引線鍵合的失效機(jī)理

1、綜述報告一引線鍵合的失效機(jī)理引線鍵合的失效機(jī)理小組成員：08521201樊量08023205高樂08023207王全08023208 高燦08023214徐國旺08023215馮超08023130黃宏耀什么是引線鍵合，常用的焊線方法 鍵合工藝差錯造成的失效熱循環(huán)使引線疲勞而失效金屬間化合物使Au-Al系統(tǒng)失效 內(nèi)引線斷裂和脫鍵產(chǎn)生的原因及其影響 內(nèi)引線斷裂和脫鍵產(chǎn)生的原因及其影響 鍵合應(yīng)力過大造成的失效1綜述報告一引線鍵合的失效機(jī)理目錄1、引線鍵合31.1常用的焊線方法 31.1.1熱壓鍵合法31.1.2超聲鍵合法31.1.3熱超聲鍵合法 31.1.4三種各種引線鍵合工藝優(yōu)缺點比較 41.2引

2、線鍵合工藝過程 42、 鍵合工藝差錯造成的失62.1焊盤出坑72.2尾絲不一致72.3鍵合剝離72.4引線彎曲疲勞72.5鍵合點和焊盤腐蝕72.6引線框架腐蝕 82.7金屬遷移82.8振動疲勞83、內(nèi)引線斷裂和脫鍵84、金屬間化合物使 Au-Al系統(tǒng)失效94.1 Au Al系統(tǒng)中互擴(kuò)散及金屬間化合物的形成 94.2 雜質(zhì)對Au Al系統(tǒng)的影響94.3 改善方法105、熱循環(huán)使引線疲勞而失效105.1 熱循環(huán)峰值溫度對金相組織的影響105.2 熱循環(huán)峰值溫度對沖擊功的影響 105.3 引線疲勞116、鍵合應(yīng)力過大造成的失效 11參考文獻(xiàn)123綜述報告一引線鍵合的失效機(jī)理1、引線鍵合引線鍵合是芯片

3、和外部封裝體之間互連最常見和最有效的連接工藝4綜述報告一引線鍵合的失效機(jī)理#綜述報告一引線鍵合的失效機(jī)理在壓力、溫度的作用下形成連接壓頭上升JL JL 1、1常用的焊線方法1、1、1熱壓鍵合法：熱壓鍵合法的機(jī)制是低溫擴(kuò)散和塑性流動(Plastic Flow)的結(jié)合,使原子發(fā)生接觸，導(dǎo)致固體擴(kuò)散鍵合。鍵合時承受壓力的部位，在一定的時間、 溫度和壓力的周期中，接觸的表面就會發(fā)生塑性變形(Plastic Deformation)和擴(kuò)散。 塑性變形是破壞任何接觸表面所必需的，這樣才能使金屬的表面之間融合。在鍵合中 焊絲的變形就是塑性流動。該方法主要用于金絲鍵合。壓頭下降，焊球被鎖定在端部中央II

4、9;r (在壓力、溫度作用下形成第二點連接壓頭上升至一定位置，送岀尾絲引燃電弧，形成焊球進(jìn)入下一鍵合循環(huán)夾住引線，拉斷尾絲壓頭高速運(yùn)動到第二鍵合點形成弧形1、1、2超聲鍵合法：焊絲超聲鍵合是塑性流動與摩擦的結(jié)合。通過石英晶體或磁力控 制，把摩擦的動作傳送到一個金屬傳感器(Metal “HOR”)上。當(dāng)石英晶體上通電時， 金屬傳感器就會伸延；當(dāng)斷開電壓時，傳感器就會相應(yīng)收縮。這些動作通過超聲發(fā)生器 發(fā)生，振幅一般在4-5個微米。在傳感器的末端裝上焊具，當(dāng)焊具隨著傳感器伸縮前后 振動時，焊絲就在鍵合點上摩擦，通過由上而下的壓力發(fā)生塑性變形。大部分塑性變形 在鍵合點承受超聲能后發(fā)生，壓力所致的塑變只

5、是極小的一部分， 這是因為超聲波在鍵 合點上產(chǎn)生作用時，鍵合點的硬度就會變?nèi)酰雇瑯拥膲毫Ξa(chǎn)生較大的塑變。該鍵合方 法可用金絲或鋁絲鍵合。5綜述報告一引線鍵合的失效機(jī)理#綜述報告一引線鍵合的失效機(jī)理1、1、3熱超聲鍵合法：這是同時利用高溫和超聲能進(jìn)行鍵合的方法，用于金絲鍵合。#綜述報告一引線鍵合的失效機(jī)理1、1、4三種各種引線鍵合工藝優(yōu)缺點比較特性熱壓鍵合法超聲鍵合法熱超聲鍵合法可用的絲質(zhì)及 直徑Au絲© 1& © 100umAu絲，Al絲 10- © 500umAu絲 15- © 100um鍵合絲的切斷 方法高電壓（電?。?拉斷拉斷（超聲壓頭）

6、 拉斷（送絲壓頭） 高電壓（電?。└唠妷海娀。?拉斷優(yōu)點鍵合牢固，強(qiáng)度高； 在略粗糙的表面上 也能鍵合；鍵合工藝 簡單無需加熱；對表 面潔凈度不十 分敏感；與熱壓鍵合法相 比，可以在較低溫 度、較低壓力下實 現(xiàn)鍵合缺點對表面清潔度很敏 感；應(yīng)注意溫度對元 件的影響對表面粗糙度 敏感；工藝控制 復(fù)雜需要加熱；與熱壓 法相比工藝控制要 復(fù)雜些其他適用于單片式LSI最適合采用Al 絲適用于多芯片LSI 的內(nèi)部布線連接1、2引線鍵合工藝過程引線鍵合的工藝過程包括：焊盤和外殼清潔、弓I線鍵合機(jī)的調(diào)整、弓I線鍵合、檢查。外殼清潔方法現(xiàn)在普遍采用分子清潔方法即等離子清潔或紫外線臭氧清潔。（1）等離子清潔一

7、一該方法采用大功率 RF源將氣體轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子體，高速氣體離子轟擊 鍵合區(qū)表面，通過與污染物分子結(jié)合或使其物理分裂而將污染物濺射除去。所采用的氣體一般為Q、Ar、M、80%A葉20%0或80%G+20%A。另外Q/N2等離子也有應(yīng)用，它是有效去除環(huán)氧樹脂的除氣材料。(2) 外線臭氧清潔通過發(fā)射184.9 mm和253.7 mm波長的輻射線進(jìn)行清潔。過程如下：184.9 nm波長的紫外線能打破 Q分子鏈?zhǔn)怪稍討B(tài)(0+0),原子態(tài)氧又與其它氧分 子結(jié)合形成臭氧O。在253.7n m波長紫外線作用下臭氧可以再次分解為原子氧和分子 氧。水分子可以被打破形成自由的 0H根。所有這些均可以與碳?xì)浠衔锓?/p>

8、應(yīng)以生成 CQ+HQ,并最終以氣體形式離開鍵合表面。253.7n m波長紫外線還能夠打破碳?xì)浠?物的分子鍵以加速氧化過程。盡管上述兩種方法可以去除焊盤表面的有機(jī)物污染，但 其有效性強(qiáng)烈取決于特定的污染物。例如，氧等離子清潔不能提高Au厚膜的可焊性， 其最好的清潔方法是 Q+Ar等離子或溶液清洗方法。另外某些污染物，如Cl離子和F 離子不能用上述方法去除，因為可形成化學(xué)束縛。因此在某些情況還需要采用溶液清 洗，如汽相碳氟化合物、去離子水等。(3) 引線鍵合工藝有球鍵合工藝和楔鍵合工藝兩種。球鍵合一般采用D75ym以下的細(xì)Au絲。主要是因為其在高溫受壓狀態(tài)下容易變形、 抗氧化性能好、成球性好。球

9、鍵合一般用于焊盤間距大于100ym的情況下。目前也有用于50卩m焊盤間距的例子。楔鍵合工藝既適用于 Au絲，也適用于Al絲。二者的區(qū)別在于Al絲采用室溫下的超 聲波鍵合，而Au絲采用150C下的熱超聲鍵合。楔鍵合的一個主要優(yōu)點是適用于精 細(xì)尺寸，如50um以下的焊盤間距。但由于鍵合工具的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動，其總體速度低于熱 超聲球鍵合。最常見的楔鍵合工藝是 Al絲超聲波鍵合，其成本和鍵合溫度較低。而 Au絲楔鍵合的主要優(yōu)點是鍵合后不需要密閉圭寸裝，由于楔鍵合形成的焊點小于球鍵 合，特別適用于微波器件。(6)鍵合的方式有兩種。正焊鍵合：第一點鍵合在芯片上，第二點鍵合在封裝外殼上； 反焊鍵合：第一點鍵合在外

10、殼上，第二點鍵合在芯片上。采用正焊鍵合時，芯片上 鍵合點一般有尾絲；采用反焊鍵合時，芯片上一般是無尾絲的。究竟采用何種鍵合 方式鍵合電路，要根據(jù)具體情況確定。2、鍵合工藝差錯造成的失效2、1焊盤出坑出坑通常出現(xiàn)于超聲波鍵合中，是指對焊盤金屬化層下面半導(dǎo)體材料層的損傷。這種損 傷有時是肉眼可見的凹痕，更多是不可見的材料結(jié)構(gòu)損傷。這種損傷將降低器件性能并 引發(fā)電損傷。其產(chǎn)生原因如下：(1) 超聲波能量過高導(dǎo)致Si晶格層錯；(2) 楔鍵合時鍵合力過高或過低：(3) 鍵合工具對基板的沖擊速度過大，一般不會導(dǎo)致Si器件出坑，但會導(dǎo)致、 GaAs器件出坑；(4) 球鍵合時焊球太小致使堅硬的鍵合工具接觸到了

11、焊盤金屬化層；(5) 焊盤厚度太薄。13卩m厚的焊盤損傷比較小，但0. 6卩m以下厚度的焊盤可能存 在問題；(6) 焊盤金屬和引線金屬的硬度匹配時鍵合質(zhì)量最好，也可以最小化出坑現(xiàn)象；(7) Al絲超聲波鍵合時金屬絲太硬可能導(dǎo)致 Si片出坑。2、2尾絲不一致這是楔鍵合時最容易發(fā)生的問題，而且也是最難克服的?？赡艿漠a(chǎn)生原因如下：(1) 引線表面骯臟；(2) 金屬絲傳送角度不對；(3) 楔通孔中部分堵塞；(4) 用于夾斷引線的工具骯臟；(5) 夾具間隙不正確；(6) 夾具所施加的壓力不對；(7) 金屬絲拉伸錯誤。尾絲太短意味著作用在第1個鍵合點上的力分布在一個很小的面積上，這將導(dǎo)致過量變 形。而尾絲

12、太長可能導(dǎo)致焊盤間短路。2、3鍵合剝離一剝離是指拉脫時鍵合點跟部部分或完全脫離鍵合表面 ，斷口光滑。剝離主要是由工藝參 數(shù)選擇錯誤或鍵合工具質(zhì)量下降引起。它是鍵合相關(guān)失效的一個很好的早期信號。2、4引線彎曲疲勞這種失效的起因在于引線鍵合點跟部出現(xiàn)裂紋。原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。已有的試驗結(jié)果表明：(1) 溫度循環(huán)條件下,Al絲超聲波鍵合比Al絲熱壓鍵合更為可靠；(2) 含0. 1 %Mg的Al絲要好于含1 %Si的Al絲；(3) 引線閉環(huán)的高度至少應(yīng)該是鍵合點間距的 25 %以減輕彎曲。2、5鍵合點和焊盤腐蝕腐蝕可導(dǎo)致引線一端或兩端完全斷開，從而使引線在封裝

13、內(nèi)自由活動并造成短路。潮濕 和污物是造成腐蝕的主要原因。例如，鍵合位置上存在Cl或Br將導(dǎo)致形成氯化物或溴 化物，腐蝕鍵合點。腐蝕將導(dǎo)致鍵合點電阻增加直至器件失效。絕大多數(shù)情況下，封裝材料在芯片表面和相鄰鍵合點施加了一個壓力，只有腐蝕非常嚴(yán)重才會出現(xiàn)電連接問題。2、6引線框架腐蝕起因是殘余應(yīng)力過大，或者在為防止引線框架基體金屬（42合金或Cu）腐蝕而進(jìn)行的表 面鍍層（如Ni）工藝中引入了過多的表面污染。最敏感的區(qū)域是密封化合物材料與引線 框架的界面處。2、7金屬遷移是指從鍵合焊盤處開始的金屬枝晶生長。這是一個金屬離子從陽極區(qū)向陰極區(qū)遷移的電 解過程,與金屬的可獲得性、離子種類、電勢差等相關(guān)。金

14、屬遷移將導(dǎo)致橋連區(qū)的泄露 電流增加,如果橋連完全形成則造成短路。最為廣泛報道的是Ag遷移。其它金屬,如Pb Sn Ni、Au和Cu也存在遷移現(xiàn)象。因為與失效相關(guān),這是一種逐漸失效現(xiàn)象。2、8振動疲勞可能產(chǎn)生諧振并因此損傷鍵合點的最小頻率，對于Au絲為35 kHz ,AI 絲為10 kHz。一般而言, 引線鍵合的振動疲勞失效發(fā)生于超聲波清洗過程， 因此超聲波清洗設(shè)備的諧振頻率應(yīng)在 20100 kHz 以內(nèi)。3、內(nèi)引線斷裂和脫鍵內(nèi)引線斷裂的方式一般分為三類：弓I線中間斷裂；弓I線在近鍵合點的根部裂；脫鍵。（1）引線中間斷裂引線中間斷裂不一定在早期失效中出現(xiàn)，因為它和內(nèi)引線存在損傷的程度和由損傷 誘

15、發(fā)的機(jī)理有關(guān)。鍵合絲的損傷使引線損傷部位面積變小，將導(dǎo)致：電流密度加大, 使損傷部位易被燒毀；抗機(jī)械應(yīng)力的能力降低，會造成內(nèi)引線損傷處斷裂。產(chǎn)生損 傷的原因：一是鍵合絲受到機(jī)械損傷，二是鍵合絲受到了化學(xué)腐蝕的侵蝕（2）鍵合絲在近鍵合點的根部斷裂這種現(xiàn)象的發(fā)生主要是由工藝所引入的。存在鉈 （TI）污染源,Tl可以與 Au形成低熔點的共晶相并從鍍 Au的引線框架傳輸?shù)紸u絲中。鍵合點形 成過程中,Tl可以快速擴(kuò)散并在球頸以上的晶界處富集形成共晶相。在塑 性密封或溫度循環(huán)時，球頸斷裂,器件失效。(3) 鍵合點脫鍵隱患自動引線鍵合技術(shù)中，半導(dǎo)體器件鍵合點脫落是最常見的失效模式。這種失效模式 用常規(guī)篩選

16、和測試很難剔除，只有在強(qiáng)烈振動下才可能暴露出來，因此對半導(dǎo)體器 件的可靠性危害極大?？赡苡绊憙?nèi)引線鍵合可靠性的因素主要有：<1>界面上絕緣層的形成在芯片上鍵合區(qū)光刻膠或窗口鈍化膜未去除干凈，可形成 絕緣層。管殼鍍金層質(zhì)量低劣，會造成表面疏松、發(fā)紅、鼓泡、起皮等。金屬間鍵 合接觸時，在有氧、氯、硫、水汽的環(huán)境下，金屬往往與這些氣體反應(yīng)生成氧化物、 硫化物等絕緣夾層，或受氯的腐蝕，導(dǎo)致接觸電阻增加 ，從而使鍵合可靠性降低。<2>金屬化層缺陷，金屬化層缺陷主要有：芯片金屬化層過薄，使得鍵合時無緩沖 作用，芯片金屬化層出現(xiàn)合金點，在鍵合處形成缺陷；芯片金屬化層粘附不牢，最 易掉

17、壓點。<3>表面沾污，原子不能互擴(kuò)散包括芯片、管殼、劈刀、金絲、鑷子、鎢針，各個 環(huán)節(jié)均可能造成沾污。外界環(huán)境凈化度不夠，可造成灰塵沾污；人體凈化不良，可 造成有機(jī)物沾污及鈉沾污等；芯片、管殼等未及時處理干凈，殘留鍍金液，可造成 鉀沾污及碳沾污等，這種沾污屬于批次性問題，可造成一批管殼報廢，或引起鍵合 點腐蝕，造成失效；金絲、管殼存放過久，不但易沾污，而且易老化，金絲硬度和 延展率也會發(fā)生變化。<4>材料間的接觸應(yīng)力不當(dāng)，鍵合應(yīng)力包括熱應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力和超聲應(yīng)力。鍵合應(yīng) 力過小會造成鍵合不牢，但鍵合應(yīng)力過大同樣會影響鍵合點的機(jī)械性能。應(yīng)力大不 僅會造成鍵合點根部損傷，引起

18、鍵合點根部斷裂失效，而且還會損傷鍵合點下的芯 片材料，甚至出現(xiàn)裂縫。4、金屬間化合物使Au-Al系統(tǒng)失效4、1 Au Al系統(tǒng)中互擴(kuò)散及金屬間化合物的形成Au - Al系統(tǒng)中互擴(kuò)散及金屬間化合物的形成過程如下：(1) 在鍵合的早期階段,Au - Al之間形成一很薄的擴(kuò)散層,其成分為AuAl2 (紫斑)；(2) 進(jìn)一步受熱導(dǎo)致Au - Al擴(kuò)散繼續(xù),隨著Au不斷向Al薄膜中擴(kuò)散,純Al層消失。 與此同時,在Au絲球一側(cè)形成Au5AI2化合物層；(3) 擴(kuò)散層厚度不會無限增加，這是因為Al的來源有限而且二者之間互擴(kuò)散速度存在差 別。定義D為擴(kuò)散速度，DAu - Al > DAl - Au。假

19、設(shè)初始Al薄膜厚度為1卩m , 總的擴(kuò)散層厚度約為45卩m進(jìn)一步受熱則Au向擴(kuò)散層中擴(kuò)散并在Au絲球一側(cè)形成Au4Al ,并向半導(dǎo)體芯片一側(cè)生長；(4) 進(jìn)一步受熱則Au向擴(kuò)散層中的擴(kuò)散繼續(xù)，并最終使擴(kuò)散層成分僅為 Au5Al2和Au4Al o同時由于kirkendall效應(yīng)，擴(kuò)散層周圍將有空洞產(chǎn)生；(5) 如果繼續(xù)受熱,無空洞位置的Au的擴(kuò)散進(jìn)一步加強(qiáng),導(dǎo)致在中央部位形成Au4Al 層；(6) 對于塑封IC ,由于樹脂材料中的阻燃劑含溴化物,它將成為Au4Al層中Al氧化的催化劑。溴化物穿過空洞進(jìn)入鍵合點并氧化Au4Al層中的Al ,從而在Au球中央和化合物層之間的界面處形成一高電阻層，這將

20、導(dǎo)致一種斷開失 效。4、2雜質(zhì)對A Al系統(tǒng)的影響在引線開發(fā)的最初階段，其主要目的是為了增強(qiáng)機(jī)械強(qiáng)度例如引線結(jié)構(gòu)和引線長度的控 制，因此沒有太多考慮金屬間的斷裂問題。但是隨著焊盤間距的不斷減小和控制窗口的 不斷變窄，弓I線鍵合技術(shù)的發(fā)展開始受到金屬間相問題的束縛。迄今為止，弓I線摻雜效 應(yīng)還沒有得到深入的研究。通過添加摻雜雜質(zhì)和減緩金屬間相的擴(kuò)散速度被認(rèn)為是減少 金屬間失效的唯一手段。實際上，摻雜濃度為100ppm時摻雜雜質(zhì)并不能有效地阻止金屬間相的生長。為此，一些常用引線中摻雜雜質(zhì)的含量被提高到1%此時摻雜雜質(zhì)能夠阻止Au和Al的擴(kuò)散。但是其效果沒有我們預(yù)期的那么好，而且還會降低引線的電導(dǎo)率

21、。 因此，我們需要能夠更加有效地解決這些問題的新方法，而且不能影響電導(dǎo)率性能。4、3改善方法金屬間失效的主要原因有很多，因此很難通過控制一個因素將其降低到最小程度。我們 能做的是選擇最佳EMC以減小封裝應(yīng)力、選擇最佳毛細(xì)管劈刀類型以形成更致密的金屬 間相，以及優(yōu)化工藝參數(shù)以盡量減小不規(guī)則生長程度和提高初始金屬間相覆蓋率。研究 結(jié)果顯示最有效的影響因素是引線類型。毛細(xì)管劈刀類型也會影響金屬間相的形成。但 是，當(dāng)金屬間相覆蓋率大于70%寸，金屬間相覆蓋率不再是主要因素。當(dāng)我們將焊盤間 距為70um的毛細(xì)管劈刀和引線類型用于40um時，我們將遇到HT測溫度循環(huán)失效問題。 但是，通過選擇最佳毛細(xì)管劈刀

22、類型、引線類型和 EMC我們可以在可靠性性能上取得 很好的改善效果。5、熱循環(huán)使引線疲勞而失效5、1熱循環(huán)峰值溫度對金相組織的影響熱循環(huán)不同峰值溫度條件下的金相組織如圖1所示。由圖1可看出，當(dāng)熱循環(huán)峰值溫度為1350r時，冷卻后轉(zhuǎn)變成粗大的低碳馬氏體+少量的側(cè)板條貝氏體組織。當(dāng)熱循環(huán)峰值溫度為950 r時，冷卻后組織明顯細(xì)化。當(dāng)熱循環(huán)峰值溫度為750 r時，對應(yīng)于熱影響區(qū)的部分淬火區(qū)，因高溫停留時間短，奧氏體成分均勻化很不充分，使該區(qū)組織為鐵 素體+粒狀貝氏體組織。峰值溫度為 600 r時，未超過調(diào)質(zhì)處理時的高溫回火溫度，組 織以回火索氏體為主。5、2熱循環(huán)峰值溫度對沖擊功的影響經(jīng)不同峰值溫度

23、熱循環(huán)作用下，隨著熱循環(huán)峰值溫度的提高，沖擊功下降。當(dāng)熱循環(huán)峰 值溫度超過1100r后，沖擊功已降低到較低水平。由此可以看出，隨著熱循環(huán)峰值溫 度的增加，晶粒長大傾向增大，當(dāng)熱循環(huán)峰值溫度為1350 r時，奧氏體晶粒嚴(yán)重長大,致使該區(qū)沖擊功最低。5、3引線疲勞在Au納米引線的熱疲勞測試中，將正弦交變電壓（Vpp= 10V）輸入引線，從而在引線 中產(chǎn)生交變熱應(yīng)力。實驗中交變電壓信號的頻率為 50Hz 100Hz。如設(shè)由于交變電信號 在引線中產(chǎn)生的溫度變化為 T,則引線中產(chǎn)生的熱應(yīng)變?yōu)?& =( aAiSi) 其中(a Aa Si) 為Au和Si的熱膨脹系數(shù)之(a Au1.42 x 15/

24、oC; a Si =3-6/dC)o這一應(yīng)變將導(dǎo)致Au引線經(jīng)歷壓-壓疲勞循環(huán)。在實驗中，記錄每一試件的疲勞失效壽 命(指引線開路時的疲勞循環(huán)次數(shù))，并同時通過SEM觀察引線表面的形貌變化。表給出 了長度為20叩，三種不同寬度Au引線在相同交變電壓信號(Vpp=10V),不同電壓頻率 作用下的疲勞失效結(jié)果。對于同樣的輸入電壓隨著引線線寬的減小，其失效循環(huán)次數(shù)明顯減少。產(chǎn)生這一結(jié)果有 兩個原因，其一是由于引線寬度的減少，導(dǎo)致其橫截面積相應(yīng)地減少，這樣在相同的電 壓作用下，較窄的引線中將形成較大的電流，而隨著電流的增加，將在導(dǎo)線中引起較高 的溫度及較大的熱應(yīng)力，從而加速了引線的疲勞失效；其二是由于本文的納米引線厚度 僅35nm，寬度從500nm到150nm,弓I線材料中晶粒在厚度方向?qū)⑿∮?35nm，在寬度 方向小于100 nm o和以往研究者所利用的微米到亞微米晶粒相比，細(xì)化后的晶粒能夠擬 制位錯的運(yùn)動，因而導(dǎo)致引線失效的原因可能是由局部界面損傷引起引線在寬度方向的 破壞所控制。因此較寬和較薄的引線將具有更長的疲勞壽命。結(jié)合中引線失效時的顯微 圖片可以看到，在納米引線的表面并沒有發(fā)現(xiàn)類似于體材料疲勞時由于往復(fù)的位錯運(yùn)動 導(dǎo)致的滑移在薄膜表面形成平行的起皺圖案(體材料在機(jī)械疲勞載荷作用下的擠出和擠 入機(jī)制，在這