ESD 靜電放電知識培訓(xùn)(共30張)

1、ESD 靜電放電知識培訓(xùn)培訓(xùn)講師：培訓(xùn)講師： 2006/07/282/13/2022靜電基本概念vElectrostatic靜電：絕緣體與絕緣體相互進(jìn)行磨擦，分開后將在其表面附著大量正或負(fù)離子，這些在絕緣體中不能流動的電荷就叫靜電。例如：膠尺在與干布磨擦之后能夠吸引紙屑；冬天脫毛衣聽到之聲及看到之火花均為靜電現(xiàn)象。 What is Electrostatic ？2/13/2022ESD基本概念 ESD: Electrostatic Discharge靜電泄放，指靜電累積到一定的電勢能后對電子元器件造成的一種快速放電現(xiàn)象。What is ESD？2/13/2022ESD防護(hù)基本概念ESD防護(hù):就

2、是為了防止靜電滿泄放對靜電敏感器件造成傷害而采取的一切保護(hù)措施。同時還包括對操作人員的安全保護(hù)要求 。What is ESD Safety？2/13/2022ESD/S SD基本概念 ESD/S SD：ESD/Static Sensitive Devices靜電敏感器件,指受到一定能量的靜電泄放后將會引起暫時性或永久性損傷的電子器件。 What is ESD Sensitive Devices？2/13/2022ESD放電模型ESD 靜電放電模型有：v HBM HBM：Human Body ModelHuman Body Model人體模型人體模型 參考：參考：ESD STM 5.1v MM：

3、Machine Model機(jī)器模型 參考：參考：ESD STM 5.2v CDM：Charged Device Model帶電器件模型 參考：參考：ESD DS 5.3.12/13/2022HBM放電模型 HBM HBM：人體靜電是引起靜電損失和發(fā)生意外人體靜電是引起靜電損失和發(fā)生意外爆炸的最主要和最經(jīng)常的因素，因此國內(nèi)外爆炸的最主要和最經(jīng)常的因素，因此國內(nèi)外對產(chǎn)品的防靜電危害要求都是以防人體靜電對產(chǎn)品的防靜電危害要求都是以防人體靜電為主，并建立了人體模型，為主，并建立了人體模型，HBM是是ESD模型模型中建立最早和最主要的模型之一。人體能貯中建立最早和最主要的模型之一。人體能貯存一定的電荷，

4、所以人體明顯地存在電容。存一定的電荷，所以人體明顯地存在電容。人體也有電阻，這電阻依賴于人體肌肉的彈人體也有電阻，這電阻依賴于人體肌肉的彈性、水份、接觸電阻等因素。性、水份、接觸電阻等因素。美國海軍美國海軍1980年提出了一個電容值為年提出了一個電容值為100PF，電阻為，電阻為1.5的所謂的所謂“標(biāo)準(zhǔn)人體模型標(biāo)準(zhǔn)人體模型”。這一標(biāo)準(zhǔn)得到。這一標(biāo)準(zhǔn)得到廣泛采用，但在后來也遇到一些問題。廣泛采用，但在后來也遇到一些問題。 2/13/2022HBM等效電路圖及其ESD等級2/13/2022MM等效電路圖及其ESD等級2/13/2022CDM等效電路圖及其ESD等級2/13/2022ESD靜電敏感等

5、級試驗(yàn)等級參考：MIL-STD-883，GJB1649, GJB548A-97等標(biāo)準(zhǔn)一般分為以下3個等級分類來控制: Class1: 01999V Class2: 2kV3999V Class3: 4kV15999V 16000V以上為非靜電敏感產(chǎn)品2/13/2022ESD 標(biāo)準(zhǔn) ANSI/ESD S20.20-1999：該標(biāo)準(zhǔn)是由USA國家標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會制訂，于1999.8.4發(fā)行生效的ESD標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)作為ESD控制的國際標(biāo)準(zhǔn)被廣泛采用。 該標(biāo)準(zhǔn)可以作為認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)使用；獲得證書必須滿該標(biāo)準(zhǔn)可以作為認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)使用；獲得證書必須滿足相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)需求：即建立控制方案和控制計劃足相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)需求：即建立控制方案

6、和控制計劃并實(shí)施、記錄運(yùn)行狀況和核實(shí)標(biāo)準(zhǔn)的遵守并實(shí)施、記錄運(yùn)行狀況和核實(shí)標(biāo)準(zhǔn)的遵守/ /滿足滿足情況情況ANSI/ESD S20.20-19992/13/2022ESDS器件分類器件種類耐ESD的靈敏度（V）MOS場效應(yīng)晶體管100-200JFET結(jié)型場效應(yīng)晶體管140-7000CMOS250-3000ECL500-1500SCR680-1000TTL100-200100-25002/13/2022器件ESD等級分類級別靜電敏感度范圍元器件類型區(qū)域顏色I(xiàn)01999 V 微波器件（肖特基二極管、點(diǎn)接觸二極管）離散型微波器件（肖特基二極管、點(diǎn)接觸二極管）離散型MOSFET器件、聲表面波器件、聲表面

7、波SAW、電耦合器件、電耦合器件CCDS、結(jié)型場效應(yīng)晶體管結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFETs、精密穩(wěn)壓二極管、運(yùn)算放、精密穩(wěn)壓二極管、運(yùn)算放大器大器OPAMPs、MOS集成電路集成電路IC、使用、使用I級元器件的級元器件的混合電路、超高速集成電路混合電路、超高速集成電路UHSIC、可控硅整流器、可控硅整流器紅色紅色I(xiàn)I20003999 V 由試驗(yàn)數(shù)據(jù)確定為由試驗(yàn)數(shù)據(jù)確定為II級的元器件和微電路，離散型級的元器件和微電路，離散型MOSFET器件、結(jié)型場效應(yīng)晶體管器件、結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFETs、運(yùn)算放大、運(yùn)算放大器器OPAMPs、IC、超高速集成電路、超高速集成電路UHSIC、使用、使用II級級元器件的

8、混合電路、精密電阻網(wǎng)絡(luò)元器件的混合電路、精密電阻網(wǎng)絡(luò)RZ、低功率雙模型、低功率雙模型晶體管晶體管III400015999 V 由試驗(yàn)數(shù)據(jù)確定為由試驗(yàn)數(shù)據(jù)確定為III級的元器件和微電路，離散型級的元器件和微電路，離散型MOSFET器件、結(jié)型場效應(yīng)晶體管器件、結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFETs、運(yùn)算放大、運(yùn)算放大器器OPAMPs、IC、超高速集成電路、超高速集成電路UHSIC、使用、使用II級級元器件的混合電路、片式電阻器、光電器件、小信號元器件的混合電路、片式電阻器、光電器件、小信號二極管、硅整流管、低功率雙模型晶體管二極管、硅整流管、低功率雙模型晶體管藍(lán)色藍(lán)色非敏感16000 V 不需實(shí)施不需實(shí)施ES

9、D防護(hù)區(qū)域的器件防護(hù)區(qū)域的器件 綠色綠色2/13/2022濕度對ESD靜電場的影響靜電產(chǎn)生方式靜電電位（V）相對濕度10-20相對濕度65-90在聚乙烯地面上步行12000250在工作臺上工作的工人6000100在工作臺上拿起的聚酯口袋200001200用聚氯基甲酸泡沫塑料填充的工作椅180001500在地毯上步行3500015002/13/2022靜電產(chǎn)生的原因 2/13/2022ESD控制方法根據(jù)靜電的產(chǎn)生原因和相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)要求：ANSI/ESD S20.20：1999，制訂適合于公司內(nèi)部管控的ESD控制方案和ESD控制計劃2/13/2022靜電防護(hù)標(biāo)準(zhǔn) ESD STANDARDESD防靜電材料的種類2/13/2022ESD防護(hù)類別2/13/2022ESD防護(hù)具體方法一 2/13/2022ESD防護(hù)具體方法二 2/13/202