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文檔簡介

1、實驗平臺介紹傳感器教學(xué)實驗系列nextsense是針對傳感器教學(xué),虛擬儀器教學(xué)等基礎(chǔ)課程設(shè)計的教學(xué)實驗?zāi)K。nextsense系列配合泛華通用工程教學(xué)實驗平臺nextboard使用,可以完成熱電偶、熱敏電阻、RTD熱電阻、光敏電阻、霍爾元件等傳感器的課程教學(xué)。課程提供傳感器以及調(diào)理電路,內(nèi)容涵蓋傳感器特性描繪、電路模擬以及實際測量等。圖1 nextboard實驗平臺nextboard具有6個實驗?zāi)K插槽;提供兩塊標(biāo)準(zhǔn)尺寸的面包板,用戶可自搭實驗電路;為NI 數(shù)據(jù)采集卡提供信號路由,可完全替代NI數(shù)據(jù)采集卡接線盒功能,輕松使用數(shù)據(jù)采集卡資源;還為實驗?zāi)K和自搭電路提供電源,既可用于有源電路供電,

2、也可作為外接設(shè)備供電。實驗?zāi)K區(qū)共有6個插槽,分別為4個模擬插槽Analog Slot 1-4,2個數(shù)字插槽Digital Slot 1-2。數(shù)據(jù)采集卡的模擬通道和數(shù)字通道分配到實驗?zāi)K區(qū)的Analog Slot 和Digital Slot 上。Analog Slot 模擬插槽用于那些需要使用模擬信號的實驗?zāi)K。Digital Slot 數(shù)字插槽用于那些需要同時使用多個數(shù)字信號或脈沖信號的實驗?zāi)K。圖2 模擬插槽和數(shù)字插槽特別需要注意的是:(1)在使用所有模塊之前,都要先區(qū)分模塊的類型:帶有正弦波標(biāo)記的為模擬實驗?zāi)K,需要插在Analog Slot 上使用;帶有方波標(biāo)記的為數(shù)字模塊,需要查在D

3、igital Slot 上使用。如果插錯插槽,會導(dǎo)致模塊工作不正常,甚至損壞模塊。(2)插拔實驗?zāi)K前關(guān)閉nextboard電源。(3)開始實驗前,認(rèn)真檢查模塊跳線連接,避免連接錯誤而導(dǎo)致的輸出電壓超量程,否則會損壞數(shù)據(jù)采集卡。Nextboard的連線:(1)電源線,把220V的電源通過一個15V的直流變壓器,送到實驗臺上。(2)數(shù)據(jù)采集卡,將數(shù)據(jù)采集卡的插頭與實驗臺可靠連接。光敏電阻實驗實驗?zāi)康?、了解光敏電阻的特性2、熟悉光敏電阻的常見測量電路及使用方法實驗設(shè)備Nextboard熱敏電阻模塊電腦實驗原理光敏電阻器是利用半導(dǎo)體的光電效應(yīng)制成的一種電阻值隨入射光的強弱而改變的電阻器;入射光強,

4、電阻減小,入射光弱,電阻增大,其結(jié)構(gòu)一般如下圖所示。圖1 光敏電阻結(jié)構(gòu)光照射半導(dǎo)體材料時,材料吸收光子而產(chǎn)生電子-空穴對,使導(dǎo)電性能增加,電導(dǎo)率增加。這種光照后電導(dǎo)率發(fā)生變化的現(xiàn)象稱為光電導(dǎo)效應(yīng)。不同的半導(dǎo)體材料產(chǎn)生光電導(dǎo)的光譜范圍不同,常用的光敏電阻材料有硫化鎘(CdS),硒化鎘(CdSe),硒化鉛(PbSe),碲化鉛(PbTe)等。本實驗采用硫化鎘材料光敏電阻,型號VT3N3。光敏電阻器一般用于光的測量、光的控制和光電轉(zhuǎn)換(將光的變換轉(zhuǎn)換為電的變化)。在黑暗條件下,它的阻值(暗阻)可達(dá)110M,在強光條件(100lux)下,它的阻值(亮阻)僅有幾百至數(shù)千歐姆。實驗內(nèi)容、步驟和數(shù)據(jù)處理1、安

5、裝Nextboard 實驗臺(連接電源線和數(shù)據(jù)采集卡的連線),將光敏電阻模塊插在實驗臺的模擬插槽上。打開實驗臺電源,實驗臺右上角綠色發(fā)光二極管燈亮,光敏電阻模塊上的綠色發(fā)光二極管也燈亮。2、光敏電阻的靈敏度測試(1)根據(jù)特性曲線,找出光敏電阻的最大值(暗電阻)和最小值(亮電阻),估算靈敏度,記錄下來。(2)靈敏度測試區(qū),在光照充足的情況下,測量光敏電阻的亮阻阻值,記錄下來。(3)靈敏度測試區(qū),用手指完全遮蓋住光敏電阻的感光面,測量光敏電阻的暗阻阻值,記錄下來。亮電阻(K)暗電阻(K)靈敏度(暗電阻/亮電阻)估算值實測值3、固定光照條件下,測量光敏電阻的伏安特性,記錄下來。(1)測量電路的電流由

6、恒流源提供,AO從-0.1-1.9之間取若干值,該電流大小的計算公式為AO/10K。(2)使用萬用表測量直流電壓的檔位測量Vout的值,測量點參考實驗面板提示。(3)通過公式RG= Vout/I, 計算得出光敏電阻的阻值。光源數(shù)AO(V)I (mA)Vout(V)RG(K)1(僅有1個發(fā)光二極管亮,然后用遮光罩蓋住光敏電阻。)4、固定電流,AO= 1.5 V通過撥碼開關(guān)調(diào)整光照條件,手動測量當(dāng)前光敏電阻的輸出電壓,計算其阻值,通過使用特性曲線中的游標(biāo),估算光照強度。(用遮光罩蓋住光敏電阻)光源數(shù)Vout(V)RG(K)照度(lux)全暗1個燈亮2個燈亮3個燈亮4個燈亮5、使用實驗面板中的自動測

7、量功能,重復(fù)上述實驗,查看數(shù)據(jù)和波形,核對手動測量的數(shù)據(jù),記錄自動測量數(shù)據(jù)和波形。光源數(shù)RG(K)照度(lux)全暗1個燈亮2個燈亮3個燈亮4個燈亮思考題為什么測量光敏電阻的靈敏度時,其阻值采用直接測量法;而測量不同光照條件下光敏電阻阻值時,卻采用間接測量法?后一種情況下,能采用直接測量法嗎?熱敏電阻實驗實驗?zāi)康?、了解B值對熱敏電阻的特性曲線的影響2、熟悉熱敏電阻的常見測量電路及使用方法實驗設(shè)備Nextboard熱敏電阻模塊電腦實驗原理熱敏電阻是一種半導(dǎo)體感溫元件,它是利用半導(dǎo)體的電阻值隨溫度變化而顯著變化的特性實現(xiàn)測溫。按照溫度特性熱敏電阻可分為三大類:隨溫度上升電阻值減小的負(fù)溫度系數(shù)(N

8、TC)熱敏電阻;隨溫度上升電阻值增加的正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻以及臨界溫度系數(shù)(CTR)熱敏電阻。其中NTC和PTC較為常用。在一定溫度范圍內(nèi),PTC和NTC熱敏電阻的電阻-溫度特性可分別用一下實驗公式表示:RT=RT0eB(T-T0)(1)RT=RT0eB1/T-1/T0(2)其中,RT為絕對溫度為T(K)時的電阻值、RT0為絕對溫度為T0(K)時的電阻值。B為材料常數(shù),它不僅與材料性質(zhì)有關(guān),而且與溫度有關(guān),在一個不太大的范圍內(nèi),B是常數(shù)。以上公式中的溫度值均為絕對溫度。本實驗采用NTC熱敏電阻,R0=10K,B=3750。根據(jù)公式(2)可以獲得相對溫度T()的表達(dá)式:T=11T0+1B

9、*lnRR0-273.15(3)半導(dǎo)體熱敏電阻有很高的溫度系數(shù),靈敏度高,適用于在0-150之間測量。實驗內(nèi)容、步驟和數(shù)據(jù)處理1、安裝Nextboard 實驗臺(連接電源線和數(shù)據(jù)采集卡的連線),將熱敏電阻模塊插在實驗臺的模擬插槽上。將兩個熱敏電阻分別接入恒流源電路和分壓法電路的Rt處。(用一字螺絲刀將綠色接線柱上的螺絲擰松,在左邊松開的插口中插入熱敏電阻的兩個金屬端,再擰緊螺絲。用手拉一下熱敏電阻的連接線,確保牢固可靠的接觸。)打開實驗臺電源,實驗臺右上角綠色發(fā)光二極管燈亮,熱敏電阻模塊上的綠色發(fā)光二極管燈亮。2、相關(guān)參數(shù)的核實(1)測量所有備選電阻,記錄下來,并將軟件(仿真與測量選項卡)默認(rèn)

10、值改為實測值。電阻默認(rèn)值(K)102030電阻實測值(K)(2)實測恒流源和分壓法的Vcc,記錄下來,并在軟件(仿真與測量選項卡)里的這兩個空格填入實測值 。恒流源Vcc(V)分壓法Vcc(V)3、利用恒流源電路對熱敏電阻進(jìn)行測量(1)固定溫度下,修改恒流源電路中跨接電阻值(Ri),手動測量熱敏電阻的伏安特性,記錄相關(guān)數(shù)據(jù)。根據(jù)數(shù)據(jù),分析當(dāng)前環(huán)境下的室溫。注意:電壓Vt可以直接在接熱敏電阻的綠色接線柱上測量,Rt可以利用I=Vcc/Ri=Vt/Rt計算得到,T則利用R-T特性曲線換算得到。注意:在仿真與測量選項卡中,仿真電路的備選電阻Ri的值、修改過實測值的備選電阻與實際連線中選用的備選電阻三

11、者保持一致。 Vt(V)I (mA)Rt(K)T()Ri=10 KRi=20 KRi=30 K(2)利用自動測量功能,進(jìn)行數(shù)據(jù)核實。注意:在自動測量選項卡中,電路中使用的備選電阻Ri的值與實際連線保持一致。點擊“Refresh”,確認(rèn)采集配置,然后開始自動測量。(若點擊“Refresh”,采集配置還是空白,則可能是實驗?zāi)K沒有插好,或者數(shù)據(jù)采集線沒有與實驗臺可靠連接。)Rt(K)T()Ri=10 KRi=20 KRi=30 K(3)固定恒流源電路中跨接電阻值Ri=10 K,改變溫度(將熱敏電阻握在手里),手動測量熱敏電阻的兩端的輸出電壓Vt,根據(jù)R-T特性曲線換算出當(dāng)前的溫度值,記錄開始和結(jié)束

12、情況下的數(shù)據(jù)。(開始約三秒,記錄第一個數(shù)據(jù);等待約3-5分鐘,記錄第二個數(shù)據(jù)。)Vt(V)I (mA)Rt(K)T()(4)固定恒流源電路中跨接電阻值Ri=10 K,改變溫度(將握在手里的熱敏電阻松開)使用實驗面板中的自動測量功能,查看數(shù)據(jù)和波形,記錄相關(guān)數(shù)據(jù)和R-T波形。Rt(K)T()4、利用分壓電路對熱敏電阻進(jìn)行測量(1)固定溫度下,修改分壓法電路中跨接電阻值(Ri),手動測量熱敏電阻的伏安特性,記錄相關(guān)數(shù)據(jù)。注意:電壓Vt可以直接在接熱敏電阻的綠色接線柱上測量得到,Rt利用Vcc/(Ri+Rt)=Vt/Rt計算得到,T則利用R-T特性曲線換算得到。Vt(V)Rt(K)T()Ri=10

13、KRi=20 KRi=30 K(2)固定分壓法電路中跨接電阻值Ri=20 K,改變溫度(將熱敏電阻握在手里),手動測量熱敏電阻的兩端的輸出電壓Vt,根據(jù)R-T特性曲線換算出當(dāng)前的溫度值,記錄開始和結(jié)束情況下的數(shù)據(jù)。Vt(V)Rt(K)T()(3)固定分壓法電路中跨接電阻值Ri=20 K,改變溫度(將握在手里的熱敏電阻松開)使用實驗面板中的自動測量功能,查看數(shù)據(jù)和波形,記錄相關(guān)數(shù)據(jù)和R-T波形。Rt(K)T()思考題1、熱敏電阻NTC、PTC是如何定義的,各有什么用途?2、B值對熱敏電阻特性曲線有何影響?霍爾傳感器實驗實驗?zāi)康?、了解霍爾式傳感器的原理與特性2、掌握霍爾式傳感器的基本用法實驗設(shè)備

14、Nextboard霍爾傳感器模塊電腦實驗原理基于霍爾效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件稱為霍爾元件。假設(shè)霍爾元件通電電流為IS,當(dāng)磁場作用于霍爾元件時,電子將受到洛倫茲力的作用發(fā)生偏轉(zhuǎn),如圖1虛線所示。半導(dǎo)體的上下方向積聚的電荷形成了電場(EH)。當(dāng)EH對電子的作用力fE足夠抵消洛倫茲力fB時,電子積累達(dá)到平衡。此時的電勢稱為霍爾電勢。霍爾電勢隨外磁場強度增加而增加。圖1 霍爾效應(yīng)原理圖霍爾元件的種類有線性霍爾元件和開關(guān)型霍爾元件。其中,開關(guān)型霍爾元件由半導(dǎo)體霍爾元件材料的輸出電壓經(jīng)過放大器放大后,送至施密特整形電路將線性變化量轉(zhuǎn)換為開關(guān)量。線性霍爾元件常用于磁場測量、電壓測量。開關(guān)型霍爾元件常用于速度

15、、位置測量。實驗內(nèi)容、步驟和數(shù)據(jù)處理1、安裝Nextboard 實驗臺(連接電源線和數(shù)據(jù)采集卡的連線),將霍爾傳感器模塊插在實驗臺的數(shù)字和模擬兩個插槽上(實驗臺的左上角或左下角)。2、手動測量線型霍爾元件的輸出電壓(1)附件中的下圓盤片用固定PVC螺絲固定在實驗?zāi)K右側(cè),如下圖2左所示,使紅色箭頭處于垂直。固定完成后將上圓盤片疊放在下盤片上。使紅色箭頭指向上盤片的角度刻度。當(dāng)箭頭指向角度刻度的0°位置時,上盤片的深、淺槽與霍爾傳感器的測試面垂直,不同導(dǎo)槽對應(yīng)不同大小的磁片,深導(dǎo)槽對應(yīng)附件中的4mm大磁片。進(jìn)行霍爾實驗時將磁片放置在霍爾測試面所面對的導(dǎo)槽,如下圖2右所示。(2)將磁片從

16、圓盤上取走,手動測量零磁場情況下的傳感器輸出值,記錄零磁場電壓。(3)使紅色箭頭指向上盤片的0°,固定圓盤角度,推動導(dǎo)槽中磁片,至1cm位置,如下圖,手動測量霍爾傳感器輸出電壓,借助特性曲線計算當(dāng)前磁感應(yīng)強度;推動導(dǎo)槽中磁片,至0.5cm位置,重復(fù)測量并填寫表格。0.5cm以內(nèi)可以每0.1cm測試一次。結(jié)束后,將紅色箭頭指向30°和-30°,重復(fù)上述實驗,最終完成下表。觀察電壓輸出和永磁片相對位置間的關(guān)系。淺槽霍爾測試面深槽圖2 圓盤及磁片放置方法零磁場電壓(V)位移(cm)0.20.30.40.50.70.91.10º電壓(V)磁感應(yīng)強度(B)30&#

17、186;電壓(V)-30º電壓(V)(4)需要更換3mm小磁片時,先將淺槽旋轉(zhuǎn)至霍爾測試面(刻度盤整體轉(zhuǎn)動180º),再將3mm磁片放置在淺槽中進(jìn)行實驗。此時導(dǎo)槽的斜角可以用上方的紅色箭頭所指向角度值獲取,如下圖3。圖3 圓盤放置方法(5)使紅色箭頭指向上盤片的0°,固定圓盤角度,推動導(dǎo)槽中磁片,至0.2cm位置,手動測量霍爾傳感器輸出電壓,借助特性曲線計算當(dāng)前磁感應(yīng)強度;推動導(dǎo)槽中磁片,至0.5cm位置,重復(fù)測量并填寫表格。0.5cm以內(nèi)可以每0.1cm測試一次。結(jié)束后,將紅色箭頭指向30°,重復(fù)上述實驗,完成下表。位移(cm)0.20.30.40.5

18、0.70.91.10º電壓(V)磁感應(yīng)強度(B)30º電壓(V)-30º電壓(V)3、使用實驗面板中的自動測量功能。(1)圓盤上不要放磁鐵片,開始自動測量。此時,“線型霍爾歷史數(shù)據(jù)”處獲得的是零磁場電壓,點擊“Save”保存零磁場電壓。記錄下這個電壓值。(2)調(diào)整刻度圓盤,將深導(dǎo)槽轉(zhuǎn)至霍爾傳感器右側(cè),放置4mm大磁片,使紅色箭頭指向上盤片的0°,固定圓盤角度,推動導(dǎo)槽中磁片,至0.2cm位置,自動測量霍爾傳感器輸出電壓,記錄當(dāng)前電壓和磁感應(yīng)強度;推動導(dǎo)槽中磁片,至表格中對應(yīng)位置,記錄數(shù)據(jù)。根據(jù)實驗數(shù)據(jù)和波形,分º析并描繪出線型霍爾元件的特性曲線。位移(cm)0.20.30.40.50.70.91.10º電壓(V)磁感應(yīng)強度(B)(3)深導(dǎo)槽中放置的4mm大磁片轉(zhuǎn)180º,即改變磁場方向,重復(fù)實驗步驟(2)。位移(cm)0.20.30.40.50.70.91.10º電壓(V)磁感應(yīng)強度(B)(4)將淺槽旋轉(zhuǎn)至霍爾測試面(刻度盤整體轉(zhuǎn)動180º),再將3mm小磁片放置在淺槽中進(jìn)行實驗,使紅色箭頭指向上盤片的0°,固定圓盤角度,推動導(dǎo)槽中磁片,至0.2cm位

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