雙極型三極管及其放大電路

1、雙極型三極管及其放大電路雙極型三極管及其放大電路模擬電子技術基礎v 三極管的結構三極管的結構v 三極管的放大原理三極管的放大原理v 三極管特性曲線（輸入特性曲線，輸出特性曲線）三極管特性曲線（輸入特性曲線，輸出特性曲線）v 共射極放大電路共射極放大電路v 圖解分析法圖解分析法v 小信號模型分析法小信號模型分析法v 放大電路的工作點穩(wěn)定問題放大電路的工作點穩(wěn)定問題v 共集電極電路和共基極電路共集電極電路和共基極電路v 放大電路的頻率響應放大電路的頻率響應模擬電子技術基礎半導體三極管半導體三極管BJTBJTBJTBJT的結構簡介的結構簡介Bipolar Junction Transistor，BJ

2、T, ,雙極結型晶體管雙極結型晶體管BJTBJT是通過一定工藝，將是通過一定工藝，將兩個兩個PNPN結結結合在一起的器件。具有結合在一起的器件。具有電流放大電流放大作用。作用。小功率管小功率管中功率管中功率管大功率管大功率管為什么有孔？為什么有孔？模擬電子技術基礎三極管的結構三極管的結構NPN發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射多子向基區(qū)發(fā)射多子電子電子集電區(qū)集電區(qū)收集載流子收集載流子電子電子集電極集電極collector發(fā)射極發(fā)射極emitterCEB基區(qū)基區(qū)作用作用作用作用作用作用傳輸載流子傳輸載流子電子電子基極基極base由于是由于是N-P-N結構結構 稱為稱為NPN三極管。三極管。cbe箭頭的方向是

3、發(fā)射結箭頭的方向是發(fā)射結正偏時，電流的方向正偏時，電流的方向集電結集電結發(fā)射結發(fā)射結模擬電子技術基礎三極管的結構三極管的結構 同樣將半導體材料另行組合，二塊同樣將半導體材料另行組合，二塊P，一塊，一塊N，構成三極，構成三極管，它也有兩個管，它也有兩個PN結（發(fā)射結，集電結），兩個結（發(fā)射結，集電結），兩個PN結結將三極管同樣分為三個區(qū)，發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)，稱將三極管同樣分為三個區(qū)，發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)，稱它為它為PNP三極管三極管.PNP發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射多子向基區(qū)發(fā)射多子空穴空穴集電區(qū)集電區(qū)收集載流子收集載流子空穴空穴CEB基區(qū)基區(qū)作用作用作用作用作用作用傳輸載流子傳輸載流子空穴空穴c

4、be模擬電子技術基礎三極管的放大原理三極管的放大原理1. 放大的條件放大的條件 為保證為保證BJT能放大需滿足內(nèi)部和外部條件能放大需滿足內(nèi)部和外部條件 1). BJT放大的內(nèi)部條件放大的內(nèi)部條件 a.發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高；發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高； b.基區(qū)摻雜很低，且基區(qū)很薄?；鶇^(qū)摻雜很低，且基區(qū)很薄。 c.集電區(qū)摻雜濃度低集電區(qū)摻雜濃度低，集電結面積很大集電結面積很大雖然發(fā)射區(qū)和集電區(qū)都雖然發(fā)射區(qū)和集電區(qū)都是是N型半導體，但發(fā)射型半導體，但發(fā)射區(qū)比集電區(qū)摻的雜質(zhì)多，區(qū)比集電區(qū)摻的雜質(zhì)多，因此它們并不是對稱的因此它們并不是對稱的。集電區(qū)集電區(qū)EBC發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)基區(qū)基區(qū)模擬電子技術基礎2） BJT

5、放大的外部條件放大的外部條件發(fā)射結正偏，集電結反偏，發(fā)射結正偏，集電結反偏，這是這是安排放大電路的基本原則安排放大電路的基本原則（集電結反偏），即（發(fā)射結正偏）放大的條件BECECBonBE0uuuUu模擬電子技術基礎2. 載流子的傳輸過程載流子的傳輸過程 擴散運動形成發(fā)射極電流擴散運動形成發(fā)射極電流IE，復合運動形成基極電，復合運動形成基極電流流IB，漂移運動形成集電極電流，漂移運動形成集電極電流IC。少數(shù)載流少數(shù)載流子的運動子的運動因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū)電子從發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū)因基區(qū)薄且多子濃度低，使極少因基區(qū)薄且多子濃度低，使極少數(shù)擴散到基區(qū)

6、的電子與空穴復合數(shù)擴散到基區(qū)的電子與空穴復合因集電區(qū)面積大，在外電場作用下大因集電區(qū)面積大，在外電場作用下大部分擴散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū)部分擴散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū)基區(qū)空穴基區(qū)空穴的擴散的擴散0ENEPEPEENEPENIIIIIIICECBOCNENEPCBOBNEPBIIIIIIIIIICBOCNCIII模擬電子技術基礎v電流分配：電流分配： IEIBIC IE擴散運動形成的電流擴散運動形成的電流 IB復合運動形成的電流復合運動形成的電流 IC漂移運動形成的電流漂移運動形成的電流CBOCEOBCBC)(1 IIiiII穿透電流穿透電流集電結反向電流集電結反向電流直流電流直流電流放大

7、系數(shù)放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)為什么基極開路集電極回為什么基極開路集電極回路會有穿透電流？路會有穿透電流？3. 電流分配關系電流分配關系模擬電子技術基礎在載流子傳輸過程中，到達集電極電子與發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的電在載流子傳輸過程中，到達集電極電子與發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的電子的比例，稱為子的比例，稱為共基極電流放大系數(shù)共基極電流放大系數(shù)。（。（由三極管的制作工藝由三極管的制作工藝決定決定）1ECNII發(fā)射極注入的電子傳輸?shù)郊姌O的電子1ECii直流共基電直流共基電流放大系數(shù)流放大系數(shù)交流共基電流放大系數(shù)交流共基電流放大系數(shù)BEBCIIII)1 (重點記憶重點記憶模擬電子技術基礎4. 三極管放大

8、電路的三種組態(tài)三極管放大電路的三種組態(tài) 共基極組態(tài)（CB：common base） 輸入是發(fā)射極，輸出是集電極，基極是輸入輸出回路的共同端; 共射極組態(tài)（CE） 輸入是基極，輸出是集電極，發(fā)射極是輸入輸出回路的共同端; 共集電極組態(tài)（CC） 輸入是基極，輸出是發(fā)射極，集電極是輸入輸出回路的共同端。模擬電子技術基礎輸入端輸入端輸出端輸出端公共端公共端共射組態(tài)共射組態(tài)共射放大電路共射放大電路基極基極集電極集電極發(fā)射極發(fā)射極共集組態(tài)共集組態(tài)共集放大電路共集放大電路基極基極發(fā)射極發(fā)射極集電極集電極共基組態(tài)共基組態(tài)共基放大電路共基放大電路發(fā)射極發(fā)射極集電極集電極基極基極三極管放大電路的三種組態(tài)三極管放大

9、電路的三種組態(tài)模擬電子技術基礎BJT的特性曲線的特性曲線v三極管和二極管一樣是非線性元件，常用三極管和二極管一樣是非線性元件，常用伏安特性伏安特性（電流（電流-電壓關系）描述電壓關系）描述v三極管的電流三極管的電流-電壓方程組是超越方程，求解非常復雜。電壓方程組是超越方程，求解非常復雜。只需掌握伏安特性的直觀表示法只需掌握伏安特性的直觀表示法伏安特性曲線伏安特性曲線。v三極管有三個電極，其伏安特性不像二極管那么簡單，三極管有三個電極，其伏安特性不像二極管那么簡單，在工程上要表示一個三極管的的伏安特性曲線，要用在工程上要表示一個三極管的的伏安特性曲線，要用兩張圖結合起來，才能全面地表達清楚兩張圖

10、結合起來，才能全面地表達清楚 1.三極管的輸入特性（輸入回路的伏安特性）三極管的輸入特性（輸入回路的伏安特性） 2.三極管的輸出特性（輸出回路的伏安特性）三極管的輸出特性（輸出回路的伏安特性） 模擬電子技術基礎共射極特性曲線共射極特性曲線CE)(BEBUufi 為什么為什么UCE增大曲線右移？增大曲線右移？ 對于小功率晶體管，對于小功率晶體管，UCE大于大于1V的任何一條輸入特性的任何一條輸入特性曲線可以取代曲線可以取代UCE大于大于1V的所有輸入特性曲線。的所有輸入特性曲線。為什么像為什么像PN結的伏安特性？結的伏安特性？為什么為什么UCE增大到一定值曲線增大到一定值曲線右移就不明顯了？右移

11、就不明顯了？1. 輸入特性基區(qū)寬度調(diào)制效應：將基區(qū)寬度調(diào)制效應：將UCE變化引起基區(qū)有效寬度變化，致使基變化引起基區(qū)有效寬度變化，致使基極電流極電流iB變化的效應變化的效應模擬電子技術基礎共射極特性曲線共射極特性曲線2. 2. 輸出特性輸出特性B)(CECIufi 是常數(shù)嗎？什么是理想晶體管？什么情況下是常數(shù)嗎？什么是理想晶體管？什么情況下 ?對應于一個對應于一個IB就有一條就有一條iC隨隨uCE變化的曲線。變化的曲線。 為什么為什么uCE較小時較小時iC隨隨uCE變變化很大？為什么進入放大狀態(tài)化很大？為什么進入放大狀態(tài)曲線幾乎是橫軸的平行線？曲線幾乎是橫軸的平行線？飽和區(qū)飽和區(qū)放大區(qū)放大區(qū)截

12、止區(qū)截止區(qū)BiCi常量CEBCUii模擬電子技術基礎晶體管的三個工作區(qū)域晶體管的三個工作區(qū)域 晶體管工作在放大狀態(tài)時，輸出回路的電流晶體管工作在放大狀態(tài)時，輸出回路的電流 iC幾乎僅僅幾乎僅僅決定于輸入回路的電流決定于輸入回路的電流 iB，即可將輸出回路等效為電流，即可將輸出回路等效為電流 iB 控制的電流源控制的電流源iC 。狀態(tài)狀態(tài)uBEiCuCE放大放大 UoniB uBE飽和飽和 UoniB uBE截止截止UonICEOVCC模擬電子技術基礎溫度對晶體管特性的影響溫度對晶體管特性的影響B(tài)EBBBECEO )(uiiuIITCBO不變時，即不變時模擬電子技術基礎主要參數(shù)主要參數(shù) 直流參數(shù)

13、直流參數(shù)： 、 、ICBO、 ICEOc-e間擊穿電壓間擊穿電壓最大集電最大集電極電流極電流最大集電極耗散功最大集電極耗散功率，率，PCMiCuCE安全工作區(qū)安全工作區(qū) 交流參數(shù)：交流參數(shù)：、 極限參數(shù)極限參數(shù)：ICM、PCM、U（BR）CEO模擬電子技術基礎三極管的選型三極管的選型v 半導體三極管（半導體三極管（BJT、晶體管）分類：、晶體管）分類： 按頻率分：按頻率分：高頻管、低頻管；高頻管、低頻管； 按功率分：按功率分：小、中、大功率管；小、中、大功率管； 按半導體材料分：按半導體材料分：硅管、鍺管等；硅管、鍺管等； 按結構分：按結構分：NPN型、型、PNP型型;v 選型原則選型原則 在

14、同型號的三極管中，應選用反向電流小的管子在同型號的三極管中，應選用反向電流小的管子 小功率管小功率管選值范圍應在選值范圍應在7070150150之間；之間；大功率管大功率管選值選值范圍應在范圍應在30307070之間之間 硅管的反向電流??；鍺管的正向?qū)妷旱凸韫艿姆聪螂娏餍?；鍺管的正向?qū)妷旱?注意三級管反向擊穿電壓和功耗的選型注意三級管反向擊穿電壓和功耗的選型模擬電子技術基礎討論討論由圖示特性求出由圖示特性求出PCM、ICM、U （BR）CEO 、。CECCMuiP2.7CEBCUiiuCE=1V時的時的iC就是就是ICMU（BR）CEO模擬電子技術基礎放大電路放大電路放大的概念放大的概

15、念u放大的對象：變化量放大的對象：變化量u放大的本質(zhì)：能量的控制放大的本質(zhì)：能量的控制u放大的特征：功率放大放大的特征：功率放大u放大的基本要求：不失真放大的基本要求：不失真放大的前提放大的前提判斷電路能否放判斷電路能否放大的基本出發(fā)點大的基本出發(fā)點VCC至少一路直流至少一路直流電源供電電源供電模擬電子技術基礎放大電路放大電路性能指標性能指標ioUUAAuuuioIIAAiiiioIUAuiioUIAiu1. 1. 放大倍數(shù)放大倍數(shù)：輸出量與輸入量之比電壓放大倍數(shù)是最常被研究和測試的參數(shù)電壓放大倍數(shù)是最常被研究和測試的參數(shù)信號源信號源信號源信號源內(nèi)阻內(nèi)阻輸入電壓輸入電壓輸入電流輸入電流輸出電壓

16、輸出電壓輸出電流輸出電流對信號而言，任何放大電路均可看成二端口網(wǎng)絡。對信號而言，任何放大電路均可看成二端口網(wǎng)絡。模擬電子技術基礎放大電路放大電路2. 2. 輸入電阻和輸出電阻輸入電阻和輸出電阻 將輸出等效將輸出等效成有內(nèi)阻的電成有內(nèi)阻的電壓源，內(nèi)阻就壓源，內(nèi)阻就是輸出電阻。是輸出電阻。LooLoooo) 1(RUURUUUR空載時輸出空載時輸出電壓有效值電壓有效值帶帶RL時的輸出電時的輸出電壓有效值壓有效值iiiIUR 輸入電壓與輸入電壓與輸入電流有輸入電流有效值之比。效值之比。從輸入端看進去的從輸入端看進去的等效電阻等效電阻模擬電子技術基礎放大電路放大電路3. 3. 通頻帶通頻帶 由于電容、

17、電感及放大管由于電容、電感及放大管PN結的電容效應，使放大電路在信結的電容效應，使放大電路在信號頻率較低和較高時電壓放大倍數(shù)數(shù)值下降，并產(chǎn)生相移。號頻率較低和較高時電壓放大倍數(shù)數(shù)值下降，并產(chǎn)生相移。衡量放大電路對不同頻率信號的適應能力。衡量放大電路對不同頻率信號的適應能力。下限頻率下限頻率上限頻率上限頻率LHbwfff模擬電子技術基礎共射放大電路的組成共射放大電路的組成VBB、RB：使：使UBE Uon，且有，且有合適的合適的IB。VCC：使：使UCEUBE，同時作為負，同時作為負載的能源。載的能源。RC：將：將iC轉(zhuǎn)換成轉(zhuǎn)換成uCE(uo) 。隔離放大電路對信號源和負載的直隔離放大電路對信號

18、源和負載的直流影響。流影響。溝通信號源、放大電路、負載之間溝通信號源、放大電路、負載之間的信號傳遞通道。的信號傳遞通道。耦合電容耦合電容Cb1、 Cb2ou2bCiuCCVBRCR1bCBBVTLRiBiCiE)( oCEcbIcuuuiiuR動態(tài)信號作用時：動態(tài)信號作用時：模擬電子技術基礎ou2bCiuCCVBRCR1bCBBVTLRiBiCiEou2bCiuCCV BRCR1bC TLRiBiEiC不畫電源符號，不畫電源符號，只寫出電源正只寫出電源正極對地的電位極對地的電位模擬電子技術基礎放大電路的兩放大電路的兩種工作狀態(tài)種工作狀態(tài)靜態(tài)靜態(tài) 當輸入信號為零時電路的工作狀態(tài)當輸入信號為零時電

19、路的工作狀態(tài)靜態(tài)時放大電路中只有直流分量。靜態(tài)時放大電路中只有直流分量。輸入電壓輸入電壓ui為零時，晶體管各極的電流、為零時，晶體管各極的電流、b-e間的電壓、管壓降間的電壓、管壓降稱為靜態(tài)工作點稱為靜態(tài)工作點Q，記作，記作IBQ、 ICQ（IEQ）、）、 UBEQ、 UCEQ。動態(tài)動態(tài) 有輸入信號時電路的工作狀態(tài)有輸入信號時電路的工作狀態(tài) 動態(tài)時電路中的信號為交、直流混合信號。動態(tài)時電路中的信號為交、直流混合信號。ou2bCiuCCV BRCR1bC TLRiBiEiC模擬電子技術基礎設置靜態(tài)工作點的必要性設置靜態(tài)工作點的必要性 輸出電壓必然失真！輸出電壓必然失真！ 為什么放大的對象是動態(tài)信

20、號，卻要晶體管在信號為零為什么放大的對象是動態(tài)信號，卻要晶體管在信號為零時有合適的直流電流和極間電壓？時有合適的直流電流和極間電壓？模擬電子技術基礎放大電路的靜態(tài)分析放大電路的靜態(tài)分析CEUCCV BRCRTBEUCIBI靜態(tài)分析靜態(tài)分析就是通過放大就是通過放大電路的直流通路求解靜態(tài)工電路的直流通路求解靜態(tài)工作點值作點值IBQ、 ICQ（IEQ）、）、 UBEQ、 UCEQ 。ou2bCiuCCV BRCR1bC TLRiBiEiC直流通路直流通路求解靜態(tài)工求解靜態(tài)工作點的常用作點的常用方法方法估算法估算法圖解法圖解法模擬電子技術基礎1、靜態(tài)工作點估算法、靜態(tài)工作點估算法CEUCCV BRCR

21、TBEUCIBIBQCQII UCEQ=VCCICQRC式中，式中，|UBEQ |凡硅管可取為凡硅管可取為0.7 V、鍺管鍺管0.2 V。 由輸入回路方程由輸入回路方程VCC=IBQRB+UBEQBBEQCCBQRUVI 得得由輸出回路方程由輸出回路方程模擬電子技術基礎v 例：共射極電路如圖，三極管的例：共射極電路如圖，三極管的=38=38，VCC=12VVCC=12V，R RB B=300k=300k, R RC C=4k=4k，求該電路的靜態(tài)工作點，求該電路的靜態(tài)工作點QAkRUVI4030012BBEQCCBQou2bCiuVV 12CCBRCR1bC TLRiBiEiCCEUCCV B

22、RCRTBEUCIBImAAII5 . 14038BQCQUCEQ=VCCICQRC=12 1.5mA*4k=12-6=6V模擬電子技術基礎2、靜態(tài)工作點圖解法、靜態(tài)工作點圖解法1）輸入回路輸入回路列寫輸入回路方程列寫輸入回路方程VCC=IBRB+UBE CEUCCV BRCRTBEUCIBI直流負載線與晶體管輸入特性曲直流負載線與晶體管輸入特性曲線的交點，即為放大電路的輸入線的交點，即為放大電路的輸入靜態(tài)工作點靜態(tài)工作點Qi。在在iB uBE坐標系中表示是一條直線坐標系中表示是一條直線稱為輸入回路的直流負載線稱為輸入回路的直流負載線VCC/RBVCC輸入回路直輸入回路直流負載線流負載線QIB

23、QUBEQ模擬電子技術基礎2）輸出回路）輸出回路VCC=ICRC+UCE輸出回路方程輸出回路方程稱為輸出回路的直流負載線。稱為輸出回路的直流負載線。直流負載線與晶體管輸出特性曲直流負載線與晶體管輸出特性曲線的交點，即為放大電路的輸出線的交點，即為放大電路的輸出靜態(tài)工作點靜態(tài)工作點Qo。在在iC uCE坐標系中也是一條直線，坐標系中也是一條直線，CEUCCV BRCRTBEUCIBIIBQ=40uAIB=20uAIB=60uAQICQUCEQ直流負載線直流負載線模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎CEUCCV b1RCRTBEUCIBIeREI用用PNP型三極管設計一個放大電路型三極管設計一個放大電

24、路模擬電子技術基礎放大電路的動態(tài)分析放大電路的動態(tài)分析放大電路的動態(tài)分析是放大電路的動態(tài)分析是在靜態(tài)分析的基礎上，分析電在靜態(tài)分析的基礎上，分析電路中的信號的傳輸情況，考慮的只是電壓和電流的交路中的信號的傳輸情況，考慮的只是電壓和電流的交流分量（信號分量）。流分量（信號分量）。 常用的分析方法常用的分析方法圖解法圖解法小信號模型分析法小信號模型分析法模擬電子技術基礎1、圖解法在放大電路動態(tài)分析中的應用、圖解法在放大電路動態(tài)分析中的應用設輸入信號設輸入信號ui=Uimsinw w t Vou2bCiuCCVBRCR1bC TLRiBiEiC+uBE-模擬電子技術基礎1當當RL=時時在輸入回路在輸

25、入回路uBE=UBEQ+uitOBEuBEQUiuuBE波形圖波形圖ou2bCiuCCVBRCR1bC TLRiBiEiC+uBE-模擬電子技術基礎放大電路的交流通路放大電路的交流通路交流通路畫法交流通路畫法耦合電容短路耦合電容短路直流電壓源短路直流電壓源短路ou2bCiuCCVBRCR1bC TLRiBiEiC+uBE-模擬電子技術基礎ouiuBRCR TLRiEiB+uBE-iCou2bCiuCCVBRCR1bC TLRiBiEiC+uBE-ceCEQCEuUu 由于由于cceRiuc故故cCQCiIi cRIiUu)(CQCCEQCEccRiRIUCCQCEQ模擬電子技術基礎iQBQIB

26、QIB2iB1iBEQUiB的波形圖的波形圖工作點的移動工作點的移動uBE波形圖波形圖(1) 信號的傳遞信號的傳遞已知已知QabtOBEuOtBiBiOBEua. iB的形成過程的形成過程模擬電子技術基礎輸出信號輸出信號abBQBIi oQtMNCCC/ RVCCVOCEuCiOtCEuCEQUCEQUCQICQIiB1iB2已知已知Q已知已知 iBuCE波形圖波形圖iC波形圖波形圖輸出電壓輸出電壓uoOCi模擬電子技術基礎已知輸入信號已知輸入信號小結小結輸出信號波形輸出信號波形輸出電壓輸出電壓uo與輸入電壓與輸入電壓ui相位相反相位相反為什么為什么OtouOtiuuimuom模擬電子技術基礎

27、靜態(tài)工作點與失真靜態(tài)工作點與失真 失真的類型失真的類型飽和失真：動態(tài)工作軌跡進入飽和區(qū)飽和失真：動態(tài)工作軌跡進入飽和區(qū)截止失真：動態(tài)工作軌跡進入截止區(qū)截止失真：動態(tài)工作軌跡進入截止區(qū)放大電路產(chǎn)生失真的原因：放大電路產(chǎn)生失真的原因：1) 1) 靜態(tài)工作點選擇不合適靜態(tài)工作點選擇不合適 2) 2) 輸入信號幅度過大輸入信號幅度過大模擬電子技術基礎1、如果靜態(tài)工作點、如果靜態(tài)工作點Q太低太低iQBQIBQIBEQUuBE波形圖波形圖ab已知已知QiB1iB2iB的波形圖的波形圖a. 輸輸入入波波形形OtBitOBEuBiOBEu模擬電子技術基礎abBQBIi oQCEQUCEQUCQICQIiB1i

28、B2已知已知Q已知已知 iBuCE波形圖波形圖iC波形圖波形圖b. 輸出波形輸出波形截止截止失真失真tMNCCC/ RVCCVOCEuCiOtCEuOCi如何消除截止失真？如何消除截止失真？減小減小Rb或者提高或者提高Vcc模擬電子技術基礎iQBQIBQIBEQUOBitOtOBiBEuBEuuBE波形圖波形圖ab已知已知QiB1iB2iB的波形圖的波形圖a. 輸輸入入波波形形2、 如果靜態(tài)工作點如果靜態(tài)工作點Q太高太高模擬電子技術基礎abBQBIi oQCEQUCEQUCQICQIiB1iB2已知已知Q已知已知 iBuCE波形圖波形圖iC波波形圖形圖b. 輸出波形輸出波形輸出輸出電壓電壓飽和

29、飽和失真失真tMNCCC/ RVCCVOCEuCiOtCEuOCi如何消除飽和失真？如何消除飽和失真？增大增大Rb，減小，減小Rc，減小，減小模擬電子技術基礎iQBQIBQIBEQUOBitOtOBiBEuBEuuBE波形波形ab已知已知QiB1iB2iB的波形的波形a. 輸輸入入波波形形3、如果輸入信號太大、如果輸入信號太大模擬電子技術基礎abBQBIi oQCEQUCEQUCQICQIiB1iB2已知已知Q已知已知 iBuCE波形波形iC波形波形b. 輸出波形輸出波形tMNCCC/ RVCCVOCEuCiOtCEuOCi模擬電子技術基礎結論結論(2) 共射極放大電路的共射極放大電路的uo與

30、與ui的相位相反。的相位相反。(3) ui的幅度過大或靜態(tài)工作點不合適的幅度過大或靜態(tài)工作點不合適 ，將使工作點，將使工作點 進入非線性區(qū)而產(chǎn)生非線性失真（飽和失真、截進入非線性區(qū)而產(chǎn)生非線性失真（飽和失真、截 止失真）。止失真）。(1)imomioUUUUAu (4) 非線性失真的特點非線性失真的特點飽和失真飽和失真 輸出電壓波形的下半部被削平輸出電壓波形的下半部被削平截止失真截止失真 輸出電壓波形的上半部被削平輸出電壓波形的上半部被削平模擬電子技術基礎2當當RL時時(1) 放大電路的交流通路放大電路的交流通路交流通路畫法交流通路畫法耦合電容短路耦合電容短路直流電壓源短路直流電壓源短路ou2

31、bCiuCCVBRCR1bC TLRiBiEiC+uBE-模擬電子技術基礎交流通路交流通路ouiuBRCR TLRiEiB+uBE-iCou2bCiuCCVBRCR1bC TLRiBiEiC+uBE-+uCE-模擬電子技術基礎ouiuBRCR TLRiEiB+uBE-iC+uCE-由放大電路的交流通路可知由放大電路的交流通路可知ceouu LcRi 式中式中LCL/ RRR )/(CLcRRi 模擬電子技術基礎ceCEQCEuUu 由于由于LcceRiu LCQCCEQCE)(RIiUu 故故cCQCiIi LCLCQCEQRiRIU (2) 交流負載線交流負載線ou2bCiuCCVBRCR1

32、bC TLRiBiEiC+uBE-+uCE-模擬電子技術基礎在在uCE iC的坐標系中也表示一條直線，該直線稱的坐標系中也表示一條直線，該直線稱為放大電路的交流負載線。為放大電路的交流負載線。式式M直流負載線直流負載線交流負載線交流負載線PL/1 R a b iCuCEOQoNabCEQUC/1 R CCC/ RVLCQCEQRIU CQILCLCQCEQRiRIUuCE模擬電子技術基礎交流負載線的特點交流負載線的特點b. 經(jīng)過靜態(tài)工作點經(jīng)過靜態(tài)工作點Qoa. 斜率為斜率為L1 R c. 與橫軸的交點為與橫軸的交點為LCQCEQRIU M直流負載線直流負載線交流負載線交流負載線PL/1 R a

33、 b iCuCEOQoNabCEQUC/1 R CCC/ RVLCQCEQRIU CQId. 最大不失真電壓最大不失真電壓Uom為為 中的較小值中的較小值LCQCEQRIU與模擬電子技術基礎(2) 作圖繁瑣作圖繁瑣圖解法的特點圖解法的特點(1) 便于觀察便于觀察(4) 放大電路的一些性能指標無法用圖解法求得放大電路的一些性能指標無法用圖解法求得(3) 當信號當信號很小時無法作圖很小時無法作圖模擬電子技術基礎討論一討論一1. 在什么參數(shù)、如何變化時在什么參數(shù)、如何變化時Q1 Q2 Q3 Q4？2. 從輸出電壓上看，哪個從輸出電壓上看，哪個Q點下最易產(chǎn)生截止失真？哪點下最易產(chǎn)生截止失真？哪個個Q點

34、下最易產(chǎn)生飽和失真？哪個點下最易產(chǎn)生飽和失真？哪個Q點下點下Uom最大？最大？3. 設計放大電路時，應根據(jù)什么選擇設計放大電路時，應根據(jù)什么選擇VCC？模擬電子技術基礎求：求：Vcc，ICQ，UCEQ, IBQ, , RC, RL, Uom 討論二討論二模擬電子技術基礎2、小信號模型分析法、小信號模型分析法v 當放大電路的當放大電路的輸入信號很小輸入信號很小時，在時，在靜態(tài)工作點附近靜態(tài)工作點附近，把三，把三極管極管小范圍內(nèi)的特性曲線用直線來代替小范圍內(nèi)的特性曲線用直線來代替，從而可以把三極，從而可以把三極管組成的管組成的非線性電路轉(zhuǎn)化為線性電路非線性電路轉(zhuǎn)化為線性電路來處理。來處理。v 從方

35、法思想看微變等效電路法（小信號模型分析法）只從方法思想看微變等效電路法（小信號模型分析法）只適適用于小信號用于小信號情況下工作，情況下工作，所以所以 “微變微變”即微小的變即微小的變化量?；俊 微微它不適用于大信號的工作情況，大信號工作情況仍它不適用于大信號的工作情況，大信號工作情況仍要借助圖解法要借助圖解法v 變變靜態(tài)分析它也不適用，只適用于動態(tài)分析。靜態(tài)分析它也不適用，只適用于動態(tài)分析。模擬電子技術基礎v在交流通路中可將晶體管在交流通路中可將晶體管看成為一個二端口網(wǎng)絡，看成為一個二端口網(wǎng)絡，輸入回路、輸出回路各為輸入回路、輸出回路各為一個端口。一個端口。)()(CEBCCEBBEuif

36、iuifu，三極管的三極管的H參數(shù)及其等效電路參數(shù)及其等效電路模擬電子技術基礎ce22b21cce12b11be uhihiuhihuCECECBBCCCECEBEBBBEBEddddddBCEBCEuuiiiiiuuuiiuuIUIU交流等效模型（按式子畫模型）交流等效模型（按式子畫模型）電阻電阻無量綱無量綱無量綱無量綱電導電導模擬電子技術基礎h參數(shù)的物理意義參數(shù)的物理意義beBBE11CEriuhUBCEBE12IuuhCEBC21UiihceCEC221Bruihib-e間的間的動態(tài)電阻動態(tài)電阻內(nèi)反饋內(nèi)反饋系數(shù)系數(shù)電流放大系數(shù)電流放大系數(shù)c-e間的電導間的電導模擬電子技術基礎簡化的簡化的

37、h h參數(shù)等效電路交流等效模型參數(shù)等效電路交流等效模型EQTbbbbebe)1 ( IUrIUr查閱手冊查閱手冊基區(qū)體電阻基區(qū)體電阻發(fā)射結電阻發(fā)射結電阻發(fā)射區(qū)體電阻發(fā)射區(qū)體電阻利用利用PN結的電流方程可求得結的電流方程可求得由由IEQ算出算出在輸入特性曲線上，在輸入特性曲線上，Q點越高，點越高，rbe越??！越??！模擬電子技術基礎小信號模型法分析步驟小信號模型法分析步驟（2）畫微變等效電路）畫微變等效電路（1）確定靜態(tài)工作點）確定靜態(tài)工作點 估算法確定Q點 （3）估算）估算rbe mAImVrEbe261200模擬電子技術基礎（4）求電壓放大倍數(shù)）求電壓放大倍數(shù) AV記憶記憶iovuuA )()

38、(LcbLccoRRiRRiubeLioVrRuuAbebiriubebiriVus模擬電子技術基礎（5）計算輸入電阻）計算輸入電阻TTiIVRbebrRR/i外加測試電壓外加測試電壓VT對于對于b點點beTbTbRTrVRVIIIb對于為放大電路提供信號的信號源來說，放大電路是負對于為放大電路提供信號的信號源來說，放大電路是負載，這個負載的大小可以用輸入電阻來表示。載，這個負載的大小可以用輸入電阻來表示。電路的輸入電阻越大，從信號源取得的電電路的輸入電阻越大，從信號源取得的電流越小，因此一般總是希望得到流越小，因此一般總是希望得到較大的輸較大的輸入電阻入電阻。bebiriVusRi模擬電子技

39、術基礎（6）計算輸出電阻）計算輸出電阻0SVTToIVRRocTTRVIcTToRIVR所有獨立電源所有獨立電源置零置零，保留受控源保留受控源，加壓求電流加壓求電流法。法。電路的電路的輸出電阻越小越好輸出電阻越小越好，可以，可以提高帶負載的能力。提高帶負載的能力。bebiriVus模擬電子技術基礎例：圖示電路中，已知的例：圖示電路中，已知的=40， VCC=12VVCC=12V，R RB B = 300k= 300k, R RC C = = R RL L = 4k= 4k，計算電壓增益及輸入和輸出電阻。（假設信號源內(nèi)計算電壓增益及輸入和輸出電阻。（假設信號源內(nèi)阻為阻為0）解解： （1）確定）確

40、定Q點點CEUCCV BRCRTBEUCIBIAkRUVI4030012BBEQCCBQEImAAII6 . 14040BQCQUCEQ=VCCICQRC=12 1.6mA*4k=12-6.4 = 5.6V模擬電子技術基礎（2）畫出小信號等效電路）畫出小信號等效電路交流通路交流通路小信號等效小信號等效電路電路模擬電子技術基礎（3）求）求rbe kmAmVmAImVrEbe866. 06 . 126)401(20026)1(200 （4）求電壓增益）求電壓增益92866. 0240beLCbeLVrRRrRA)()(LcbLccoRRiRRuubebiriu模擬電子技術基礎（5）輸入電阻）輸入電

41、阻krrRRbebeb866. 0i（6）輸出電阻）輸出電阻kRRco4模擬電子技術基礎兩種分析方法的比較與使用：兩種分析方法的比較與使用：1、用圖解法定出、用圖解法定出靜態(tài)工作點靜態(tài)工作點；2、當輸入電壓、當輸入電壓幅度較小幅度較小或或BJT基本上在基本上在線性范圍線性范圍內(nèi)工作時，特別是放大電路比較復雜時，可用內(nèi)工作時，特別是放大電路比較復雜時，可用小小信號模型信號模型分析。分析。3、當輸入電壓、當輸入電壓幅度較大幅度較大，BJT的工作點延伸到特的工作點延伸到特性曲線的非線性部分時，采用圖解法。性曲線的非線性部分時，采用圖解法。模擬電子技術基礎【例例】兩個放大電路如圖（兩個放大電路如圖（a

42、）、（）、（b）所示。試分別畫出其微）所示。試分別畫出其微變等效電路，畫出求輸出電阻電路；已知圖變等效電路，畫出求輸出電阻電路；已知圖(b)電路的三極管電路的三極管微變參數(shù)微變參數(shù) ，rbe，并求圖（，并求圖（b）電路電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和）電路電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻。輸出電阻。模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎bebirIV)RRR(I)RRR(IVLcbLcco22beLciovr)RRR(VVA2cobeiRRRrRR21isibeLcisivsisosovsRRRr)RRR(RRRAVVVVVVA2圖（圖（b）電路的電壓放大倍數(shù)為：）電路的電壓放大倍數(shù)為：模擬

43、電子技術基礎模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎射極偏置放大電路射極偏置放大電路一、溫度對一、溫度對靜態(tài)工作靜態(tài)工作點的影響點的影響 所謂所謂Q點穩(wěn)定，是指點穩(wěn)定，是指ICQ和和UCEQ在溫度變化時基本不變，在溫度變化時基本不變，這是靠這是靠IBQ的變化得來的。的變化得來的。 若溫度升高時要若溫度升高時要Q回到回到Q，則只有減小則只有減小IBQT（ ）ICQQICEO若若UBEQ不變不變IBQQ模擬電子技術基礎二、二、射極偏置電路射極偏置電路 直流通路？直流通路？Ce為旁路電容，在交流為旁路電容，在交流通路中可視為短路通路中可視為短路1. 電路組成模擬電子技術基礎CCb21b1bBQVRRRU2.

44、 2. 穩(wěn)定原理穩(wěn)定原理 為了穩(wěn)定為了穩(wěn)定Q點，通常點，通常I1 IB，即，即I1 I2；因此；因此基本不隨溫度變化?；静浑S溫度變化。Re 的的作用作用T()ICUE UBE（UB基本不變）基本不變） IB IC 模擬電子技術基礎Re起直流負反饋作用，其值越大，反饋越強，起直流負反饋作用，其值越大，反饋越強，Q點越穩(wěn)定。點越穩(wěn)定。關于反饋的一些概念：關于反饋的一些概念： 將輸出量通過一定的方式引回輸入回路影響輸入量的措將輸出量通過一定的方式引回輸入回路影響輸入量的措施稱為反饋。施稱為反饋。 直流通路中的反饋稱為直流反饋。直流通路中的反饋稱為直流反饋。 反饋的結果使輸出量的變化減小的稱為負反饋

45、，反之稱反饋的結果使輸出量的變化減小的稱為負反饋，反之稱為正反饋。為正反饋。Re有上限值嗎？有上限值嗎？IC通過通過Re轉(zhuǎn)換為轉(zhuǎn)換為UE影響影響UBE溫度升高溫度升高IC增大，反饋的結果使之減小增大，反饋的結果使之減小模擬電子技術基礎3.3. Q 點分析點分析b21bbCCb21b1bBBRRRVRRRVeBEQBQEQCCb21b1bBQRUUIVRRRU)( ecEQCCeEQcCQCCCEQRRIVRIRIVU1EQBQII分壓式電流負反饋工作點穩(wěn)定電路分壓式電流負反饋工作點穩(wěn)定電路Rb上靜態(tài)電壓是上靜態(tài)電壓是否可忽略不計？否可忽略不計？eEQBEQbBQBBRIURIV?)1 (eb2

46、b1RRR判斷方法：判斷方法：模擬電子技術基礎4. 4. 動態(tài)分析動態(tài)分析beLio rRUUAubeb2b1irRRRcoRR ee)1 ( )( beLebebLcbioRrRRIrIRRIUUAu)1 (ebeb2b1iRrRRR利利?弊弊?無旁路電容無旁路電容Ce時：時：eLbee)1 (RRArRu，則若模擬電子技術基礎三、穩(wěn)定靜態(tài)工作點的方法三、穩(wěn)定靜態(tài)工作點的方法v 引入直流負反饋引入直流負反饋v 溫度補償：利用對溫度敏感的溫度補償：利用對溫度敏感的元件，在溫度變化時直接影響元件，在溫度變化時直接影響輸入回路。輸入回路。v 例如，例如，Rb1或或Rb2采用熱敏電采用熱敏電阻。阻。

47、 它們的它們的溫度系數(shù)溫度系數(shù)特性特性？Bb1CBBEEC )(URIIUUIT 模擬電子技術基礎討論討論圖示兩個電路中是否采用了措施來穩(wěn)定靜態(tài)工作點？圖示兩個電路中是否采用了措施來穩(wěn)定靜態(tài)工作點？若采用了措施，則是什么措施？若采用了措施，則是什么措施？SI模擬電子技術基礎例例在圖示電路中，在圖示電路中，Rb1=39k，Rb2=10k，RC=2.7k，Re=1k，RL=5.1k，C1=C2=10F，Ce=47F，VCC=15V，晶體管的晶體管的 =100，試求：試求：(1) 靜態(tài)工作點靜態(tài)工作點Q(2)AV、R i、Ro的值。的值。cRiVoV 2Cb1R1C TLRb2R eReC 1IBI

48、CCV 模擬電子技術基礎mAeBEBQEQ362170063.RVVIVCEQVCCIEQ（RC+Re）=152.36(2.71)=6.27 V 解：解：(1) 估算法求解估算法求解Q點點VCCb2b1b2BQ063.VRRRV由由得得+_+_CEQVBEQVCQIEQI1ICCV cRb1RTb2ReRBQIBQII 1AmA.IICQBQ2302301003621模擬電子技術基礎交流通路交流通路 iV cRb1RLRb2RoV bIberbIcIb ceiIiV b1Rb2RcRLRoV (2) 動態(tài)分析動態(tài)分析cRiVoV 2Cb1R1C TLRb2R eReC 1IBICCV 模擬電子

49、技術基礎Ri = Rb1/Rb2/rbe = 39/10/1.31.2 kRo=Rc=2.7kEQbbbeI)(rr261k31362261001200.)(135311572100./.rR/RAbeCLvbIberbIcIb ceiIiV b1Rb2RcRLRoV (2) 動態(tài)分析動態(tài)分析求求AV、R i、Ro的值的值模擬電子技術基礎 加入加入Re后，射偏電路的電壓放大倍數(shù)有所降低，所以射偏電路是以犧牲后，射偏電路的電壓放大倍數(shù)有所降低，所以射偏電路是以犧牲電壓放大倍數(shù)來穩(wěn)定其電壓放大倍數(shù)來穩(wěn)定其Q點的。點的。 加入加入Re后使輸入電阻提高了，增強了放大器向信號源索取電壓的能力，后使輸入電

50、阻提高了，增強了放大器向信號源索取電壓的能力，改善了放大電路的特性。改善了放大電路的特性。711.RrR/RAebeCLvLCvbe/135RRAr Ri = Rb1/Rb2/rbe +(1+)Re=7.5 kRi = Rb1/Rb2/rbe=1.2kcRiVoV 2Cb1R1C TLRb2R eReC 1IBICCV cRiVoV 2Cb1R1C TLRb2R eR1IBICCV 模擬電子技術基礎共集電極放大電路共集電極放大電路1. 電路組成電路組成 電路從發(fā)射極與電路從發(fā)射極與“地地”之之間輸出信號，所以又稱之間輸出信號，所以又稱之為為射極輸出器射極輸出器。2CCCV bR1C TLRiV

51、oVeRsV sR模擬電子技術基礎2. 靜態(tài)分析靜態(tài)分析 畫出放大電路的直流通路畫出放大電路的直流通路, ,求求Q Q點點CCV bRTeREQIBQI2CCCV bR1C TLRiVoVeRsV sR模擬電子技術基礎2 靜態(tài)分析靜態(tài)分析求解求解Q點點eEBEbBccRIVRIV(1)(1)ccBEccBbebeCBCEccEeccCeVVVIRRRRQIIVVI RVI ReBBEbBccRIVRIV)1 (CCV bRTeREQIBQI直流通路直流通路 eECEccRIVV模擬電子技術基礎3 動態(tài)分析動態(tài)分析畫微變等效電路畫微變等效電路交流通路交流通路 2CCCV bR1C TLRiVoV

52、eRsV sRbR TLRiVoVeRsV sR模擬電子技術基礎3 動態(tài)分析動態(tài)分析畫微變畫微變H參數(shù)小信號等效電路參數(shù)小信號等效電路交流通路交流通路 becbR TLRiVoVeRsV sRbR LRoVeRbIcebbIber iVsV sR模擬電子技術基礎3 動態(tài)分析動態(tài)分析 求求AV、R i、Ro的值的值RL= Re /RL其中其中 beboirIVV)|()1 (LbbebRRIrIea. 電壓放大倍數(shù)電壓放大倍數(shù)bR LRoVeRbIcebbIber iVsV sR)|)(LebboRRIIVLbeLio)1 ()1 (RrRVVAV 模擬電子技術基礎LbeLioVR)(rR)(V

53、VA11由于由于beLrR)(1故故無電壓放大能力無電壓放大能力1ioVVVAa. 電壓放大倍數(shù)電壓放大倍數(shù)共集電極電路的電壓放大倍數(shù)接近而略小于共集電極電路的電壓放大倍數(shù)接近而略小于1，且為正；說明，且為正；說明其其輸入電壓和輸出電壓同相輸入電壓和輸出電壓同相；其輸出電壓的其輸出電壓的大小和相位大小和相位跟隨輸入電壓變化，具有電壓跟隨跟隨輸入電壓變化，具有電壓跟隨作用，因此共集電極電路常稱為作用，因此共集電極電路常稱為射極跟隨器射極跟隨器 。 bR LRoVeRbIcebbIber iVsV sR模擬電子技術基礎eIb. 電流放大倍數(shù)電流放大倍數(shù)由于由于eLEEoIRRRI bBBiiIRR

54、RI ioIIAi 故故bBBieLEEIRRRIRRR bR LRoVeRbIcebbIber iVsRiIRi)1(BiBLEEio RRRRRRIIAi即射極輸出器有電流放大能力和功率放大能力即射極輸出器有電流放大能力和功率放大能力模擬電子技術基礎 Ri = Rb/Ri= Rb/rbe+(1+)RL 由于由于biiIVRbLbbeb1IRI)(rILbei1R)(rR故故bR LRiVoVeRbIcebbIeIcIoIiIiRRibeboirIVVLebbeb /1RRI)(rIRi通常很大通常很大c. 輸入電阻輸入電阻模擬電子技術基礎共集電極電路的輸入電阻約為共集電極電路的輸入電阻約為

55、105106量級，量級，而基本共射輸入電阻而基本共射輸入電阻約為約為103量級。量級。所以與基本共射放大電路相比較，共集電極放大電路的輸所以與基本共射放大電路相比較，共集電極放大電路的輸入電阻比較高。入電阻比較高。bebirRR Ri = Rb/Ri= Rb/rbe+(1+)RL 模擬電子技術基礎bersRbReRbIcebbIeIcIoRRoVI)(IVIVRbeo11bsbeoRRrR1bsbeeeooRRrRRRR()bbesbVIrR R d. 輸出電阻輸出電阻Ro模擬電子技術基礎d. 輸出電阻輸出電阻Ro1bsbeeeooRRrRRRR輸出電阻很低，僅有十幾輸出電阻很低，僅有十幾幾十

56、歐姆；若想進一步降低輸出電阻，幾十歐姆；若想進一步降低輸出電阻，應選應選較大的三極管較大的三極管 模擬電子技術基礎共集電極電路的特點共集電極電路的特點電壓放大倍數(shù)略小于電壓放大倍數(shù)略小于1，近似等于，近似等于1；輸出電壓與輸入電；輸出電壓與輸入電壓同相；壓同相；輸入電阻高，輸入電阻高，輸出電阻低。輸出電阻低。雖然它不具備電壓放大作用，但它具有電流放大作用，雖然它不具備電壓放大作用，但它具有電流放大作用，仍然有功率放大作用。仍然有功率放大作用。模擬電子技術基礎例題：例題：50，VBEQ0.7，Q點？動態(tài)性能點？動態(tài)性能?模擬電子技術基礎Q點點46(1)(1)2.3()6.94ccEBccBQbe

57、beCQBQECQccCQecVVVIARRRRIImAVVIRRV模擬電子技術基礎oLVbeLi(1)(/)(1)(/)eeRRVArRRV動態(tài)性能動態(tài)性能1besboerR RRR Ri = Rb/rbe+(1+)RL 模擬電子技術基礎共基放大電路共基放大電路 在射極偏置電路在射極偏置電路中，從射極輸入信號，中，從射極輸入信號，從集電極輸出信號，從集電極輸出信號，則電路的組態(tài)變?yōu)楣矂t電路的組態(tài)變?yōu)楣不M態(tài)?；M態(tài)。1 電路組成電路組成CCV cRsVoV 2Cb1R1C TLRb2R eRbC 1IBIsR iV模擬電子技術基礎2. 靜態(tài)分析求解靜態(tài)分析求解Q點點 +_+_CEQVBEQV

58、CQIEQI1ICCV cRb1RTb2ReRBQI直流通路直流通路 共基極放大電路共基極放大電路CCV cRsVoV 2Cb1R1C TLRb2R eRbC 1IBIsR iV模擬電子技術基礎2. 靜態(tài)分析求解靜態(tài)分析求解Q點點 用估算法求靜態(tài)工作點用估算法求靜態(tài)工作點Q，從，從VB固定入手固定入手CCb2b1b2BVRRRV+_+_CEQVBEQVCQIEQI1ICCV cRb1RTb2ReRBQI)(ecCQCCCEQCQBQeBEBQEQCQRRIVVIIRVVIIQ1共基極放大電路共基極放大電路模擬電子技術基礎3. 動態(tài)分析畫微變等效電路動態(tài)分析畫微變等效電路 交流通路交流通路 +_

59、T_+cRoVLReRiVCCV cRsVoV 2Cb1R1C TLRb2R eRbC 1IBIsR iV模擬電子技術基礎3. 動態(tài)分析畫微變等效電路動態(tài)分析畫微變等效電路 微變等效電路微變等效電路 共基極放大電路共基極放大電路交流通路交流通路 sV sR+_T_+cRoVLReRiVcebsV sR+_+cRoVLReRiVcebbIbI模擬電子技術基礎3. 動態(tài)分析畫微變等效電路動態(tài)分析畫微變等效電路 微變等效電路微變等效電路 共基極放大電路共基極放大電路sV sR+_+cRoVLReRiVcebbIbIa. 電壓放大倍數(shù)電壓放大倍數(shù))RR(IVrIVVVALcbobebiiovbeLbe

60、LcvrRrRRA)(與基本共射放大電路相比少了一個負號，說明共基電路是與基本共射放大電路相比少了一個負號，說明共基電路是同相放大器。同相放大器。 模擬電子技術基礎微變等效電路微變等效電路 共基極放大電路共基極放大電路b. 輸入電阻輸入電阻共基電路共基電路輸入電阻輸入電阻通常只有通常只有幾到十幾歐姆幾到十幾歐姆，這是，這是致命的缺點致命的缺點這個這個致命的缺點致命的缺點，限制了共基電路在低頻放大電路中的使用，限制了共基電路在低頻放大電路中的使用sV sR+_+cRoVLReRiVcebbIbIiRRi1beieirRR R1(1)bibebeiebI rrVRII模擬電子技術基礎求解輸出電阻電