的靈敏度。A. tB. S（2 分）.標(biāo)準(zhǔn)答案：C6. Cascode放大器中兩個相同的NMOS管具有不相同的（）。（2分）A. *B. 3C*D?.標(biāo)準(zhǔn)答案：B7.基本差分對電路中對共模增益影響最顯著的因素是（）。（2分）A. 尾電流源的小信號輸出阻抗為有限值B. 負(fù)載不匹配C. 輸入MOS不匹配D.電路制造中的誤差.標(biāo)準(zhǔn)答案：C8.下列電路不能能使用半邊電路法計算差模增益（）。（2分）A. 二極管負(fù)載差分放大器B. 電流源負(fù)載差分放大器C. 有源電流鏡差分放大器D. Cascode負(fù)載Casocde差分放大器.標(biāo)準(zhǔn)答案：C

3、9.鏡像電流源一般要求相同的（）。（2分）A.制造工藝B.器件寬長比C.器件寬度W.標(biāo)準(zhǔn)答案：DD.器件長度L10.某一恒流源電流鏡如圖所示。忽略M3的體效應(yīng)。要使和/肛了嚴(yán)格相等，比應(yīng)取為（）。會（2 分）A %皿B%必C".標(biāo)準(zhǔn)答案：A11.選擇題:下列結(jié)構(gòu)中密勒效應(yīng)最大的是（）。（2分）A.共源級放大器B.源級跟隨器C.共柵級放大器D.共源共柵級放大器.標(biāo)準(zhǔn)答案：A12.下圖中，其中電壓放大器的增益為-A，假定該放大器為理想放大器。請計算該電路的等效輸入電阻為（）A. 1 I 上RB 1+iMcI /）D.和煮川.標(biāo)準(zhǔn)答案：A（2 分）13.對電路進(jìn)行直流工作點(diǎn)分析的 Hspi

4、ce命令是（）。（2分）A.DCB.ACC.OPDC.標(biāo)準(zhǔn)答案：C14.模擬集成電路設(shè)計中的第- 步是A.電路設(shè)計B.版圖設(shè)計C.規(guī)格定義D.電路結(jié)構(gòu)選擇.標(biāo)準(zhǔn)答案：CC. 增大人，減小7D. 減小入，增大.標(biāo)準(zhǔn)答案：A16. 模擬集成電路設(shè)計中可使用大信號分析方法的是（）。（2分）A.增益B.輸出電阻C.輸出擺幅D.輸入電阻.標(biāo)準(zhǔn)答案：C17. 模擬集成電路設(shè)計中可使用小信號分析方法的是（）。（2分）A.增益B.電壓凈空C.輸出擺幅D.輸入偏置.標(biāo)準(zhǔn)答案：A18. 在NMOS中，若-會使閾值電壓（）（2分）A.增大B.不變C.減小D.可大可小.標(biāo)準(zhǔn)答案：A19. NMOS管中，如果VB變得更

5、負(fù)，則耗盡層（）。（2分）A.不變B.變得更窄C.變得更寬D.幾乎不變.標(biāo)準(zhǔn)答案：C15.（）可提高圖中放大器的增益。分）A. 減小入，減小7B. 增大增大?20.隨著微電子工藝水平提高，特征尺寸不斷減小，這時電路的工作電壓會（）（2分）A.不斷提高B.不變C.可大可小D.不斷降低.標(biāo)準(zhǔn)答案：D21. MOS管漏電流的變化量除以柵源電壓的變化量是（）。（2分）A.電導(dǎo)B.電阻C.跨導(dǎo)D.跨阻.標(biāo)準(zhǔn)答案：C22.工作在飽和區(qū)的 MOS 管爭，可以被看作是一個（）。（2 分）A.恒壓源B.電壓控制電流源C.恒流源D.電流控制電壓源.標(biāo)準(zhǔn)答案：B23.密勒效應(yīng)最明顯的放大器是（）。（2分）A.共源極

6、放大器B.源極跟隨器C.共柵極放大器D.共基極放大器.標(biāo)準(zhǔn)答案：A24.不能直接工作的共源極放大器是（）共源極放大器（2 分）A.電阻負(fù)載B.二極管連接負(fù)載C.電流源負(fù)載D.二極管和電流源并聯(lián)負(fù)載.標(biāo)準(zhǔn)答案：C25. 模擬集成電路設(shè)計中的最后一步是（）。（2分）A.電路設(shè)計B.版圖設(shè)計C.規(guī)格定義D.電路結(jié)構(gòu)選擇.標(biāo)準(zhǔn)答案：B26. 在當(dāng)今的集成電路制造工藝中，（）工藝制造的IC在功耗方面具有最大的優(yōu)勢。 （2分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.標(biāo)準(zhǔn)答案：B27. MOS器件小信號模型中的gmb是由MOS管的（）效應(yīng)引起。 （2分）A.二級B.襯偏C.溝長調(diào)制D.亞閾

7、值導(dǎo)通.標(biāo)準(zhǔn)答案：B28. PMOS管的導(dǎo)電溝道中依靠（）導(dǎo)電。 （2分）A.電子B.空穴C.正電荷D.負(fù)電荷.標(biāo)準(zhǔn)答案：BC CDBD.CSB.標(biāo)準(zhǔn)答案：A32.下面幾種電路中增益線性度最好的是（）。 A.電阻負(fù)載共源級放大器 C.二極管負(fù)載共源級放大器.標(biāo)準(zhǔn)答案：C33.電阻負(fù)載共源級放大器中,分）A.增大器件寬長比C.降低輸入信號直流電平.標(biāo)準(zhǔn)答案：D2分）B.電流源負(fù)載共源級放大器D.源極負(fù)反饋共源級放大器F列措施不能提高放大器小信號增益的是（）0（2B.增大負(fù)載電阻D.增大器件的溝道長度L34.電阻負(fù)載共源級放大器中， 區(qū)。（2分）A.亞閾值區(qū)B.深三極管區(qū)C.三極管區(qū).標(biāo)準(zhǔn)答案：B

8、讓輸入信號從 VDD下降，NMOS管首先進(jìn)入（）D.飽和區(qū)35.下圖的共源共柵放大器中，選擇合適的偏置電壓29.當(dāng)MOS管的寬長比是定值時，其跨導(dǎo)與漏源電流的關(guān)系曲線是（）B C D （ 2 分）A.見圖B.見圖C.見圖D.見圖.標(biāo)準(zhǔn)答案：D30. 如果MOS管的柵源過驅(qū)動電壓給定，L越（），輸出電流越理想。（2 分）A. 大B.小C.近似于WD.精確.標(biāo)準(zhǔn)答案：A31. MOS電容中對電容值貢獻(xiàn)最大的是（）。（2分）A%B. Cgd增加，則先從飽和區(qū)進(jìn)入線性區(qū)的 MOS管是（） 分）A.M1C.兩個同時進(jìn)入 .標(biāo)準(zhǔn)答案：DVB，讓輸入電壓Vin從0逐漸0B.M2D.都有可能36.A.下面放大

9、器的小信號增益為（）。_ gmro（2 分）39.下圖中，其中電壓放大器的增益為-A，假定該放大器為理想放大器。請計算該電路的等效輸出電阻為（）。R（2 分）gmro1gmRsB.C. 1D. 理論上無窮大 .標(biāo)準(zhǔn)答案：A37.下列不是基本差分對電路中尾電流的作用的是（） A.為放大器管提供固定偏置 C.減小放大器的共模增益.標(biāo)準(zhǔn)答案：DoB.為放大管提供電流通路D.提高放大器的增益（2 分）A. 1 AR1潛1B. ' AC R（1 +A）RV 1AD. A.標(biāo)準(zhǔn)答案：BP38.下圖電流鏡的輸出電壓最小值為（）。A. 2V°d +2VthB 2VOD ' Vthc.

10、 2Vodd. 2Vod 2Vgs.標(biāo)準(zhǔn)答案：C（2 分）40.（）可提高圖中放大器的增益。 分）A.減小B. 僅增大1,2WC. 增大丄2D. 僅減小W.標(biāo)準(zhǔn)答案：C（241. MOS管的端電壓變化時，源極和漏極（）互換。A.能B.不能（2 分）C.不知道能不能.標(biāo)準(zhǔn)答案：AD.在特殊的極限情況下能042. CMOS工藝?yán)锊蝗菀准庸さ钠骷椋ǎ?。? 分）A.電阻B.電容C.電感D.MOS 管.標(biāo)準(zhǔn)答案：C43. MOS管的特征尺寸通常是指（）。（2 分）A.WB丄C.W/LD.tox.標(biāo)準(zhǔn)答案：B44. MOS管從不導(dǎo)通到導(dǎo)通過程中，取先出現(xiàn)的疋（）。（2 分）A.反型B.夾斷C.耗盡D.

11、導(dǎo)通.標(biāo)準(zhǔn)答案：C45.源極跟隨器通常不能用作（）。（2分）A.緩沖器B.放大器C.電平移動D.驅(qū)動器.標(biāo)準(zhǔn)答案：B46.能較大范圍提高閾值電壓的方法是（）。（2 分）A.增大MOS管尺寸B.提高過驅(qū)動電壓C.制造時向溝道區(qū)域注入雜質(zhì)D.增大襯底偏置效應(yīng).標(biāo)準(zhǔn)答案：C47. PMOS管導(dǎo)電，依靠的是溝道中的（）。（2分）A.電子B.空穴C.電荷D.電子空穴對.標(biāo)準(zhǔn)答案：B48.為了讓MOS管對外表現(xiàn)出受控電流源的特性，我們通常讓其工作在（）區(qū)分）A.截止.標(biāo)準(zhǔn)答案：DB.三極管C.線性D.飽和49. MOS管中最大的電容是（）。（2分）A.氧化層電容 .標(biāo)準(zhǔn)答案：AB.耗盡層電容C.交疊電容D

12、.結(jié)電容50. MOS器件小信號模型中的1是由MOS管的（）效應(yīng)引起。（2分）A.體.標(biāo)準(zhǔn)答案：CB.襯偏C.溝長調(diào)制D.亞閾值導(dǎo)通51.在當(dāng)今的集成電路制造工藝中，（）工藝制造的IC最容易實(shí)現(xiàn)尺寸的按比例縮小。（2分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.標(biāo)準(zhǔn)答案：B52.（）在1965年預(yù)言：每個芯片上晶體管的數(shù)目將每18個月翻一番 （2分）A.比爾蓋茨B.摩爾C.喬布斯D.貝爾.標(biāo)準(zhǔn)答案：B53.最常見的集成電路通常采用（）工藝制造。（2分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.標(biāo)準(zhǔn)答案：B54.工作在（）區(qū)的MOS管，可以被看作為電流源。（2分）

13、A.截止B.三極管C.深三極管D.飽和.標(biāo)準(zhǔn)答案：D55.工作在（）區(qū)的MOS管，其跨導(dǎo)是恒定值。（2分）A.截止B.三極管C.深三極管D.飽和.標(biāo)準(zhǔn)答案：D56.載流子溝道就在柵氧層下形成（），源和漏之間導(dǎo)通” （2分）A.夾斷層B.反型層C.導(dǎo)電層D.耗盡層.標(biāo)準(zhǔn)答案：B57.形成（）的柵源電壓叫閾值電壓（）。（2分）A.夾斷層B.反型層C.導(dǎo)電層D.耗盡層（2.標(biāo)準(zhǔn)答案：B58. NMOS管中，如果VBS變得更小，則耗盡層（）。（2 分）A.不變B.變得更窄C.變得更寬D.幾乎不變.標(biāo)準(zhǔn)答案：C59. NMOS管的導(dǎo)電溝道中依靠（）導(dǎo)電。（2分）A.電子B.空穴C.正電荷D.負(fù)電荷.標(biāo)準(zhǔn)

14、答案：AB C D （2 分）A.見圖B.見圖C.見圖D.見圖.標(biāo)準(zhǔn)答案：C.標(biāo)準(zhǔn)答案：D68.下列不是基本差分對電路中尾電流的作用的是（） A.為放大器管提供固定偏置C.減小放大器的共模增益.標(biāo)準(zhǔn)答案：D。 （2 分）B.為放大管提供電流通路D.提高放大器的增益61. MOS管的漏源電流受柵源過驅(qū)動電壓控制，我們定義（）來表示電壓轉(zhuǎn)換電流 的能力。（2分）A.跨導(dǎo)B.受控電流源 C.跨阻D.小信號增益.標(biāo)準(zhǔn)答案：A62. '為溝長調(diào)制效應(yīng)系數(shù)，對于較長的溝道，：值（）（2分）A.較大B.較小C.不變D.不定.標(biāo)準(zhǔn)答案：BA.低.標(biāo)準(zhǔn)答案：DB.般C.咼D.很高64. NMOS 管中，

15、對閾值電壓影響最大的是（）。（2分）A.VBSB.VGSC.VDSD.W/L.標(biāo)準(zhǔn)答案：A63. 共源共柵放大器結(jié)構(gòu)的一個重要特性就是輸出阻抗（）。（2分）69.下面電路的差模小信號增益為（）。A_ gm1RDB_ gm1ro4C_ （ gm1 | gm2 （ro4 | ro2 ）D_ gm1（ro4 | ro2 ）.標(biāo)準(zhǔn)答案：D（2 分）70.某一恒流源電流鏡如圖所示。忽略M3的體效應(yīng)。若讓M2管工作在飽和區(qū)邊緣,65. Cascode放大器中兩個尺寸相同的 NMOS具有相同的（）效應(yīng)。 （2分）A.溝長調(diào)制B.體C.背柵D.襯底偏置.標(biāo)準(zhǔn)答案：A66. 小信號輸出電阻相對最小的放大器是（）。（2分）A.共源級放大器B.源級跟隨器C.共柵級放大器D.共源共柵級放大器.標(biāo)準(zhǔn)答案：B67. 差分放大器中，共模輸入電平的變化不會引起差動輸出的改變的因素是（）。（2分）A.尾電流源輸出阻抗為有限值B.輸入MOS管不完全對稱C.負(fù)載不完全對稱D.輸入對管工作在飽和區(qū)Vb應(yīng)取為（）A. 2V°d + 2Vth b.2Vod VthC 2VodD 2Vod2Vgs.標(biāo)準(zhǔn)答案：B（2 分）0（2分）電路的等效輸出電阻為（）R71.下圖中，其中電壓放大器的增益為-A，假定該放大器為理想放大器。請計算該A. 1 AR1 1B. ' AC. R1 AR1 1 AD. A標(biāo)準(zhǔn)答案：